Bài giảng về Laser bán dẫn

Phần I: Sơ lược về Vật lý Laser

I. Lịch sử của Laser I. Lịch sử của Laser II. Các khái niệm cơ bản trong vật lý Laser II. Các khái niệm cơ bản trong vật lý Laser III. Nguyên lý phát bức xạ Laser III. Nguyên lý phát bức xạ Laser IV. Máy phát Laser trong thực tế IV. Máy phát Laser trong thực tế V. Phân loại Laser V. Phân loại Laser VI. Mô phỏng máy phát Laser khí VI. Mô phỏng máy phát Laser khí

I. Lịch sử của Laser

• Hiện tượng phát xạ tự phát trong các nguồn

sáng thông thường.

• Năm 1917, Einstein đã tiên đoán hiện tượng phát xạ cảm ứng.

• Năm 1958, các nhà khoa học Mỹ (Townes và • Năm 1958, các nhà khoa học Mỹ (Townes và Schawlow) và Nga (Basov và Prokhorov) độc Schawlow) và Nga (Basov và Prokhorov) độc lập công bố công trình về cách tạo ra nguồn lập công bố công trình về cách tạo ra nguồn sáng thực tế từ nguyên lí phát xạ cảm ứng. sáng thực tế từ nguyên lí phát xạ cảm ứng.

• Năm1960, T.H.Maiman đã chế tạo được nguồn sáng đầu tiên hoạt động theo nguyên lí này. • LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation): sự khuếch đại ánh sáng bằng cách phát bức xạ cảm ứng.

II. Các khái niệm cơ bản trong vật lí Laser

Phát xạ tự phát là phát xạ xảy ra một cách ngẫu nhiên khi nguyên tử từ mức năng lượng cao chuyển về mức năng lượng thấp.

Phát xạ cảm ứng là phát xạ xảy ra khi nguyên tử chuyển từ mức năng lượng cao về mức năng lượng thấp do sự có mặt của một photon cảm ứng.

• Môi trường hoạt tính là môi trường bao gồm các nguyên tử mà trong cấu trúc của chúng có sẵn các mức năng lượng nửa bền hoặc có khả năng tạo ra các mức năng lượng nửa bền. Môi trường hoạt tính có khả năng phát ra bức xạ Laser.

• Ví dụ đối với hệ 3 mức:

• Môi trường mật độ đảo lộn là môi trường chứa • Môi trường mật độ đảo lộn là môi trường chứa các nguyên tử ở trạng thái kích thích và trong các nguyên tử ở trạng thái kích thích và trong các nguyên tử kích thích này số electron ở mức các nguyên tử kích thích này số electron ở mức năng lượng cao nhiều hơn số electron ở mức năng lượng cao nhiều hơn số electron ở mức năng lượng thấp. năng lượng thấp.

• Bơm là dùng một tác nhân nào đó để kích • Bơm là dùng một tác nhân nào đó để kích thích các nguyên tử tạo ra môi trường mật độ thích các nguyên tử tạo ra môi trường mật độ đảo lộn. đảo lộn.

III. Nguyên lí phát bức xạ Laser

• Cần có một môi trường hoạt tính. • Cần có một môi trường hoạt tính. • Dùng các phương pháp bơm để làm cho môi • Dùng các phương pháp bơm để làm cho môi trường đó trở thành môi trường có mật độ đảo trường đó trở thành môi trường có mật độ đảo lộn. lộn.

• Cần dùng một cơ cấu để khuếch đại bức xạ • Cần dùng một cơ cấu để khuếch đại bức xạ phát ra. Cơ cấu này gọi là buồng cộng hưởng. phát ra. Cơ cấu này gọi là buồng cộng hưởng.

Ví dụ về buồng cộng hưởng của máy phát Laser Ruby

Buồng cộng hưởng

V. Phân loại Laser

VI. Mô phỏng máy phát Laser

PHẦN II: LASER BÁN DẪN

1. Sơ lược về tiếp xúc p-n của bán dẫn thường 1. Sơ lược về tiếp xúc p-n của bán dẫn thường 2. Lớp tiếp xúc p-n của bán dẫn suy biến GaAs 2. Lớp tiếp xúc p-n của bán dẫn suy biến GaAs 3. Buồng cộng hưởng của laser bán dẫn 3. Buồng cộng hưởng của laser bán dẫn 4. Tiếp xúc đồng thể đơn 4. Tiếp xúc đồng thể đơn 5. Tiếp xúc dị thể kép 5. Tiếp xúc dị thể kép

1. Sơ lược về tiếp xúc p-n của bán dẫn thường

Ảnh động

2. Lớp tiếp xúc p-n của bán dẫn suy biến GaAs

• (cid:1055)(cid:1088)(cid:1080)(cid:32)(cid:1087)(cid:1088)(cid:1103)(cid:1084)(cid:1086)(cid:1084)(cid:32)(cid:1089)(cid:1084)(cid:1077)(cid:1097)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1080)(cid:1080)(cid:32)(cid:1101)(cid:1083)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1099)(cid:32)(cid:1080)(cid:1085)(cid:1078)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1090)(cid:1080)(cid:1088)(cid:1091)(cid:1102)(cid:1090)(cid:1089)(cid:1103)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:1088)(cid:45)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1083)(cid:1072)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1100)(cid:32)(cid:1073)(cid:1072)(cid:1079)(cid:1099)(cid:44)(cid:32)(cid:1075)(cid:1076)(cid:1077)

