Đề thi kết thúc học phần học kì 1 môn Điện tử cơ bản năm 2020-2021

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Thêm vào BST

Báo xấu

4
lượt xem 1
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Việc ôn tập và hệ thống kiến thức với Đề thi kết thúc học phần học kì 1 môn Điện tử cơ bản năm 2020-2021 được chia sẻ dưới đây sẽ giúp bạn nắm vững các phương pháp giải bài tập hiệu quả và rèn luyện kỹ năng giải đề thi nhanh và chính xác để chuẩn bị tốt nhất cho kì thi sắp diễn ra.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Đề thi kết thúc học phần học kì 1 môn Điện tử cơ bản năm 2020-2021

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ I NĂM HỌC 2020-2021 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Môn: Điện tử cơ bản KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO Mã môn học: BAEL340662 NGÀNH ĐIỆN - ĐIỆN TỬ Đề số/Mã đề: 01 ------------------------- Đề thi có 6 trang. Thời gian: 90 phút. Được phép sử dụng tài liệu. PHAÀN I: TRAÉC NGHIEÄM (3 ñieåm ) Câu 1: Chất bán dẫn tạp chất dạng N có c. Các nguyên tử hóa trị 3 a. Các ion tạp chất mang điện tích dương d. Các nguyên tử nhận (acceptor) b. Các ion tạp chất mang điện tích âm Câu 2: Chất bán dẫn thuần có hạt mang điện tự do là c. Lỗ trống và điện tử a. Điện tử d. Tất cả đều đều đúng. b. Lỗ trống Câu 3: Cho mạch như hình 1, hãy cho biết ở bán kì dương của V1, các diode nào bị phân cực ngược Hình 1: a. D3, D4 b. D2, D4 V1 c. D1, D2 D4 D1 6Vrms d. D1, D3 60Hz Si 0° D3 D2 + R1 1kΩ Vo - Câu 4: Trong mạch hình 1, điện áp trung bình trên R1 là c. 2.93 a. 4.51 d. -2.93 b. -4.51 Câu 5: FET là transistor có đặc tính c. Áp ra được điều khiển theo áp vào a. Dòng ra được điều khiển bằng áp vào d. Áp ra được điều khiển theo dòng vào b. Dòng ra được điều khiển bằng dòng vào Câu 6: Thông số điện áp ngưỡng để mở cho E_MOSFET dẫn là: c. Vth (VT) a. VP d. Vɤ b. VGS(OFF) 1/6
Câu 7: Cho mạch hình 2, nếu led có Vγ=2.2V và Vi=0V, dòng qua led là: Hình 2: a. 7.5 mA VDD b. 0mA 15V c. 1 mA R1 2kΩ d.6,4mA LED1 ID(on)=3mA R2 VGS(on)=3V Vi VGS(th)=2V 100kΩ Câu 8: Cho mạch hình 2, nếu led có Vγ=2.2V và Vi=5V là c. 1mA a. 7.5mA d. 6.4mA. b. 0mA Câu 9: Cho mạch như hình 3, op-amp hoạt động ở chế độ Hình 3: a. Khuếch đại VCC b. Đóng ngắt 5.0V c. Bão hòa VCC R1 d. So sánh 1kΩ 5.0V B Vo 3V3 V1 VEE 8Vpk 5Hz -5.0V 0° Câu 10: Mạch hình 3, điện áp tại điểm B là c. 0.7V a. 5V d. 2.7V b. 3.3V Câu 11: Mạch hình 3, tại thời điểm khi điện áp nguồn V1=8V thì Vo có điện áp là c. -5V a. 8V d. 5V b.3.3V Câu 12: TRIAC thì tương đương với c. 1 con SCR a. 1 con diode 4 lớp d. 2 con SCR mắc song song ngược đầu b. 2 con diac mắc song song ngược đầu 2/6
Câu 13: Mạch hình 4, là mạch khuếch đại có hồi tiếp Hình 4: a. Điện áp nối tiếp b. Điện áp song song c. Dòng điện nối tiếp d. Dòng điện song song Câu 14: Mạch hình 4, khâu hồi tiếp của mạch là c. R3 a. R2 d. R1 và R3 b. R2 và R3 Câu 15: Hình 5, ký hiệu nào là của triac Hình 5 a. D1 D1 D2 D3 D4 b. D2 c. D3 d. D4 Câu 16: Trong các dạng mạch khếch đại dùng BJT thì mạch có điện trở ngõ ra bé nhất là mạch c. C chung (CC) a. E chung (CE) d. Tất cả đều sai b. B chung (CB) Câu 17: Điều kiện một mạch dao động tạo sóng sin là c. Thỏa điều kiện Barkhauren a. Phải có hồi tiếp dương d. Phải thỏa điều kiện về biên độ |Aβ|=1 b.Phải có hồi tiếp âm Câu 18: Cho mạch như hình 6, mạch có tên là mạch dao động: Hình 6 a. Thạch anh VCC b.Colpitts 5V c. Harley RFC d. Dịch pha R4 C2 Q1 1µF Vo C1 L1 0.1mH 1µF C4 2N2222A 10nF L2 R5 R6 C3 0.1mH 4.7µF 3/6
