0
S KHOA HC VÀ CÔNG NGH TP.HCM
TRUNG TÂM THÔNG TIN VÀ THNG KÊ KH&CN
BÁO CÁO PHÂN TÍCH XU HƯNG CÔNG NGH
Chuyên đề:
XU HƯỚNG NGHIÊN CU VÀ NG DNG
GM VÀ GRAPHEN TRONG SN XUT KEO TN NHIT
Biên soạn: Trung tâm Thông tin và Thống kê Khoa học Công nghệ
Vi s cng tác ca:
TS.Đỗ Hu Quyết
Th.S Tiêu Tư Doanh
CN.Hng Công Quý
Trung tâm Nghiên cu Trin khai, Khu Công ngh cao TP.HCM.
TP.H Chí Minh, 10/2018
1
MC LC
I. TNG QUAN V KEO TN NHIT VÀ VT LIU S DNG NHM
TĂNG CƯNG HIU NĂNG GII NHIT DÙNG TRONG ĐÈN LED VÀ
CHIP ĐIỆN T TN TH GII TI VIT NAM ............................................ 2
1. Tng quan v keo tn nhit ................................................................................................. 2
2. Mt s vt liu h cacbon ci thin tính ng ca keo tn nhit nhằm tăng cưng hiu
năng gii nhit ng trong đèn led và chip đin t ............................................................. 13
II. PHÂN TÍCH XU HƯỚNG CÔNG NGH SN XUT KEO TN NHIT
S DNG GỐM VÀ GRAPHEN TRÊN CƠ SỞ S LIU SÁNG CH QUC
T ................................................................................................................................. 14
1. Tình nh ng b ng chế v ng ngh sn xut keo tn nhit s dng gm
graphen theo thi gian ............................................................................................................ 16
2. Tình nh ng b ng chế v ng ngh sn xut keo tn nhit s dng gm
graphen theo quc gia ............................................................................................................ 16
3. Tình nh ng b ng chế v ng ngh sn xut keo tn nhit s dng gm
graphen theo các ng nghiên cu ..................................................................................... 17
4. Các đơn v dn đu s hu sáng chế v công ngh sn xut keo tn nhit s dng
gm graphen ...................................................................................................................... 17
5. Sáng chế tu biu .............................................................................................................. 18
6. Kết lun ............................................................................................................................... 19
III. GII THIU NG NGH SN XUT KEO TN NHIT NG DNG
GM VÀ GRAPHEN TI TRUNG M NGHIÊN CU TRIN KHAI, KHU
CÔNG NGH CAO TP.H CHÍ MINH ....................................................................... 20
1. Gii thiu công ngh sn xut keo tn nhit ng dng gm graphen ...................... 20
2. So nh hiu ng của keo tn nhit gm graphen vi các sn phẩm thương mi
trên th tng. ........................................................................................................................ 23
3. Kết qu ng dụng cho đèn led và chip đin t ................................................................ 24
TÀI LIU THAM KHO .................................................................................................... 25
2
XU HƯỚNG NGHIÊN CU VÀ NG DNG GM VÀ GRAPHEN
TRONG SN XUT KEO TN NHIT
***********************
I. TỔNG QUAN VỀ KEO TẢN NHIỆT VẬT LIỆU SỬ DỤNG NHẰM
TĂNG CƯỜNG HIỆU NĂNG GIẢI NHIỆT DÙNG TRONG ĐÈN LED
CHIP ĐIỆN TỬ TRÊN THẾ GIỚI VÀ TẠI VIỆT NAM
1. Tổng quan về keo tản nhiệt
Qun lý nhit mt phn quan trng cho hàng lot các thành phần và đóng gói
linh kiện điện t. Yêu cu ngày càng cao v chức năng tích hp phc tp trong
mạch điện t cùng vi s đòi hỏi mỏng hơn, nhẹ hơn và hiệu sut làm vic ca sn
phẩm tăng lên cũng như tốc độ phát trin ln mnh ca nn công nghip n dn
toàn cu dẫn đến kết qu s gia ng nhit ca các thiết b, h thng vy cn
phi làm mát. Yêu cu cung cp một năng lượng làm mát thiết b, h thống để
cho chúng hoạt động hiu qu. Và thc thách ln nht trong h làm mát là kh năng
qun nhit tt mà không làm ảnh hưởng đến hiu sut làm vic ca thiết b, h
thống. Nchúng ta đã biết khi mà công suất ngày càng gia tăng thì yêu cầu làm
lnh phải tương xứng. Hu hết các h thống được thiết kế là ti thiu s nhit tr
tối đa sự tiêu tán nhiệt. Nhưng với s thu nh h thống ngày càng gia ng mật
độ mạch cũng tăng, thiết b đin t ngày nay thì d b ảnh hưởng và khuynh hưng
sinh ra mt lượng nhiệt đáng kể. Nếu nhiệt không được tiêu tán thì tui th
độ tin cy ca thiết b đin t s ri ro lớn. Đây vấn đề đòi hi vic gii
quyết tn nhit n trong thiết b như vùng tản nhit (heat sink), qut, chuyển đi
nhit (heat exchanger)… Mặc nhng gii pháp tngày càng nhiu, s dụng để
gi nhiệt độ linh kin, thiết b ti mc thp nhất nhưng vật liệu cũng đóng một vai
trò hết sc quan trng.