(cid:1087)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1080)(cid:1089)(cid:1093)(cid:1086)(cid:1076)(cid:1080)(cid:1090)(cid:32)(cid:1080)(cid:1093)(cid:32)(cid:1080)(cid:1079)(cid:1083)(cid:1091)(cid:1095)(cid:1072)(cid:1090)(cid:1077)(cid:1083)(cid:1100)(cid:1085)(cid:1072)(cid:1103)(cid:32)(cid:1088)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1084)(cid:1073)(cid:1080)(cid:1085)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1103)(cid:32)(cid:1089)(cid:32)(cid:1076)(cid:1099)(cid:1088)(cid:1082)(cid:1072)(cid:1084)(cid:1080)(cid:46)(cid:32)(cid:1053)(cid:1077)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1093)(cid:1086)(cid:1076)(cid:1080)(cid:1084)(cid:1086)(cid:32)(cid:1095)(cid:1090)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1099) (cid:1080)(cid:1085)(cid:1078)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1103)(cid:32)(cid:1101)(cid:1083)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1086)(cid:1074)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:112)(cid:45)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1083)(cid:1072)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1100)(cid:32)(cid:1073)(cid:1072)(cid:1079)(cid:1099)(cid:32)(cid:1087)(cid:1088)(cid:1077)(cid:1074)(cid:1099)(cid:1096)(cid:1072)(cid:1083)(cid:1072)(cid:32)(cid:1080)(cid:1085)(cid:1078)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1102)(cid:32)(cid:1076)(cid:1099)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1082)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:110)(cid:45) (cid:1086)(cid:1073)(cid:1083)(cid:1072)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1100)(cid:32)(cid:1101)(cid:1084)(cid:1080)(cid:1090)(cid:1090)(cid:1077)(cid:1088)(cid:1072)(cid:44)(cid:32)(cid:1087)(cid:1086)(cid:1101)(cid:1090)(cid:1086)(cid:1084)(cid:1091)(cid:32)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1103)(cid:32)(cid:32)(cid:1074) (cid:1087)(cid:45)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1083)(cid:1072)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1080)(cid:32)(cid:1079)(cid:1085)(cid:1072)(cid:1095)(cid:1080)(cid:1090)(cid:1077)(cid:1083)(cid:1100)(cid:1085)(cid:1086) (cid:1087)(cid:1088)(cid:1077)(cid:1074)(cid:1099)(cid:1096)(cid:1072)(cid:1077)(cid:1090)(cid:32)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1102)(cid:32)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:1088)(cid:45)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1083)(cid:1072)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1080) (cid:46)(cid:32)(cid:1044)(cid:1083)(cid:1103)(cid:32)(cid:1091)(cid:1074)(cid:1077)(cid:1083)(cid:1080)(cid:1095)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1080)(cid:1103)(cid:32)(cid:1074)(cid:1077)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1103)(cid:1090)(cid:1085)(cid:1086)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1080) (cid:1087)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1089)(cid:1089)(cid:1072)(cid:32)(cid:1080)(cid:1079)(cid:1083)(cid:1091)(cid:1095)(cid:1072)(cid:1090)(cid:1077)(cid:1083)(cid:1100)(cid:1085)(cid:1086)(cid:1081)(cid:32)(cid:1088)(cid:1077)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1084)(cid:1073)(cid:1080)(cid:1085)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1080)(cid:32)(cid:1085)(cid:1077)(cid:1086)(cid:1073)(cid:1093)(cid:1086)(cid:1076)(cid:1080)(cid:1084)(cid:1072)(cid:32)(cid:1073)(cid:1086)(cid:1083)(cid:1100)(cid:1096)(cid:1072)(cid:1103)(cid:32)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1103) (cid:1076)(cid:1099)(cid:1088)(cid:1086)(cid:1082)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:1074)(cid:1072)(cid:1083)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1090)(cid:1085)(cid:1086)(cid:1081)(cid:32)(cid:1079)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1077)(cid:32)(cid:1073)(cid:1072)(cid:1079)(cid:1099)(cid:44)(cid:32)(cid:1095)(cid:1090)(cid:1086)(cid:32)(cid:1076)(cid:1086)(cid:1089)(cid:1090)(cid:1080)(cid:1075)(cid:1072)(cid:1077)(cid:1090)(cid:1089)(cid:1103)(cid:32)(cid:1091)(cid:1074)(cid:1077)(cid:1083)(cid:1080)(cid:1095)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1080)(cid:1077)(cid:1084)(cid:32)(cid:1082)(cid:1086)(cid:1085)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1085)(cid:1090)(cid:1088)(cid:1072)(cid:1094)(cid:1080)(cid:1080) (cid:1083)(cid:1077)(cid:1075)(cid:1080)(cid:1088)(cid:1091)(cid:1102)(cid:1097)(cid:1077)(cid:1081)(cid:32)(cid:1072)(cid:1082)(cid:1094)(cid:1077)(cid:1087)(cid:1090)(cid:1086)(cid:1088)(cid:1085)(cid:1086)(cid:1081)(cid:32)(cid:1087)(cid:1088)(cid:1080)(cid:1084)(cid:1077)(cid:1089)(cid:1080)(cid:32)(cid:1074)(cid:32)(cid:1073)(cid:1072)(cid:1079)(cid:1077)(cid:46)

3. Buồng cộng hưởng của Laser bán dẫn

3.2 Laser bán dẫn hồi tiếp phân tán

• Sử dụng cách tử Bragg bằng cách làm nhăn lớp biên phân cách giữa hai lớp bán dẫn cấu thành laser.

Đặc điểm chung

Phương pháp kích thích laser bán dẫn

Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

Kích thích bằng chùm điện tử

Bơm quang học

1. Đặc điểm chung

Ưu điểm:

_ Kích thước rất nhỏ _ Hệ số tác dụng có ích rất lớn _ Có khả năng tạo dãy sóng phát khá rộng

Nhược điểm: Nhược điểm:

_ Bậc đơn sắc và độ định hướng kém _ Công suất phát phụ thuộc rất lớn vào nhiệt độ

Thành phần hợp kim của phức chất bán dẫn biến đổi độ dài sóng bức xạ của laser

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

Miền hoạt tính

Khi có trường ngoài

Không có trường ngoài

_ Miền hoạt tính chứa đồng thời điện tử và lỗ trống (cid:61556)D (độ dài khuếch tán)

có độ dày

(

)

bức xạ có tần số

được khuếch đại

C (cid:61549)(cid:61485)(cid:61549)(cid:61500)(cid:61550)(cid:61500)(cid:61508)

khi đi qua miền này.

