TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Tập san SINH VIÊN NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Số 14 2024 101
PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN TẦN SỐ ĐIỆN ÁP TRONG LƯỚI ĐIỆN NH
THÔNG QUA HỆ THỐNG LAI GHÉP PIN MẶT TRỜI VÀ BỘ LƯU ĐIỆN
CÓ SỰ HỖ TRỢ CỦA SIÊU TỤ
THE METHOD OF CONTROLLING THE VOLTAGE FREQUENCY IN A SMALL
GRID THROUGH A SOLAR CELL HYBRID SYSTEM AND A BATTERY STORAGE
SYSTEM WITH THE SUPPORT OF THE SUPERCAPACITOR
Hoàng Văn Hoàn1,*, Trịnh Thùy Dương1, Vũ Đức Mạnh1,
Nguyễn Thế 1, Nguyễn Văn Hùng2
1Lớp Điện 04 - K16, Khoa Điện, Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội
2Khoa Điện, Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội
*Email: hoandui2003@gmail.com
TÓM TẮT
Hiện nay sự kết hợp giữa nguồn lai ghép pin mặt trời và bộ lưu điện cùng với các phụ tải địa phương hình thành lưới
điện nhỏ vận hành độc lập trở lên rất phổ biến. Tuy nhiên, các bộ lưu điện truyền thống bị giới hạn về tốc độ sạc xả, do
vậy làm giảm tốc độ đáp ứng khi xảy ra các biến động lớn về mặt công suất. Bài báo đề xuất một mô hình xét tới sự tham
gia của siêu tụ điện để gia tăng đáp ứng tần sốgiữ ổn định điện áp cùng với chiến lược điều khiển dựa trên việc kết hợp
giữa ưu điểm về dung lượng của bộ lưu điện truyền thống và tốc độ đáp ứng nhanh của siêu tụ điện. Để thấy rõ hiệu quả
của chiến lược đề xuất bài báo đã tiến hành mô phỏng và phân tích kết quả trên công cụ Matlab/Simulink.
Từ khóa: Pin mặt trời, bộ lưu điện, siêu tụ điện, đáp ứng tần số, lưới điện nhỏ.
ABSTRACT
Currently, the combination of solar systems and battery energy storage systems along with local loads to form a
microgrid operating independently is very popular. However, traditional battery energy storage systems are limited in
charging and discharging speeds, thus reducing the response rate when large fluctuations in power occur. This paper
proposes a model that considers the involvement of supercapacitors to increase frequency response and keep the voltage
stable with a control strategy based on the combination of the advantages of traditional battery energy storage systems and
the fast response speed of supercapacitors. To clearly see the effectiveness of the proposed strategy the paper also simulates
and analyzes the results on the Matlab/Simulink tool.
Key words: Photovoltaic, battery energy storage systems, supercapacitors, frequency response, microgrid.
1. GIỚI THIỆU
Ngày nay, việc sử dụng kết hợp các nguồn lai ghép pin
mặt trời và bộ lưu điện (PV - BESS) tạo nên lưới điện nhỏ
hoạt động độc lập với các phụ tải địa phương đã trở thành
một xu hướng với nhiều lí do. Một trong số những lí do đó
đến từ việc phụ tải được cấp điện liên tục độ tin cậy
cấp điện cao [1]. Với khả năng lưu trữ lớn của bộ lưu điện
khi kết hợp với pin quang điện hoạt động ở chế độ tách đảo
giúp cân bằng công suất phụ tải khi xảy ra biến động công
suất trong lưới điện nhỏ [2 - 4]. Tuy nhiên, sự hạn chế về
tốc độ sạc xả của bộ lưu điện truyền thống đã làm cho tốc
độ đáp ứng tần số và duy trì điện áp lưới điện suy giảm.
vậy đòi hỏi phải thay thế bằng một hình hệ thống lưu
trữ năng lượng lớn gia tăng tốc độ đáp ứng khi xảy ra
tình huống bất thường trên lưới hệ thống. Để khắc phục
nhược điểm của hệ thống lưu trữ năng lượng thì hình
lai ghép siêu tụ điện cùng với bộ lưu điện (HESS) thể
giải quyết được nhược điểm này [5-7]. Hệ thống lưu trữ
năng lượng đxuất nhờ siêu tụ điện với mật độ năng
lượng lớn và tốc độ sạc, xả nhanh chóng đã cải thiện đáng
kể các sai lệch tần số điện áp trong lưới điện. Do đó,
nhóm nghiên cứu tiến hành lai ghép hệ thống pin mặt trời
hệ thống lưu trữ năng lượng đề xuất (PV - HESS) dựa
trên những nghiên cứu đã được công bố [8-11]. Tuy nhiên,
các công bố này chưa làm được ảnh hưởng siêu tụ điện
tới hệ thống khi giá trị bức xạ mặt trời thay đổi hay sự
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Tập san SINH VIÊN NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Số 14 2024 102biến động lớn về mặt công suất phụ tải. Vậy nên, bài báo
dựa trên hình đề xuất đã tiến hành đưa ra các kịch bản
nhằm chứng minh sự hiệu quả vận hành độc lập của
hình xét tới ảnh hưởng tích cực của siêu tụ điện. Khi thay
đổi bức xạ mặt trời làm mất cân bằng công suất phát của
các nguồn phân tán với công suất của tải tiêu thụ hoặc công
suất phụ tải tăng lên trong giờ cao điểm làm ảnh ởng đến
chất lượng điện năng. Quá trình mô phỏng và đánh giá kết
quả được thực hiện trên công cụ Matlab/Simulink.
