Biên son: Võ K Châu – B môn Đin t, Khoa Đin – Đin t
Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn
1/8
11
Mch kp và mch
giao hoán
11-1 Mch kp
Mt công vic thường được thc hin đối vi các tín hiu tun hoàn là đặt li v trí ca đỉnh
dương hoc đỉnh âm ca tín hiu đến mt mc tham kho
R
V nào đó. Các mch thc hin vic này
được gi là mch kp (clampping circuit). Nói chung, bt c khi nào mt đim trong mch đưc kết
ni qua mt tr kháng thp đến mt ngun tham kho
R
V, ta nói là đim đó được kp ti đin áp
R
V, vì đin áp ca đim này s không th quá sai lch so vi
R
V. Mch diode trong hình 10-2 là
mt ví d ca mch kp như vy vì ngõ ra b kp ti
R
V bt c khi nào ngõ vào vượt quá
R
V. Trong
các mch này, ch mt chiu thay đổi ca đin áp là b kp nên ta gi chúng là các mch kp mt
chiu. Hai diode có th được dùng để to nên mch kp hai chiu.
Như ta đã biết, khi mt tín hiu được đưa qua mt mch bng cách ghép t, thành phn dc ca
tín hiu s b mt. Trong nhng trường hp này, mch kp thường được dùng để phc hi thành
phn dc, do đó nó còn có tên là mch tái to dc.
11-1-1 Dng sóng
Xét hình 11-1, bao gm mt ngun
i
v vi ni tr có th b qua, mt t và mt diode D. Gi
s là diode lý tưởng, tc là đim gián đon ca nó xy ra ti
0 V
đin tr phân cc thun là
không. Tín hiu vào là mt sóng sin bt đầu ti
0t
=
. T
C
không mang đin tích ti
0t=
. Ta s
tìm dng sóng ngõ ra
o
v
trên diode.
Biên son: Võ K Châu – B môn Đin t, Khoa Đin – Đin t
Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn
2/8
Trong mt phn tư chu k đầu tiên, tín hiu vào tăng t không đến giá tr ti đa
m
V. Diode là lý
tưởng nên áp rơi trên nó là không. Kết qu là trong sut mt phn tư chu k đầu tiên,
Ai
vv
=
. Đin
áp trên t C tăng theo hình sin, t np đin thông qua ngun và diode. Như vy, lúc này
o
v
không. Ti cui ca khong thi gian này áp rơi trên t
Am
vV
=
.
Sau mt phn tư chu k này, tín hiu bt đầu gim xung, đin áp trên t không th bám theo
tín hiu vào vì t không th x thông qua diode lúc này đang b phân cc ngược. Đin áp trên t
tiếp tc duy trì là
Am
vV
=
, đin áp ngõ ra là
oim
vvV
=
. Trong sut các chu k tiếp theo, đỉnh
dương ca tín hiu ra ch có th đạt đến không. Diode không bao gi dn tr li và đỉnh dương ca
tín hiu ra b kp ti không.
Gi s là sau khi đạt đến trng thái xác lp, biên độ tín hiu vào tăng lên. Khi đó, trong sut
mt phn tư chu k đầu tiên, diode s li dn. Đin áp dc trên t C s li tăng và mt ln na đỉnh
dương ca tín hiu ra s b kp li ti mc không. Nhưng nếu biên độ ca tín hiu vào gim xung
thì điu gì s xy ra? Trong trường hp này, rõ ràng là đin áp dc trên t cn phi gim theo nhưng
trong mch hình 11-1 không có cách nào để làm được điu này. Để đin áp trên t có th gim, cn
có mt đin tr mc shunt vi t hoc qua diode. Trong trường hp th hai, t s x thông qua mt
mch ni tiếp gm đin tr shunt ca diode và ni tr ngun.
Mch hình 11-2(a) trình bày trường hp có đin tr
R
. Hình 11-2(b) v dng sóng ngõ ra cho
trường hp biên độ tín hiu vào hình sin đột ngt gim xung. hai chu k đầu tiên tương ng vi
giai đon xác lp trước đó. Ti thi đim
1
tt
=
, biên độ tín hiu đột ngt gim xung. Vì t không
th x mt cách nhanh chóng, đỉnh dương ca ngõ ra gim xung dưới không mt chút trước khi b
kp li ti 0 V . Đin áp trên t C gim dn theo hàm mũ khi t x và sau mt vài chu k, đỉnh
dương s bng không tr li. Trong trường hp này, không ging vi trường hp không có
R
, có
dòng chy qua ti mi đỉnh dương. Ngay c khi đin áp trên t gim đến giá tr làm cho đỉnh dương
đạt đến không t vn tiếp tc x thông qua
R
và ni tr ngun. Lúc này diode s h tr cho t
Hình 11-1
(a) Mch kp cơ bn; (b) Tín hiu vào hình sin được đặt vào ti thi đim
0t=; (c) Dng sóng ngõ ra.
Biên son: Võ K Châu – B môn Đin t, Khoa Đin – Đin t
Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn
3/8
đin. Vì t x chm nên diode không phi luôn dn mà ch cn dn trong mt phn nh ca chu k
để np li cho t các đin tích b mt.
Ta th xem dng sóng xung quanh đỉnh dương khi diode dn. Phn dng sóng này được trình
bày trên hình 11-2(c). Nếu không có diode, tín hiu s đi theo đường đứt nét vi đỉnh ti
2
tt
=
.
Nhưng nh diode, phn tín hiu gia
2
t
'
2
t b kp ti 0 V .
'
2
t là thi đim ti đó tín hiu sin va
đạt đến không. Để ít méo dng, t phi b mt ít đin tích trong quá trình x, điu này đòi hi thi
hng
R
C phi rt ln khi so sánh vi chu k ca tín hiu.