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n Tính chất định hướng

_Tính chất định hướng của chùm laser chủ yếu do nhiễu xạ.

(cid:61501)(cid:61527)

_ Độ mở rộng của chùm tia:

2(cid:61548) d

_ Sự phân bố cường độ bức xạ theo góc do nhiễu xạ: _ Sự phân bố cường độ bức xạ theo góc do nhiễu xạ:

sin

(cid:61686) (cid:61553)(cid:61687) (cid:61688)

(cid:61689) (cid:61690) (cid:61691)

(cid:61673) (cid:61674) (cid:61675)

~)(I (cid:61553)

d (cid:61552) (cid:61548) 2

(cid:61670) (cid:61671) (cid:61672) (cid:61553)

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

Điều kiện tự kích

Hệ số khuếch đại lượng tử của môi trường hoạt tính

ln ln

GG GG (cid:61501) (cid:61501)

(cid:61483) (cid:61483)

n n

1 1 L2 L2

1 1 rr rr 21 21

hệ số khuếch đại

Khoảng cách

ngưỡng

giữa 2 gương

máy phát tự kích khi:

nGG (cid:61619)

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n Laser bán dẫn làm việc theo chế độ liên tục ở nhiệt độ

phòng

)p(As

x1 (cid:61485)

_ Dùng Diod cấu trúc kép:

GaAs

)n(As

(cid:61485)

x1 (cid:61485)

n n

(cid:61500) (cid:61500)

Al Al

Ga Ga

As As

GaAs GaAs

x x

x1 x1 (cid:61485) (cid:61485)

: laser phát tập trung trong lớp GaAs : laser phát tập trung trong lớp GaAs (trong miền khuếch đại)

Kích thước miền hoạt tính nhỏ hơn

độ khuếch đại tăng lên

tỏa nhiệt tốt

Đáy GaAs được tráng Sn

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n

Ưu điểm:

_ Hệ số tác dụng có ích lớn.

_ Kích thước nhỏ.

_ Phương pháp điều chế bức xạ lối ra đơn giản. _ Phương pháp điều chế bức xạ lối ra đơn giản.

Nhược điểm:

_ Do kích thước nhỏ nên công suất không lớn.

_ Khó khăn trong chế tạo lớp tiếp xúc p-n có Eg lớn.

_ Không nhận được chùm laser trong dãy sóng ngắn.

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.2 Kích thích bằng chùm điện tử

_ Kích thích: chùm điện tử nhanh, năng lượng ~ 50keV

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.2 Kích thích bằng chùm điện tử

Điện tử mất năng lượng khi “oanh tạc” lên bán dẫn

Kích thích

E (cid:61508)(cid:61502)

Điện tử từ vùng HT lên các mức cao của VD:

Va chạm

Nguyên tử của mạng tinh thể

Kích thích

Điện tử mới từ vùng HT lên VD

Quá trình chuyển điện tử lên VD được phát triển như

“thác lũ”

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.2 Kích thích bằng chùm điện tử

_Mỗi điện tử trong thác lũ tạo một cặp điện tử lỗ trống.

E3(cid:61508)(cid:61619)

_ Điện tử kích thích có năng lượng

_Tái hợp xảy ra khi điện tử và lỗ trống tích tụ ở đáy vùng. _Tái hợp xảy ra khi điện tử và lỗ trống tích tụ ở đáy vùng.

_Mật độ dòng oanh tạc đủ lớn:

số điện tử và lỗ trống ở đáy vùng lớn

(

)

(cid:61508)(cid:61619)

(cid:61549)(cid:61485)(cid:61549) C

thỏa mãn điều kiện:

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.2 Kích thích bằng chùm điện tử

_Độ xuyên sâu của điện tử nhanh vào trong bán dẫn:

1 (cid:61485)

(cid:61548)

11,0

E4,22

(cid:61501)

(cid:61554)

(cid:61483)

(cid:61485)

(cid:61670) (cid:61671) (cid:61672)

(cid:61686) (cid:61687) (cid:61688)

(cid:61554)

: mật độ vật chất (g/cm3)

E0 : năng lượng điện tử (MeV)

Ưu điểm: Ưu điểm:

_ Bậc đơn sắc và độ định hướng cao. _Công suất phát lớn.

Nhược điểm:

_ Hệ số tác dụng có ích thấp (~20%)

_ Độ dài xung của dòng điện tử phải nhỏ

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.3 Bơm quang học:

Kích thích một photon

_ Dùng ánh sáng kích thích

(cid:61508)(cid:61502)(cid:61550)

có cường độ lớn _ Năng lượng photon:

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.3 Bơm quang học:

Kích thích hai photon

_ Năng lượng photon:

1 (cid:61508)(cid:61619)(cid:61550) 2

hấp thụ đồng thời 2 phonton

_ Với laser GaAs: dùng laser Nêôđim để bơm (độ xuyên _ Với laser GaAs: dùng laser Nêôđim để bơm (độ xuyên sâu của bức xạ: 0,3mm ; hệ số tác dụng có ích: 1%). sâu của bức xạ: 0,3mm ; hệ số tác dụng có ích: 1%). Nhược điểm:

_ Nguồn bơm phải có cường độ rất lớn. (Laser GaAs: cường độ ngưỡng của bức xạ bơm: 16MW/cm2)

