Vi Xử Lý và Cấu Trúc Máy Tính chương 04

Chia sẻ: Nguyễn Duy Tân | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Thêm vào BST

Báo xấu

93
lượt xem 18
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo bài thuyết trình 'vi xử lý và cấu trúc máy tính chương 04', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Vi Xử Lý và Cấu Trúc Máy Tính chương 04

Nội dung: 1. Tổ chức bộ nhớ của máy vi tính VI XỬ LÝ & CẤU TRÚC MÁY TÍNH 2. Bộ nhớ trong ĐH CNKT ĐIỆN TỬ TRUYỀN THÔNG K5 Giảng viên: Kiều Xuân Thực Khoa Điện tử 3. Bộ nhớ ngoài Đại học công nghiệp Hà Nội Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY 1. Tổ chức bộ nhớ của máy VT CHƯƠNG 4 BỘ NHỚ VÀ HỆ THỐNG LƯU TRỮ - Cấp 0: Tệp các thanh ghi (registers) bên trong bộ vi xử lý. - Cấp 1: Cache sơ cấp L1 được tích hợp ngay trên bộ vi xử lý. - Cấp 2: Cache thứ cấp L2 là bộ nhớ truy cập nhanh nhưng dung lượng nhỏ hơn bộ nhớ chính, nằm bên ngoài vi xử lý. - Cấp 3: Bộ nhớ chính được bộ vi xử lý đánh địa chỉ trực tiếp, chứa dữ liệu và các chương trình hiện hành - Cấp 4: Bộ nhớ ngoài, không được bộ vi xử lý đánh địa chỉ trực tiếp, bộ nhớ ngoài có dung lượng rất lớn: ổ đĩa cứng DVD, Flash Disk, Memory Card... - Cấp 5: Bộ nhớ mạng - máy tính có thể truy cập tới bộ nhớ của một máy khác trên mạng. 4 Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
2. Bộ nhớ trong Các loại ROM  Bộ nhớ trong: tạo từ các vi mạch nhớ bán dẫn  ROM: (ROM, RAM) 11  Ma trận diode  Mỗi một vi mạch nhớ gồm các ô nhớ có địa chỉ n đường địa chỉ 10 2 n ô nhớ riêng  Chỉ đọc ra 01  Mỗi ô nhớ (mỗi một địa chỉ nhớ) chứa một byte, 00 hoặc 1 word (2 byte), hoặc double word (4 byte) Giải mã dữ liệu m bit dữ liệu V DD Hình 4.3. ROM dùng ma trận diode  PROM – Programable ROM - one-time V DD D0 1 0 1 2 3 6F PROM (OTP): 65 6D 4D A0 D1 0 0 5 7 D2 1 4 6 A1 0 1 20 79 72 49 D3 1 0 A2 8  Ma trận diode nối tiếp cầu chì 9 10 11 D4 0 20 73 55 73 A3 0 D5 0 13 14 12 15 D6 1  Lập trình (Ghi) được 01 lần bằng cách đánh 65 6C 66 75 D7 0 đứt các cầu chì M 5 7 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Bộ nhớ ROM (Read Only Memory)  EPROM – Erasable PROM  Dữ liệu lưu trong ROM không bị mất khi mất nguồn điện  can be erased by exposure to strong ultraviolet light (typically for 10 minutes or longer)  ROM thường được dùng chứa các chương trình  rewritten with a process that again needs higher than quản lý, điều khiển phần cứng của hệ thống (thường được gọi là các chương trình hệ thống), usual voltage applied VD:chứa BIOS của máy tính, firmware của các  The endurance of most EPROM chips exceeds 1000 thiết bị điện tử, … cycles of erasing and reprogramming. 6 8 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
 EEPROM – Electrically EPROM  SDRAM (Synchronous DRAM): SDR, DDR, DDR2 và DDR3.  SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM): 66, 100, và 133 MHz  Ghi bằng xung điện  DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường được giới chuyên  Xoá bằng xung điện môn gọi tắt là "DDR“: tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần trong một chu kỳ bộ nhớ (tới 400MHz)  Flash ROM  DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM): thế hệ thứ hai của DDR,  A modern type of EEPROM invented in 1980 by có bus speed cao gấp đôi clock speed (tới 800MHz)  DDR 3 SDRAM (Double Data Rate III SDRAM): có tốc độ bus Toshiba 800/1066/1333/1600 Mhz  02 types: NAND and NOR array  RDRAM (Rambus Dynamic RAM)  Can be erased and rewritten faster than ordinary EEPROM, and