TR NG Đ I H C BÁCH KHOA HÀ N IƯỜ
BÁO CÁO TH C T P X NG Ư
M CH N ÁP TUY N TÍNH S D NG TRANSISTOR
Giáo viên h ng d n:ướ
Lê Th Y n ế
Nguy n Duy Hùng
L p: Đi n t 11-K52
SHSV:20071396
1
a. Gi i thi u:
N i dung th c t p là thi t k m ch n đi n áp m t chi u s d ng các ế ế
linh ki n c b n nh transistor, đi n tr , diode, t đi n vv. ơ ư
n áp làm vi c ch đ tuy n tính. ế ế
b. S đ nguyên lý:ơ
R1
2.5K
2
1
R3
1k
2
1
R4
2.5K
2
1
R2
4.7K
2
1
T3
H1061
T2
C828
T1
C828
T4
C828
T5
C828
- +
1
2
3
4
C1
1000U
J1
Vin
12
R5
0.33
D5
DIOD
DZ
6V
12
VR
1k
R1
2.5K
2
1
R3
1k
2
1
R4
2.5K
2
1
R2
4.7K
2
1
T3
H1061
T2
C828
T1
C828
T4
C828
T5
C828
- +
1
2
3
4
C1
1000U
J1
Vin
12
R5
0.33
D5
DIOD
DZ
6V
12
VR
1k
R1
2.5K
2
1
R3
1k
2
1
R4
2.5K
2
1
R2
4.7K
2
1
T3
H1061
T2
C828
T1
C828
T4
C828
T5
C828
- +
1
2
3
4
C1
1000U
J1
Vin
12
R5
0.33
D5
DIOD
DZ
6V
12
VR
1k
1
2
3
4
Sơđnguyên mch n áp tuyến tính dùng transistor
Các kh i:
1. Kh i ch nh l u ư
2. Kh i Darlington
3. Kh i ph n h i
2
4. Kh i b o v quá dòng
i. Vai trò t ng kh i:
1. Kh i Ch nh l u: bao g m c u diode và có th coi là bao g m c ư
t C. Kh i này ch nh l u đi n áp xoay chi u đ u vào thành đi n ư
áp m t chi u, đi n áp này đ c làm ph ng b i t l c C. Nh ượ ư
v y kh i ch nh l u c p ngu n đi n áp m t chi u t ng đ i ư ươ
ph ng cho m ch.
2. Kh i Darlinton: bao g m 3 transistor m c ki u darlinton. Kh i
này khu ch đ i tín hi u đi u khi n đ a vào chân B c a T1.ế ư
3. Kh i ph n h i đ u ra: g m transistor T4, các đi n tr phân áp
cho T4, Rc c a T4, và diode zener. Kh i này có tác d ng ph n
h i sai l ch đ u ra v đ đi u khi n kh i Darlinton.
4. Kh i b o v quá dòng đi n: g m transistor T5, diode D5 và đi n
tr R5. Kh i này có tác d ng gi m dòng đi n đ u ra khi nó tăng
cao, đ b o v quá t i hay ng n m ch cho m ch.
c. Nguyên lý ho t đ ng:
M ch ho t đ ng theo nguyên t c: Đi u ch nh thay đ i đi n áp r i ơ
trên CE c a transistor T3 ng c v i thay đ i c a đi n áp ra, đ đi n ượ
áp ra không đ i.
Khi m ch ho t đ ng đi n áp c c B c a T1 luôn l n h n đi n áp ơ
Zener, do v y các transistor T1,2,3 luôn thông, có đi n áp r i trên CE ơ
c a T3.
Đi n áp ra b ng đi n áp ngu n tr đi đi p áp r i này. ơ
C c B c a T4 đ c phân áp nh các đi n tr R3, R4 và VR; do v y ượ
T4 thông.
Khi Ura tăng, UB T4 tăng, d n đ n U ế BE T4 tăng, vi c này làm gi m U CE
T4, do v y UC T4 cũng là UB T1 gi m. UB T1 gi m làm T1 và do đó c
T2, T3 đ u thông kém, t c là U CE tăng.
Đi n áp r i trên CE c a T3 tăng, vi c này làm gi m đi n áp ra. ơ
Ng c l i, khi đi n áp ra gi m, Vượ BE T4 gi m, làm VCE T4 tăng, d n
đ n VếB T1 tăng, làm T1, do đó T2, và T3 thông h n, d n đ n Vơ ế CE T3
gi m.
Đi n áp r i trên CE c a T3 gi m làm tăng đi n áp đ u ra. ơ
3
Nh v y b ng vi c thay đ i Vư CE c a T3 ng c v i thay đ i c a ượ
đi n áp ra, đi n áp ra đ c gi n đ nh. ượ
Tính toán các giá tr đi n tr :
Các đi n tr R3, R4 và VR phân áp cho
c c B c a T4. T4 ph i làm vi c ch đ ế
khu ch đ i, do đó Vế BE c a T4 nh , trong
kho ng 0,5-0,65. VE c a T4 b ng V DZ
b ng 6 V
VB T4 = 6,5- 6,65 V
Vra= 9V
→ R4/(R4+R3)= 6.5/9= .722
Ch n R3= 1K đ c R4= 2.6 KΩ ượ
m ch em ch n R4= 2.5 KΩ và m c m t
bi n tr 0-1K n i ti p. ế ế
Đi n tr R1 cũng tác đ ng t i đ u ra.
Nh ng hoàn toàn có th ch nh R3, và R4 vàư
gi nguyên R1 đ đ c đi n áp ra mong mu n, tuy v y R1 không ượ
đ c nh quá, cũng không đ c l n quá.ượ ượ
Có IC T4= β. IBT4 và VB T1= VCC – R1.IC T4, n u R1 quá l n ho c quáế
nh thì s không có giá tr β nào c a T4 đ V C T4 th a mãn đ c. ượ
đây em ch n R1= 2.5 KΩ
Đi n áp R2 n i ti p v i DZ không có tác d ng nhi u, tuy v y n u ế ế
l n quá s làm gi m đi n áp c a zener, nh quá s làm dòng qua
Zener quá l n. Em ch n R2= 4.7 kΩ
Nh v y các giá tr linh ki nư
1 1 C1 1000U
2 1 DZ 6V
3 1 D5 DIOD
4 1 D16 DB101
5 1 J1 Vin
6 2 R1,R4 2.5K
7 1 R2 4.7K
8 2 R3,VR 1k
9 1 R5 0.33
10 4 T1,T2,T4,T5 C828
11 1 T3 H1061
4
T 4
C 8 2 8
R 3
1 k
2
1
V R
1 k
R 4
2 . 5 K
2
1
d. S đ m ch l p ráp:ơ
S đ l p ráp: m ch n áp tuy n tínhơ ế
e. K t qu :ế
Sau m t s đi u ch nh các đi n tr , cu i cùng em cũng có đ c đ u ra ượ
nh mong mu n:ư
Các s li u đo đ c: ượ
Uc Ura UDz UBE ∑1,2,3 UCE T3 UCE T4(V) UBE T4(V)
15V 12V 9 1.6 3 4 0.6
20V 12V 9 1.7 8 4.5 0.65
5