2. Phương pháp kích thích laser bán dẫn

2.3 Bơm quang học:

PHẦN II: LASER BÁN DẪN

Sơ đồ cấu trúc của laser diode GaAs lớp tiếp xúc đồng thể

p+ GaAs

Lớp tiếp xúc kim loại (+)

n+ GaAs

Chùm laser phát ra

Lớp chuyển tiếp ( vùng hoạt động và thể Lớp chuyển tiếp ( vùng hoạt động và thể tích mốt ) tích mốt )

Lớp tiếp xúc kim loại(-)

• Hạt tải trong vùng hoạt tính tăng hệ số khúc xạ của GaAs

• Sự tăng hệ số khúc xạ chỉ ~0.02, nên ko tốt làm bộ phận điện môi dẫn sóng

• Là chùm tia do đó có thể thoát ra ngoài thể tích mốt

• Bơm mãnh liệt là cần thiết để phát laser

• Dòng ngưỡng cho hoạt động bơm vượt 400Amm-2

Lớp cuối ghồ ghề

Cường độ & mật độ dòng ngưỡng

KKết luận về laser tiếp xúc đồng thể ết luận về laser tiếp xúc đồng thể

• Vấn đề chính với laser tiếp xúc đồng thể là mật độ dòng ngưỡng • Vấn đề chính với laser tiếp xúc đồng thể là mật độ dòng ngưỡng

cao, Jth là quá cao cho ứng dụng thực tế cao, Jth là quá cao cho ứng dụng thực tế

• Jth tăng theo nhiệt độ, quá cao tại nhiệt độ phòng, chỉ làm việc ở • Jth tăng theo nhiệt độ, quá cao tại nhiệt độ phòng, chỉ làm việc ở

chế độ xung chế độ xung

• Laser tiếp xúc đồng thể có đặc tính quang học nghèo, ít giam giữ • Laser tiếp xúc đồng thể có đặc tính quang học nghèo, ít giam giữ

hạt tải hạt tải

• Nếu muốn Jth thấp: tăng tỉ lệ phát xạ kích thích và hiệu quả buồng • Nếu muốn Jth thấp: tăng tỉ lệ phát xạ kích thích và hiệu quả buồng

quang học quang học • Để có Jth: • Để có Jth:

– Giam giữ hạt tải trong 1 vùng hẹp – Giam giữ hạt tải trong 1 vùng hẹp – Tạo ống dẫn sóng diện môi quanh vùng khuếch đại quang học – Tạo ống dẫn sóng diện môi quanh vùng khuếch đại quang học (tăng mật độ photon phát bức xạ kích thích) (cid:61664) sự giam giữ (tăng mật độ photon phát bức xạ kích thích) (cid:61664) sự giam giữ photon photon

• Làm thế nào để ta đạt được điều đó? • Làm thế nào để ta đạt được điều đó?

Laser diode cấu trúc dị thể Laser diode cấu trúc dị thể

Laser cấu trúc dị thể Laser c

ấu trúc dị thể kképép

GaAs giữa vùng cấm lớn của AlGaAs

n GaAlAs n GaAlAs

Lớp tiếp xúc kim loại(+)

p GaAs

N GaAs n GaAlAs

p GaAlAs

p GaAs

P GaAlAs

1(cid:61549)m

Lớp tiếp xúc kim loại(-) GaAs giữa vùng cấm lớn của AlGaAs. GaAs là vùng hoạt tính nơi mà laser diễn ra

n-p-p N-n-p-P

Lớp chuyển tiếp kép

Eg2

Bán dẫn vùng cấm rộng

Eg1

Eg2

Bán dẫn vùng cấm hẹp

bề mặt vùng dẫn

Bán dẫn vùng cấm rộng

Eg2

Eg1

bề mặt vùng hoá trị

ôâ ôâ

Lớp chuyển tiếp dị thể kép dưới phân cực thuận

482_16

Hình vẽ so sánh Hình vẽ so sánh đặc tính của laser đặc tính của laser đồng thể (a) và dị đồng thể (a) và dị thể kép (b). Laser thể kép (b). Laser đồng thể có hệ số đồng thể có hệ số khúc xạ thay đổi ít khúc xạ thay đổi ít hơn 1%, còn dị thể hơn 1%, còn dị thể kép là 5%. Sự giam kép là 5%. Sự giam giữ photon thể hiện giữ photon thể hiện ở biểu đồ cuối ở biểu đồ cuối

ECE 663

Laser tiếp xúc dị thể kép Laser ti ếp xúc dị thể kép

SSự giam giữ hạt tải và photon ự giam giữ hạt tải và photon

• N-Ga1-xAlxAs|p-GaAs|P-Ga1-xAlxAs • N-Ga1-xAlxAs|p-GaAs|P-Ga1-xAlxAs

N |Lớp hoạt tính|P N |Lớp hoạt tính|P • GaAs and GaAlAs: • GaAs and GaAlAs:

1. Có hệ số khúc xạ khác nhau 1. Có hệ số khúc xạ khác nhau

• •

nGaAlAs < nGaAs nGaAlAs < nGaAs

– –

2. Có Eg khác nhau Eg (GaAlAs) > Eg(GaAs) 2. Có Eg khác nhau Eg (GaAlAs) > Eg(GaAs) – Độ rộng vùng cấm khác nhau (cid:61664) tạo rào ngăn e và h – Độ rộng vùng cấm khác nhau (cid:61664) tạo rào ngăn e và h khuếch tán từ GaAs sang GaAlAs (cid:61664) giam giữ hạt tải khuếch tán từ GaAs sang GaAlAs (cid:61664) giam giữ hạt tải Sự khác nhau về hệ số khúc xạ (cid:61664) dẫn sóng (giam giữ Sự khác nhau về hệ số khúc xạ (cid:61664) dẫn sóng (giam giữ photon) photon)

– Eg (GaAlAs) > Eg(GaAs) (cid:61664) Photon sinh ra trong in GaAs – Eg (GaAlAs) > Eg(GaAs) (cid:61664) Photon sinh ra trong in GaAs

sẽ không bị hấp thụ bởi GaAlAs. sẽ không bị hấp thụ bởi GaAlAs.