2. MÔ HÌNH HỆ THỐNG LAI GHÉP PV - HESS
hình sự kết hợp giữa pin quang điện (PV) lai ghép
với một hình HESS được trình bày trong hình 1. PV kết
nối với liên kết một chiều (DC bus) thông qua bộ chuyển
đổi tăng áp cùng với đó HESS cũng được kết nối với liên
kết DC thông qua bộ chuyển đổi DC/DC hai chiều cho phép
sạc và xả linh hoạt [8, 12].
Hình 1. Mô hình hệ thống PV – HESS
Mô hình hóa pin quang điện
Trong nghiên cứu này mô hình pin quang điện được sử
dụng bao gồm các module được kết nối nối tiếp (NSS)
một chuỗi các module này được kết nối song song (NPP)
lại với nhau tạo nên mảng pin quang điện (PV array). Mạch
điện tương đương của module PV được minh họa như trong
hình 2.
Hình 2. Mô hình toán học của module PV
Mô hình toán học của module PV được tính toán thông
qua phương trình [13].
( 298)
100
r
pv sc i
I
I I K T (1)
Với Ipv ở điều kiện danh định (25oC và 1000 W/m2).
exp( / ) 1
sc
Rs
s
I
IqVoc I Tnk
(2)
Trong đó q = 1,6.10-19 C và k = 1,3805.10-23 J/K.
3
0
1 1
[ ] exp[ ( )]
*
go
Rs
r r
qE
T
I I T k n T T
(3)
Trong đó Tr = 298 K và Ego = 1,1 eV.
tTk
Vq
(4)
/
p s s
sh
sh
VN N IR
IR
(5)
0
/ /
[exp( ) 1]
s s p
p ph sh p t
V N IR N
I N I I N I V n
(6)
Đường đặc tính của module PV với nhiệt độ xác định
(25oC) và bức xạ thay đổi được thể hiện trong hình 3, 4.
Hình 3. Đường đặc tính V – I của PV
Hình 4. Đường đặc tính công suất của PV
Công suất phát ra của module PV được tối đa hóa nhờ
thuật toán P&O để tìm điểm làm việc trên đường đặc tính
cho ra công suất tối đa (MPP).
Mô hình hóa bộ lưu điện
Bộ lưu điện sử dụng công nghệ pin Lithium – Ion được
ưa chuộng sử dụng phổ biến trong hệ thống HESS mang
lại hiệu quả lưu trữ lớn [13]. Với hình HESS bộ lưu điện
được nối với liên kết DC thông qua bộ biến đổi DC/DC hai
chiều tối ưu sạc - xả khi lai ghép với pin quang điện.
hình toán học của bộ lưu điện một mạch điện tương
đương thời gian để tả tuổi thọ, dung lượng, trạng thái
sạc xả (SOC) và thời gian hoạt động của bộ lưu điện được
thể hiện qua hình 5.
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Tập san SINH VIÊN NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Số 14 2024 103
Hình 5. Mô hình toán học của bộ lưu điện
Mô hình sạc được thể hiện theo phương trình:
1 0
( , , ) exp( )
0.1
t l l t t
t t
Q Q
f i i i E K i K i A Bi
Q i Q i
(7)
Mô hình xả được thể hiện theo phương trình:
2 0
( , , ) exp( )
t l l t t
t t
Q Q
f i i i E K i K i A Bi
Q i Q i
(8)
SOC và hiệu suất của pin khi sạc và xả được định nghĩa
theo:
,
1
/
,
1
1
( 1) ( )
( ) 1
( 1) ( )
t
ch bat ch
et
ch dis t
dis bat dis
et
SOC t i t dt
C
SOC t
SOC t i t dt
C
(9)
Đường đặc tính của pin Lithium – Ion được minh họa ở
hình 6, 7.
