Journal of Science and Technique - ISSN 1859-0209
46
NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ HỆ THỐNG QUANG HỌC
CỦA ỐNG KÍNH ẢNH NHIỆT CÓ TIÊU CỰ THAY ĐỔI NHẢY BẬC
Nguyễn Quang Hiệp1,*, Lê Duy Tuấn1
1Trường Đại học Kỹ thuật Lê Quý Đôn
DOI: 10.56651/lqdtu.jst.v18.n02.686
Tóm tắt
Bài báo trình bày việc nghiên cứu thiết kế hệ thống quang học của ống kính ảnh nhiệt
tiêu cự thay đổi nhảy bậc (240 mm, 80 mm 30 mm) bằng cách thêm vào hệ quang ban
đầu (có tiêu cự là 240 mm) các cụm thấu kính khác nhau. Hệ quang được thiết kế có kết cấu
đơn giản, chỉ bao gồm 6 thấu kính, trong đó 3 bề mặt conic. Các thấu kính trong hệ
quang được chia thành 3 cụm: Cụm vật kính phía trước, cụm thay đổi tiêu cự và cụm truyền
ảnh (relay lens). Tất cả các thấu kính được m tmột vật liệu duy nhất Si. Hệ quang
chất lượng tạo ảnh tốt, hàm truyền điều biến (MTF) tại tần số 20 cặp vạch/mm lớn hơn
0,24; méo ảnh không lớn hơn 2,5%, thỏa mãn yêu cầu đặt ra đối với ống kính ảnh nhiệt có
làm lạnh hoạt động trong vùng phổ hồng ngoại bước sóng trung.
T kha: Ống kính nh nhiệt; hệ thống quang học; tiêu cự thay đổi nhảy bậc; hàm truyền điều
biến; bề mặt conic.
1. Mở đầu
Mt trong những đặc điểm ni bt ca ng kính nh nhit làm lạnh độ nhy
nhiệt cao, do đó hệ thng quang hc ca tờng được thiết kế để hoạt động nhiu
mc tiêu c khác nhau, trong đó tiêu c i để nhn dng và ngm bn các mc tiêu c
ly xa; tiêu c ngắn được dùng để m rng phm vi quan sát, sc so và kp thi phát hin
mc tu trong ng th gii rng.
H quang tiêu c thay đổi được phân thành 2 nhóm chính: thay đổi liên tc
thay đổi ri rc (theo c nc) [1-4]. Để thc hin việc thay đổi tiêu c theo nấc, thường
hai phương pháp chính. Phương pháp thứ nht dch chuyn mt cm thu kính dc
theo quang trc (step-motion). Phương pháp thứ hai s thêm vào h quang ban đầu các
nhóm thu kính khác nhau nhằm thay đổi tu c theo các nc khác nhau (rotate-in).
Phương pháp dịch chuyn thành phn dc theo quang trục có ưu điểm là không cn
các thành phn khác và khong không gian d tr cho chúng. Hơn nữa, vic dch chuyn
thành phn th va thc hiện được chức năng thay đổi tiêu c, va thc hiện được
chức năng lấy nét (focus) đối vi vt các c ly khác nhau vừa để ảnh hưởng ca
s thay đi nhiệt độ. Tuy nhiên, phương pháp này lại có nhược điểm là do thành phn
* Email: quanghiep.nguyen@lqdtu.edu.vn
Tạp chí Khoa học và Kỹ thuật - ISSN 1859-0209
47
chuyn động trong chế độ tiêu c dài nên mc ổn định ca trc quang thp, d gây sai s
khi ngm bn. Ngoài ra, theo các nghiên cứu đã công bố thì đối với phương pháp này do
quang sai , đặc bit quang sai dc trc còn ln, n kh ng thay đổi tiêu c
không ln (thưng 3-5 ln) [5].
Phương pháp thêm thành phầnnhược điểm là cn khong không gian d tr dn
đến kích thưc ngang ca h quang và thiết b nh nhit tăng lên. Tuy nhiên, pơng pháp
này ưu điểm là độ ổn định quang trc cao khi tiêu c ln, kh ng khử quang sai tt,
đặc bit trong chế đ tiêu c ngn và kh năng thay đổi tiêu c ln (lớn hơn 5 ln) [5].
