ISSN: 1859-1272
TẠP CHÍ KHOA HỌC GIÁO DỤC KỸ THUẬT
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Website: https://jte.edu.vn
Email: jte@hcmute.edu.vn
JTE, Volume 19, Issue 05, October 2024
33
A Single-Phase H-Bridge Buck Inverter with Common-Ground Ability
Minh Dat Hoang , Vinh Thanh Tran , Quang Huy Danh , Duc Tri Do*
Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Vietnam
*Corresponding author. Email: tridd@hcmute.edu.vn
ARTICLE INFO
ABSTRACT
Received:
This paper presents a new single-phase inverter configuration capable of
suppressing common-mode voltage (CMV) called a single-phase H-bridge
buck inverter with common-ground ability (1P-H-CGI). The 1P-H-CGI
configuration is built on a buck-boost DC-DC converter with two
additional semiconductor switches to enable the inverter function (DC-
AC). In this design, the ground of the DC input source is directly connected
to the negative point of the output load. Therefore, this configuration can
completely eliminate leakage current as well as CMV. In addition, the
proposed configuration has a low voltage across the power elements and
the use of film capacitors makes the inverter more efficient and reliable
than previous common-ground inverter configurations. To verify the
theoretical basis presented in the paper on operating modes, modulation
algorithms, as well as performance of the 1P-H-CGI configuration,
simulation and experimental results were performed with the support of
PSIM, PLECS software, and experimental models in the laboratory. The
small signal model of the proposed configuration is also considered and
analyzed in this paper.
Revised:
Accepted:
Published:
KEYWORDS
Common ground;
H-bridge;
DC-AC converter;
CMV eliminate;
Leakage current.
Nghịch Lưu Một Pha Cầu H Giảm Áp với Khả Năng Common-Ground
Hoàng Minh Đạt , Trần Vĩnh Thanh , Danh Quang Huy , Đỗ Đức Trí*
Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành Phố Hồ Chí Minh, Việt Nam
*Tác giả liên hệ. Email: tridd@hcmute.edu.vn
THÔNG TIN BÀI BÁO
TÓM TẮT
Ngày nhận bài:
Bài báo này trình bày một cấu hình nghịch lưu một pha mới khnăng
triệt tiêu điện áp common-mode (common-mode voltage - CMV) được gọi
mạch nghịch lưu một pha cầu H giảm áp với khả năng common-ground
(1P-H-CGI). Cấu hình 1P-H-CGI được xây dựng dựa trên bộ chuyển đổi
DC-DC ng-giảm áp kết hợp thêm hai khoá bán dẫn để ththực hiện
chức năng nghịch u (DC-AC). Trong cấu hình y, điểm âm của đầu ra
tải được kết nối trực tiếp với điểm âm của nguồn đầu vào DC. Kết quả là,
cấu hình liên kết này có thể loại bỏ hoàn toàn dòng điện cũng như điện
áp common-mode. Ngoài ra, cấu hình 1P-H-CGI điện áp đặt trên các
phần tử công suất thấp việc sử dụng tụ film làm cho bộ nghịch lưu
hiệu suất và độ tin cậy cao hơn so với các cấu hình nghịch lưu common-
ground trước đây. Để kiểm chứng cơ sở lý thuyết được trình bày trong bài
báo vcác chế độ hoạt động, giải thuật điều chế cũng như hiệu suất của cấu
hình 1P-H-CGI, các kết quả phỏng th nghiệm được thực hiện với
