182
Tp chí phân tích Hóa, Lý và Sinh hc - Tp 30, s 2A/2024
CH TO COMPOSITE Si/GRAPHENE/SUPER-P NG DNG LÀM
VT LIU ANOT CHO PIN SC LI-ION PHÓNG-SC NHANH
Đến tòa son 15-05-2024
Phm Th Năm1, Nguyn Ngọc Đang2,3, Nguyn Hoàng Anh2,3, Nguyn Th Thơm1,
Trn Nguyn Hà Trang2,3, Nguyn Th Thu Trang1, Nguyễn Thu Phương1,
Hunh Lê Thanh Nguyên2,3, Lê Viết Hi2,3, Nguyn Thái Hoàng2,3, Trần Đại Lâm1,
Đinh Thị Mai Thanh1,4*
1Vin K thut nhiệt đới, Vin Hàn lâm Khoa hc và Công ngh Vit Nam
2Đại hc Quc gia Thành ph H Chí Minh
3Đại hc Khoa hc T nhiên, Thành ph H Chí Minh
4Trường Đại hc Khoa hc và Công ngh Hà Ni,
Vin Hàn lâm Khoa hc và Công ngh Vit Nam
*Email: dtmthanh@usth.edu.vn
SUMMARY
SYNTHESIS OF Si/GRAPHENE/SUPER-P COMPOSITE APPLIED TO
ANODE MATERIALS FOR FAST CHARGE-DISCHARGE FOR LI-ION
BATTERIES
Lithium-ion batteries (LIBs), characterized by high capacity, extended lifespan, and environmental
friendliness, have emerged as a leading choice in energy storage technology. However, silicon (Si) as an
anode material presents significant challenges due to excessive volumetric expansion during charge and
discharge cycles, leading to structural damage and performance degradation. In this study, we investigated
and successfully synthesized a Si/Super P: graphene composite material using a ball milling technique to
examine the impact of carbon content ratios on the stability and specific capacity of the material.
Experimental results indicated that the Si/30% Super P: 50% graphene composite demonstrated the highest
electrochemical performance (initial specific capacity of 1500 mAh.g-1), maintaining stable specific capacity
(Coulombic efficiency > 90%) after 100 cycles and capable of fast charge-discharge at high current rates
(10C). The study underscores the importance of integrating conductive Super P carbon with graphene,
which forms a conductive network enhancing Li+ transport and reducing internal resistance during charging
and discharging. The Si/C (graphene and Super P carbon) composite material, with the combination of
Super P carbon and graphene, not only provides an effective solution to mitigate Si volumetric expansion
but also extends the application potential of Si in commercial anode materials for LIBs, promising a
breakthrough in modern battery technology.
Keywords: anode materials, composite Si/C, carbon super P, graphene
1 M ĐẦU
c-quy lithium-ion (Lithium-ion batteries
- LIBs) mt loi pin sạc được s dng
rng rãi trong các thiết b đin t như điện
thoại di động, máy tính xách tay, các
phương tiện điện [1-3]. Được phát trin
183
thương mại hóa vào đầu những năm
1990, c-quy lithium-ion ni bt nh dung
ợng năng lượng cao, hiu sut tt
tui th dài so vi các loi pin khác.
Vt liệu anode thông thường bao gm
than chì, các hp cht cha silic, hoc các
hp cht kim loi khác [4-5]. Ban đầu,
kim loại Li được s dng làm anode cho
pin do dung lượng riêng cao, nhưng gp
hn chế ln do s phát trin của các “gai”
lithium (lithium dendrite)[6]. Graphite
được ng dng rộng rãi hơn nhờ kh năng
duy trì điện áp không đổi trong quá trình
phóng điện. Các vt liệu điện cc khác
như oxit kim loi (cobalt oxide, copper
oxide, v.v.) [7-9], các hp kim vi Li [10-
13], vt liệu silic cũng đang đưc
nghiên cu phát trin. Silicon đã thu
hút được s chú ý đáng kể như một vt
lium cc dương thay thế do dung lượng
thuyết đặc bit cao (~4200 mAh/g), tui
th i pin thương mại kh ng chi
phí thp so vi than chì [14].
