intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Bài giảng Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu

Chia sẻ: Sơn Tùng | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:22

Thêm vào BST
Báo xấu
73
lượt xem 4
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu" cung cấp cho người học các kiến thức: Đặc tính của công tác bán dẫn, Diode bán dẫn, Transistor bán dẫn, họ Thyristor, tổng kết. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử công suất - Chương 1: Mở đầu

  1. CHƯƠNG 1: MỞ ĐẦU LINH KUỆ KUỆN ðIỆ ðIỆN TỬ TỬ CÔNG SUẤ SUẤT o LINH KIỆN ðIỆN TỬ CÔNG SUẤT  Các linh kiện công suất giao hoán có những đặc tính sau: 1. ðặc tính của công tắc bán dẫn • Tốc độ giao hoán nhanh. • Giảm thiểu công suất tiêu tán. 2. Diode công suất • Cho phép điều khiển các tải nặng (dòng tải lớn 3. Transistor công suất hay điện trở tải nhỏ). • Có gắn các bộ vi xử lý, vi điều khiển hoặc PLC. 4. Họ Thyristor • Các linh kiện công suất giao hoán thông dụng là: Diode,Transistor, Mosfet, SCR, TRIAC, GTO, 5. Tổng kết SCS, IGBT, MCT… 11:33 AM 1 11:33 AM 2 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0)  Do tính chất của chất bán dẫn nên khi v,i chịu tác động của xung kích, dạng sóng ngõ Hiệu điện thế V ra có dạng như ở hình t  Đặc tuyến giao hoán được biểu diễn từ Dòng điện I toff tswon trạng thái tắt (off) sang trạng thái dẫn (on) và từ trạng thái dẫn (on) sang trạng thái ngưng 11:33 AM (off) 3 11:33 AM 4 1
  2. 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i Hiệu điện thế V Hiệu điện thế V t t Dòng điện I Dòng điện I toff tswon toff tswon ton 11:33 AM 5 11:33 AM 6 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i Hiệu điện thế V Dòng điện I Chọn t=0 t t Dòng điện I Hiệu điện thế V toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff  t  t v = V 1 −  i=I  t swon  t swon 11:33 AM 7 11:33 AM 8 2
  3. 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf =0) v,i v,i poff=0 pswon pon=0 pswoff Công suất p Dòng điện I Dòng điện I Chọn t=0 Chọn t=0 t t Hiệu điện thế V Hiệu điện thế V toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff toff tswon  t  t  t  t  t  t  v = V 1 −  i=I v = V 1 −  i=I p = vi = VI 1 −    t swon  t swon  t swon  t swon  t swon  t swon  11:33 AM 9 11:33 AM 10 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0)  Năng lượng thất thoát trong thời gian v,i t swon 1 khởi dẫn bằng: Wswon = ∫ 0 pdt = VIt swon 6 Hiệu điện thế V  Năng lượng thất thoát trong thời gian Dòng điện Ir tswoff t 1 khởi ngưng: W swoff = ∫ 0 pdt = VItswoff 6 toff tswon ton  Năng lượng thất thoát tổng cộng trong = Wswon + Wswoff = VI (t swon + t swoff ) 1 chu kỳ giao hoán bằng: W sw 6 11:33 AM 11 11:33 AM 12 3
  4. 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i Hiệu điện thế V Dòng điện IF Dòng điện Ir Hiệu điện thế VF t t toff tswon ton toff tswon ton 11:33 AM 13 11:33 AM 14 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) v,i v,i Dòng điện IF Dòng điện IF Chọn t=0 Hiệu điện thế VF Hiệu điện thế VF t t toff tswon ton tswoff toff tswon ton tswoff t t  t   t  i=I ; v = −(V − V f ) + V = V 1 −  + V f   t swon t swon  t swon   t swon  11:33 AM 15 11:33 AM 16 4
