BÁO CÁO TH C HÀNH V T LÝ CH T R N
Bài 3. KH O SÁT Đ NG Đ C TR NG VÔN-AMPE C A DIOT BÁN D N ƯỜ Ư
Nhóm: 2
Nh ng ng i cùng nhóm: ườ Tr nh Th Lan Hoa L p: TN 58 – V t lý
Nguy n Chí Hi n ế
Nguy n Th Sinh ư
Ngày th c hành: 14 tháng 10 năm 2011
I. Tóm t t n i dung:
Mô t v n t t các n i dung thí nghi m:
- Thay đ i con ch y c a bi n tr , đ thay đ i đi n áp đ t vào đi t, đo I ch y quahi u đi n ế
th 2 đ u đi t.ế
- Thay đ i nhi t đ c a đi t (đun nóng ), ti n hành làm thí nghi m t ng t ta v đ c đ th ế ươ ượ
V-A t i các nhi t đ khác nhau, cho bi t đ c s ph thu c vào nhi t đ c a đi t. ế ượ
(Ti n hành v i 2 cách m c đi t: đ đo dòng thu n và đo dòng ng c.)ế ượ
II. K t qu :ế
1. Mô t s l c v đi u ki n th c hi n các phép đo: ơ ượ
Dòng đi n ch y qua điot có giá tr nh h n 200 (mA) ơ
Điôt đ c đ t trong m t bình n c đ đi u ch nh nhi t đ .ượ ướ
2. Trình bày k t qu thu đ c qua phép đo (d ng b ng bi u, đ th ,…)ế ượ
Bài th cnh này ta ch v đ ng đ c tr ng V-A khi phân c c thu n, không kh o sát tr ng ườ ư ườ
h p phân c c ng c ượ
t0C = tp = 290C
I(mA) 0,32 1,00 1,60 2,14 2,55 3,04
U(V) 0,36 0,44 0,47 0,50 0,52 0,54
t0C = 500C
I(mA) 2,52 3,02 3,18 3,29 3,64
U(V) 0,47 0,48 0,49 0,49 0,50
t0C = 570C
I(mA) 1,41 2,51 3,15 3,55 3,83 4,27
U(V) 0,40 0,45 0,47 0,48 0,49 0,50
t0C = 640C
I(mA) 1,41 2,89 3,49 4,00 4,50 5,07
U(V) 0,39 0,45 0,47 0,48 0,49 0,50
t0C = 700C
I(mA) 2,08 2,87 3,32 3,73 4,50 5,44
U(V) 0,41 0,44 0,46 0,47 0,48 0,49
t0C = 820C
I(mA) 1,96 3,06 3,50 3,96 4,85 5,37
U(V) 0,38 0,42 0,43 0,45 0,46 0,47
3. Nêu rõ nh ng bi n c khách quan và ch quan x y ra trong quá trình đo làm nh h ng đ n ế ưở ế
phép đo:
a. Bi n c khách quan:ế
b. Bi n c ch quan:ế
III. Th o lu n k t qu : ế
1. Gi i thích n i dung k t qu đo, bi n lu n đ lo i b các k t qu nghi ng : ế ế
2. So sánh k t qu th c nghi m v i lý thuy t:ế ế
3. Gi i thích s khác nhau (n u có) gi a k t qu th c nghi m so v i lý thuy t ho c so v i k t ế ế ế ế
qu đo đ c c a ng i khác: ượ ườ
IV. K t lu n:ế
1. S d ng ph n m n Origin v các đ ng đ c tr ng V-A t ng ng v i các nhi t đ khác ườ ư ươ
nhau.
t1 = 290C t2 = 500C
t3 = 570C t4 = 640C
t5 = 700C t6 = 820C
2. T các đ c tr ng V-A ta suy ra đ c các giá tr I ư ượ 0 ng v i m i nhi t đ
t1 = 290C: I01 = 0.01351 mA
t2 = 500C: I02 = 0.01252 mA
t3 = 570C: I03 = 0.01192 mA
t4 = 640C: I04 = 0.01180 mA
t5 = 700C: I05 = 0.00944 mA
t6 = 820C: I06 = 0.00886 mA
3. V đ ng cong s ph thu c c a I ườ 0 vào nhi t đ
V. Tr l i câu h i:
1. Đ nh nghĩa bán d n tinh khi t, bán d n lo i n và bán d n lo i p: ế
Bán d n là các ch t có vùng hóa tr b l p đ y và vùng d n hoàn toàn tr ng, b r ng d i c m
vào c Eg≤3(eV).
nhi t đ th p, n d n d n đi n kém nh đi n môi, khi ng nhi t đ thì đi n tr su t ư
gi m m nh theom e mũ và d n đi n v i 2 lo i h t t i là : electron và l tr ng.