Câu 19: Tần số dao động của mạch hình 6 là: c. 159Hz a. 159kHz d. 113kHz b. 0.159Hz Câu 20: Mạch hình 7 là mạch ghép a. Cascode Hình 7: b. R-C c. Trực tiếp d.Vi sai PHẦN II: TỰ LUẬN (7 điểm) Bài 1 (3đ): Cho mạch khuếch đại như hình 8. Biết rằng, transistor Q1 có β1=100 và Q2 có β2=100. a. Hãy xác định điểm làm việc tĩnh của transistor Q1 và Q2.(0.5đ) b. Hãy viết phương trình và vẽ ACLL của Q2, tìm maxswing(vO(p-p)). (0.5đ) c. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch (0.5đ) d. Tìm Zi và AVS (1đ) e. Vẽ dạng sóng tại điểm A và B khi VS =0.5sin2000πt (mV), giả sử tại tần số này các tụ trong mạch có trở kháng không đáng kể (0.5đ) Hình 8 10V RC2 RB1 RC1 RB3 3KΩ 100KΩ 3KΩ 100KΩ A B RS C1 C3 C5 + Q1 Q2 1kΩ Vi RL VS Vo RB2 RB4 2KΩ RE1 15KΩ C2 RE2 C4 1mVpk 15KΩ 0.5KΩ 1kHz 0.5KΩ - 0° Bài 2(1.5đ): Cho mạch như hình 9. a. Viết phương trình ngõ ra Vo và Vo1 theo V1 và V2. (0.5đ) b. Nếu 𝑉 = 2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡(𝑉) và 𝑉 = 1𝑉, hãy vẽ điện áp Vo1 và Vo trên cùng 1 trục tọa độ (0.5đ) c. Hãy tìm giá trị mới của R4 và R2 để mạch op-amp U1 trở thành mạch khuếch đại vi sai, với hệ số khuếch đại là 3 (0.5đ) 4/6
Hình 9 R2 20kΩ R5 2kΩ VCC VCC 10V 10V R1 10kΩ R6 V1 R3 10kΩ U1 Vo1 2kΩ U2 V2 Vo R4 VEE VEE 10kΩ -10V -10V Bài 3(1đ): Cho mạch ổn áp như hình 10. a. Hãy nêu chức năng các linh kiện trong mạch? (0.5đ) b. Nếu mạch ổn áp, hãy cho biết điện áp ra ổn áp của mạch bằng bao nhiêu? (0.5đ) Hình 10 Q1 D1 R1 1kΩ R3 10kΩ + R2 T1 C1 4.7kΩ RL 1000µF 100Ω Vo 220V/50Hz Q2 10:1 R4 10kΩ - 3V Bài 4(1.5đ): Cho mạch khuếch đại công suất hình 11, biết loa có điện trở là RL=16Ω. a. Hãy xác định điểm làm việc tĩnh của transistor Q1 và cho biết Q1 hoạt động ở lớp nào? (A, B hay AB) (0.5đ) b. Tính công suất cực đại trên loa. (0.5đ) c. Hãy tính lại điên trở R1 để công suất ngõ ra cực đại lớn nhất và tính lại công suất ra cực đại với trường hợp này. (0.5đ) Hình 11 VCC 5V T1 R1 1KΩ 2:1 RL C1 Q1 Vi 1µF β=30 ======================================================= Ghi chú: CBCT không giải thích đề thi. Bỏ 1 đề thi vào túi đựng bài thi 5/6
Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức) Nội dung kiểm tra [CĐR 1.1]: Hiểu và trình bày được cấu trúc và đặc tính của vật liệu bán Phần I: câu 1, 2 dẫn và chuyển tiếp P-N. [CĐR 1.2]: Hiểu và trình bày được bày cấu trúc, nguyên lý hoạt động Phần I: câu 3, 5, 6, 12, 15 và đặc tính của các linh kiện điện tử như: diode, transistor, thyristor. [CĐR 1.3]: Có khả năng vận dụng các mạch ứng dụng của diode, mạch Phần I: câu 4, 7, 8, 9,10, khuếch đại tín hiệu nhỏ, mạch khuếch đại công suất, mạch lọc, nguồn 11, 13, 14, 16, 17, 18, 19, và ổn áp 20 Phần II: câu 1, 2, 3, 4 [CĐR 2.1]: Phân tích và thiết kế các mạch ứng dụng của diode Phần I: câu 4, 9 Phần II: câu 3 [CĐR 2.2]: Phân tích và thiết kế các mạch khuếch đại dùng transistor Phần I. câu 7, 8, 9, 11, 13, và op-amp. 14, 18, 19, 20 Phần II: Câu 1, 2, 3, 4 [CĐR 2.3]: Phân tích và thiết kế các mạch dao động, nguồn chuyển đổi Phần I: câu 3, 4, 18, 19 AC sang DC. Phần II: câu 3 Ngày 5 tháng 1 năm 2021 Thông qua Trưởng ngành (ký và ghi rõ họ tên) 6/6