Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
1
Transistor lưỡng cực
Bipolar Junction Transistor
Nguyễn Quốc Cường
Bộmôn 3I – ĐHBK HN
Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
2
Giới thiệu
•BJT được phát minh vào năm 1948 tại Bell Telephone Lab
•MOSFET được biết đến trước BJT tuy nhiên chỉ được sử
dụng nhiều trong công nghệchếtạo IC từ năm 1980s
•BJT ngày nay được sửdụng
–chếtại linh kiện rời công suất lớn
–chếtạo IC hoạt động ởtần sốcao
•Các ứng dụng
–các thiết bị điện tửtrong automotive
–các thiết bịtruyền tin không dây
Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
3
Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu npn
Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
4
Cấu trúc đơn giản của BJT kiểu pnp
Transistor lưỡng cực
Nguyễn Quốc Cường
5
•BJT là thiết bị3 cực
–Emitter (E)
–Base (B)
–Collector (C)
•BJT có 2 tiếp giáp pn
–Tiếp giáp emitter-base (EBJ)
–Tiếp giáp collector-base (CBJ)
•Tùy thuộc vào các chế độ phân cực khác nhau cho 2 tiếp
giáp này BJT có các chế độ hoạt động khác nhau