1
M ĐẦU
1.Tính cấp thiết của luận án
Ngày nay, vấn đề đánh dấu v trí ca mt vt th mt k thut rt
được quan tâm bi kh năng ng dng to lớn trong các lĩnh vực như quân
s, công nghip, y hc và dân dng. Vấn đề trên có th gii quyết mt cách
hiu qu trên sở ng dng h thng dn đường quán tính (IMU). H
IMU thường có cu hình bao gm ba vi cm biến gia tc và ba vi cm biến
vn tc góc được đặt vuông góc vi nhau. H thống này được gn lên vt
th chuyển động cho phép xác định gia tc vn tc góc ca vt th
đó.
Các cm biến quán tính MEMS, vi cm biến vn tc góc cm biến
gia tốc, đã được quan tâm nghiên cu bởi các ưu điểm ni trội như giá
thành thấp, kích thước nhỏ, năng lượng s dng thp, th chế to hàng
lot d dàng tích hp vi các mạch điện tử. Đối vi các ng dng trong
công nghip robot, công nghip ô thiết b dân dng, các cm biến
quán tính MEMS hoàn toàn đáp ứng các yêu cu v tiêu chí k thuật nên đã
được s dng trong mt s ng dng chng hạn như hệ thng túi khí bo
v, h thống IMU xác định v trí ca vt th, h thng camera,...
Các cm biến quán tính sau khi chế tạo thường được đóng gói trong
chân không nhm gim thiu ảnh hưởng ca các hiu ng suy hao là nhng
yếu t ảnh hưởng mnh ti hoạt động ca linh kin. Các hiu ng suy hao
đó làm giảm h s phm cht Q ca linh kin dẫn cũng như đ nhy ca
linh kin. Tuy nhiên, đóng gói chân không mt công ngh phc tạp đòi
hỏi đầu thiết b rt tn kém. Mt khác, các công b khoa hc v nghiên
cu thiết kế chế to cm biến quán tính th hoạt động trong môi trưng
áp sut khí quyn vn còn hn chế. Chính vậy, định hướng nghiên cu
thiết kế chế to vi cm biến vn tc góc MEMS kh năng hoạt động
trong môi trường áp sut khí quyển đã được quan tâm.
Từ các phân tích trên, luận án với đề tài Nghiên cứu thiết kế chế tạo
vi cảm biến vận tốc góc âm thoa cảm biến gia tốc kiểu tụđã được
lựa chọn.
2. Mục tiêu của luận án
- Thiết kế chế to vi cm biến vn tc góc kiểu dao động có h s phm
cht và độ nhạy cao trong môi trường áp sut khí quyn.
- Thiết kế chế to vi cm biến gia tc kiu t ba bc t do th cho
phép xác định đồng thi các gia tốc theo ba phương vuông góc đ
nhy chéo trc thp.
2
3. Phương pháp nghiên cứu
Đề tài lun án đã đưc thc hiện trên cơ sở phương pháp mô phỏng lý
thuyết và phương pháp thực nghim:
- Bài toán phân tích mode, mô phỏng các đặc trưng tần s, s ph thuc
ca chuyn v độ thay đổi điện dung đã đưc thc hiện trên sở
phương pháp phần t hu hn s dng phn mm ANSYS.
- Công ngh vi cơ khối khô đã được s dụng để chế to cm biến.
- Các đặc trưng tần s và đặc trưng tín hiệu ra ca các cm biến đã được
khảo sát trên sở các h đo đưc xây dng. Độ nhy ca các cm biến
được đánh giá.
4. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án
- Trong khuôn kh ca lun án, vấn đề thiết kế đưa ra hình vi cm
biến vn tc góc kiu âm thoa vi cm biến gia tc kiu t ba bc t do
trên cơ sở mô phỏng phân tích mode và các đặc trưng của hai loi cm biến
quán tính đã được thc hin bằng phương pháp phần t hu hn s dng
phn mềm ANSYS. Trong trường hp vi cm biến vn tc góc kiu âm
thoa, độ tổn hao nén độ tổn hao trượt giá tr thp do cm biến được
thiết kế cu trúc kiu trục Z được treo trên đế khung. Cấu trúc đẩy
kéo vi bánh xe t quay được đề xuất đã hạn chế được các mode dẫn động
đồng pha mode cm ứng đồng pha không mong muốn. Đối vi vi cm
biến gia tc kiu t, cu trúc thanh dm gp dạng L cho phép xác định đồng
thi ba thành phn gia tc. Các cm biến đã được chế to thành công trên
sở quy trình chế to s dng công ngh vi khối khô. Các h đo đặc
trưng của vi cm biến vn tc góc kiu âm thoa và vi cm biến gia tc trên
sở s dng b mch chuyển đi C/V MS3110 phn mm x tín
hiệu LabvieW đã được xây dng. Kết qu thc nghim cho thy h s
phm chất độ nhy ca vi cm biến vn tc góc kiểu âm thoa đạt giá tr
khá lớn trong môi trường áp sut khí quyển. Đối vi vi cm biến gia tc
kiu t, hiện tượng chéo trục đã được hn chế.