Bán d n tinh khi t: là ch t bán d n không có l n các t p ch t. Các t p ch t có th ế
các nguyên t hay ion c a các nguyên t l , ho c cũng có th là nh ng sai h ng khác nhau trong
m ng tinh th nh : các nút tr ng, các xê d ch do tinh th bi n d ng, các ch n t,… ư ế
Bán d n lo i n: là ch t bán d n đ c pha thêm m t l ng nh t p ch t mà m i ượ ượ
nguyên t c a nó có th cung c p các electron t do khi đ c kích thích. ượ
Ví d : Xét tr ng h p tinh th Si có pha m t l ng nh t p ch t c a nguyên t nhóm V:ườ ượ
Nguyên t t p ch t thay ch cho nguyên t Si, góp chung 4 electron v i 4 nguyên t Si
xung quanh, còn th a 1 electron hóa tr liên k t r t y u v i nguyên t t p ch t => nhi t đ r t ế ế
th p electron này đã b t kh i nguyên t t p ch t -> electron t do. nút m ng còn l i m t ion
d ng.ươ
Nguyên t t p ch t kh năng cung c p electron g i nguyên t đôno. S t o thành
electron d n t nguyên t t p ch t không kèm theo s t o thành l tr ng.
T > 0 v n x y ra quá trình d n đi n riêng => electron là h t mang đi n đa s , l tr ng là h t
m ng đi n thi u s => g i là bán d n lo i n.
Trên bi u đ ng l ng c a bán d n lo i n, trong vùng c m có m c ng l ng đôno r t ượ ượ
g n đáy vùng d n, cách đáy vùng d n m t kho ng E d.
Khi hình thành liên k t, electron còn d n m m c đônoế ư
Bán d n lo i p: là ch t bán d n đ c pha thêm m t l ng nh t p ch t mà m i ượ ượ
nguyên t c a nó có th d dàng nh n m t electron m t m i liên k t g n nó trong tinh th khi ế
kích thích.
Ví d : Xét tr ng h p tinh th Si có pha m t l ng nh t p ch t c a nguyên t nhóm III:ườ ượ
Nguyên t t p ch t thay th cho nguyên t Si trong m ng tinh th , liên k t v 4 nguyên t Si ế ế
xung quanh => còn thi u 1 electron => nó d dàng nh n 1 electron m i liên k t g n đó làm xu t ế ế
hi n l tr ng m i liên k t này. ế
Nguyên t t p ch t đã nh n electron, tr thành ion âm => ta g i nó là nguyên t axepto. Vi c
t o thành l tr ng do s m t c a nguyên t t p ch t gây nên không kèm theo s hình thành
electron d n.
T > 0 còn s d n đi n riêng => m t đ l tr ng l n h n m t đ electron d n => g i ơ
bán d n lo i p.
Trên bi u đ năng l ng c a bán d n lo i p, trong vùng c m m c năng l ng axepto ượ ượ
r t g n đ nh vùng hóa tr , cách vùng hóa t m t kho ng E a.
Khi electron chuy n lên m c axepto thì trong vùng hóa tr xu t hi n l tr ng.
2. Gi i thích s hình thành đi n tr ng ti p xúc: ườ ế
Gi s m t thanh bán d n mà b ng cách đ a t p ch t vào, ng i ta làm cho m t n a c a ư ườ
nó là bán d n lo i n, n a kia là bán d n lo i p.
Gi a hai lo i bán d n này có hình thành m t l p phân cách có tính ch t đ c bi t, g i là l p
ti p xúc p-nế
Khi hai lo i bán d n p n ti p xúc nhau thì s khu ch tán các h t t i đi n. Các h t ế ế
t i đi n thu c c hai lo i (electron l tr ng) t ph n bán d n lo i n khu ch tán sang ph n bán ế
d n lo i p và ng c l i. Tuy nhiên, dòng khu ch tán ch y u đ c t o b i các h t t i đi n c b n. ượ ế ế ượ ơ
C th là, các electron t ph n bán d n lo i n khu ch n sang ph n n d n lo i p các l tr ng ế
t ph n bán d n lo i p khu ch tán sang ph n bán d n lo i n. k t qu là, ph n bán d n lo i n tích ế ế
đi n d ng còn ph n bán d n lo i p tích đi n âm. l p phân cách gi a hai lo i n d n hình thành ươ
m t đi n tr ng E’ h ng t ph n n sang ph n p. Đi n tr ng này ngăn c n s khu ch tán c a các ườ ướ ườ ế
h t t i đi n c b n. Khi c ng đ đi n tr ng E’ đ t đ n m t giá tr nào đó, xác đ nh, thì s ơ ườ ườ ế
khu ch tán đ t tr ng thái cân b ng đ ng.ế
3. Xây d ng và gi i thích công th c, d ng đ ng đ c tr ng Vôn-Ampe c a l p chuy n ti p p-n: ườ ư ế
G i: pp m t đ l tr ng phía bên bán d n p.
pn là m t đ l tr ng phía bênn d n n.
Ta có s liên h sau: p n = pp.