intTypePromotion=1

Luận án tiến sĩ ngành Khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo sợi nano silic hướng tới ứng dụng trong pin mặt trời

Chia sẻ: Thao Uyen | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:129

0
89
lượt xem
13
download

Luận án tiến sĩ ngành Khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo sợi nano silic hướng tới ứng dụng trong pin mặt trời

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Mục tiêu của Luận án này là chế tạo ra sợi Si NWs hướng đến ứng dụng vào cấu trúc PMT đối xứng tâm. Các công việc đã được thực hiện trong Luận án là: Tổng hợp hạt nano vàng hoàn toàn bằng phương pháp vật lý kết hợp giữa bốc bay tạo màng và gia nhiệt nhanh. Nghiên cứu hiện tượng cộng hưởng plasmon bề mặt khi hạt vàng tiếp xúc với lớp bán dẫn silic, sử dụng phương pháp khắc sâu ion phản ứng (Deep Reactive Ion Etching – DRIE) với các hạt nano vàng làm mặt nạ để tạo ra sợi nano silic ứng dụng trong cấu trúc PMT,....

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Luận án tiến sĩ ngành Khoa học vật liệu: Nghiên cứu chế tạo sợi nano silic hướng tới ứng dụng trong pin mặt trời

-<br /> <br /> ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HCM<br /> TRƢỜNG ĐH KHOA HỌC TỰ NHIÊN<br /> <br /> VIỆN CÔNG NGHỆ NANO<br /> <br /> BÙI THANH TÙNG<br /> <br /> NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO SỢI NANO SILIC HƢỚNG TỚI<br /> ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI<br /> <br /> LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH KHOA HỌC VẬT LIỆU<br /> <br /> TP. Hồ Chí Minh, năm 2017<br /> <br /> ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP. HCM<br /> TRƢỜNG ĐH KHOA HỌC TỰ NHIÊN<br /> <br /> VIỆN CÔNG NGHỆ NANO<br /> <br /> BÙI THANH TÙNG<br /> NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO SỢI NANO SILIC HƢỚNG TỚI<br /> ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI<br /> <br /> Ngành:<br /> <br /> Khoa học Vật liệu<br /> <br /> Mã số ngành:<br /> <br /> 62 44 01 22<br /> <br /> Phản biện 1:<br /> <br /> GS. TSKH. Lưu Cẩm Lộc<br /> <br /> Phản biện 2:<br /> <br /> GS. TS. Nguyễn Cửu Khoa<br /> <br /> Phản biện 3:<br /> <br /> PGS. TS. Phan Bách Thắng<br /> <br /> Phản biện độc lập 1:<br /> <br /> PGS. TS. Phạm Đức Thắng<br /> <br /> Phản biện độc lập 2:<br /> <br /> PGS. TS. Phạm Thu Nga<br /> <br /> NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC<br /> 1. PGS. TS. Đặng Mậu Chiến<br /> 2. GS. TS. Bernard Drevillon<br /> <br /> TP. Hồ Chí Minh, năm 2017<br /> <br /> LỜI CẢM ƠN<br /> <br /> Tôi xin gửi lời tri ân sâu sắc nhất đến các thầy hướng dẫn, PGS.TS. Đặng Mậu Chiến<br /> (Viện Công nghệ Nano, Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh), GS. Bernard Drevillon<br /> (Đại Học Bách Khoa Paris, Pháp) - đã tận tình hướng dẫn, động viên và tạo mọi điều kiện<br /> thuận lợi nhất cho tôi thực hiện Luận án này.<br /> Tôi xin gửi lời cảm ơn đến các thầy, cô giảng dạy chương trình Việt Pháp, Đại Học Bách<br /> Khoa - Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh và chương trình đào tạo trình độ Tiến Sĩ<br /> ngành “Khoa Học Vật Liệu”, được phối hợp giữa Viện Công nghệ Nano và Trường Đại<br /> học Khoa học Tự Nhiên - Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, đã truyền thụ những kiến<br /> thức khoa học cơ sở trong suốt quá trình học, giúp tôi tiếp cận nghiên cứu một cách dễ<br /> dàng.<br /> Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám đốc Viện Công nghệ Nano, các thành viên trong<br /> nhóm nghiên cứu “Solar Cell”, các anh chị em đồng nghiệp cơ quan đã giúp đỡ tôi trong<br /> quá trình hoàn thành Luận án này.<br /> Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến cha mẹ, gia đình và bạn bè đã luôn<br /> luôn bên cạnh, tạo mọi điều kiện, động viên giúp tôi vững tâm tập trung học tập và hoàn<br /> thành Luận án này.<br /> <br /> LỜI CAM ĐOAN<br /> <br /> Tôi xin cam đoan Luận án này là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn<br /> của PGS.TS. Đặng Mậu Chiến và GS. TS. Bernard Drevillon. Các số liệu, hình vẽ, đồ thị<br /> và các bảng biểu liên quan đến các kết quả tôi thu được trong Luận án này là hoàn toàn<br /> trung thực, khách quan và chưa từng được ai công bố trong bất cứ công trình khoa học<br /> nào mà tôi không tham gia.