Trong i thp k qua, nhiu loi vt liu
tng hợp silicon đã được nghiên cu, bao
gm các vt liu tng hp silicon/carbon
(Si/C) như ng nano Si/graphene
Si/carbon [15-17]. Nhng vt liu tng
hợp này đã được chng minh hiu
qu trong vic cung cp mạng lưới bo v,
dn điện hiu qu n cho silicon. Lớp
ph carbon giúp ci thiện độ dẫn điện
hn chế s thay đổi th tích ca silicon khi
phóng sc [18-19]. Hơn na, lp ph
carbon cung cp mt b mt ổn định cho
s hình thành xen k chất điện phân rn
(SEI), do đó ổn định lp SEI c chế s
phát trin SEI liên tc. Du và cng s tng
hp vt liu composite Si/graphene vi
dung lượng lý thuyết 1750 mAh/g tốc độ
dòng 100 mA/g. Vt liu composite này
duy trì dung lượng riêng 1374 mAh/g sau
120 chu k phóng sc [20].
Trong nghiên cứu y, chúng tôi đã thành
công trong vic tng hp vt liu
composite Si/C bng cách kết hp carbon
super P graphene thông qua phương
pháp nghiền bi đơn giản. Vic thêm
graphene vào vt liệu composite giúp tăng
ờng độ dẫn điện, t đó kết ni các
mng Si/super P ci thin tính dẫn điện
tng th. Carbon super P đóng vai trò như
mt lp ph bo v, gim thiu ảnh hưởng
ca s giãn n th tích đối vi các ht
nano Si.
2 THC NGHIM
2.1 Hóa cht
Ht nano silicon (Si) t Sigma Aldrich,
carbon Super P (super P) (mu EQ-Lib-
SuperP, được sn xut bi MTI, Hoa K),
graphene (kích thước 0,5 đến 5 µm),
cùng vi carboxymethyl cellulose (CMC),
tt c đưc cung cp bi tập đoàn MTI.
Đối vi các a cht h trợ, màng ngăn
thu tinh Whatman lithium
hexafluorophosphate (LiPF6, độ tinh khiết
99,99%), ethylene carbonate (EC, độ
tinh khiết 99%) diethyl carbonate
(DEC, khan, độ tinh khiết 99%) đều
được mua t Sigma-Aldrich. Ngoài ra,
acetone với độ tinh khiết 99,5% cũng
được s dng trong quá trình nghiên cu,
được cung cp bi Sigma Aldrich.
2.2 Các bước tiến hành
Trong nghiên cứu y, chúng tôi đã tổng
hp các vt liu composite C1, C2, C3
s dng k thut nghiền bi đa hướng. Ban
đầu, ht nano silicon (Si) vi t l khi
ợng 20% kích thưc khong 100
nm được kết hp vi carbon super P
graphene, chiếm 80% t l khối lượng,
da theo các t l c th được trình bày
trong Bảng 1. Quá trình nghiền được thc
hin vi t l khối lượng gia viên bi
vt liu 20:1, ti tốc độ quay 500
vòng/phút. Toàn b quy trình nghin kéo
dài trong 30 gi, t đó tạo ra hn hp ca
các mu vt liu composite C1, C2,
C3. K thuật này đm bo s phân tán
đều các ht nano Si, Carbon Super P,
184
Graphene, ha hn tối ưu hóa tính cht
vt và hóa hc ca vt liu composite
cui cùng.
Bảng 1. T l khối lượng ca các ht nano
Si:super P:graphene.
Tên mu
Si
Graphene
Super P
C1
20%
10%
70%
C2
20%
20%
60%
C3
20%
30%
50%
Trong phn nghiên cu v chế to vt liu
điện cc âm, cht kết dính carboxymethyl
cellulose (CMC) vi nồng đ 10 mg/mL
đã được hòa tan trong dung môi nước ct.
