M Đ UỞ Ầ
S ra đ i c a Transistor vào năm 1948 đã m ra m t th i kì m i cho nghànhự ờ ủ ở ộ ờ ớ
kĩ thu t đi n t . K t đó đ n nay kĩ thu t đi n t đã phát tri n m t cách nhanhậ ệ ử ể ừ ế ậ ệ ử ể ộ
chóng, đem l i nh ng l i ích to l n cho đ i s ng xã h i. Nh ng s n ph m c a kĩạ ữ ợ ớ ờ ố ộ ữ ả ẩ ủ
thu t đi n t có m t h u h t trong các ho t đ ng c a con ng i.ậ ệ ử ặ ầ ế ạ ộ ủ ườ
Trong nh ng năm g n đây n c ta đã có nh ng ti n b v t b c trong vi cữ ầ ướ ữ ế ộ ượ ậ ệ
ch t o các thi t b đi n t . S n ph m đi n t c a Vi t Nam đã t o đ c ni mế ạ ế ị ệ ử ả ẩ ệ ử ủ ệ ạ ượ ề
tin c a khách hàng trong n c cũng nh các n c trên th gi i. Vi t Nam đã chúủ ướ ư ướ ế ớ ệ
tr ng đ u t cho vi c nghiên c u nh m t o ra nh ng s n ph m có ch t l ng,ọ ầ ư ệ ứ ằ ạ ữ ả ẩ ấ ượ
đáp ng đ c nh ng nhu c u c a con ng i. Vi c h c t p nghiên c u trong cácứ ượ ữ ầ ủ ườ ệ ọ ậ ứ
tr ng đ i h c, cao đ ng cũng không n m ngoài m c đích đó.ườ ạ ọ ẳ ằ ụ
Chúng ta đã bi t đ c m t trong nh ng ng d ng quan tr ng c a Transistorế ượ ộ ữ ứ ụ ọ ủ
là đ khu ch đ i tín hi u. Nghĩa là dùng Transistor đ thi t k các t ng khu chể ế ạ ệ ể ế ế ầ ế
đ i nh m bi n đ i năng l ng c a ngu n tín hi u m t chi u thành năng l ngạ ằ ế ổ ượ ủ ồ ệ ộ ề ượ
c a tín hi u xoay chi u. Đ tài “ủ ệ ề ề Thi t k m ch khu ch đ i âm thanh dùngế ế ạ ế ạ
transistor l ng c cưỡ ự ” mà chúng em ch n làm d i đây là m t trong nh ng ngọ ướ ộ ữ ứ
d ng ph bi n c a nó.ụ ổ ế ủ
Sau m t th i gian h c t p và tìm hi u cùng v i s gi ng d y c a các th y côộ ờ ọ ậ ể ớ ự ả ạ ủ ầ
giáo, cùng v i s d n d t nhi t tình c a giáo viên h ng d n – th y giáo ớ ự ẫ ắ ệ ủ ướ ẫ ầ Nguy nễ
Anh Quỳnh chúng em đã có th hoàn thành đ án này.ể ồ Do ki n th c và trình đế ứ ộ
năng l c h n h p nên vi c th c hi n đ tài này không th tránh đ c thi u sót,ự ạ ẹ ệ ự ệ ề ể ượ ế
kính mong nh n đ c s thông c m và góp ý c a th y giáo, cô giáo và các b n đậ ượ ự ả ủ ầ ạ ể
đ án này hoàn ch nh h n.ồ ỉ ơ
Em xin chân thành c m n! ả ơ
1
PH N I: C S LÝ THUY TẦ Ơ Ở Ế
I.1. C u t o c a transistor l ng c c(BJT)ấ ạ ủ ưỡ ự
BJT là m t t h p g m 2 chuy n ti p PN đ t cách nhau m t kho ng W nh h n nhi u soộ ổ ợ ồ ể ế ặ ộ ả ỏ ơ ề
v i chi u dài khuy ch tán (L) c a các h t d n.ớ ề ế ủ ạ ẫ
Transistor có 3 c c:ự
- c c phát(Emitor): mi n pha t p ch t nhi u nh t, phát ra đi n tích đ t o ra dòng điự ề ạ ấ ề ấ ệ ể ạ ệ
cho transistor.
- C c góp(colector): mi n pha t p ch t v i n ng đ ít, thu góp đi n tích t emitor t i.ự ề ạ ấ ớ ồ ộ ệ ừ ớ
- C c g c(Bazor): mi n pha t p ch t ít, chi u dày r t m ng, đi u khi n s đi n tíchự ố ề ạ ấ ề ấ ỏ ề ể ố ệ
t E→C, đi u khi n dòng đi n trong transistor.ừ ề ể ệ
I.2. M t s v n đ v m ch khuy ch đ iộ ố ấ ề ề ạ ế ạ
I.2.1.Khái ni m: ệ
Khu ch đ i là quá trình bi n đ i năng l ng có đi u khi n.Năng l ng c a ngu nế ạ ế ổ ượ ề ể ượ ủ ồ
cung c p m t chi u đ c bi n đ i thành năng l ng xoay chi u.ấ ộ ề ượ ế ổ ượ ề
2
ngu n m t chi u (Eồ ộ ề c)
U
Vào Ra
Hình 1. S đ m ch khu ch đ i.ơ ồ ạ ế ạ
I.2.2.Các ch tiêu và tham s c b n c a m t t ng khu ch đ i.ỉ ố ơ ả ủ ộ ầ ế ạ
A. H s khu ch đ i ệ ố ế ạ
- Đ nh nghĩa: H s khu ch đ i có giá tr là th ng c a đ i l ng đ u ra v i đ iị ệ ố ế ạ ị ươ ủ ạ ượ ầ ớ ạ
l ng t ng ng đ u vào.ượ ươ ứ ầ
- Ký hi u: K (N u l y theo đi n áp ta có Kệ ế ấ ệ u , n u l y theo dòng đi n ta có Kế ấ ệ i ,
n u l y theo công su t ta có Kế ấ ấ p
→
Kp=Ku.Ki )
- B n ch t K là m t đ i l ng ph c th ng ký hi u là ả ấ ộ ạ ượ ứ ườ ệ
.
