Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M=Mo, W) bằng DFT. Kết quả cho thấy biến dạng ảnh hưởng lớn đến vùng cấm.

Chương III trình bày một số quy luật phân phối xác suất thông dụng như: Phân phối chuẩn, phân phối Bernoulli (PP không – một), phân phối Nhị thức, phân phối Siêu bội, phân phối Poisson, phân phối Hình học, phân phối đều, phân phối lũy thừa, phân phối Student.

Bài giảng Xác suất thống kê - Chương II: Biến ngẫu nhiên & véc tơ ngẫu nhiên trình bày định nghĩa, phân loại, phân phối xác suất, tham số đặc trưng, và các ví dụ minh họa.

Trong nghiên cứu này, chúng tôi tiến hành nghiên cứu lí thuyết về: Độ bền, độ dài liên kết, góc liên kết, tính biến thiên năng lượng HOMO-LUMO từ đó dự đoán về khả năng bán dẫn của 2 dạng đồng phân này (silole 4 và silole 5).

Bài giảng "Lý thuyết xác suất và thống kê toán học - Chương 2: Biến ngẫu nhiên" cung cấp cho người đọc các nội dung: Biến ngẫu nhiên, phân phối xác suất, các giá trị đặc trưng của biến ngẫu nhiên. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Mục tiêu chính của luận án "Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)" là nghiên cứu tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc kim loại−bán dẫn và bán dẫn−bán dẫn trong dị cấu trúc vdW được thiết kế và xây dựng từ họ vật liệu MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P): MoSH/MoSi2N4, GR/MoGeSiN4, BP/MoGe2N4, C3N4/MoSi2N4.

Vật liệu 2D với nhiều tính chất ưu việt đã nhận được sự quan tâm của các nhà khoa học. Trong số đó, cấu trúc SiS đơn lớp là một vật liệu đầy hứa hẹn cho các ứng dụng thực tiễn. Bài viết trình bày xác định các tính chất cơ học, điện tử và áp điện của vật liệu SiS đơn lớp bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ.

Đề tài có cấu trúc gồm 3 chương trình bày tổng quan về pin mặt trời DSSC và vật liệu TiO2; giới thiệu vềcác phương pháp tính toán cấu trúc điện tử và phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ; kết quả và thảo luận. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Trong "Nghiên cứu khả năng quét gốc tự do HOO● của α-terpinene theo cơ chế chuyển nguyên tử hydro (HAT) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ DFT", tác giả nghiên cứu phản ứng chuyển nguyên tử hydro của α-terpinene cho gốc tự do HOO● để làm sáng tỏ khả năng quét gốc tự do ở nhiều tâm phản ứng của hợp chất này. Phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) ở mức lý thuyết M05-2X/6-311++G(2df,2p) được sử dụng để tính năng lượng phân ly liên kết của tất cả các liên kết C−H trong pha khí và nước.

Bài viết trình bày các tính chất của hệ vật liệu armchair silicene nanoribbons (ASiNR) hấp phụ các nguyên tử kim loại liềm thổ như Be, Mg và Ca. Bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT), dựa trên chương trình mô phỏng lượng tử VASP, một số tính chất đã được khảo sát như: sự thay đổi về mặt cấu trúc, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái, phân bố mật độ điện tích, sự dịch chuyển điện tích, phân bố mật độ spin đã được tính toán.

Bài giảng Xác suất thống kê: Chương 4 - Một số quy luật phân phối xác suất thông dụng, được biên soạn gồm các nội dung chính sau: Một số quy luật phân phối xác suất thông dụng; Các định lý giới hạn;...Mời các bạn cùng tham khảo!

Trong bài viết này, các đặc tính cấu trúc, điện tử và truyền dẫn của đơn lớp hai chiều HfSiSP2 được khảo sát bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Phân tích phổ phonon và mô phỏng động lực phân tử ab-initio cho thấy, đơn lớp HfSiSP2 có cấu trúc bền vững về mặt động học và có độ ổn định nhiệt tốt.