  5. 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ D ẪN o Trường hợp công tắc lý tưởng (Vf ≠0) o Trường hợp công tắc không lý tưởng (Vf ≠0) pswon v,i v,i pswoff Công suất p poff ≠0 pon≠0 Dòng điện IF Dòng điện IF Chọn t=0 Hiệu điện thế VF Chọn t=0 Hiệu điện thế VF VF t t toff tswon ton tswoff toff tswon toff tswon ton tswoff t t  t   t  i=I ; v = −(V − V f ) + V = V 1 −  + V f   t t  t   t  t swon t swon i=I ; v = −(V − V f ) + V = V 1 −  + V f    t swon   t swon  t swon t swon  t swon   t swon  t2 − (V − V f )I t p = vi = VI 2 t swon t swon 11:33 AM 17 11:33 AM 18 1. ðẶ ðẶC TÍNH CÔNG TẮ TẮC BÁN DẪ DẪN 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT  Năng lượng thất thoát trong thời gian o Diode chỉnh lưu t swon 11  khởi dẫn bằng: Wswon = ∫ 0 1 1 pdt = VItswon + V f Itswon =  VI + V f I t swon 6 3 3 2   Diode công suất hoạt động như diode  Năng lượng thất thoát trong thời gian công suất nhỏ (nối p-n) nhưng với dòng khởi ngưng: Wswoff = t swoff ∫ 1 1 11  pdt = VIt swoff + V f It swoff =  VI + V f I t swoff điện lớn từ vài chục đến vài trăm Ampe. 6 3 3 2  0 J  Năng lượng thất thoát tổng cộng trong A p n K = Wswon + Wswoff =  VI + V f I (t swon + t swoff ) 11  chu kỳ giao hoán bằng: W sw 3 2  11:33 AM 19 11:33 AM 20 5
  6. 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Phân cực Diode • Phân cực thuận o Thời gian phục hồi: • Phân cực nghịch Khi diode đang dẫn thình lình chuyển sang p n p n trạng thái ngưng, diode không thể ngưng ngay mà có thời gian chuyển tiếp do sự hồi Etx Etx Engoài Engoài + + phục của các hạt tải trong nối p-n làm dòng và thế có dạng như hình 11:33 AM 21 11:33 AM 22 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Đồ thị thời gian chuyển tiếp của Diode diR/dt o Công suất thất thoát của diode công suất diF/dt IF Qrr=IRM.trr/2 0,25.IRM PT = PON + POFF + Psw t tON IRM PON = VF I F T t3 t4 t5 trr tOFF VF VON POFF = VR I R T t VR Psw = Pswon + Pswoff = VCC I F (t swon + t swoff ) f t1 t2 S=t5/t4 VRM 1 6 11:33 AM 23 11:33 AM 24 6
  7. 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT o Diode Schottky o Diode Schottky Diode • Diode schottky đóng ngắt tốt ở tần số cao schottky • VD nhỏ hơn bình thường, chỉ 0.3-0.5V thường • Diode Schottky dùng kim loại bán dẫn được chế điện tạo bằng • Diode Schottky thường gặp là 1N5817 Cấu tạo – Ký hiệu chất GaAs 11:33 AM 25 11:33 AM 26 2. DIODE CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Diode Schottky o BJT (Bipolar Junction Transistor) ID(mA) Diode Diode Schottky (silicon) B E B E p p p n n n n n p p p- n- VD(Volt) 0 0,2 0,4 0,6 0,7 p n C C collector collector Diode Diode Schottky (silicon) PNP base NPN base BJT BJT emitter emitter 11:33 AM 27 11:33 AM 28 7
  8. 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến của BJT o Trạng thái đóng ngắt của transistor công suất 11:33 AM 29 11:33 AM 30 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Mạch bảo vệ BJT ic o Công suất thất thoát của BJT VCC Ic • Khi transistor dẫn bão hòa, ta có: t tON t D R tf PON = (VCEbh I CM + VBEbh I B ) is 0 ≈ VCEbh I CM ON T T Is • Khi transistor ngưng dẫn và dòng rỉ Ir B Q t t OFF Cs vCE 0 tf rất bé, ta có: POFF = VCC I r T Psw = Pswon + Pswoff = VCC I F ( max ) (t swon + t swoff ) f 1 t 6 11:33 AM 31 11:33 AM 32 8
  9. 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o MOSFET: hình thành hai dòng song song như sơ đồ cấu trúc tương đương 11:33 AM 33 11:33 AM 34 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Nguồ Nguồn VG1 11:33 AM 35 11:33 AM 36 9