Đối vi h lp ráp, khi hai b mặt được đưa lại tiếp xúc vi nhau thì tại đó chỉ
i điểm tiếp xúc. Những độ h khí (air gap) to ra các vùng không tiếp xúc
tr thành rào cn nhit (thermal barrier). K thut hin tại để khc phc s cn tr
này làm gim khoảng cách độ h khí để tăng s truyn nhit bằng cách làm ưt
b mt s dng môi trường cht lng hoặc tăng cường quá trình dn nhit s dng
vt liu dn nhiệt như là vật liu giao din nhit (TIM_Thermal Interface Material).
Nhng vt liệu này độ dn nhit cao và cho phép truyn ti nhit hiu qu ti b
mt. Vt liu giao din nhiệt TIMs đưc s dụng đ ni nhng linh kin giao
din mt vi np (lids) b phn tn nhiệt.( heat spreader). Do đó, chúng tôi tiến
hành nghiên cu sn xut keo tn nhit làm vt liu tn nhit cho các thiết b đin
t như đèn LED, bộ vi x lý…
3
Hình 1. Giản đồ các thành phần điện trở khác nhau của TIM.
1.1 lược v lch s vt liu giao tiếp nhit TIM_Thermal Interface Material
Hu hết tt c các công vic thuộc lĩnh vực vt liệu giao điện nhiệt trước năm
2000 ch yếu thc nghim. Thc tế không điểm nhn cho bt c mô hình
vật nào cho đc tính nhit ca TIMs. Phn ln công vic thc nghim do nhà
nghiên cu Fletcher các công s thc hin t 1990-2000, đã công b bài báo
tng quan các loi TIMs khác nhau bao gm tm kim loi (foils) TIM
polymer. Nhà nghiên cứu Mirmiraet đã đưa ra các loại cht kết dính khác nhau
d liu liên quan theo kiu kinh nghiệm. Ông cũng công bố s định lượng thc
nghiệm cho TIMs đàn hồi. Marotta Fletcher thc hin các thc nghim vi các
loi vt liu polymer khác nhau so sánh kết qu vi hình biến dạng đàn hồi.
Nhà nghiên cứu Marotta Han đã đưa ra dữ liu thc nghim cho các loi TIMs
polymer. Nhà nghiên cứu Xuet đã chế to rt nhiu loi TIMs trên nn Sodium
Silicate đưc b sung thêm ht Boron Nitride. Trong tt c các nghiên cu này
đều không có ý đnh tách ri nhit tr tiếp xúc và nhit tr khi ca TIMs và không
th rút ra được vài quy lut t mt vài nhng nghiên cu này.
1.2 Các đặc tính tha mãn ca TIM
Như đã thảo lun trên, TIM hoạt động để kết ni các phn khác nhau cho
gii pháp tn nhit. Sau khi gn TIM gia các b mt rn, thì tr nhit RTIM ti
b mt bao gm hai thành phn nhit tr khi Rbulk ca TIM sinh ra khi dn
nhit và nhit tr tiếp xúc Rc gia TIM và cht rn tiếp giáp.
RTIM có th đưc biu diễn như sau:
đó BLT (Bond Line Thickness) là độy ca TIM,
kTIM là độ dẫn nhiệt ca TIM
Rc1 và Rc2 là điện trở tiếp xúc của TIM tại hai bề mặt tiếp giáp.
4
Da vào công thc trên thì chúng ta s phi giảm điện tr của TIM. Điều này
nghĩa chúng ta giảm độ dày BLT, tăng độ dn nhit giảm điện tr tiếp xúc
Rc1Rc2.
Độ dn nhit (Thermal Conductivity)
Trong hu hết c ng dụng thì TIM đóng vai trò dẫn nhiệt. Độ dn nhit ca
một TIM tăng lên bng cách thêm mt thành phn mm (soft) d như vật liu
polymer vi các ht rn dẫn điện như hạt Al, Al203 hoc BN (Boron Nitride). Nếu
yêu cu thiết kế TIM dn nhiệt nhưng cách điện thì các ht dng ceramic thì
đưc chn nhiu. Hình 2 cho thy s thay đổi độ dn nhit ca m (grease) trên
nn Silicone là hàm s ca phn (fraction) th tích ht Al cho vào.
Hình 2. Hình biểu diễn độ dẫn nhiệt với phần trăm thtích hạt Al của loại mỡ nhiệt trên nền Si
Độ dn nhit ca TIMs có th đưc biu din như sau:
Với kf là độ dẫn nhiệt của hạt cho vào
là phần thể tích hạt cho vào
Rb là điện trở tiếp xúc giữa hạt cho vào và polymer
Đối vi ht cu tmt trong nhng hình ni bt hình Maxell.
hình này phù hp cho ht cu vi lên đến 30-35% sau khi quá trình lc xy ra.
hình Maxell không s dụng để d đoán độ dn nhit vi phn th tích ht cho
vào cao hơn do s gi định trong quá trình xây dng nên hình này. Nhà nghiên
cứu Prasher đã thay đổi hình Bruggeman đ th d đoán kh năng dẫn nhit
cho phn th tích ht cho o t thấp đến cao bng cách thêm o ảnh hưởng ca
đin tr giao din gia hạt cho vào khuôn (matrix) polymer tác động lên độ dn
nhit ca composite.