Ộ Ộ Ủ Ệ

ộ ậ ự ạ C NG HOÀ XàH I CH  NGHĨA VI T NAM Đ c l p­T  do­H nh phúc

ĐÁP ÁN Ẳ Đ  THI T T NGHI P CAO Đ NG NGH  KHOÁ 3 (2009­2012)

Ệ Ử

NGH : ĐI N T  DÂN D NG

Ế MÔN THI: LÝ THUY T CHUYÊN MÔN NGH Mã đ  thi: ĐA ĐTDD ­ LT04

ộ N i dung Đi mể

ầ ắ Câu ộ I. Ph n b t bu c

1 0,25đ

ươ

Trình bày ký hi u, ph

ổ   ạ ng trình và b ng tr ng thái c a các c ng

ơ ả

logic c  b n

ổ ệ 1.  C ng đ m (BUFFER):

y

x

ệ ổ ổ ộ ộ C ng đ m là c ng logic có m t ngõ vào và m t ngõ ra.

(cid:0) y = x 0,25đ x 0 1 y 0 1

ổ ả 2.  C ng đ o (NOT):

y

_

x

ả ổ ổ ộ ộ C ng đ o là c ng có m t ngõ vào và m t ngõ ra.

x

0,25đ (cid:0) y =

x 0 1 y 1 0

y

x1

x2

ổ 3.  C ng VÀ (AND) ):

x1         x2 0          0 0          1 1          0 1           1 y 0 0 0 1

y  =  x1.x2 0,25đ

x1

y

Ặ ổ 4.  C ng HO C (OR) ):

x2

y =  x1 + x2 0,5đ ổ 5.  C ng NAND = AND+NOT:

x1          x2 0           0 0           1 x1          x2 1           0 1           1 0           0 0           1 1           0 1           1 y 0 1 y 1 1 1 1 1 0

x

1

y

x

2

y

x x= 2.

1

x1

1

y

3

ổ 6.  C ng NOR = OR+NOT: 0,5đ

2

x2 y

x1          x2 0           0 0           1 1           0 1           1 y 1 0 0 0

= + x 1

x 2

ệ ụ ủ ả 2

i thích ngguyên lý ho t đ ng c a  ụ ạ ộ ố ứ ệ ấ ả

R 9

B -

R 1

R 2

R 5

Q 2

R 3

Q 4

Nêu nhi m v  các linh ki n và gi ạ ế ạ m ch khu ch đ i công su t push ­ pull dùng đ o pha đ i x ng ph  có  ư ơ ồ ạ s  đ  m ch nh  sau : 0.5đ

R 6

C 1

C 3

V o u t

Q 1

R 7

R 1 0

V i n

1

S P E A K E R

2

Q 3

3

Q 5

R 4

R 8

R 1 1

0

R 1 2

C 2

0.5đ

0.5đ

i loa.

Ổ ị

ệ ộ t đ ự ở ạ ủ  chân C c a transistor

ự ủ ề ạ ộ ự R1: phân c c cho Q1 ự R2, R3: phân c c cho Q2, Q3 ụ  cách ly DC. C1: t ụ ấ ả C3: t  xu t âm cho t ự R8: phân c c cho Q5  ệ ộ Ổ ị R4, R11:  n đ nh nhi t đ R6, R7, R10:  n đ nh nhi R9: H n dòng cho các c c  R12, C2: nâng cao đ  trung th c c a âm thanh đi u hoà m ch công 0.5đ su t.ấ

ủ Gi ng tín hi u Vin đi vào c c B c a Q1 qua t

ở ạ ự ủ ụ  ệ ự ượ ẽ   c r  làm hai nhánh. Nhánh 1 đi vào ượ ấ   i c  E c a Q2. Nhánh 2 c l y ra t

ủ ự ủ ỳ ươ ả ử  s  ngõ vào bán k  d ủ ở ự ệ  c c C c a Q1 đ C1. Tín hi u ngõ ra  ệ ự c c B  c a  Q2 qua đi n tr  gánh R3 và đ đi vào c c B c a Q3.

ỳ ươ ươ ủ ấ ủ Do tính ch t c a bán k  d

ẫ ế ả

ự ng, áp vào c c B c a Q1 d ẫ ẫ ẫ ả ả

ế ế ạ ế ẫ

ị ệ ồ ế ố ng, làm cho ự   Q1   d n   y u,   làm   cho   dòng   qua   R3   gi m.   D n   đ n   áp   phân   c c   cho   hai   transistor Q2 và Q3 gi m, làm cho Q2 và Q3 d n y u. Do đó dòng trên R8 ơ   gi m, áp r i trên R8 cũng gi m, làm cho Q5 d n m nh. Trong khi đó áp r i ư ả trên VCE c a Q2 l n, làm cho Q4 ngh ng d n. K t qu , giá tr  đi n áp đã   ượ ả ượ ạ c x  qua loa xu ng mass r i đ n Q5.  đ ơ ủ ớ ầ ủ ụ ấ c n p đ y c a t xu t âm, C3 đ

ạ ặ ự ệ ả M t khác t

ệ ủ

ự ự ủ

o v iớ   ủ ị ở ự    c c C c a Q1 là tín ngõ vào c c B c a Q3. o so v i ngõ vào c c B c a nó. ả      c c C c a Q3 (là ngõ vào c c B

i ngõ ra c c C c a Q1 ta có tín hi u b  đã đ o pha 180 ủ ủ ự ớ ủ ệ ầ

ụ ấ ệ ồ ệ tín hi u vào Vin. Tín hi u ngõ ra  ở ự ệ Mà tín hi u ngõ ra  ả ậ V y sau hai l n đ o pha, tín hi u ngõ ra  ủ c a Q5, cũng là ngõ ra t c c C c a Q3 đ o pha 180 ở ự ớ  xu t âm) đ ng pha v i tín hi u vào Vin.

