TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
ĐỀ THI HỌC PHẦN ET2012: Kỹ thuật Điện tử
Kỳ thi: Cuối kỳ Ngày thi:22/09/2021
Thời gian làm bài: 60 phút
(Được sử dụng tài liệu)
Ký duyệt
Trưởng nhóm môn học:
PGS. TS. Nguyễn Tiến Dũng
Trưởng Bộ môn:
Câu 1: (2đ)
Cho mạch điện như Hình 1: R=450Ω, Zener Diode (DZ)
công suất cực đại Pz=1,44W. Điện áp vào Uv một chiều.
a/ Giả thiết DZ đang làm việc tại công suất tối đa với
dòng điện 180mA. Tính điện áp làm việc của diode UZ.
(1đ)
b/ Giả thiết UV= 40V, tính dòng qua DZ. Điện áp vào đạt
tối đa bao nhiêu để DZ còn làm việc đúng chức năng (bỏ
qua dòng ngược khi chưa tới điểm đánh thủng). (1đ)
Câu 2 (2đ)
Cho mạch điện như Hình 2, nguồn phân cực Ecc. Giả sử
mạch làm việc tại điểm làm việc
Q(IB, IC, UCE)= Q(200μA, 15mA, 7V) và UQ= 3/5 Ecc
trên đường tải tĩnh/
a/ Xác định hệ số khuếch đại dòng điện β và hệ số
truyền đạt dòng điện α. (1đ)
b/ Xác định nguồn Ecc và dòng collector cực đại ICmax
biết R2=2kΩ,R3= 4kΩ. (1đ)
Câu 3 (2đ)
Cho mạch điện trong Hình 3 sử dụng KTTT lý tưởng.
a/ Cho biết tên, chức năng của mạch và vẽ dạng đồ thị
điện áp Uv(t) Ur(t) trên đồ thị thẳng hàng, khi biết: Uv có
dạng xung tam giác như hình vẽ có biên độ đỉnh
|Uo|=12V, chu kỳ 4ms, IC có điện áp bão hòa
|Ur_max|=15V, R1=5kΩ, R2=15kΩ. (1đ)
b/ Nếu đổi dấu vị trí của đầu vào đảo và không đảo của
KĐTT trong Hình 3 thì mạch thay đổi như thế nào? Vẽ
đặc tuyến vào ra của mạch khi đó. (1đ)
Bài 4: (2đ)
Cho hàm logic F(A,B,C,D) được biểu diễn bằng bìa Cac nô
như hình 4
a/ Tối thiểu hóa hàm F. (1đ)
b/ Viết bảng trạng thái với A=0 D=0. (1đ)
AB
CD
00
01
11
10
00
1
01
1
1
1
1
11
10
1
1
Bài 5: 2đ
Cho hàm:
a/ Tối thiểu hóa biểu thức G. (1đ)
b/ Vẽ biểu diễn biểu thức G tôi thiểu bằng các phần tử NAND. (1đ)
HẾT
Đề số: 010
Tổng số trang: 1/1
-UO
UO
0 1 2 3 4
t [ms]
UV
R1
UV
R2
Ur
R1
UV
Ur
R2
R3
ECC
UZ
R
D
UV