Hình 6. Đường đặc tính V - I của bộ lưu điện
Hình 7. Đường đặc tính dung lượng bộ lưu điện với dòng xdanh
định
Mô hình hóa siêu tụ điện
Mô hình toán của siêu tụ điện thường sử dụng các phần
tử thụ động như điện trở tụ điện bao gồm [14]: Rp C0,
điện trở nối tiếp và điện trở tế bào được thay thế bằng điện
trở RESR các phần tử Rs, Rss, Css để đặc trưng cho sự phóng
điện và đặc tính quá độ của siêu tụ điện. Mô hình được mô
tả một cách tương đối theo hình 8.
Hình 8. Mô hình toán học của siêu tụ điện
Cấu trúc vật lý, phản ứng hóa học phân bố dòng điện
bên trong tụ điện thể được hình hóa thông qua các
biểu thức toán học. Mô hình toán học dựa trên các phương
trình vi phân, tích phân cụ thể được trình bày như sau:
Phương trình toán học tả hai chế độ sạc xả của
siêu tụ điện [15].
arg arg esr arg 1leak complet
t
R C
ch e ch e ch e leak
V I R I R e
(10)
arg arg arg esr
( )
arg 1 arg
( ) 1
leak complet
disch e ch e disch e
t
R C
disch e disch e leak
V V I R
V I R e (11)
Trong đó:
Vchage/Vdischage là giá trị điện áp sạc/xả (V)
Ichage/Idischage là giá trị dòng sạc/xả (A)
RESR là điện trở nối tiếp tương đương (Ω)
Rleak là cao trở bên trong (Ω)
Ccomplet là giá trị điện dung (F)
t là thời gian (s)
Giá trị Rleak, Ccomplet, RESR R hàm của điều kiện môi
trường xung quanh, tuổi thọ, điện áp danh định, độ ẩm, ….
Giá trị điện dung của siêu tụ điện được tính bằng công
thức:
0
( ) (%)
complet cycle life
C C F C
(12)
Với tuổi thọ của siêu tụ điện được trình bày như sau:
( )
10
(%) 100
ref
T T
C
cycle life
V V
C N H
V
(13)
Trong đó:
α là hệ số gia tốc
T là nhiệt độ hoạt động (K)
Tref là nhiệt độ hoạt động tham chiếu (K)
N là số chu kì được sử dụng
V là dải điện áp (V)
Vc là điện áp danh định (V)
H là phần trăm độ ẩm môi trường xung quanh
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Tập san SINH VIÊN NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Số 14 2024 104Điện trở dòng tương đương (ESR) là một hàm của nhiệt
độ và kích thước siêu tụ điện. RESR tăng khi nhiệt độ giảm
do đó, khi hiệu siêu tụ điện làm việc nhiệt độ thấp hiệu
suất phóng điện của giảm đi. Phương trình RESR được
xây dựng là.
esr 1 esr0
2
2 esr0
1
tref
ref
KT T
R b R T T
b R e
(14)
Trong đó
T0 = 293K
γ = 0,07K-1 hệ số nhiệt độ của các thành phần nhôm
và cacbon tổng hợp
kT = 0,045K-1 thành phần năng lượng kích hoạt ion
tổng hợp
RESR0 là điện trở nối tiếp lý thuyết.
Đường đặc tính V - I của siêu tụ được thể hiện trong
hình 9.
Hình 9. Đường đặc tính V – I của siêu tụ điện
3. MÔ PHỎNG VÀ ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ
Hình 12. Mô hình đề xuất lưới hệ thống
Kịch bản phỏng dựa trên lưới điện nhỏ cthể để
đánh giá kết quả của hình hệ thống lai ghép PV – HESS
cho thấy sự hiệu quả khi kết hợp siêu tụ điện cùng với bộ
lưu điện tạo nên hệ thống HESS vận hành trong lưới điện
nhỏ ổn định. Kịch bản cụ thể phỏng tương đương thời
gian thực với các điều kiện như bức xạ mặt trời thay đổi,
thay đổi công suất phụ tải của lưới điện. Mỗi kịch bản đều
tiến hành so sánh hình khi sự tham gia của siêu tụ
điện khi không sự tham gia của siêu tụ điện để thấy
sự ảnh hưởng của siêu tụ điện đối với hình đề xuất.
đồ nghiên cứu được trình bày trong hình 12 xây dựng và
phỏng dựa trên công cụ Matlab/Simulink. Thông số các
phần tử mô phỏng cho trong bảng 1.