H thng quang hc trong ng kính nh nhit tiêu c thay đổi đã được nghiên
cu [3-7], tuy nhiên, phn ln c h quang thường ch hai mức thay đổi tiêu c, các
thu kính trong h đưc làm t các vt liu khác nhau và trong kết cu của chúng thường
2 đến 3 b mt phi cu/nhiu x để vừa đảm bo cht lượng to nh, vừa đảm bo yêu
cu v kích thước. Để nâng cao kh ng giang trong nước, tăngnh tự ch khi chế to
ngnh nh nhit có tiêu c thay đổi nhy bậc, đồng thi gim giá thành bng cách gim
s vt liu và s thấu kính được s dng mà vẫn đảm bo cht lượng to nh, bài báo này
s tp trung trình bày vic thiết kế h thng quang hc cho ng kính nh nhit hoạt đng
trong vùng hng ngoại bước sóng trung tiêu c thay đổi nhy bc 3 mc vi t l
thay đổi 8 lần, trong đó ch s dng mt vt liu duy nht Silicon (Si) không s
dng b mt phi cu/nhiu x. Việc thay đổi tiêu c đưc thc hin bằng phương pháp
thêm thành phn. Trong quá trình thiết kế s dng phn mm thiết kế quang hc
Zemax [8].
2. Xác định các thông s bc nht ca h thng quang hc
Quá trình thiết kế mt h thng quang hc gm 2 phần chính: 1) Xác đnh các
thông s bc nhất bản ca h thng quang hc (hay còn gọi tính toán kích thưc)
và 2) Thiết kế quang sai, trong đó phn 2 bao gồm các bước: la chn vt liệu, xác định
cấu hình; xác định h quang ban đầu và tối ưu hóa hệ quang ban đầu đ nhận được h
quang đảm bo chất lượng to nh theo yêu cu [9].
Các thông s bc nht ca h thng quang hc cn thiết kế được la chn tính
toán da trên các yêu cu k thut ca ng kính nh nhit (Bng 1) và loại đầu thu được
s dng trong ng kính (Bng 2).
Do h quang cn thiết kế làm vic vi 3 mc tiêu c nên việc tính toán kích thước
h quang đưc thc hiện theo 3c sau:
- ớc 1: Tính toán kích thước h quang chế đ tiêu ci (NFOV)
- ớc 2: Tính toán kích thước h quang chế đ tiêu c trung bình (MFOV)
- ớc 3: Tính toán kích thước h quang chế đ tiêu c ngn (WFOV)
Journal of Science and Technique - ISSN 1859-0209
48
chế độ tiêu c dài, h quang ch gm có 2 thành phn: vật kính phía trưc và h
truyn nh (relay lens) phía sau (Hình 1a). Yêu cầu đối vi h quang chế độ tiêu c
dài là: tiêu c 240 mm; s khẩu độ F/# = 4. Ngoài ra, trong chế độ y, để đảm bo kích
thước ca vật kính phía trước nh nhất thì đồng t vào ca h quang s trùng vi
khung ca vt kính phía trước.
Bng 1. Mt s yêu cu k thut ca ng kính nh nhit
Yêu cu k thut
Giá tr cần đạt
Tiêu c thay đổi nhy bc theo 3 mc
240, 80 và 30 mm
S khu đ h quang (F/#)
4,0
Vùng ph hot đng
3,5 - 4,7 µm
Giá tr MTF đi vi điểm nm trên quang
trc, ti tn s 20 cp vch/mm
> 20% ti tt c
các v tzoom
Méo nh
< 10%
Bng 2. Các thông s chính của đầu thu nh nhit SCORPIO-MW-K508 [10]
hiu đu thu
LEO-MW-K563
Độ phân gii
640 × 480
Kích thước điểm nh
15 μm
Vùng ph làm vic
3,7 - 4,8 μm
Độ nhy nhit (NETD)
< 22 mK @ F/4,0
Đưng kính ca chn lnh (cold shield)
5,18 mm
Khong cách t cold shield đến FPA
20,57 mm
chế đ tiêu c trung bình (80 mm) tiêu c ngn (30 mm) (Hình 1b 1c),
trong thành phn ca h quang ban đầu s đưc thêm vào các cụm thay đổi tiêu c ơng
ng. Bên cnh đó, cần đảm bo s khu đ F/# và mt phng nh ca h quang không đổi.