sự hỗ trợ của phần mềm PSIM, PLECS và hình th nghiệm tại phòng
thí nghiệm. Mô hình tín hiệu nhỏ của cấu hình đề xuất cũng được xem xét
và phân tích trong bài báo này.
Ngày hoàn thiện:
Ngày chấp nhận đăng:
Ngày đăng:
TỪ KHÓA
Mass chung;
Cầu H;
Bộ chuyển đổi DC - AC;
Triệt tiêu CMV;
Dòng rò.
Doi: https://doi.org/10.54644/jte.2024.1535
Copyright © JTE. This is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0
International License which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium for non-commercial purpose, provided the original work is
properly cited.
ISSN: 1859-1272
TẠP CHÍ KHOA HỌC GIÁO DỤC KỸ THUẬT
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Website: https://jte.edu.vn
Email: jte@hcmute.edu.vn
JTE, Volume 19, Issue 05, October 2024
34
1. Gii thiu
Ngày nay vi s phát trin mnh m của năng ng i to như: Tua bin gió, pin mặt tri (photovoltaic
- PV), pin nhiên liu (fuel cell), đang ngày càng được s dng rng rãi cho các ng dng công nghip và
dân dng [1]. Tuy nhiên nguồn năng lượng PV/fuel cell ch cho ra điện áp mt chiu DC, thế vic
nghiên cu các b nghịch lưu ngày càng trở nên quan trng. Các b nghch lưu giúp chuyển đổi năng
ng t điện áp DC sang điện áp AC cung cp cho ti [2]. Nhng b nghch lưu hoà lưới không s dng
biến áp là mt trong nhng cấu hình được s dng ph biến [3], [4]. Tuy nhiên, nhng cu hình này tn
tại điện áp common-mode (common-mode voltage CMV) giữa điểm âm của điện áp DC đầu vào
AC đầu ra. Điều này là nguyên nhân chính gây ra dòng rò ln qua t ký sinh ca h thng. Dòng rò ln
s gây ra các vn đ v an toàn nhiu đin t (electromagnetic interference EMI) [5], [6]. Đ loi b
dòng điện rò, nhiu cu hình nghch lưu có chung điểm nối đất (common-ground - CG) gia ngun DC
và ti AC đã được đề xut [7], [8], [9], [10]. Cấu hình đơn giản nht cho b nghịch lưu CG là bộ nghch
lưu kiểu na cu [11], như minh hoạ trong hình 1(a). Tuy nhiên, cu hình này li tạo ra điện áp đầu ra
ng cực, điều này yêu cu b lọc đầu ra lớn. Hơn nữa, cu hình này có kh năng khai thác điện áp đầu
vào DC kém, trong đó biên độ cực đại của điện áp đầu ra AC ch bng mt nữa điện áp đầu vào. Trong
các tài liu [12], [13], các cu hình chuyn t đin (switched capacitor - SC) t đin kp (flying
capacitor - FC) đã được đề xut cho ng dng kết nối lưới PV với đặc tính CG và s dụng điện áp đầu
vào DC tốt hơn, như trong hình 1(b). Tuy nhiên, các mạch SC/FC có dòng điện đi qua các tụ đin và linh
kin bán dẫn cao. Hơn nữa, các cu hình liên kết này s dng t hoá (electrolytic capacitor), làm giảm độ
tin cy tui th ca h thng. Nghiên cu trong [14] đã đề xut cu hình nghịch lưu Semi-quasi-Z-
source (Semi-qZSI) với tính năng giảm s ng thành phần và CG, như đưc trình bày trong hình 1(c).
So sánh vi [12], [13], cu hình Semi-qZSI s dng t đin không phân cc (film/ceramic capacitor),
giúp tăng độ tin cy và tui th ca h thng. Tuy nhiên, cu hình Semi-qZSI có điện áp đặt trên các linh
kin rt cao và dạng sóng điện áp đầu ra lưỡng cực. Do đó, tổn hao chuyn mạch kích thước b lc
đầu ra ca cu hình Semi-qZSI là rt ln.