- Vic nghiên cu thiết kế chế to thành công vi cm biến vn tc góc
kiu âm thoa vi cm biến gia tc kiu t ba bc t do m ra kh năng
tích hp chúng trong h linh kin dẫn đường quán tính MEMS.
5. Những đóng góp mới của luận án
- Đã thiết kế chế to vi cm biến vn tc góc đế khung kiu âm thoa
độ tổn hao nén và trưt thp cho phép hn chế các mode dn động đồng
pha mode cm ứng đồng pha. Vi cm biến vn tc góc vi h s phm
cht mode cm ng 111,2 và độ nhy 11,56 mV/o/s cho thy kh năng hoạt
động ca linh kiện trong môi trường không khí.
3
- Đã thiết kế chế to vi cm biến gia tc kiu t ba bc t do có cu trúc
thanh dm gp dng L. Cu trúc ca cm biến cho phép gim thiu hin
ng chéo trục cho phép xác định đồng thi ba thành phn gia tc vi
độ nhạy theo phương X, Y Z tương ng 13 mV/g, 11 mV/g 0,2
mV/g.
Kết qu nghiên cu chính ca luận án đã được công b trong 03 bài báo
quc tế:
[1] Minh Ngoc Nguyen et al (2017), Z-Axis Micromachined Tuning Fork
Gyroscope with Low Air Damping, Micromachines, Volume 8, Issue 2, pp.1-10.
[2] Minh Ngoc Nguyen et al (2018), Z-axis tuning fork gyroscope having a
controlled anti-phase and freestanding architecture: design and fabrication,
International Journal of Nanotechnology (IJNT), Vol. 15, pp.14-23.
[3] Minh Ngoc Nguyen et al (2019), A Two Degrees of Freedom Comb
Capacitive-Type Accelerometer with Low Cross-Axis Sensitivity, Journal of
Mechanical Engineering and Sciences (JMES) Vol. 13, pp.5334-5346.
6. Cu trúc ca lun án
Chương I: Tổng quan
Chương II: Cơ sở phương pháp mô phỏng và thc nghim
Chương III: Nghiên cu thiết kế chế to vi cm biến vn tc góc MEMS
kiu âm thoa
Chương IV: Nghiên cứu thiết kế chế to vi cm biến gia tc kiu t ba
bc t do
Kết luận: Trình bày tóm lược các kết qu chính ca lun án.
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
Trong chương này, tổng quan v mt s vấn đề liên quan đến công ngh
vi điện t MEMS hai loi cm biến quán tính: vi cm biến vn tc
góc và vi cm biến gia tc s được trình bày.
I.1. Công nghệ vi cơ điện tử MEMS
Công ngh MEMS loi hình công ngh mi nn tng t công ngh
vi điện t nên công ngh MEMS cũng bao gồm các k thuật bản ca
công ngh này như quang khắc (photolithography), khuếch tán (diffusion),
cy ion (ion implantation), lắng đọng vt liu bằng các phương pháp vật
hoc hóa hc pha hơi (physical/chemical vapor deposition), hàn dây (wire
bonding), đóng vỏ hoàn thin linh kin (packaging). Bên cạnh đó các kỹ
thuật đặc thù ca riêng công ngh MEMS nhm mục đích chế to ra các vi
cu trúc ba chiu gồm ăn mòn ưt hoc khô (wet/dry etching) hàn ghép
phiến (silic to silic/ silic to glass bonding).
Công ngh MEMS được phân loi thành ba loi chính:
- Công ngh vi khối: Công ngh được thc hin da trên các k
thuật chính như quang khắc, ăn mòn dị hướng trong dung dịch (vi khối
4
ướt), ăn mòn khô trong môi trường chất khí (vi khối khô), hàn ghép
phiến… Công nghệ vi khối được ng dụng để chế to các cu trúc
MEMS ba chiu trong các vt liệu đế ntinh thể Si, tinh th thch anh,
SiC, GaAs, thy tinh,...
- Công ngh vi cơ bề mt: Công ngh được thc hin da trên các k
thuật chính như quang khắc, lắng đng to màng mỏng, ăn mòn lớp hy
sinh, ăn mòn khô,… Công nghệ vi cơ b mặt được ng dụng để chế to các
cu trúc MEMS ba chiu trên b mặt đế.
- Công ngh LIGA: LIGA ch viết tt ca các t tiếng Đức X
ray Lithographie (quang khc tia X), Galvanoformung (m điện)
Abformtechnik (vi đúc). Công nghệ LIGA liên quan đến quá trình quang
khc tia X, trong đó lớp vt liu cm tia X dày c t micrô mét đến xăngti
mét đưc chiếu x bởi chùm tia X năng lượng cao. Cu trúc ba chiu trong
lp cm bc x thu được sau quá trình hiện hình. Trên sở quá trình m
điện, cu trúc trong vt liu cm bc x được điền đầy bi vt liu kim loi.