Hệ số khúc xạ & sự giam giữ sóng

Laser phát xạ cạnh

(cid:67)(cid:108)(cid:101)(cid:97)(cid:118)(cid:101)(cid:100)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:102)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:115)(cid:117)(cid:114)(cid:102)(cid:97)(cid:99)(cid:101) (cid:67)(cid:108)(cid:101)(cid:97)(cid:118)(cid:101)(cid:100)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:102)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:115)(cid:117)(cid:114)(cid:102)(cid:97)(cid:99)(cid:101) (cid:87) (cid:87)

(cid:76) (cid:76)

(cid:83)(cid:116)(cid:114)(cid:105)(cid:112)(cid:101)(cid:32)(cid:101)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:100)(cid:101) (cid:83)(cid:116)(cid:114)(cid:105)(cid:112)(cid:101)(cid:32)(cid:101)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:100)(cid:101)

(cid:79)(cid:120)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:32)(cid:105)(cid:110)(cid:115)(cid:117)(cid:108)(cid:97)(cid:116)(cid:111)(cid:114) (cid:79)(cid:120)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:32)(cid:105)(cid:110)(cid:115)(cid:117)(cid:108)(cid:97)(cid:116)(cid:111)(cid:114) (cid:112)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:116)(cid:97)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:112)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:116)(cid:97)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:102)(cid:105)(cid:110)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:71)(cid:97) (cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:102)(cid:105)(cid:110)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:71)(cid:97)

(cid:112)(cid:45)(cid:65)(cid:108) (cid:112)(cid:45)(cid:65)(cid:108)

(cid:120) (cid:120)

(cid:110)(cid:45)(cid:65)(cid:108) (cid:110)(cid:45)(cid:65)(cid:108)

(cid:71)(cid:97) (cid:71)(cid:97)

(cid:49)(cid:45)(cid:120) (cid:49)(cid:45)(cid:120)

(cid:120) (cid:120)

(cid:51) (cid:51)

(cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101) (cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101)

(cid:49)(cid:45)(cid:120) (cid:49)(cid:45)(cid:120) (cid:112)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:65)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:118)(cid:101)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:112)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:65)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:118)(cid:101)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:102)(cid:105)(cid:110)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:67)(cid:111)(cid:110)(cid:102)(cid:105)(cid:110)(cid:105)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:121)(cid:101)(cid:114)(cid:41) (cid:110)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101)(cid:41) (cid:110)(cid:45)(cid:71)(cid:97)(cid:65)(cid:115)(cid:32)(cid:40)(cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101)(cid:41)

(cid:50) (cid:50) (cid:49) (cid:49) (cid:67)(cid:117)(cid:114)(cid:114)(cid:101)(cid:110)(cid:116) (cid:67)(cid:117)(cid:114)(cid:114)(cid:101)(cid:110)(cid:116) (cid:112)(cid:97)(cid:116)(cid:104)(cid:115) (cid:112)(cid:97)(cid:116)(cid:104)(cid:115)

(cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101) (cid:83)(cid:117)(cid:98)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:101)

(cid:69)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:100)(cid:101) (cid:69)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:100)(cid:101)

(cid:69)(cid:108)(cid:108)(cid:105)(cid:112)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:97)(cid:108) (cid:69)(cid:108)(cid:108)(cid:105)(cid:112)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:97)(cid:108) (cid:108)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114) (cid:108)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114) (cid:98)(cid:101)(cid:97)(cid:109) (cid:98)(cid:101)(cid:97)(cid:109)

(cid:65)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:118)(cid:101)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:103)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:119)(cid:104)(cid:101)(cid:114)(cid:101) (cid:74)(cid:32)(cid:62) (cid:74)(cid:116)(cid:104)(cid:46) (cid:65)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:118)(cid:101)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:103)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:119)(cid:104)(cid:101)(cid:114)(cid:101) (cid:74)(cid:32)(cid:62) (cid:74)(cid:116)(cid:104)(cid:46) (cid:40)(cid:69)(cid:109)(cid:105)(cid:115)(cid:115)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:103)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:41) (cid:40)(cid:69)(cid:109)(cid:105)(cid:115)(cid:115)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:114)(cid:101)(cid:103)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:41)

(cid:83)(cid:99)(cid:104)(cid:101)(cid:109)(cid:97)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:32)(cid:105)(cid:108)(cid:108)(cid:117)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:111)(cid:102)(cid:32)(cid:116)(cid:104)(cid:101)(cid:32)(cid:116)(cid:104)(cid:101)(cid:32)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:117)(cid:99)(cid:116)(cid:117)(cid:114)(cid:101)(cid:32)(cid:111)(cid:102)(cid:32)(cid:97)(cid:32)(cid:100)(cid:111)(cid:117)(cid:98)(cid:108)(cid:101)(cid:32)(cid:104)(cid:101)(cid:116)(cid:101)(cid:114)(cid:111)(cid:106)(cid:117)(cid:110)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:105)(cid:112)(cid:101) (cid:83)(cid:99)(cid:104)(cid:101)(cid:109)(cid:97)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:32)(cid:105)(cid:108)(cid:108)(cid:117)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:97)(cid:116)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:111)(cid:102)(cid:32)(cid:116)(cid:104)(cid:101)(cid:32)(cid:116)(cid:104)(cid:101)(cid:32)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:117)(cid:99)(cid:116)(cid:117)(cid:114)(cid:101)(cid:32)(cid:111)(cid:102)(cid:32)(cid:97)(cid:32)(cid:100)(cid:111)(cid:117)(cid:98)(cid:108)(cid:101)(cid:32)(cid:104)(cid:101)(cid:116)(cid:101)(cid:114)(cid:111)(cid:106)(cid:117)(cid:110)(cid:99)(cid:116)(cid:105)(cid:111)(cid:110)(cid:32)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:105)(cid:112)(cid:101) (cid:99)(cid:111)(cid:110)(cid:116)(cid:97)(cid:99)(cid:116)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114)(cid:32)(cid:100)(cid:105)(cid:111)(cid:100)(cid:101) (cid:99)(cid:111)(cid:110)(cid:116)(cid:97)(cid:99)(cid:116)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114)(cid:32)(cid:100)(cid:105)(cid:111)(cid:100)(cid:101)