ỳ ươ ủ ệ ệ ạ ớ Do đó bán k  d ng c a tín hi u vào Vin, t o ra đi n áp v i bán k ỳ

ự ẩ âm, gây l c đ y loa.

ớ ươ ự ư ậ ệ ơ T

ủ ỳ ạ ẫ ớ

ng t ả ớ ủ ẫ ạ ế ề ẫ

ẫ ơ ẫ ớ

ế ẫ ẫ ấ  xu t âm đ ượ ạ ừ c n p t

ế ả ế ụ ạ ề ồ ồ ự    nh  v y, v i bán k  âm c a tín hi u vào Vin, áp r i trên c c ế   B c a Q1 gi m, làm cho Q1 d n m nh. D n đ n dòng qua R3 l n, làm cho áp ơ r i trên R3 l n. D n đ n Q2 và Q3 d n m nh. Đi u này làm cho dòng qua R8   ơ   ư ớ l n, d n đ n áp r i trên R8 l n, làm cho Q5 ng ng d n. Trong khi đó, áp r i ả ụ trên Q2 gi m, làm cho Q4 d n m nh. K t qu , t    mass qua loa, đ n t C3, r i qua Q4 v  ngu n âm.

ủ ệ ệ ạ ớ ỳ Do đó bán k  âm c a tín hi u vào Vin, t o ra đi n áp v i bán k ỳ

ươ d ự ng, gây l c kéo loa.

3 ể ẫ ế ấ

ể a) Các nguyên nhân có th  d n đ n làm nóng Tranzitor công su t ngang (sò ngang) và cách ki m tra sò ngang

ể ẫ ế ấ

* Các nguyên nhân có th  d n đ n làm nóng Tranzitor công su t ngang (sò ngang)

ả ủ i. 0.5đ 1.0đ

ự i đã quét ngang t ớ   i

ị ạ ộ ­ Ngõ ra c a sò ngang, tuc là cu n Flyback đã b  ch m hay quá t ớ ­ Ngõ vào c c B/ hay có nghĩa là sóng quét ngang t ạ quá m nh.  ể 0.75đ ườ   ng

ạ ặ ở ự ớ

ế ự

0.75đ

ấ Tranzitor công su t ngang (sò ngang) * Cách ki m tra  ạ ạ ỉ (1). Cách đo nóng : ch  khi nào quét ngang không ch y m ch bình th ệ ho c không ch y thì ta m i th c hi n phép đo   c c C/H. out. ệ ng : + : Sò ngang đang ng t.ắ ọ ặ ẫ

+ ho c cao v t : có xung Fly back, sò ngang đã d n.  sò ngang, t

+  : có s  rò r   ự

ụ ệ ỉ ở ơ ặ    đi n, diode damper ho c

ự ươ N u c c C có đi n áp d + Đúng b ng Bằ + Cao h n Bơ ấ + Th p h n B Flyback.          (2). Cách đo ngu i: tháo sò ngang ra ngoài và dùng VOM ki m tra. ườ ể ng.

ớ ớ ệ ng : ki m tra đo trasistor bình th ệ

ở ụ

ả ng là

ị ấ ớ ệ ∞  . ậ ủ ườ ở ậ ậ ị ộ ườ + V i sò ngang bình th + V i sò ngang có diode đ m và đi n tr  B­E: + RBE thu n và ngh ch : Kho ng vài ch c ôm. + RCE thu n : r t l n th + RCE ngh ch : là đi n tr  thu n c a diode.

ị ở ộ ể ẫ ị ề

ế b) Các nguyên nhân có th  d n đ n khung sáng b  co và b  n  r ng b ngang

ị ề

ị ử ớ ng ( đi đôi v i đánh l a)

ụ ế ế

ế ề ẫ

ị ở ộ ầ ẹ ở ự ệ ỉ sò ngang nên làm y u đi ph n nào đi n áp H.V

ế ọ ạ ặ * Các nguyên nhân làm khung sáng b  co theo b  ngang:  - H.V b  cao quá bình th ườ - B+ = 110V b  thi u. ế ị ố - T  đ m chân C/ H.out thi u tr  s . * Các nguyên nhân d n đ n làm khung sáng b  m  r ng theo b  ngang. ­ Có s  rò r  nh   ­ Công su t ngang ch y m nh do B

+ v t cao ho c do sóng quét ngang ỉ ng: ch nh Bright càng cao thì khung sáng ơ  gi a màn hình n u b  n ng h n thì khung sáng có

ị ặ ế ở ữ

ế ể ị ấ ẳ ạ ấ ệ ượ ấ ế đ n công su t cao b  cao ­> hi n t càng y u đi và có lõm đen  th  b  m t h n luôn.

ụ ệ ị ố ắ ­ T   đ m chân C / H.out g n vi sai ( tăng tr  s  ).

C ng (I) 7đ

ầ ự ọ

ườ

ch n, do tr

ng biên so n

………, ngày ……….  tháng ……. năm ………

II. Ph n t

Ộ Ồ Ể Ề DUY TỆ H I Đ NG THI TN TI U BAN RA Đ  THI