416
bit địa chỉ từ 5 cho Fk0
~và 6 cho Fk1
~ Fk2
~. Cho các hệ số cố định, có thể dùng
b nh ch đọc (ROM) hoặc b nh lập trình kh năng x được
(EPROM).
đồ thực hiện của các khối cho trong hình 16.2. Mạch điện hoạt động như
sau:
1. Đầu vào cho các EPROM các bit của giá trị đu vào hiện tại và 8 giá tr
đu vào trước và tám giá trgiá trị đu ra rút ra từ mạch điện hình 16.1.
2. Các bit y dùng như địa chđầu vào của ba EPROM của mạch điện hình
16.2.
3. Các giá trđu ra từ mỗi EPROM là một giá trị L-bit biểu diễn cho Fk0
~,
Fk1
~hoặc Fk2
~.
4. Nếu L scác bit biểu diễn dữ liệu vào / ra, thì tại điểm bắt đầu của mỗi
chu k xung nhịp L các phn tử tích luỹ từ ACC1 đến ACC3 được xoá.
5. Fk0
~, Fk1
~, và Fk2
~giá trị cho k = L.
C ý là
00
~
,0
~
1
2
1,0
~
1
2
01
~
1
2
~)...)2.(2...(2),( FFFFmny KK
I
(16.14)
và tương tự cho yII(n,m)yIII(n,m).
6. Fk0
~, Fk1
~ Fk2
~được cộng (cộng phần bù hai) với ACC1, ACC2, và ACC3.
7. ACC1, ACC2, và ACC3 được dịch phải 1 bit (một dịch phần bù hai).
8. Các bước 5 và 6 được lặp lại với k = L - 1, L - 2, ..., 1.
9. Tiếp theo, F00
~, F10
~ F20
~được đọc từ các EPROM và được trừ với ACC1,
ACC2, và ACC3.
10. Các giá tr chứa trong ACC1, ACC2, và ACC3 bây giđược cộng bit với
bit qua mt thanh ghi dịch vào song song ra nối tiếp (PISO) để thành
y(n,m).
Dạng cấu trúc trong đồ hình 16.1 16.2 biểu diễn một dạng đơn giản
ca chức năng bộ lọc IIR 2 2, 2-D. Cấu trúc yêu cầu L + 1 chu k xung nhịp
để tạo ra một tín hiệu đầu ra. Chu k xung nhịp được điều khiển bởi thời gian
x cho EPROM, thời gian trễ cho các phn tử cộng và trừ, thời gian trễ cho
các thanh ghi dịch, ... Các yếu tố này thgiới hn tốc độ ra thp hơn tốc độ
video. Vì vy, các bộ bộ chức năng tốc độ cao có khả năng xử lý đồng thời cho
tất cả các bit đầu vào và đầu ra được đề cập đến ở phần dưới đây.
16.2.3 Xử lý đồng thời
Các thao tác đồng thời khnăng x song song cho (L+1) đầu vào
đầu ra tại một thời điểm. Điều này th thực hiện dễ dàng bằng ch thay 12
417
thanh ghi dịch (SR1-SR12), các thanh ghi kiểu vào nối tiếp ra nối tiếp
(SISO) bằng các thanh ghi dịch kiểu vào song song ra song song (PIPO),
các dây tr bằng kiểu vào song song ra song song. L + 1 bit dliệu vào ra
th xử đồng thời dùng các phần tử thực hiện dạng song song. Một phn tử
chức năng song song cho y n m
I
~( , ) được cho trong hình 16.3. Các phần tử chức
năng cho y n m
II
~( , ) y n m
III
~( , ) được phát triển một cách tương tự. Chú ý là
tần số xung nhịp được điều khiển bằng khoảng thời gian trễ lớn nhất, dẫn L bit
đến đu ra. Tất c các cấu trúc này q tốn kém cho thực hiện, và tất cả thể
không thực tiễn. Vì vậy, mt cấu trúc chức năng khác, mà chúng ta đề cập
đến phần cuối, sẽ yêu cầu ít phn cứng n cho ta một tốc đđáp ứng
nhanh hơn.
Hình 16.3 Cấu trúc song song cho ),(
~mnyI.