(cid:169)(cid:32)(cid:49)(cid:57)(cid:57)(cid:57)(cid:32)(cid:83)(cid:46)(cid:79)(cid:46)(cid:32)(cid:75)(cid:97)(cid:115)(cid:97)(cid:112)(cid:44) (cid:79)(cid:112)(cid:116)(cid:111)(cid:101)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:110)(cid:105)(cid:99)(cid:115) (cid:40)(cid:80)(cid:114)(cid:101)(cid:110)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:101)(cid:32)(cid:72)(cid:97)(cid:108)(cid:108)(cid:41) (cid:169)(cid:32)(cid:49)(cid:57)(cid:57)(cid:57)(cid:32)(cid:83)(cid:46)(cid:79)(cid:46)(cid:32)(cid:75)(cid:97)(cid:115)(cid:97)(cid:112)(cid:44) (cid:79)(cid:112)(cid:116)(cid:111)(cid:101)(cid:108)(cid:101)(cid:99)(cid:116)(cid:114)(cid:111)(cid:110)(cid:105)(cid:99)(cid:115) (cid:40)(cid:80)(cid:114)(cid:101)(cid:110)(cid:116)(cid:105)(cid:99)(cid:101)(cid:32)(cid:72)(cid:97)(cid:108)(cid:108)(cid:41)

Laser phát xạ cạnh

Laser phát xạ mặt (VCSEL)

ECE 663

Laser phát xạ mặt

Ưu điểm của VCSEL

• Cấu trúc được tổ hợp trong cấu hình mảng 2 chiều. • Cấu trúc được tổ hợp trong cấu hình mảng 2 chiều. • Dòng ngưỡng thấp có khả năng đạt mảng mật độ cao. • Dòng ngưỡng thấp có khả năng đạt mảng mật độ cao. • •

Sự phát xạ mặt và gần đồng nhất với hình dạng photo detector làm dễ dàng định Sự phát xạ mặt và gần đồng nhất với hình dạng photo detector làm dễ dàng định hướng và tập trung lại bó sóng. hướng và tập trung lại bó sóng.

• Chùm tia phát ra hình tròn và phân tán thấp thì cần cho sự chính xác quang học. • Chùm tia phát ra hình tròn và phân tán thấp thì cần cho sự chính xác quang học. • Giá thành thấp bởi vì thiết bị được hoàn chỉnh và kiểm tra dưới dạng miếng. • Giá thành thấp bởi vì thiết bị được hoàn chỉnh và kiểm tra dưới dạng miếng. • Điện trở nhiệt thấp so với diode laser phát xạ cạnh. • Điện trở nhiệt thấp so với diode laser phát xạ cạnh. • Vận tốc truyền cao mà tiêu tốn điện năng thấp. • Vận tốc truyền cao mà tiêu tốn điện năng thấp. • Đặc tính dòng của VCSEL • Đặc tính dòng của VCSEL Phát ra bước sóng 850 nm và 1300 nm. Phát ra bước sóng 850 nm và 1300 nm. • • • Vật liệu chế tạo thông dụng: GaAs, AlGaAs, GaInNAs • Vật liệu chế tạo thông dụng: GaAs, AlGaAs, GaInNAs • Thử thách đối với các kỹ sư là làm sao để chế tạo VCSEL có công suất cao. • Thử thách đối với các kỹ sư là làm sao để chế tạo VCSEL có công suất cao.

(cid:71)(cid:97)(cid:105)(cid:110)(cid:32)(cid:103)(cid:117)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:100)(cid:32)(cid:38)(cid:32)(cid:105)(cid:110)(cid:100)(cid:101)(cid:120)(cid:32)(cid:103)(cid:117)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:100)

(cid:68)(cid:105)(cid:111)(cid:100)(cid:101)(cid:32)(cid:76)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114)(cid:115)

Double-heterostructure architecture is common to diode laser (left).Two stripe geometries are used: gain-guided (middle) and index-guided (right Widebandgap p-and n-type semiconductor are represented by P and N, respectively. Current flows through gain-guided structure as shown by arrows; notice beam shapes produced by all three structures)

(cid:71)(cid:97)(cid:105)(cid:110)(cid:32)(cid:103)(cid:117)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:100)(cid:32)(cid:38)(cid:32)(cid:73)(cid:110)(cid:100)(cid:101)(cid:120)(cid:32)(cid:103)(cid:117)(cid:105)(cid:100)(cid:101)(cid:100)

(cid:76)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114)(cid:32)(cid:68)(cid:105)(cid:111)(cid:100)(cid:101)(cid:32)(cid:119)(cid:105)(cid:116)(cid:104)(cid:32)(cid:98)(cid:117)(cid:114)(cid:105)(cid:101)(cid:100)(cid:32)(cid:104)(cid:101)(cid:116)(cid:101)(cid:114)(cid:111)(cid:115)(cid:116)(cid:114)(cid:117)(cid:99)(cid:116)(cid:117)(cid:114)(cid:101)(cid:32)(cid:40)(cid:66)(cid:72)(cid:41)