(a) (b)
(c) (d)
R
Vdc
S1
S2
C1
C2
A
O
Vinv
Lf
Cf
R
VR
Vdc
S1
S2
C1A
S3
S4
S5
C2
Vinv
N
Lf
Cf
R
VR
Vdc
S1
L1
S2
C1
Vinv
Lf
Cf
VR
Vdc
Lf
L0
Cf
C0
S3S4
S1S2Vinv
VC0
VR
IL0
Idc R
DC-DC Buck-boost
Hình 1. Các cấu hình nghịch lưu. (a) Cấu hình nghịch lưu kiểu nữa cầu [11], (b) Cấu hình ở [12], [13], (c) Cấu
hình Semi-quasi-Z-source [14], (d) Cấu hình 1P-H-CGI đề xuất.
ISSN: 1859-1272
TẠP CHÍ KHOA HỌC GIÁO DỤC KỸ THUẬT
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Website: https://jte.edu.vn
Email: jte@hcmute.edu.vn
JTE, Volume 19, Issue 05, October 2024
35
Bài báo trình bày cấu hình mạch nghịch lưu một pha cầu H giảm áp với khả năng common-ground
(1P-H-CGI) với ưu điểm CG và giảm điện áp đặt trên các linh kiện so với bộ Semi-qZSI trong [14]. Kết
quả không dòng điện trong bộ nghịch lưu hiệu suất của bộ nghịch lưu cũng được tăng lên.
Trong cấu hình này, tụ film/ceramic được sử dụng để làm tăng tuổi thọ và độ tin cậy của hệ thống, được
so sánh với các bộ nghịch lưu trong [12], [13]. Bài báo bao gồm bốn phần, giới thiệu được trình bày ở
phần 1. Cấu hình của bộ 1P-H-CGI đề xuất được trình bày trong phần 2. So sánh, phỏng kiểm
chứng th nghiệm được trình bày trong phần 3. Kết luận được trình bày trong phần 4.
2. Cu hình 1P-H-CGI đề xut.
2.1. Nguyên lý hoạt động
Như được mô tả ở hình 1(d), cấu hình 1P-H-CGI được đề xuất bao gồm một bộ chuyển đổi DC-DC
tăng-giảm áp thông thường (khoá S3, S4, cuộn dây L0 và tụ điện C0) và hai khoá bổ sung S1, S2. Một bộ
lọc thông thấp (LfCf) được lắp đặt trước tải điện trở đầu ra để giảm biên độ sóng hài tần số cao của
điện áp đầu ra (Vinv). thể thấy rằng tải đầu ra nguồn DC đầu vào chung điểm nối đất. Do đó,
không có dòng rò trong cấu hình đề xuất.
Vdc L0
C0
S3S4
S1S2Vinv
VC0
IL0
Vdc L0
C0
S3S4
S1S2Vinv
VC0
IL0
Vdc L0
C0
S3S4
S1S2Vinv
VC0
IL0
(a) (b)
(c)
IC0IC0
IC0
Iout Iout
Iout
Idc Idc
Idc
Hình 2. Các chế độ hoạt động của bộ 1P-H-CGI đề xuất. (a) Chế độ 1, (b) Chế độ 2, (c) Chế độ 3.
Cấu hình đ xut có ba chế độ hot động, đưc th hin trong hình 2(a)-2(c). B nghịch lưu đề xut,
được điều khin riêng bit trong na chu k dương và nửa chu k âm. Tín hiệu điều khin ca các khoá
được mô t trong hình 3.
Trong nửa chu kâm, chế độ 2 và chế độ 3 được áp dụng. Như được tả trong hình 2(b) và hình 2(c),
khoá S2 luôn được kích đóng trong hai chế độ này. Kết quả là điện áp đầu ra Vinv luôn bằng với điện áp
của tụ C0. Khi khoá S3 đóng và khoá S4 ngắt, cuộn dây L0 lưu trữ năng lượng từ nguồn đầu vào DC, như
được trình bày ở hình 2(c). Tụ điện C0 được xả bởi dòng tải đầu ra, gọi là Iout. Điện áp trên cuộn dây L0
và dòng điện tụ IC0 được tính như sau:
ISSN: 1859-1272
TẠP CHÍ KHOA HỌC GIÁO DỤC KỸ THUẬT
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Website: https://jte.edu.vn
Email: jte@hcmute.edu.vn
JTE, Volume 19, Issue 05, October 2024
36
S2
S1
0
1
0
0
Vtri d1(t)=M× sin()d3(t)=
-M× sin()
1-M× sin()
π 2π
TS
S4
S3
0
0
Hình 3. Đề xuất giải thuật điều khiển PWM cho bộ 1P-H-CGI.
0
00
0
00
L
L dc
C
C out
di
V L V
dt
dv
I C I
dt

