8/17/2018
1
Lợithếvềliềulượng bộthu chuẩntrựcbềmặt
mớigiấychứcnăng tungsten
trong liệu pháp điệntử
Mk T
1
HM
1
Yhh K
2
Mk
A
2
6th Annual Conference of Vietnam Association of Radiological Technologists
M
i
k
oto
T
amura
1
,
H
ajime
M
onzen
1
,
Y
os
h
i
h
iro
K
awai
2
,
M
ori
k
azu
A
mano
2
,
Kenji Matsumoto1, Masahiko Okumura3, Yasumasa Nishimura4
1.DepartmentofMedicalPhysics,GraduateSchoolofMedicalScience,Kindai University
2.DepartmentofRadiology,Fujieda MunicipalGenaral Hospital
3.DepartmentofRadiology,Kindai UniversityHospital
4.DepartmentofRadiationOncology,FacultyofMedicine,Kindai University
Kindai University
Giớithiệu
Áo chì bảovệkhỏi phóng xạ
Chiếuxạđịnh hình trong
Xạtrị
Chì là chấtliệuchechắn phóng xạtrong lĩnh vựcyhọcrấttốt
Kính chắn phóng xạ
Kindai University
1.Độchạiđốivớicơthểngười
2.Cảntrởquá trình làm việc
3.Ônhiễmmôitrường
Những bấtlợicủaChì Trong ngành công nghiệp,việc
sửdụng chì bịcấm
Trong ngành ytế,
Chì vẫnđượcsửdụng...
GiấyVonframđanăng là gì(TFP)?
Đặcđiểmcủagiấyvonframđanăng:
Độ dày =0.3mm
W:80wt%và Cellulose(C6H10O5):20wt%
Khảnăng che chắn phóng xạvà là giấy
chưabộtvonfram
Kindai University
1.Không hềđộchạivớicơthểngười
2.Dễdàng sửdụng trong quá trình làm việc
(cắt,gấp,và dán vào các vậtliệukhác)
3.Thân thiệnmôitrường nhờtái tạođược
H.Monzen etal.JAppl Clin MedPhys18,325‐329,2017
Mụcđích
Mộtcuộcđiềutravềđặcđiểm củaliềutia vớibềmặtchuẩn
trựcTFPmới
Kindai University
Liệu pháp điệntử
0
20
40
60
80
100
120
Liềutương đối(%)
Máy phát Electron
6MVX‐ray
6MeVElectron
Đối
tượng
Hồsơliềusâu Hồsơliềubên
Target Thựctế
“Drop‐off”
Lý tưởng
“Liềuthiếu”
“Liềudư”
90
Kindai University
0246
Chiềusâu(cm)
→Khu vựcchiếuxạ‐60 ‐30 0 30 60
Liềubềmặt cao cùng với vùng baophủsâu và Sharppenumbra ・・・ Tuyệtvời!!
Đoliều phim
Đường Isodose https://allabout.co.jp/gm/gc/382574/
”Ungthưbềngoài”ví dụnhưung thưxương và ung thưda,..vv
Sq cellca MelanomaBasalcellca
Hồsơliềusâu
Hồsơliềubên
Hồsơliềubên
Hồsơliềusâu
Chuẩnbịvà Phương pháp (theo hình học)
Máy phát Electron
(10×10cm2)
SSD:
100cm
TiaElectronliều4và 6MeV
Máy phát Electron
(10×10cm2)
SSD:
100cm
TiaElectronliều4và 6MeV
Phương pháp thông thường Novelmethod
Linac:Infinity(Elekta AB) Linac:Infinity(Elekta AB)
Kindai University
Chuẩntrực
bằng chì
Phantom
Chuẩntrựcbằng
vonfram
(Độ dày =1.0cm)
6cmφ
6cmφ
Phantom
8/17/2018
2
Chuẩnbịvà Phương pháp (Đolường)
SSD:
100cm
TiaElectronliều4và 6MeV
Hồsơliềubên
200MU
SSD:
100cm
TiaElectronliều4và 6MeV
%liềusâu
200MU
1.Liềubềmặt,độ sâu tốiđa
(dmax),90%(d90),và 50%liều(d50)
20 0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
Đườn
con
g
dmax
d90
d50
Đặcđiểmliềulượng
Kindai University
TFP 6cmφ
Nướccất
Chì
Phim EBT3
(AshlandISP )
TFP 6cmφ
Nước
Chì
Máy dò kim cương;
TM60019(PTW)
2.Vùng nửatối(P80‐20)atd90
0.0
20
.