Laser cấu trúc dị thể chôn

Laser hố lượng tử

ECE 663

Laser nhiều hố lượng tử

ECE 663

(cid:77)(cid:81)(cid:87)(cid:32)(cid:76)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114) (cid:8211) (cid:71)(cid:82)(cid:78)(cid:45)(cid:83)(cid:67)(cid:72)(cid:32)(cid:83)(cid:116)(cid:114)(cid:117)(cid:99)(cid:116)(cid:117)(cid:114)(cid:101)

ECE 663

High voltage to align levels, high current => high heat dissipation

Rui Yang’s talk

J. Faist, F. Capasso, et al. Science 264, 553 (1994)

QC lasers

Yếu tố kích tạp (loại n) Vùng hoạt tính

Yếu tố kích tạp (loại n)

Vùng hoạt tính

520 meV

60 nm

Từ thế răng cưa đến thế bậc thang

(cid:61552)(cid:61501)

(cid:61483)

l jwjw

lk , jbjb

•Điều khiển thời gian sống bằng: phonon, hiệu ứng chui hầm; cần t32 > t2 k E21 = Ephonon

(cid:70)(cid:114)(cid:111)(cid:109)(cid:32)(cid:115)(cid:97)(cid:119)(cid:116)(cid:111)(cid:111)(cid:116)(cid:104)(cid:32)(cid:116)(cid:111)(cid:32)(cid:115)(cid:116)(cid:97)(cid:105)(cid:114)(cid:99)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:32)(cid:112)(cid:111)(cid:116)(cid:101)(cid:110)(cid:116)(cid:105)(cid:97)(cid:108)

V = 0

) ) V V e e m m

( ( y y g g r r e e n n E E

1100 1100 1000 1000 900 900 800 800 700 700 600 600 500 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0

0 0

200 200

600 600

800 800

400 400 Z (Å) Z (Å)

) ) V V e e m m

V = Vth

( ( y y g g r r e e n n E E

1100 1100 1000 1000 900 900 800 800 700 700 600 600 500 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0

0 0

200 200

600 600

800 800

400 400 Z (Å) Z (Å)

ACTIVE ACTIVE REGION REGION

I I

INJECTOR INJECTOR

Phương pháp chế tạo: MBE hoặc MOCVD Ảnh TEM / SEM

3 3

ACTIVE ACTIVE REGION REGION

MINIGAP MINIGAP

I I

2 2

MINIBAND MINIBAND

1 1

3 3

g g

2 2

V V e e m m 5 5 2 2 7 7

0.9 nm thick well and barrier

1 1

55 .1 nm 55 .1 nm

55 nm

Rui Yang’s talk

Điều gì làm cho QC-laser trở nên đặc biệt?

• •

Sự linh động trong việc chọn bước sóng phát ra Sự linh động trong việc chọn bước sóng phát ra – độ dày lớp quyết định bước sóng phát ra – độ dày lớp quyết định bước sóng phát ra

• Đã ứng dụng trong cảm biến khí hồng ngoại trung/ xa • Đã ứng dụng trong cảm biến khí hồng ngoại trung/ xa

• Công suất quang học cao ~ 1W, hoạt động được ở nhiệt độ phòng • Công suất quang học cao ~ 1W, hoạt động được ở nhiệt độ phòng

– Electron được dùng lại ở từng bậc – Electron được dùng lại ở từng bậc

• Quá trình động lực học của hạt tải điện diễn ra cực nhanh • Quá trình động lực học của hạt tải điện diễn ra cực nhanh

– Không có các dao động hồi phục – Không có các dao động hồi phục

• •

Phân cực từ ngang thuần túy– hiệu quả cao trong ghép ánh sáng mặt phẳng Phân cực từ ngang thuần túy– hiệu quả cao trong ghép ánh sáng mặt phẳng – Vi laser – Vi laser

• Hệ số tăng cường độ rộng vạch phổ nhỏ • Hệ số tăng cường độ rộng vạch phổ nhỏ

Laser giếng lượng tử từng bậc

• Đa số bán dẫn chứa tiếp xúc p-n phân cực thuận • Đa số bán dẫn chứa tiếp xúc p-n phân cực thuận nơi mà electron sẽ tái hợp với lỗ trống để phát ra nơi mà electron sẽ tái hợp với lỗ trống để phát ra bức xạ. bức xạ.

• Tuy nhiên, QC laser • Tuy nhiên, QC laser

hoạt động theo cơ chế hoạt động theo cơ chế chuyển dịch liên vùng dưới trong giếng lượng tử. chuyển dịch liên vùng dưới trong giếng lượng tử. • Khó khăn là bơm cho hệ thống, vấn đề này được • Khó khăn là bơm cho hệ thống, vấn đề này được giải quyết bằng cách phân cực điện cho cấu trúc giải quyết bằng cách phân cực điện cho cấu trúc cho phép electron chui hầm từ giếng này đến cho phép electron chui hầm từ giếng này đến giếng tiếp theo. giếng tiếp theo.

• Đây là laser 4 mức với mức thấp nhất của giếng • Đây là laser 4 mức với mức thấp nhất của giếng

này là mức cao nhất của giếng tiếp theo. này là mức cao nhất của giếng tiếp theo.

• Chuyển dịch giữa những mức 1 và 0 có sự tham • Chuyển dịch giữa những mức 1 và 0 có sự tham gia của phonon – làm cho quá trình này nhanh hơn gia của phonon – làm cho quá trình này nhanh hơn nhiều so với dịch chuyển giữa mức 1 và 2. nhiều so với dịch chuyển giữa mức 1 và 2.