(1)
chế độ 2, khoá S3 được kích ngắt, trong khi đó khoá S4 đưc đóng. Cuộn dây L0 giải phóng năng
ng cho t đin C0 ti đầu ra. Đin áp trên cun dây L0 và dòng đin t IC0 được tính như sau:
0
0 0 0
0
0 0 0
L
LC
C
C L out
di
V L V
dt
dv
I C I I
dt

(2)
th thy rng, trong na chu k âm, b nghịch lưu hoạt động nmột b chuyn đổi DC-DC tăng-
gim áp [15]. Như vậy đin áp trên t VC0 được tính như sau:
3
0
3
()
1 ( )
C dc
dt
VV
dt

(3)
đây d3(t) là t s đóng ngt ca khoá S3.
Sóng hài bc nht mong mun của điện áp tải đầu ra được xác đnh bi ch s điu chế M như sau:
,1 ( ) sin( )
1
st dc
inv order
V t V M
M
(4)
đây = 2πft là góc pha của điện áp đầu ra; f là tn s điện áp đầu ra.
Thay (4) vào (3), giá tr tc thi ca d3 đưc tính cho na chu k âm như sau:
3
0; 0
() sin( ) ; 2
sin( ) 1
khi
dt Mkhi
M




(5)
ISSN: 1859-1272
TẠP CHÍ KHOA HỌC GIÁO DỤC KỸ THUẬT
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
Website: https://jte.edu.vn
Email: jte@hcmute.edu.vn
JTE, Volume 19, Issue 05, October 2024
37
Trong na chu k dương, cấu hình 1P-H-CGI được gii thiệu để hoạt động chế độ 1 và chế độ 2.
Ti các chế đ này, t s đóng ngt ca khoá S3 được điều khin v 0 và khoá S4 luôn trạng thái đóng.
Kết qu là điện áp VC0 ca t đin bng 0 trong nửa chu kì này. Do điện áp ca t C0 không c định nên
đin dung ca t khá nhỏ, điều này thích hp cho vic s dng t film. Vic dùng t film thay vì dùng t
hoá, giúp cho b nghịch lưu đề xuất tăng độ tin cy, tui th được so sánh vi các b CGI khác đưc
báo cáo trong [12], [13].
Trong na chu k này, điện áp đầu ra Vinv có th đạt được hai cấp điện áp: +Vdc và 0-V. Giá tr +Vdc
được to ra ti Vinv khi đóng khoá S1 và ngt khoá S2, đưc trình bày hình 2(a). Trong khi đó giá trị 0-
V của điện áp đầu ra thu được chế đ 2, được trình bày hình 2(b). B nghịch lưu đề xut hoạt động
như b nghịch lưu ba cấp thông thường. Để đạt được điện áp đầu ra mong muốn như trình bày trong (4),
t s đóng ngt ca khoá S1 được tính toán như sau:
1
sin( ); 0
() 0; 2
M khi
dt khi

(6)
Độ li đin áp G ca b nghịch lưu được xác định như sau:
,1 ,
st
inv order peak
dc
V
GM
V

(7)
2.2. Lựa chọn linh kiện
2.2.1. Lựa chọn cuộn dây và tụ điện
Dựa vào (1), (5) độ gợn dòng điện ∆IL0 ca cun dây L0 được tính như sau:
3
0
00
( ) sin( )
() sin( ) 1
dc S dc S
L
V d t T V M T
It L L M

(8)
Vi TS là chu k chuyn mch.
Giá tr cực đại ca gợn dòng điện qua cun dây L0 đạt được ti góc = 3π/2. Do đó, giá trị cực đại
ca gợn dòng điện IL0,max qua cun dây L0 được tính như sau:
0,max
01
dc S
L
V MT
ILM

(9)
Trong bán k âm, da vào (1) và (2), gtr trung bình ca dòng qua cun dây IL0 trong bt k khong
thi gian chuyn mch TS được tính toán như sau:
,
0,
3
() 1 ( )
out Ts
L Ts
I
It dt
(10)
Giá tr trung bình ca dòng tải đầu ra Iout trong bt k khong thi gian chuyn mch TS được tính toán
như sau:
,sin( )
out Ts m
II
(11)
Vi Im là giá tr đỉnh ca dòng tải đu ra.
Da vào (5), (10), và (11), giá tr cực đại của dòng đin trung bình qua cun dây trong bt k khong
thi gian chuyn mạch đạt được ti góc = 3π/2, được tính toán như sau:
0, ,max (1 )
L Ts m
I I M
(12)
Cun dây L0 đưc chọn sao cho ∆IL0,max kL%
0, ,maxL Ts
I
, Vi kL% là gợn dòng điện dn tối đa có thể
chp nhận được:
02
% (1 )
dc S
Lm
V MT
Lk I M
(13)
Dựa vào (1), độ gợn điện áp ca t đin C0 trong bt k khong thi gian chuyn mch TS được tính
toán như sau: