Chương 4: Oxy hoá
PGS.TS Nguyễn Công Tú
Học kỳ 20231
1
Vai trò của lớp SiO2 trong công nghệ vi điện tử
•SiO2 đóng vai trò vật liệu cách điện giữa
các linh kiện tích cực, vật liệu bảo vệ;
•Vật liệu cách điện trong các linh kiện
tích cực MOSFET;
•SiO2 là một trong những nguyên nhân
chính để silic trở thành vật liệu chủ yếu
trong công nghệ vi điện tử - phần lớn
các chất bán dẫn khác không tạo được
oxit với chất lượng đủ cao để có thể sử
dụng trong chế tạo linh kiện;
•Có nhiều phương pháp tạo lớp oxit
SiO2: phún xạ từ bia SiO2, bốc bay phản
ứng và oxi hoá nhiệt;
•Phương pháp oxi hoá nhiệt cho lớp oxit
có ít khuyết tật nhất trong khối và ở lớp
phân biên SiO2-Si;
2
https://todayscircuits.wordpress.com/2011/06/19/e
mosfet-enhancement-mosfet/
Tính chất của SiO2
3
Tính chất của SiO2
4
Nội dung
1. Mô hình oxy hoá Deal-Grove
2. Hệ số tốc độ tuyến tính và parabol
3. Chế độ oxy hoá ban đầu
4. Cấu trúc của SiO2
5. Đặc trưng oxit
6. Hiệu ứng tạp chất trong quá trình oxy hoá
7. Thiết bị oxy hoá
5