QC Laser

• Loại laser bán dẫn mới –được phát minh tại • Loại laser bán dẫn mới –được phát minh tại phòng thí nghiệm Bell vào năm 1994. phòng thí nghiệm Bell vào năm 1994.

• Cấu trúc bán dẫn- một chuỗi các giếng lượng tử • Cấu trúc bán dẫn- một chuỗi các giếng lượng tử và hàng rào. Có thể gồm từ 80 đến 800 lớp và hàng rào. Có thể gồm từ 80 đến 800 lớp riêng rẻ. riêng rẻ.

• Trong mỗi chuỗi, những electron thực hiện • Trong mỗi chuỗi, những electron thực hiện

chuyển dịch giữa những vùng dưới của giếng chuyển dịch giữa những vùng dưới của giếng lượng tử, phát ra một photon. lượng tử, phát ra một photon.

• Với 80 hoặc hơn 8 giếng lượng tử mỗi • Với 80 hoặc hơn 8 giếng lượng tử mỗi

electron phát ra 80 photon – hiệu suất cao – electron phát ra 80 photon – hiệu suất cao – trong laser bán dẫn thường mỗi electron chỉ trong laser bán dẫn thường mỗi electron chỉ gây ra một sự phát xạ photon. gây ra một sự phát xạ photon.

• Bước sóng 3-27 m (hồng ngoại) công suất lên • Bước sóng 3-27 m (hồng ngoại) công suất lên đến 1W (hoạt động ở chế độ xung) tại nhiệt đến 1W (hoạt động ở chế độ xung) tại nhiệt độ phòng. độ phòng.

Laser lượng tử từng bậc THz

• Kể từ năm 2002 quá trình phát triển nhanh của laser lượng tử từng bậc tần số Thz • Kể từ năm 2002 quá trình phát triển nhanh của laser lượng tử từng bậc tần số Thz

- bước sóng lên đến 150μm - bước sóng lên đến 150μm

• Cấu trúc giếng lượng tử GaAs/AlGaAs – sự chia tách mức năng lượng được điều • Cấu trúc giếng lượng tử GaAs/AlGaAs – sự chia tách mức năng lượng được điều

chỉnh bằng độ rộng giếng lượng tử. chỉnh bằng độ rộng giếng lượng tử.

• Điều chỉnh độ rộng hàng rào và thời gian chui hầm cho phép điểu khiển chính xác • Điều chỉnh độ rộng hàng rào và thời gian chui hầm cho phép điểu khiển chính xác

thời gian sống của trạng thái – cho phép đảo lộn mật độ thời gian sống của trạng thái – cho phép đảo lộn mật độ

• Cấu trúc giếng lượng tử được lặp lại 100 lần – 1 electron qua thiết bị tạo ra 100 • Cấu trúc giếng lượng tử được lặp lại 100 lần – 1 electron qua thiết bị tạo ra 100

photon –hiệu suất cao. photon –hiệu suất cao.

(cid:84)(cid:72)(cid:122)(cid:32)(cid:81)(cid:99)(cid:32)(cid:108)(cid:97)(cid:115)(cid:101)(cid:114)

• Multilayered active region etched into waveguide structure. • Ohmic contacts made to top and bottom of device. • Care taken with heat dissipation.

QC Laser và laser thường

• Một cặp electron – lỗ trống khi tái hợp sẽ phát ra một bức xạ • Một cặp electron – lỗ trống khi tái hợp sẽ phát ra một bức xạ Sự tham gia của electron và lỗ trống: thiết bị lưỡng cực Sự tham gia của electron và lỗ trống: thiết bị lưỡng cực • • • Bước sóng được điều khiển bởi độ rộng vùng cấm của vật liệu • Bước sóng được điều khiển bởi độ rộng vùng cấm của vật liệu • Một electron có thể phát nhiều photon (~10) • Một electron có thể phát nhiều photon (~10) • Đó là thiết bị đơn cực • Đó là thiết bị đơn cực • Bước sóng phụ thuộc vào độ rộng giếng lượng tử (thiết kế) • Bước sóng phụ thuộc vào độ rộng giếng lượng tử (thiết kế) • Năng lượng đầu ra phụ thuộc vào số tầng ghép • Năng lượng đầu ra phụ thuộc vào số tầng ghép • Có thể đạt đến tần số THz (không đạt được đối với laser thường) • Có thể đạt đến tần số THz (không đạt được đối với laser thường) • Lí tưởng cho việc phát hiện , theo dõi ô nhiễm hóa học v.v.... • Lí tưởng cho việc phát hiện , theo dõi ô nhiễm hóa học v.v....

Laser giếng lượng tử từng bậc (QC)

• QC Laser dựa trên chuyển dịch nội vùng (liên vùng dưới) của electron bên • QC Laser dựa trên chuyển dịch nội vùng (liên vùng dưới) của electron bên

trong một giếng lượng tử. trong một giếng lượng tử.

• Không giống các thiết bị bán dẫn phát quang khác, bước sóng phát ra không • Không giống các thiết bị bán dẫn phát quang khác, bước sóng phát ra không phụ thuộc vào độ rộng vùng cấm mà phụ thuộc vào độ dày của các lớp thành phụ thuộc vào độ rộng vùng cấm mà phụ thuộc vào độ dày của các lớp thành phần. phần.

• Ý tưởng được khởi xướng từ 1971, do Kazarinov và Suris (Ioffe) đã thừa • Ý tưởng được khởi xướng từ 1971, do Kazarinov và Suris (Ioffe) đã thừa

nhận sự đảo lộn mật độ bằng cách phun dòng chui hầm. nhận sự đảo lộn mật độ bằng cách phun dòng chui hầm.

• Năm 1994, Faist và Capasso (Bell) in 1994 đã chế tạo QC laser đầu tiên. • Năm 1994, Faist và Capasso (Bell) in 1994 đã chế tạo QC laser đầu tiên.