Ch ng 2:ươ
TRANSISTOR L NG C C (BJT)ƯỠ Ự
Vùng tác đ ng: (Vùng khu ch đ i hay tuy n tính) ộ ế ạ ế
M i ghép B-E phân c c thu n ố ự ậ
M i ghép B-C phân c c ngh chố ự ị
•Vùng b o hòa: ả
M i ghép B-E phân c c thu n ố ự ậ
M i ghép B-C phân c c thu n ố ự ậ
•Vùng ng ng: ưM i ghép B-E phân c c ngh ch ố ự ị
Vùng ho t đ ng c a BJTạ ộ ủ
Ph ng pháp chung đ phân gi i m ch ươ ể ả ạ
phân c c g m ba b c:ự ồ ướ
•B c 1: Dùng m ch đi n ngõ vào đ xác đ nh ướ ạ ệ ể ị
dòng đi n ngõ vào (IệB ho c IặE).
•B c 2: Suy ra dòng đi n ngõ ra t các liên h ướ ệ ừ ệ
IC=βIB hay IC=αIE
•B c 3: Dùng m ch đi n ngõ ra đ tìm các thông ướ ạ ệ ể
s còn l i (đi n th t i các chân, gi a các chân ố ạ ệ ế ạ ữ
c a BJT...) ủ
2.1.1 Phân c c c đ nh (Fixed – Bias)ự ố ị
V
CE
+
-
V
BE
+
R
C
R
B
Vcc
I
C
I
B
2.1 Phân c cự
Phân c c c đ nh (Fixed – Bias)ự ố ị
•M ch ngõ BE: ạ
•VBE = 0.7V (Si), VBE = 0.3V (Ge)
•Suy ra : IC=βIB
•M ch ngõ ra CE: ạ
hay
•Đây là pt đ ng th ng l y đi nườ ẳ ấ ệ
0
− − =
CC B B BE
V R I V
CC BE
B
B
V V
I
R
−
=�
= +
CC C C CE
V R I V
= −
CE CC C C
V V R I