Thực hiện bộ lọc FIR. Một hàm truyền đạt của blọc FIR 2-D được cho
bởi
N
i
N
j
ji
ij zzazzH
0 0 2121 ),( (16.15)
Cho b lọc kích thước 10 10 mối quan hệ giữa đầu vào và đu ra được
cho bởi
418
10
0
10
0
),(),(
i j ij jminxamny (16.16)
mà có thể viết thành
10
0
),(),(
iimnymny (16.17)
đây
10
0
),(),(
jiji jminxamny (16.18)
Thực hiện của bộ lọc bậc 10 được giới thiu trong hình 16.4. Hoạt động của
b lọc này ging như hoạt động của bộ lọc IIR. 11 bảng tra cứu trong khối xử
giới thiệu trong hình 16.5 kích 2048 L bit. Trong hình 16.4 có c mạch
điện của các khối trong bng tra cứu. Mạch điện cho tổng qt cho bảng tra
cứu được giới thiệu trong hình 16.6, hoạt động của nó được trình bày
phn tiếp theo.
Hình 16.4 B lọc 2-D kích thước 10.
Chức năng to bảng tra cứu là to ra tất cả các giá trị có th của Fik
~
10
0
~~ ),(
jk
ijik jminxaF (16.19)
đây xk(n-i,m-j) có thlà 0 hoặc 1, và i = 0, 1, 2, ..., 10.
419
Để tạo Fk0
~các hsố {a00, a01, a02, ..., a0,10} được nạp ban đầu vào 11 thanh
ghi L bit, bđếm 11 bit được xoá sạch, và dòng
R
W
/
trong bảng nhớ tra cứu
được xoá về 0 (viết). Bộ đếm 11 bit, được đánh địa chỉ 2k L R/W bnh
(bảng tra cứu) và 11 cổng AND, được tăng tốc độ f/L, đây f tần số xung
nhp. c thanh ghi chứa các hsố { a00, a01, a02, ..., a0,10} được dịch ra nối
tiếp tại tốc độ f bit/sec.
Mạch điện này hoạt động như sau:
1. Khi bđếm tăng lên 1 đánh địa chỉ trong bảng tra cứu. a00 chlà h
số mà cho phép đưa qua mảng cng AND vào b cộng 11 bit nối tiếp, và
qua thanh ghi SIPO được đặt trên đưng vào/ra của b nh R/W, và
chứa trong bộ nhớ thứ hai.
2. Bđếm tiếp theo được tăng lên 2 (000 ...10 trong h nhị phân), và được
đánh địa chỉ trong vùng nhthứ 3 trong bảng tra cứu, và ơng tự như
bước trên a01 được chứa vào vùng thứ ba.
3. Bđếm được tăng lên 3 (000...11 trong hnh phân). a00 và a01 blấy ra
khỏi bộ cộng 11 bit, được cộng và chứa vào thanh ghi dịch SIPO đ
chứa vào vùng th tư của bộ nhớ R/W.
4. Tiếp tục cho đến khi bđếm trở về 0, là vào lúc này bng tra cứu sẽ
chứa tất cả các tổ hợp ca Fk0
~.
5. Tiếp theo dây
R
W
/
được đặt bng 1 nên Fk0
~ thể đọc từ bộ nhớ R/W.
Hình 16.5 Đơn vị xử lý cho bộ lọc FIR của hình 16.4
420
Bài tập 16.1 Phát triển một chương trình C cho phép to ra các phần tử
của bảng tra cứu cho các hệ số của một bộ lọc IIR hoặc là FIR.
Bài tập 16.2
1. Dùng chương trình phát triển trong cuốn sách thiết kế một bộ lọc 2 x2
xấp xỉ bộ lọc thông cao tuần hoàn đối xứng có điểm cắt tần s là 1 rad/sec.
Dùng đặc tuyến ca hàm Butterword bậc 1.
2. Ct bớt các hsố thành 11 bit, in đáp ứng biên độ đáp ng pha.
So sánh với bộ lọc chưa bị sửa đổi.
3. Tạo ra bảng tra cứu cho kiến trúc nối tiếp và cung cấp một dụ cho
hoạt động của mạch điện.
Bài tập 16.3 Thiết kế một đồ mạch điện tạo ra bảng tra cứu cho một
bộ lọc IIR 2 2.
Hình 16.6 Btạo bảng tra cứu cho bộ nhớ R/W
Kiến trúc chúng ta nghiên cu được phát triển ban đầu bởi Peled và Liu cho
trường hợp 1 chiều, được mở rộng ra hai chiều bởi tác giả. Một cấu trúc
tương tự nhưng kém đơn giản được phát triển bởi Jaggernauth và một số người
khác cho thực hiện blọc IIR 2 2 và được thực hiện bằng phần cứng. Giá
ca phần cứng này là trên $2000, và thiết kế này không có khả năng cho tốc độ
video thi gian thực.