Cụm thay đổi tiêu c bao gm hai thành phn: thành phần âm phía trước thành
phần dương phía sau. Trong đó, thành phần âm s nhim v thay đổi tiêu c, còn thành
phần dương sẽnhim v gi v trí mt phng nh sau vt kính không đổi.
c 3 mc tiêu cự, để đảm bo 100% hiu sut ca ca chn lạnh trong đầu thu
nh nhiệt được làm lnh thì chính s đóng vai trò vòng chắn khu độ ca h thng
quang hc [1, 3, 4].
Tạp chí Khoa học và Kỹ thuật - ISSN 1859-0209
49
Tiêu c ca các thành phn trong h quang, đưng kính thông quang khong
cách giữa chúng được xác định dựa vào phương trình đường truyn tia qua h thng
quang hc lý tưởng như sau [9]:
1
tan tan
k k k k
h

(1)
(2)
trong đó: αk αk+1 góc hp bi tia cn trc vi quang trc trước khi đến và sau khi đi
ra khi thành phn k ca h quang; hk chiu cao ca tia cn trục đến thành phn k ca
h quang; dk khong cách t thành phn k đến thành phn k+1 ca h quang Φk là đ
t ca thành phn k.
a)
b)
c)
Hình 1. đồ h quang tưởng:
a) Mc tiêu c dài; b) Mc tiêu c trung bình; c) Mc tu c ngn.
Journal of Science and Technique - ISSN 1859-0209
50
Để đảm bo chiu dài ca h không quá lớn (tương ng vi yêu cu v kích thước
ca thiết b nh nhiệt) và cũng không đưc quá ngn (dn đến khó khăn trong thiết kế, gia
ng h quang), sau khi la chn, tính toán, c thông s bc nht ca các thành phn
trong h quang 3 chế độ làm vic được th hin trong bảng 3, đồ h quang tưởng
đưc biu din trên hình 1.
Bng 3. Các thông s bc nht ca các thành phn trong h thng quang hc
Chế độ làm việc
NFOV
MFOV
WFOV
Vật kính trước
f’, mm
159,5
159,5
159,5
Dtq, mm
30
24,795
33,945
d, mm
183,637
60
60
Cụm thay đổi tiêu cự 1
f’, mm
-93,731
-26,78
Dtq, mm
10,857
8,882
d, mm
65
65
Cụm thay đổi tiêu cự 2
f’, mm
33,807
25,758
Dtq, mm
9,691
9,691
d, mm
58,637
58,637
Relay lens
f’, mm
14,5
14,5
14,5
Dtq, mm
8,066
9,243
9,243
d, mm
15,743
15,743
15,743
3. Thiết kế quang sai h thng quang hc
Thiết kế quang sai h thng quang học đưc bt đầu bng vic la chn kết cu cho
tng thành phn trong h quang vt liu phù hp đ t đó xác định h quang ban đầu.
Vt liu quang học thường dùng trong vùng ph hng ngoại bước sóng trung
thưng các tinh th như Si, Ge, ZnSe ZnS. Ngoài ra, chúng thể c mui
Floride ca các kim loi kim như CaF2, BaF2 hoc các hp cht ca Halogen vi kim
loại như KCl, KBr, CsI,... [11, 12].
Qua nghiên cu, phân tích c tính cht ca các vt liu quang hc trong ng ph
hng ngoi ớc sóng trung, đặc bit các tính cht quang hc ca chúng, nhn thy
rng, Silicon (Si) mt trong nhng vt liệu thường ng nht trong vùng ph hng
ngoại bước sóng trung do nó có h s hp th rt nh (ch 0,01 cm-1 @ 3 µm), độ bn hóa
cao, không thy phân, khối lượng riêng nh (nh hơn 2 lần so vi Ge), chiết sut khá ln
(n = 3,4257 @ 4 µm), ch nh hơn so với Ge. Hơn nữa, xét v đ tán sc thì Si là vt liu
ít tán sc nht trong vùng ph y (s Abbe ca Si 250, cao nht so vi tt c các vt