Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
11
constICEC B
)V(fI =
=
BÀI 2 : MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)
Điểm đánh giá CBGD nhận xét và ký tên
Chuẩn bị
Lý thuyết
Báo cáo
kết quả TN
Kiểm tra
Kết quả
PHẦN I : CÁC CÂU HỎI CHUẨN BỊ Ở NHÀ
Căn cứ vào kiến thức đã học ở các môn Điện Tử 1,ĐIện Tử 2,Phần Cơ Sở Lý Thuyết gợi ý
của Giáo Trình Hướng Dẫn Thí Nghiệm Điện Tử Tương Tự, và cũng nhằm mục đích hiểu kỹ
tiến trình thí nghiệm, kiểm chứng bằng thực nghiệm những kiến thức lý thuyết đã học, sinh
viên phải chuẩn bị trước ở nhà những kiến thức sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm
:
I.1. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-1. Ngắn mạch các mA kế. Giả thiết các
thông số của Transistor C1815 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe.
Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa.
I.1.1 Tính điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch :
..........................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
I.1.2 Xác định trạng thái hoạt động của BJT :
Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào
trên họ đặc tuyến ngõ ra :
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
Hình 2-1 Phân cực transistor NPN mắc kiểu CE
Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
12
constICEC B
)V(fI =
=
I.2. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-2. Ngắn mạch các mA kế. Giả thiết các
thông số của Transistor A 1015 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe.
Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa.
I.2.1 Tính điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch :
..........................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
I.2.2 Xác định trạng thái hoạt động của BJT :
Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào
trên họ đặc tuyến ngõ ra :
............................................................................................................................................
............................................................................................................................................
I.3. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-3. Giả thiết các thông số của Transistor
C1815 như sau : hfe = 220, bỏ qua điện trở ra 1/hoe. Bỏ qua nội trở của nguồn tín hiệu
Hình 2-2 Phân cực transistor PNP mắc kiểu CE
Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
13
I.3.1 Khảo sát DC :
a. Vẽ mạch tương đương DC và xác định điểm làm việc tĩnh Q (ICQ, VCEQ) :
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
b. Cho biết trạng thái hoạt động của transistor :
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
................................................................................................................................................
I.3.2 Khảo sát AC của mạch khuếch đại ở dãy tần giữa :
a. Vẽ mạch tương đương AC ở dãy tần giữa của mạch :
b. Viết công thức và tính các thông số sau của mạch :
- Tổng trở vào Zi :
................................................................................................................................................
- Tổng trở ra Zo :
................................................................................................................................................
- Độ lợi dòng điện Ai :
................................................................................................................................................
Hình 2-3 Khuếch đại xoay chiều (AC) ghép CE dùng BJT-NPN
M
ạ
ch tư
ơ
n
g
đư
ơ
n
g
DC
Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
14
]A[
PR
VV
I
23
CECC
C+
−
=]A[
R
V
I
2
2R
B=
- Độ lợi điện áp Av :
................................................................................................................................................
I.4. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-4. Ngắn mạch J2, J3, J5 để khảo sát mạch
Darlington. Giả thiết hfe Transistor T1 C1815 là : hfe = 220 và của Transistor T2 H1061 là
hfe = 100. Biến trở P1 đặt ở giữa.
Vẽ mạch tương đương DC và xác định hệ số khuếch đại dòng β của toàn mạch :
......................................................................................................................................................
......................................................................................................................................................
......................................................................................................................................................
......................................................................................................................................................
......................................................................................................................................................
PHẦN II : KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM
Phần này bao gồm các kết quả và số liệu thu nhận được từ thực nghiệm của Phần II : Tiến Trình Thí
Nghiệm (trong Giáo Trình Thí Nghiệm) và nhận xét của sinh viên khi đối chiếu với lý thuyết đã học.
II.1. PHÂN CỰC BJT NPN
II.1.1. Phân cực :
Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch:
Bảng A2-1
Thông số hiệu
chỉnh
(Điện áp VCE)
[V]
Thông số
cần đo Thông số tính toán Nhận xét
VR2
[V]
β
= hfe
= Ic / Ib
Trạng thái hoạt động của
BJT (Ngưng dẫn, Khuếch
đại, Bão hòa)
≈ 12
5.5 ÷ 6.5
0.1 ÷ 0.2
Mạch tương đương DC
Hình 2-4: Khuếch đại ghép Darlington
Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT)
15
54
CEQA
CQ RR
VV
I+
−
=
]A[
PR
VV
I
23
CECC
C+
−
=]A[
R
V
I
2
2R
B=
II.1.2. Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên
của VCE :
Q
1(IC
Q
, VCE
Q
) Trạng thái hoạt động
Q1(IC
1, VCE
Q
1)
Q2(IC
2, VCE
Q
2)
Q3(IC
3, VCE
Q
3)
II.2. PHÂN CỰC BJT PNP:
II.2.1. Phân cực :
Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch
Bảng A2-2
Thông số hiệu
chỉnh
(Điện áp VCE)
[V]
Thông số
cần đo Thông số tính toán Nhận xét
VR2
[V]
β
= hfe
= Ic / Ib
Trạng thái hoạt động của
BJT (Ngưng dẫn, Khuếch
đại, Bão hòa)
≈ -12
-5.5 ÷ -6.5
-0.1 ÷ -0.2
II.2.2. Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên
của VCE :
Q
1(IC
Q
, VCE
Q
) Trạng thái hoạt động
Q1(IC
1, VCE
Q
1)
Q2(IC
2, VCE
Q
2)
Q3(IC
3, VCE
Q
3)
II.3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CE:
II.3.1. Khảo sát DC:
Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch :
- Đo điện áp VCEQ = ........................................................
- Đo điện áp tại điểm A : VA = ........................................................
- Tính dòng :
= --------------------
⇒ Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) = ...............................................................
Cho biết trạng thái hoạt động của BJT :
…………………………………………