K
=K.exp(
ϕ
k) v i ớ
ϕ
k là
đ l ch pha.ộ ệ
N u K tính b ng db thì K=20lgKế ằ
- Khi có nhi u t ng khu ch đ i ghép n i l i v i nhauề ầ ế ạ ố ạ ớ
Khi đó K=K1.K2...Kn
N u tính theo db: K =Kế1+K2+…+Kn.
B. Thông s tr kháng vàoố ở : Zi= vi/ii
V i ớ Z là đ i l ng ph c Z=R+jK.ạ ượ ứ
Trong đó: R là đi n tr thu nệ ở ầ
X là đi n khángệ
K1K2Kn
3
M ch đi u khi nạ ề ể
C. Tr kháng ra:ở Z0=v0/i0.
D. Đ c tuy n biên đ t n s và đ c tuy n pha t n sặ ế ộ ầ ố ặ ế ầ ố
- Đ c tuy n biên đ -t n s là đ ng cong mô t s ph thu c c a K theo t n sặ ế ộ ầ ố ườ ả ự ụ ộ ủ ầ ố
tín hi u vào .ệ
-Đ c tuy n pha t n s là đ ng cong mô t s ph thu c c a đ l ch pha theoặ ế ầ ố ườ ả ự ụ ộ ủ ộ ệ
tín hi u vào.ệ
E. Méo phi tuy n:ế
-Đ nh nghĩa: Méo phi tuy n là do các ph n t phi tuy n trong m ch gây nên nhị ế ầ ử ế ạ ư
đi t, Transistor.ố
-Bi u hi n:ể ệ
n
ω
ω
Hình 2.S đ bi u hi n méo phi tuy n.ơ ồ ể ệ ế
Trong đó n=1,2…
Tín hi u vào ch có thành ph n t n s ệ ỉ ầ ầ ố
ω
, tín hi u ra có các thành ph n t n s nệ ầ ầ ố
ω
còn các hài khác là 1 ph n nh .ầ ỏ
- H s méo phi tuy n :ệ ố ế
γ
=
mUr
rnmUmrUrnmU
1
2...322
+++
.100
0
o
Trong đó biên đ Uộrnm là các giá tr c c đ i c a các thành ph n tín hi u nị ự ạ ủ ầ ệ
ω
đ uở ầ
ra.
I.3. M t s m ch khuy ch đ i c b nộ ố ạ ế ạ ơ ả .
M ch khuy ch đ i tín hi u nh dùng transistor.ạ ế ạ ệ ỏ
Có 3 cách m c Transistor thông d ng là EC, CC, BC. Trong đó EC là cách m cắ ụ ắ
d dàng và đem l i hi u qu cao.ễ ạ ệ ả
I.3.1.M ch khu ch đ i m c theo ki u EC.ạ ế ạ ắ ể
4
KĐ
* Ch đ tĩnh.ế ộ
V nguyên t c, vi c cung c p cho Transistor đ xác đ nh đi m công tác tĩnhề ắ ệ ấ ể ị ể
ph i đ m b o sao cho nó luôn tho mãn đi u ki n cho phép.Mu n v y ph i đ mả ả ả ả ề ệ ố ậ ả ả
b o nh ng yêu c u sau:ả ữ ầ
•Đi n th colect ph i d ng h n đi n th baz c a Transistor npn và âmệ ế ơ ả ươ ơ ệ ế ơ ủ
h n đi n th baz c a Transistor pnpơ ệ ế ơ ủ t m t đ n vài vôn.ừ ộ ế
•M t ghép baz ph i đ c phân c c thu n ( Uặ ơ ả ượ ự ậ BE=0.7V đ i v i bán d n làmố ớ ẫ
bán d n làm b ng silic và Uẫ ằ BE=0.3 V đ i v i bán d n làm b ng Ge ).ố ớ ẫ ằ
•Dòng colect ph i l n h n dòng đi n d colect -emit nhi uơ ả ớ ơ ệ ư ơ ơ ề , có nghĩa
0IceIce >
.
•Ph i đ m b o các yêu c u v dòng, ả ả ả ầ ề áp, công su t, nhi t đ .ấ ệ ộ
Hình 3.M ch khu ch đ i emitạ ế ạ ơ
chung.
UN, RN l n l t là đi n áp và đi n trầ ượ ệ ệ ở
trong ngu n tín hi u.ồ ệ
Ch đ tĩnh c a 1 Transistor đ c xácế ộ ủ ượ
đ nh b i 4 tham sị ở ố IB, IC, UBE,UCE.
Trong đó th ng cho bi t tr c 1ườ ế ướ
tham s .Ví d cho tr c Iố ụ ướ C các tham
s còn l i s đ c xác đ nh trong số ạ ẽ ượ ị ự
ràng bu c v i s ràng bu c v i đ cộ ớ ự ộ ớ ặ
tuy n vào ra c a Transistorế ủ
- H đ c tuy n vào ọ ặ ế
B
I
=
1
f
(
,
).
- H đ c tuy n ra ọ ặ ế
C
I
=
2
f
(
,
B
I
).
5