  10. 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Hoạt động của MOSFET o Hoạt động của MOSFET Nguồồn VG2 Ngu Nguồ Nguồn VG3 11:33 AM 37 11:33 AM 38 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Mạch bảo vệ cho MOSFET o Công suất thất thoát của MOSFET • Khi MOSFET dẫn bão hòa, ta có: tON PON = I D2 RDS (on ) T • Khi MOSFET ngưng dẫn và dòng rỉ Ir tOFF Mạch RC nhỏ mắc song song với ngõ ra của linh rất bé, ta có: POFF = VDS max I r T kiện để hạn chế tác dụng các dãy điện áp và các Psw = Pswon + Pswoff = Vnguon I F (max ) (t swon + t swoff ) f 1 6 xung nhiễu dao động xuất hiện khi linh kiện đóng 11:33 AM 39 11:33 AM 40 10
  11. 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) o Mạch tương đương IGBT oLà linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor với điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của MOSFET: G Cách điện E E E n n n n p p n- G p+ C C 11:33 AM 41 11:33 AM 42 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT 3. TRANSISTOR CÔNG SUẤ SUẤT o Đặc tuyến của IGBT o Công trên tải VL2 • Công suất trung bình cấp cho tải: PL = RL Vcc tON Với thời gian dẫn tON, ta có: VL = T V 2  t PL =  s  ON  RL  T o Công suất tiêu tán tổng cộng giao hoán: Psw = Pswon + Pswoff = 1 6(VCE max .I c max ) (t swon + t swoff ) f sw 11:33 AM 43 11:33 AM 44 11
  12. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR Gồm các linh kiện công suất có cấu trúc gần với o SCR (Silicon Controlled Rectifier) Thyristor (SCR gọi theo phòng thí nghiệm Bell từ năm J1 J2 J3 1956) và các linh kiện kích cho các linh kiện công A K p1 n1 p2 n2 suất theo bảng tóm tắt sau: Họ Thyristor Mạch kích UJT Đơn hướng Lưỡng hướng (4 lớp) (5 lớp) Đơn hướng Lưỡng hướng (4 lớp) SCR SCS LASCR TRIAC (5 lớp) (3 lớp) 0,8-1000A 0,2A 0,7A 0,5-80A SUS SBS Diac 100-1000V 100V 100-600V 100-600V Diode 0,2A 0,2A 0,2A 6-10V Shockley 6-10V 6-10V 11:33 AM 45 11:33 AM 46 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR J1 J2 iAK J3 o SCR (không A p1 n1 p2 n2 K o Có thể xem SCR như gồm 2 transistor thông dụng) npn và pnp ghép “ khoá chặt” như ở hình iAG loại kích dòng G đi ra cực G n1 n2 K o SCR (thông J1 J2 J3 iAK T2 dụng) loại kích A + p1 n1 p2 n2 _ T1 α 2 I G + (I CBO1 + I CBO 2 ) K IA = p1 p2 1 − (α1 + α 2 ) dòng đi vào iGK A G G + cực G 11:33 AM 47 11:33 AM 48 12
  13. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Đặc tuyến của SCR Để làm SCR từ ngưng dẫn sang dẫn: • Tăng điện thế A-K, làm tăng dòng rỉ ICBO, làm xảy ra hiện tượng huỷ thác . • Tăng dòng cửa IG để các transistor nhanh chóng đi vào dẫn bảo hoà • Tăng nhiệt độ t0 mối nối làm tăng dòng trong T1, T2 • Tăng tốc độ tăng thế dV/dt tạo dòng nạp cho điện dung nối pn • Sử dụng năng lượng quang học như ánh sáng để làm dẫn các SCR quang (LASCR – Light actived SCR) 11:33 AM 49 11:33 AM 50 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o TRIAC (Triode Alternative Current) Để làm SCR từ dẫn sang ngưng dẫn: • Cắt bỏ nguồn cấp điện VAK. MT2 MT2 MT2 MT2 P MT2 • Thắng động lực: dùng một bộ phận có điện trở N1 P1 N MT2 N P thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo ra dòng N2 G G G P G N G G IA < IH N3 P2 N4 MT1 N MT1 MT1 P • Tạo VAK < 0 (dòng xoay chiều, xung giao MT1 MT1 MT1 hoán…) 11:33 AM 51 11:33 AM 52 13
