Nghiên cứu cấu trúc electron của cluster ScSi4 −/0 bằng phương pháp đa cấu hình CASSCF/CASPT2

Các trạng thái electron cơ bản và trạng thái electron kích thích của các cluster ScSi4 −/0 được nghiên cứu bằng phiếm hàm B3LYP và phương pháp CASSCF/CASPT2. Trạng thái electron cơ bản của cluster ScSi4 − là 1 A′ (1 A1 ) thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η3 -(Si4 )Sc− . Trạng thái cơ bản của cluster ScSi4 là 2 B1 thuộc đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η4 -(Si4 )Sc. Các đồng phân dạng phẳng η3 -(Si4 )Sc−/0 có năng lượng cao hơn các đồng phân dạng lưỡng tháp tam giác η3 -(Si4 )Sc−/0.