ChươngChương 6:6: PHÂN CỰC CHO PHÂN CỰC CHO
TRASISTOR TRƯỜNG FETTRASISTOR TRƯỜNG FET
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO
ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
KHOA ĐIỆN –ĐIỆN TỬ
Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện
2
6.1. Giới thiệu
Yêu cầu: Tìm điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ)
Mối quan hệ tổng quát có thể áp dụng để phân tích dc tính toán phân cực
cho các mạch khuếch đai:
3
6.2.1. Mạch phân cực cố định
RD
C1
Vi
VGG
RG
1M
VO
C2
NJFET
G
D
S
IS
ID
VDD
IG= 0, ID= IS
VDS = VDD – ID.RD
2
1GS
D DSS
P
V
I I V
GS GG
V V
Mạch vòng GS
Thế (*) vào phương trình Shockley
Mạch vòng DS
(*)
IIDD
4
6.2.2. Mạch tự phân cực
RD
C1
ViRG
1M
VO
C2
NJFET
G
D
S
ID
RS
IS
VDD
VDS = VDD – ID.(RD+RS)
.
GS D S
V I R
IG= 0, ID= IS
Mạch vòng GS
2
1GS
D DSS
P
V
I I V
Thế VGS vào phương trình Shockley
Mạch vòng DS
Chọn nghiệm thoả 0 IDIDSS
VPVGS 0
IID1D1, I, ID2D2
5
6.2.3. Mạch phân cực dùng cầu phân áp
RD
C1
Vi
R2
VO
C2
NJFET
G
D
S
ID
RS
IS
R1
VDD
VDS = VDD – ID.(RD+RS)
2
1GS
D DSS
P
V
I I V
2
1 2
G DD
R
V V
R R
.
GS D S G
V I R V
IG= 0, ID= IS
Thế VGS vào phương trình Shockley
Mạch vòng DS
Chọn nghiệm thoả 0 IDIDSS
VPVGS 0
IID1D1, I, ID2D2