  14. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Có thể xem Triac như gồm 2 SCR ghép o Đặc tuyến của Triac đối song nhưng chỉ có 1 cổng kích chung. T1 T U1 Z T2 Z U1 MT1 MT2 MT2 MT1 G G 11:33 AM 53 11:33 AM 54 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Bốn kiểu hoạt động của Triac: o Các cách kích Triac: Kiểu I+ Kiểu I- Kiểu II+ Kiểu II- Vì Triac dẫn trong cả 2 chiều nên cách kích VMT1MT2 > 0 VMT1MT2 > 0 VMT1MT2 < 0 VMT1MT2 < 0 bằng điện DC ít thông dụng hơn cách kích IG > 0 IG < 0 IG > 0 IG < 0 (Dòng vào) (Dòng ra) (Dòng vào) (Dòng ra) bằng điện AC và bằng xung. Mạch tạo xung được tạo nên từ UJT, IC Dòng từ Dòng từ Dòng từ Dòng từ MT1 -> MT2 MT1 -> MT2 MT2 -> MT1 MT2 -> MT1 555, mạch số, Flip flop…, nhưng đặc biệt vẫn là mạch dùng DIAC. 11:33 AM 55 11:33 AM 56 14
  15. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o MCT (Mosfet Controlled Thyristor) có cấu o MCT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác tạo kết hợp công nghệ của thyristor với ưu động nhanh và công suất lớn của SCR với điểm tổn hao dẫn điện thấp và khả năng điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của chịu áp cao của với khả năng đóng ngắt nhanh. MOSFET Mosfet. Có 2 loại MCT: N-MCT và P-MCT, do cách ghép của 2 Mosfet làm cổng như hình 11:33 AM 57 11:33 AM 58 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Đặc tính đóng ngắt của MCT: có đặc tuyến như SCR cổ điển vì không dẫn ở điện o Khả năng chịu tải của MCT: thế nghịch hình MCT được áp dụng cho các trường hợp yêu cầu điện trở và độ tự cảm nhỏ với khả năng chịu được dòng điện lớn và di/dt cao. MCT được sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô tô, tàu thủy, nguồn cung cấp tivi. 11:33 AM 59 11:33 AM 60 15
  16. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o GTO (Gate turn – off Thyristor) GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương Có cấu tạo phức tạp hơn tự như khi kích đóng SCR thông thường. Dòng điện SCR cổ điển để có thể tắt kích đóng được tăng đến giá trị IGM và sau đó giảm SCR đang dẫn bằng cách xuống đến giá trị IG. cho xung âm vào cực G (mà trước đó đã làm SCR dẫn bằng cách xung dương vào G) hình 11:33 AM 61 11:33 AM 62 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Kích mở GTO o Kích đóng GTO Để kích ngắt GTO, Điểm khác biệt xung dòng điện so với yêu cầu âm lớn được đưa xung kích đóng vào cổng G – SCR là dòng cathode với độ dốc kích iG phải tiếp (diGQ/dt) lớn hơn tục duy trì giá trị qui định của trong suốt thời linh kiện, nó đẩy gian GTO dẫn các hạt mang điện điện. khỏi cathode 11:33 AM 63 11:33 AM 64 16
  17. 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng xung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, o IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) khả năng di/dt và dv/dt của GTO thấp. Vì thế, cần • Sự cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã phải giới hạn các trị số hoạt động không vượt quá dẫn đến phát minh công nghệ IGCT. giá trị an toàn trong quá trình ngắt GTO • GCT (Gate Commutated Thyristor) là một dạng phát triển của GTO với khả năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng định mức dẫn qua cathode về mạch cổng trong GCT để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tương đương của nó giống như của GTO. • IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board mạch điều khiển và có thể gồm cả diode ngược. 