0
0 10203040
g
PDD
0.0%
20.0%
40.0%
60.0%
80.0%
100.0%
120.0%
‐60 ‐40 ‐20 0 20 40 60
Hồsơliềubên
P80‐20
Kếtquảvà Bàn luận(PDD)
100
80
60
40
PDD(%)
100
80
60
40
PDD(%)
Chì
TFP
Chì
TFP
4MeV 6MeV
Kindai University
(
)
010 20 30 40
Độ sâu (mm)
20
0020 40 60
Độ sâu (mm)
20
0
Chì
dmax:9.0mm
d90:12.0mm
d50:16.2mm
TFP
dmax:8.0mm
d90:11.0mm
d50:16.2mm
Chì
dmax:14.0mm
d90:19.8mm
d50:25.6mm
TFP
dmax:13.0mm
d90:18.9mm
d50:25.4mm
So vớiChuẩntrựcbằng chì thông thường, Chuẩntrựcbằng TFP tạoraliềubềmặtcaohơn
nhưng lạigầnnhưbằng nhau ởvùng cân bằng hạt
Kếtquảvà Bàn luận(Hồsơliềubêntạid90)
40
0%
60.0%
80.0%
100.0%
%
R elative dose
4 MeV Lead
4 MeV TFP
100
80
60
40
u
tương đối(%)
Chì
TFP
40
0%
60.0%
80.0%
100.0%
Relative dose
6 MeV Lead
6 MeV TFP
100
80
60
40
u
tương đối(%)
Chì
TFP
4MeV 6MeV
P80‐20
Chì:15.0mm
TFP:9.6mm
P80‐20
Chì:16.4mm
TFP:13.0mm
Kindai University
0.0%
20.0%
40
.
0%
-60 -40 -20 0 20 40 60
Lateral position (mm)
40
20
0
Liề
u
0.0%
20.0%
40
.
0%
-60 -40 -20 0 20 40 60
Lateral position (mm)
Vịtriphía bên (mm)
‐20 060
‐60 ‐40 20 40
40
20
0
Liề
u
Vịtriphía bên (mm)
‐20 060
‐60 ‐40 20 40
Những vùng đượcchechắncủaChuẩntrựcTFPđođượcthấphơn5.4 mm và 3.4 mm so với
Chuẩntrựcchìởtia 4 and 6 MeV tương ứng
Kếtquảvà Bàn luận(Phân bốliều2D)
Volume>90%liều
×2.01
Volume>90%liều
ChuẩntrựcTFPtrên bềmặt
Chuẩn
trực
TFP
trên
bề
mặt
Chuẩntrựcchì
Chuẩntrựcchì
Kindai University
Dung tích đượcxửlý (>90% liều) vớiChuẩntrựcTFPtăng gấp2lầnhoặchơnso với
Chuẩntrựcchì
×2.39
Volume>90%liềuVolume>90%liều
Chuẩn
trực
TFP
trên
bề
mặt
Kếtluận
ChuẩntrựccóbềmặtTFPcó thểcung cấpsựphân chia liềumột
cách tuyệtvờinhưlà Liều bềmặtcao không bolus và sharp
penumbra so với chuẩntrựcbằng Chì thông thường
Kindai University
Thửthách củaTFP trong Lâm sàng
Giảmphơi nhiễmchocácysĩtrong bứcxạcanthiệp(IR)
Phát triểnlớplótbảovệbứcxạmới
‐Bảovệxung quanh Chobệnh nhân
chiếuxạvùng tiềnliệttuyến
‐GIảmphơi nhiễmbởtia Xthứtừ
M.Inadaetal.JRadiat Res59,333‐337,2018
Kindai University
Liệu pháp lướiElectron
v.s
.
bệnh nhân
‐Phương pháp chiếuxạmớithay thếcho
phương pháp chiếuxạthông thường
H.Monzen etal.JAppl Clin MedPhys18,215‐220,2017
M.Tamu r a etal.PhysMedBiol 62,878‐889,2017
8/17/2018
3
Cảmơnđãdànhthờigian!
Kindai University
Dịch bởisv.Trần QuangBách