Sau khi loi b cht cm bc x ta thu được cu trúc kim loại như thiết kế.
Cu trúc kim loi th là sn phm cui cùng hoặc được tiếp tc s dng
như là vi khuôn đ to ra các sn phm tiếp theo trên cơ sở quá trình đúc sử
dng vt liu cht do. Các cu trúc cht do thu được có th đưc s dng
làm vi khuôn để to ra các cu trúc bng kim loi dng hàng loạt trên
s tiến hành quá trình đúc lần th hai. Như vậy, công ngh LIGA được
thc hin da trên k thut nn tng như kỹ thut khc bng chùm tia X, k
thuật vi đúc và k thut lắng đọng điện hóa (m điện).
I.2. Vi cảm biến vận tốc góc
I.2.1. Vi cm biến vn tc góc c đin
I.2.2. Vi cm biến vn tc góc quang hc
I.2.3. Vi cm biến vn tc góc vi cơ điện t (MEMS Gyroscopes - MG)
I.2.4. Vi cm biến vn tc góc kiểu dao động
I.2.4.1. Nguyên lý hoạt động
Nguyên hoạt động của vi cảm biến vận tốc góc kiểu dao động dựa
trên hiệu ứng Coriolis.
I.2.4.2. Phương trình động lc hc
02
2
xmkyycym
Fymkxxcxm
y
dx
Trong đó: m là khối lượng ca khi gia trng, k là h s đàn hồi, cx và cy
h s gim chấn theo phương x phương y, Ω vận tc góc Fd
lc dẫn động.
I.2.4.3. Phân loại và các đặc trưng của vi vi cm biến vn tc góc dao động
5
1.2.5. Tình hình nghiên cu phát trin vi cm biến vn tc góc kiểu dao động
I.2.5.1. Vi cm biến vn tc góc Drapper (Gimbals gyroscope)
I.2.5.2. Cm biến dao động kiu mâm tròn (Vibrating ring gyroscope)
I.2.5.3. Vi cm biến vn tc góc đa trục (Multi axis input gyroscope)
I.2.5.4. Vi cm biến vn tc góc kiu âm thoa (Tuning Fork Gyroscope TFG)
Đối vi vi cm biến vn tc góc kiu âm thoa, các công b khoa hc ca
các nhóm nghiên cu trong nước và trên thế gii đã tập trung gii quyết các
vấn đề: (i) Tăng ờng biên độ dao động của mode kích thích; (ii) Tăng
ng h s phm cht ca mode cm ng bng ch gim thiu hiu ng
suy hao (iii) Tối đa khối lượng khi gia trọng để to lực Coriolis, đồng thi
ti thiu khối lượng b kích thích bi lực Coriolis; (iv) Tăng ờng độ n
định ca linh kin mà nguyên nhân liên quan ti sai sót trong chế to và thế
dòng trôi gây bi nhiệt độ; (v) Khng chế s phù hp mode cộng hưởng
trên cơ sở cơ cấu cơ học và mạch điện t điu khin.
Mt khác, các nghiên cu v vi cm biến vn tc góc kiu âm thoa hot
động trong môi trường áp sut khí quyển chưa được quan tâm nhiều. Để
th hoạt động trong môi trường áp sut khí quyn, các hiu ng suy hao cn
được tính đến trong thiết kế phng nhằm tăng ng h s phm cht
Q.
Trong khuôn kh nghiên cu ca lun án, thiết kế chế to vi cm biến
vn tc góc kiu âm thoa h s phm cht Q độ nhy cao trong môi
trưng áp sut khí quyển đã được đặt ra.
I.3. Cảm biến gia tốc
I.3.1. Bối cảnh lịch sử
I.3.2. Phân loại cảm biến gia tốc
I.3.2.1. Nguyên lý hoạt động
I.3.2.2. Vi cảm biến gia tốc cân bằng lực
I.3.2.3. Vi cảm biến gia tốc kiểu lệch
I.3.3. Các thông số đặc trưng của cảm biến gia tốc
I.3.4. Phân loại vi cảm biến gia tốc MEMS
I.3.4.1. Vi cảm biến gia tốc áp điện
I.3.4.2. Vi cảm biến gia tốc áp điện trở
I.3.4.3. Vi cảm biến gia tốc điện dung
I.3.4.4. So sánh đánh giá hoạt động của ba loại cảm biến gia tốc
I.3.5. Vi cảm biến gia tốc điện dung MEMS
Vi cảm biến gia tốc điện dung MEMS những ưu điểm như độ
nhạy cao, độ nhiễu thấp, ảnh hưởng của nhiệt độ không đáng kể năng
lượng điện tiêu thụ thấp [63]. Vi cảm biến gia tốc điện dung tụ vi sai đã
được phát triển nhằm tăng cường độ tuyến nh cũng như nâng cao tỷ số
tính hiệu trên độ nhiễu [64]. Để đo n hiệu điện dung nhỏ trong vi cảm
biến gia tốc điện dung, các kỹ thuật chuyển mạch tụ đã được đề xuất [65-