11:33 AM 65 11:33 AM 66 4. HỌ HỌ THYRISTOR 4. HỌ HỌ THYRISTOR o Đặc tuyến của IGCT IGCT có thể tích hợp diode ngược bằng mối nối Quá trình ngắt dòng n+n-p được vẽ trên hình. Diode ngược cần thiết điện của IGCT bởi trong cấu tạo của các bộ nghịch lưu áp. tác dụng xung dòng kích cổng được vẽ A minh họa trên hình. Để có thể so sánh với quá trình ngắt dòng của GTO, đồ G thị của dòng cổng G K K được vẽ cho hai trường hợp. 11:33 AM 67 11:33 AM 68 17
  18. 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o UJT (Unijunction Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) Cực nền B2 Khi chưa cấp ñiện Khi cấp ñiện UJT còn gọi là B2 N B2 transistor đơn nối. B2 Cực Có công suất thấp D RB2 phát P Tiếp xúc D RB2 E E P-N E nên chỉ xếp vào loại E F VBB F B1 linh kiện điều khiển VEE RB1 RB1 công suất. Cực nền B1 B1 B1 Cấu tạo – Ký hiệu RB1 RBB = RB1 + RB 2 VF = VBB = ηVBB RB1 + RB 2 11:33 AM 69 11:33 AM 70 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o UJT (Unijuncton Transistor) o UJT (Unijuncton Transistor) V1 ðặc tuyến UJT Phân cực UJT V1 R2 VE V1 Vùng R2 Vùng dẫn Vùng bão hòa R2 ngưng VP VE VBB=15v VBB=10v E VBB=5v E R1 R1 Vv VBB=0v IE IP Iv IEbh 10µA 2,5mA 50mA Mạch dao ñộng thư giãn 11:33 AM 71 11:33 AM 72 18
  19. 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o PUT (Programmable Unijunction Transistor) Phân cực PUT A PUT giống như một UJT VBB Khi VAK < VP : PUT ngưng VAA P K IA RB2 Khi VAK > VP : mối nối A-G N có đặc tính thay đổi IG bắt đầu dẫn G R P N G được. Tuy vậy về cấu RB1 G RTH A K tạo, PUT khác hẳn UJT VBB Cấu tạo và ký hiệu và cách hoạt động cũng RB1 K η= R B 2 + RB1 RB1 RB 2 khác VG = ηV BB RTH = RB1 // RB 2 = RB1 + RB 2 11:33 AM 73 11:33 AM 74 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o PUT (Programmable Unijunction Transistor) o SCS (Silicon Controlled Switch) Mạch dao ñộng thư giãn Cấu tạo – mạch tương ñương – ký hiệu VA GA VP J1 J2 J3 GA K G VBB A K K VV p p n1 n2 K n1 n2 t T2 p1T1 1 2 R VG p2 RB2 ηVBB A GA GK A Xả RB1 GK t C VK SCS còn được gọi là Tetrode thyristor (thyristor có 4 cực) t 11:33 AM 75 11:33 AM 76 19
  20. 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o SCS (Silicon Controlled Switch) o DIAC (Diode AC) • SCS dẫn ở điện thế dương cấp cho anod A2 Cấu tạo – ký hiệu A2 A2 N1 A2 P1 và cho xung dương vào GK. • SCS đang dẫn, muốn làm tắt hoặc cho N2 xung âm vào GK, hoặc cho xung dương P2 A1 N3 A1 A1 vào GA. A1 • SCS hoạt động có: IA=0,2A; VRM=100V. DIAC giống hai SCR không có cực cổng hay • SCS ứng dụng trong điều khiển công đúng hơn là một transistor không có cực nền suất nhỏ, dao động thư giãn. 11:33 AM 77 11:33 AM 78 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC 5. MỘ MỘ T S SỐ Ố LINH KIỆ KIỆN KHÁC o DIAC (Diode AC) o DIAC (Diode AC) • Cách hoạt động như gồm có 2 SCR IA Đặc tuyến DIAC (n1p1n2p2 và n3p2n2p1) nhưng không có cổng kích G IBR • VBR = 28V ÷ 40V -VBR -IBR VBR VA1A2 • IBR = IH = vài trăm µA • DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc đối đầu 11:33 AM 79 11:33 AM 80 20
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí
65 tài liệu
2431 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
7=>1