Bài giảng Lý thuyết xác suất và thống kê toán - Chương 2: Biến ngẫu nhiên và quy luật phân phối xác suất, cung cấp những kiến thức như Khái niệm biến ngẫu nhiên; Quy luật phân phối xác suất; Các tham số đặc trưng. Mời các bạn cùng tham khảo!

Bài giảng Xác suất thống kê: Biến ngẫu nhiên cung cấp cho người học những kiến thức như định nghĩa và phân loại biến ngẫu nhiên; Phân phối xác suất của biến ngẫu nhiên; Các đặc trưng số của biến ngẫu nhiên. Mời các bạn cùng tham khảo!

Luận án "Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ" được hoàn thành với mục tiêu nhằm Góp phần hoàn thiện cơ sở khoa học cho kỹ thuật tính toán mô phỏng động học phản ứng với H2 của các nano cluster hợp kim. Làm rõ được quá trình động học phản ứng với H2 của các hệ nano cluster Au9M2+ (M = Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co và Ni) và AgnCr (n = 2-12).

Luận án được hoàn thành với mục tiêu nhằm làm rõ tương tác giữa các điện tử tự do – điện tử định xứ trong các hệ nano cluster Au9M2+ (M = Sc -Ni) và AgnCr (n = 2-12). Từ đó, thấy được ảnh hưởng của cấu trúc điện tử tới sự phát triển cấu trúc hình học bền, độ bền vững, các đặc tính như năng lượng liên kết, năng lượng phân ly và tác động của tương tác s-d tới động học phản ứng với H2 của nano cluster hợp kim trên.

Luận án Tiến sĩ Hóa lí thuyết và Hóa lí "Nghiên cứu cấu trúc, tính chất của các dẫn xuất graphene và rutile TiO2 trong mô hình composite bằng phương pháp phiếm hàm mật độ" có mục tiêu tìm được cấu trúc và tính chất electron của các dẫn xuất graphene với hydroxyl...

Luận án Tiến sĩ Hóa học "Nghiên cứu khả năng xử lý DDT và γ-HCH trên một số kim loại và oxide kim loại mang trên g-C3N4 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết chặt" có mục đích sử dụng các phương pháp hóa học tính toán để nghiên cứu cấu trúc, tính chất electron và tính chất quang của các hệ vật liệu xúc tác quang trên cơ sở g-C3N4; g-C3N4 biến tính bởi kim loại: Me/g- 2 C3N4, với Me = K, Ca, Ga, Fe, Ni và Cu; g-C3N4 biến tính bởi oxide kim loại MexOy/g-C3N4, với Me xOy = ZnO và TiO2; Mời các bạn cùng tham khảo!

Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Hóa học "Nghiên cứu khả năng xử lý DDT và γ-HCH trên một số kim loại và oxide kim loại mang trên g-C3N4 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết chặt" có mục đích sử dụng các phương pháp hóa học tính toán để nghiên cứu cấu trúc, tính chất electron và tính chất quang của các hệ vật liệu xúc tác quang trên cơ sở g-C3N4; g-C3N4 biến tính bởi kim loại: Me/g- 2 C3N4, với Me = K, Ca, Ga, Fe, Ni và Cu; g-C3N4 biến tính bởi oxide kim loại MexOy/g-C3N4, với Me xOy = ZnO và TiO2; Mời các bạn cùng tham khảo!

Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Hóa lí thuyết và hóa Lí "Nghiên cứu cấu trúc, tính chất của các dẫn xuất graphene và rutile TiO2 trong mô hìnhcompositebằng phương pháp phiếm hàm mật độ" có cấu trúc gồm 3 chương. Chương 1: Cơ sở lý thuyết; Chương 2: Tổng quan về hệ chất và phương pháp tính toán; Chương 3: Kết luận và thảo luận. Mời các bạn cùng tham khảo!