Bảng 1. Thông số mô phỏng
PV
PV
Array
Thông số Giá trị
Số chuỗi song song 59 chuỗi
Số tấm nối tiếp 10 tấm
Công suất cực đại 130095W
Điện áp MPP 300V
Dòng điện MPP 433,65A
PV
Module
Công suất cực đại 220,5W
Điện áp hở mạch 36,3V
Dòng điện ngắn mạch 7,84A
Điện áp MPP 30V
Dòng điện MPP 7,35A
Phụ tải 1 Công suất 50+20j kVA
HESS
Bộ lưu
điện
Thông số Giá tr
Điện áp danh định 500V
Dòng xả danh định 700A
Dung lượng 1610Ah
SOC 90%
Siêu tụ
điện
Điện dung danh định 20F
Điện áp danh định 600V
Điện áp ban đầu 540V
Số tụ nối tiếp 1
Số tụ song song 1
Nhiệt độ hoạt động 25
Phụ tải 2
Công suất 160+10jkVA
Quá trình mô phỏng diễn ra trong thời gian 28s khi lưới
điện nhỏ vận hành độc lập ở chế độ giữ lưới có đường đặc
tính giá trị bức xạ mặt trời theo hình 13. Tại thời điểm 6s
phụ tải 2 được đưa vào lưới hệ thống, tổng công suất tiêu
thụ tăng lên đòi hỏi công suất phát của các nguồn DG phải
bù đắp lượng công suất thiếu hụt. Thời điểm 8s bức xạ mặt
trời thay đổi công suất phát PV tăng lên đồng thời ng suất
HESS phải giảm xuống. Tại thời điểm 12s sa thải phụ tải 2
và giảm công suất phụ tải 1 còn 20 + 10j kVA khi đó HESS
được sạc nhờ lượng công suất thừa của PV. Đến thời
điểm 16s tăng công suất phụ tải 1 đồng thời trước đó 15s
bức xạ mặt trời giảm xuống công suất phát PV đạt 77kW
cân bằng công suất phụ tải 1 khi đó HESS ngưng phát công
suất để đảm bảo ổn định tần số điện áp lưới điện. Thời
điểm 24s toàn bộ phụ tải được hoạt động trong điều kiện
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Tập san SINH VIÊN NGHIÊN CỨU KHOA HỌC Số 14 2024 105bức xạ mặt trời Ir = 0 W/m2 đồng nghĩa công suất Ppv = 0
kW khi đó HESS hoạt động với công suất tối đa để đảm bảo
độ tin cậy cấp điện cho toàn bộ phụ tải. Nhận thấy khi áp
dụng hình HESS lai ghép với PV đã đem lại hiệu quả
vận hành linh hoạt đáp ứng công suất nhanh, giữ ổn định
được tần số và duy trì điện áp lưới.
Hình 13. Đường đặc tính giá trị bức xạ mặt trời
Hình 14. Công suất phát của PV – HESS và công suất tiêu thụ
Hình 15. Công suất phát của PV – BESS và công suất tiêu thụ
Hình 16. Tần số khi đưa phụ tải 2 vào lưới hệ thống
Hình 17. Tần số khi sa thải phụ tải 2 và giảm công suất phụ tải 1
Hình 18. Tần số thời điểm công suất PV cân bằng công suất phụ
tải
Hình 19. Tần số khi Ppv = 0W và toàn bộ phụ tải đưa vào lưới hệ
thống
Kết quả mô phỏng tần số lưới điện cho thấy khi áp dụng
mô hình đề xuất PV - HESS cùng với bộ biến đổi công suất
cho ra đường đặc tính tần số biên độ dao động tần số nhỏ
hơn và quá trình quá độ được rút ngắn đảm bảo sự ổn định
cho lưới điện.
Đường đặc tính điện áp - ng điện một chiều tại liên
kết DC và trạng thái SOC (%) của hệ thống HESS khi tiến
hành các kịch bản đưa ra được thể hiện trong hình 20 - 23.
Cho thấy đường đặc tính điện áp một chiều có biên độ dao
động điện áp nhỏ thời gian quá độ trở về ổn định ngắn
đường đặc tính ng điện khả năng đáp ứng ng suất
khi xảy ra các tình huống bất thường của lưới điện khi áp
dụng hình HESS. Cùng với đó, dựa trên chiến ợc điều
khiển phân bổ công suất cùng với mô hình sạc xả hai chiều
DC/DC sử dụng cho HESS, giúp quá trình sạc xả linh hoạt
khi xảy ra thay đổi công suất phụ tải lưới điện tạo ra phần
công suất thiếu hụt buộc cho HESS phải xả năng ợng tích
trữ để cân bằng công suất lưới điện, ngược lại khi tạo
công suất dư thừa thì HESS sẽ có vai trò biến đổi công suất
dư thừa đó thành năng lượng tích trữ.
Hình 20. Điện áp một chiều tại liên kết DC