<br /> Tp. HCM, ngày 22 tháng 02 năm 2017<br /> Tác giả<br /> <br /> Bùi Thanh Tùng<br /> <br /> MỤC LỤC<br /> MỤC LỤC........................................................................................................................... 1<br /> DANH SÁCH HÌNH VẼ ...................................................................................................5<br /> DANH SÁCH BẢNG BIỂU .............................................................................................. 9<br /> BẢNG CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT .................................................................................10<br /> LỜI MỞ ĐẦU ...................................................................................................................11<br /> CHƢƠNG 1 ...................................................................................................................... 13<br /> TỔNG QUAN ...................................................................................................................13<br /> 1.1 Các cấu trúc pin năng lƣợng mặt trời......................................................................13<br /> 1.2 Hạt nano kim loại – hạt nano vàng sử dụng làm mặt nạ cho quá trình khắc sâu<br /> ion phản ứng .....................................................................................................................16<br /> 1.2.1 Các hiệu ứng đặc biệt của hạt nano kim loại ................................................................. 16<br /> 1.2.1.1 Hiệu ứng bề mặt .................................................................................................. 16<br /> 1.2.1.2 Hiệu ứng kích thước ............................................................................................. 16<br /> 1.2.1.3 Hiệu ứng plasmon ................................................................................................ 16<br /> 1.2.2 Lý do lựa chọn hạt nano vàng làm mặt nạ cho quá trình khắc sâu tạo sợi nano silic .... 17<br /> 1.2.2.1 Những thuận lợi về tính chất vật lý - quang học của vàng và hạt nano vàng...... 18<br /> 1.2.2.2 Sử dụng hiệu ứng plasmon ................................................................................... 18<br /> 1.2.3 Các quy trình tổng hợp hạt nano vàng ........................................................................... 21<br /> 1.2.3.1 Quy trình khử hoá học ........................................................................................ 21<br /> 1.2.3.2 Quy trình Turkevich ............................................................................................ 21<br /> 1.2.3.3 Quy trình Brust.................................................................................................... 21<br /> 1.2.3.4 Quy trình Martin .................................................................................................. 22<br /> 1.2.4 Quy trình tạo hạt nano vàng kết hợp giữa bốc bay và gia nhiệt – làm lạnh nhanh ....... 22<br /> <br /> 1.3 Chế tạo sợi nano silic .................................................................................................22<br /> 1.3.1 Phương pháp bottom-up ................................................................................................ 23<br /> 1.3.2 Phương pháp top-down .................................................................................................. 24<br /> 1.3.3 Phương pháp khắc sâu ion phản ứng (Deep Reactive Ion Etching - DRIE).................. 27<br /> 1.3.3.1 Quy trình khắc sâu đông lạnh ............................................................................. 28<br /> 1.3.3.2 Quy trình Bosch .................................................................................................. 28<br /> 1.3.3.3 Ảnh hưởng của các thông số trong quá trình khắc sâu ....................................... 28<br /> 1<br /> <br />
ADSENSE
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2