11-2 Mch kp khi xét đến đin tr diode và ni tr ngun
Hình 11-3 là mch đã được b sung ni tr ngun
S
R
và mt đin tr phân cc thun cho
diode
f
. Đin tr
f
R
có giá tr khong vài chc đến vài trăm ohms tùy theo loi diode được s
dung. Ni tr ngun có th b qua hoc có th lên đến vài ngàn ohms tùy theo ngun. Gi s
đim gián đon ca diode V
γ
xy ra ti 0 V .
Hình 11-2
(a) Mch kp vi đin tr x. (b) Ti
1
tt
=
, biên độ ngõ vào đột ngt gim xung.
Ngõ ra tiến dn đến trng thái xác lp. (c) Chi tiết ca
o
v ti đỉnh dương đầu tiên.
Hình 11-3
Mch kp khi tính c ni tr
S
R
ca ngun.
Trong thi gian dn, diode là mt đin tr
f
.
Biên son: Võ K Châu – B môn Đin t, Khoa Đin – Đin t
Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn
4/8
Như ta s thy, độ chính xác ca mch tùy thuc vào điu kin
f
R
R. Để phân tích mch ta
có th v mch tương đương ca mch này khi cn tính
o
v như hình 11-4(a). Mch hình 11-4(a)
được dùng khi diode dn và hình 11-4(b) được dùng khi diode không dn. Nếu
f
R
R
là không
đúng thì t hình 11-4(a),
f
R
phi được thay bng hai đin tr
R
f
R
mc song song.Trong hình
11-4(b), nếu đin tr trong vùng tt ca diode không rt ln hơn
R
thì đin tr
R
cũng phi được
thay bng t hp song song ca hai đin tr. Trong mt s trường hp, trong mch tht ra không có
R
, đin tr này có thđin tr phân cc ngược
r
R
ca diode.
11-2-1 Dng sóng quá độ
Bây gi ta s xem xét dng sóng ngõ ra khi mt tín hiu đột ngt được đặt vào mch và xem
mch đạt đến trng thái xác lp như thế nào. Sau mt s chu k, mch s đạt đến trng thái xác lp
trong đó đỉnh dương s b kp ti không. Trong trường hp đó ta s dùng mch tương đương như
hình 11-4 và x lý như trong ví d sau.
Gi s trong mch hình 11-3, 100 , 10 k,
Sf
RR R== =
1 FC
µ
=
. Ti 0t
=
, mt tín hiu
sóng vuông đối xng vi biên độ 10 V , tn s 5 kHz được đặt vào mch. Như được trình bày
trong hình 11-5, tín hiu
s
v đi t 0 V đến 10 V
+
. Hãy v vài chu k đầu tiên ca dng sóng ngõ
ra.
Để phân tích được mch này, ta gi s t C không tích đin thi đim đầu. Dùng mch
tương đương trong hình 11-4(a) ta có, ti ln nhy lên 10 V đầu tiên ca tín hiu vào, ngõ ra nhy
đến 5 V
+
. Ngõ ra sau đó suy gim dn v không theo hàm mũ vi thi hng
()
200 s
Sf
RRC
τ
µ
=+ =
Vì chu k
200 sT
µ
=
nên ti cui na chu k sóng vuông, ti thi đim 2tT=, ngõ ra rơi
xung đến
()
2
25 3 V
T
o
vt T e
τ
== =
.
Ti thi đim này, vì đin áp trên
f
R
3 V
nên đin áp trên t
4 V
. Ti thi đim
2tT=+
, ngõ vào h xung không, diode tt và ta dùng hình 11-4(b). Trong mch này, 4 V
A
v
=
và 0
S
v=, nếu b qua
S
R
khi so sánh vi
R
thì 4 V
o
v
=
như trong hình 11-5. Ngõ ra sau đó li
bt đầu suy gim v không. Tuy nhiên, thi hng bây gi
10 k 1 F=10000 sRC
µ
µ
=
×
, tc là ln
hơn 100 ln so vi
2T
. Do đó độ suy gim là có th b qua và không được ch ra trong hình.
Hình 11-4
Mch tương đương ca hình 11-2 để tính
o
v (a) khi diode dn, (b) khi
diode không dn. Gi s
r
f
R
RR

.
Biên son: Võ K Châu – B môn Đin t, Khoa Đin – Đin t
Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn
5/8
Vì trong khong 2tT= đến
tT=
đin áp trên t không thay đổi, nên ti thi đim
tT
=
+
,
ngõ ra s tr li
3 V+
. Sau đó ngõ ra li tiếp tc suy gim v không. Phn suy gim trong khong
tT= đến
32tT=
là mt s liên tc ca phn trong khong 0t
=
đến
2tT=
. Nếu tt c các
đon suy gim được ghép chung li vi nhau, chúng s to nên mt dng sóng liên tc suy gim
theo hàm mũ t
5 V+
đến
0 V
.
Ti
32tT=
thì
12
31.8
o
ve
==
. Quá trình tính toán li lp li như trên và kết qu được trình
bày trong hình. Các chu k tiếp sau, dng sóng đã xp x trng thái xác lp khi đỉnh dương b kp
ti giá tr xp x 0 V .
11-3 Mch giao hoán vi ti cm
Trong hình 11-6 v mt transistor trong đó ti là mt cun cm
L
mc song song vi đin tr
R
. Dng sóng vi mc dc tùy ý trong hình 11-7(a) được đặt vào mch. Khi đó transistor s chuyn
t trng thái bão hòa sang trng thái tt. Đin tr
C
trong mch collector được dùng để hn dòng
trong trường hp transistor bão hòa.
Hình 11-5
Ví d ca quá trình
t quá độ đến xác
lp trong mch kp.
Hình 11-6
Transistor lái ti cm.