newer designs feature very high endurance (up to 1,000,000 cycles)  Modern NAND flash makes efficient use of silicon chip area, resulting in individual ICs with a capacity as high as 32 GB as of 2007 9 11 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY RAM (Random Access Memory) Ghép nối 8086 với các vi mạch nhớ  SRAM – Statis RAM  tốc độ nhanh (thời gian truy cập vài chục ns  dung lượng nhỏ  giá thành đắt  chế tạo bộ nhớ cache nhằm cải thiện tốc độ của hệ thống  DRAM – Dynamic RAM  Chậm, rẻ tiền  Mỗi một phần tử nhớ là 01 tụ điện  Lưu trữ thông tin bằng cách nạp/không nạp điện tích lên các tụ điện  Phải được làm tươi refresh sau mỗi 2us 10 12 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
VD1: Mạch giải mã địa chỉ cho 2716, địa chỉ đầu FF800h  BT1: Xây dựng mạch giải mã địa chỉ cho 2764, địa chỉ đầu DE000h  BT2: Xây dựng mạch giải mã địa chỉ cho 27256, địa chỉ đầu 80000h  2716: EPROM 2kx8; 2764: EPROM 8kx8  27128: EPROM 16kx8; 27256: EPROM 32kx8 13 15 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY VD2: TK bộ nhớ 4Kx16, ĐCĐ 7C000H từ RAMs 4Kx8  Địa chỉ đầu – cuối: 1. Số VM RAM cần dùng 2. XĐ Địa chỉ cuối của bộ nhớ 3. XĐ Đường dây địa chỉ nối trực tiếp vào RAMs 4. Điều kiện 02 VM được phép hoạt động  VM làm việc khi:  M/IO = 1  A11 = … = A19 = 1 14 16 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
VD5: Phân tích mạch ghép nối bộ nhớ VD3: Phân tích mạch ghép nối bộ nhớ A0..A19 A13 1 D0..D7 15 A Y0 A14 2 14 B Y1 A15 3 13 C Y2 12 Y3 A0 10 11 D0 A0 10 11 D0 VCC6 11 G1 Y4 A0 O0 A0 D0 4 10 9 12 9 12 G2A Y5 A1 O1 A1 D1 5 9 8 13 8 13 G2B Y6 A2 O2 A2 D2 7 7 15 7 15 Y7 A3 O3 A3 D3 6 16 6 16 A4 O4 A4 D4 74LS138 5 17 5 17 A5 O5 A5 D5 A16 2 4 18 4 18 A6 O6 A6 D6 A17 3 19 D7 19 D7 3 3 A7 O7 A7 D7 A18 4 1 25 25 A8 A8 A19 5 OR5 24 24 A9 A9 IO-/M 6 21 21 A10 A10 23 23 A11 A11 A12 2 A12 2 A12 A12 A7 A1326 3 A13 /RD 22 1 OE /RD 22 2 27 PGM OE 20 27 CE PGM 20 CE 3 1 VPP 1 1 VPP 2 ROM1 ROM3 /CE ROM2 17 19 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY VD4: Phân tích mạch ghép nối bộ nhớ VD5: Phân tích mạch ghép nối bộ nhớ D0. .D7 A0. .A1 9 D0..D7 A0..A19 1 15 10 11 A0 10 11 A13 A0 D0 D0 A Y0 A0 D0 A0 D0 A14 2 14 9 12 9 12 A13 A0 10 11 D0 A0 10 11 D0 1 15 B Y1 A1 D1 A1 D1 A Y0 A0 O0 A0 D0 3 13 8 13 8 13 A15 A14 2 14 9 12 9 12 C Y2 A2 D2 A2 D2 B Y1 A1 O1 A1 D1 A15 VCC 12 7 15 7 15 3 13 8 13 8 13 C Y2 A2 O2 A2 D2 Y3 A3 D3 A3 D3 VCC 12 7 15 7 15 6 11 6 16 6 16 Y3 A3 O3 A3 D3 G1 Y4 A4 D4 A4 D4 6 11 6 16 6 16 4 10 5 17 5 17 G1 Y4 A4 O4 A4 D4 4 10 5 17 5 17 G2A Y5 A5 D5 A5 D5 5 9 4 18 4 18 G2A Y5 A5 O5 A5 D5 5 9 4 18 4 18 G2B Y6 A6 D6 A6 D6 G2B Y6 A6 O6 A6 D6 7 3 19 3 19 D7 D7 19 D7 19 D7 7 3 3 Y7 A7 D7 A7 D7 Y7 A7 O7 A7 D7 25 25 25 25 A8 A8 A8 A8 74LS138 24 24 74LS138 AND2 24 24 A9 A9 A9 A9 21 21 21 21 A10 A10 23 23 A10 A10 23 23 A11 A11 A16 2 A12 2 2 A11 A11 A12 A12 2 2 A16 A17 3 26 A12 A12 A13 A13 26 26 A17 /RD A14 1 1 22 A13 A13 OE A14 A18 4 NAND4 27 1 A14 PGM A14 A19 5 /RD 20 22 NAND4 22 A18 /RD CE OE OE /WR 27 A19 /RD 27 22 WE 5 1 20 PG M OE AND4 20 27 /WR VPP CE 4 VCC CE WE 20 1 28 CE VCC 1 VCC AND4 3 2764 VPP 2 28 VCC 62256 27128 62256 18 20 Faculty of Electronic Engineering Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com
HOMEWORK  Làm các BT cuối chương 4 của Giáo trình.  Đọc trước Chương 5 của Giáo trình.  Đoc chapter 9, tài liệu số 1 22 Faculty of Electronic Engineering HANOI UNIVERSITY OF INDUSTRY Printed with FinePrint trial version - purchase at www.fineprint.com