Tiếp theo, mt hn hp bao gm
silicon/carbon (Si/C), carbon Super P,
CMC được phi trn theo t l khối lượng
80:10:10 để to ra mt hn hp sệt đồng
nht. Hn hp y sau đó được áp dng
lên b mặt màng đồng với độ dày 10 µm
bng doctor blade, quá trình sy được
thc hin nhiệt độ 80 °C trong 30 phút,
tiếp theo sấy trong môi trường chân
không trong 5 gi.
c tấm đin cực sau đó được ct thành
hình tròn với đường kính 10 mm. Pin
lithium-ion dng cúc áo coin-cell (Hình 1)
được lp ráp, với kích thước đường kính
20 mm chiu cao 3,2 mm. Tm lithium
kim loại, được s dụng làm điện cực đối,
đường kính 12 mm được ngăn cách
với điện cc âm bởi màng ngăn thủy tinh
Whatman, dung dịch điện ly thương
mi LiPF6 1 M trong hn hp dung môi
ethylene carbonate:dimethyl
carbonate:diethyl carbonate
(EC:DMC:DEC) theo t l 1:1:1. Quá
trình lắp ráp pin được thc hin trong t
thao tác glovebox dưới môi trường khí
argon để loi tr ảnh ng ca khí oxy
hơi nước. Pin sau đó được ổn định
trong 24 gi trước khi tiến hành các phép
đo đin hóa. Quy trình này nhằm đảm bo
tính chính xác đ tin cy ca kết qu
nghiên cu v hiu suất điện hóa ca vt
liệu điện cc âm.
Hnh 1. Mô hình lp pin Coin-cell
2.3 Các phương pháp phân tích cu
trúc, hình thái tính chất điện hóa
ca vt liu
Đặc tính b mt ca vt liu: Cu trúc tinh
th ca các mẫu C1, C2 C3 được kho
sát bằng phương pháp nhiễu x tia X
(XRD) vi y D8-ADVANCED
(Brucker). Bên cạnh đó, phương pháp
kính hiển vi đin t quét (SEM) hình
SU 8010 (Hitachi, Nht Bản) được s
dụng để quan sát b mt, hình dng ca
các mu.
Tính chất điện hóa: phép đo tng tr điện
hóa (EIS) thc hin vùng tn s t 105
Hz đến 0,1 Hz với biên độ kích thích là 10
mV. Phương pháp đo quét thế vòng tun
hoàn (CV) được thc hin trong vùng thế
t 0,01-2,5 V (vs. Li/Li+) ti tốc đ quét
0,1 mV/s. Cuối cùng là phép đo phóng sạc
dòng c định (GCD) nhằm đánh giá hiệu
suất điện hóa ca vt liu.
3 KT QU VÀ BIN LUN
Trong nghiên cu này, vic phân tích cu
trúc tinh th ca vt liu composite Si/C
đã được thc hin thông qua k thut
nhiu x tia X (XRD) (Hình 2). D liu
ph XRD ca nano silicon (Si), carbon
super P, graphene, vt liu composite
Si/C được trình bày trong hình 1, t đó
tiết l các đỉnh nhiu x đặc trưng tại các
góc quét 28,4°, 47,3°, 56,1°, 69,1°.
Các góc này tương ứng vi mt mng tinh
th (111), (220), (311), (400), điều này
phù hp vi cu trúc tinh th ca ht nano
Si và mu Si tham chiếu, ICSD-00-
027-1402. Phát hin y chng minh rng
185
không s thay đổi v thành phn pha
ca vt liu composite trong quá trình
tng hp bằng phương pháp nghiền bi.
Hơn nữa, s xut hin của các đỉnh nhiu
x sắc nét, độ tinh th hóa cao đường
nn phng trong ph XRD chng t độ
tinh khiết không s hin din ca
pha tp trong vt liệu. Đặc bit, ti góc
quét khong 27°, s xut hin của đỉnh
nhiu x ng vi mt mng tinh th (002)
của graphene. Trong khi đó, carbon Super
P trong trạng thái định hình không th
hiện đỉnh nhiu x c th nào. Tng hp
li, các kết qu nhiu x tia X khẳng định
rng cu trúc tinh th ca vt liu
composite được bo toàn sau quá trình
tng hợp, điều này cung cp thông tin
quan trng v tính cht vt liệu sở
cho vic ng dng trong các ng dụng lưu
tr năng lượng.
Qua quan sát bng kính hiển vi điện t
quét (SEM) được th hin trong Hình 3,
hình thái s phân b ca vt liu tng
hợp Si/super P: graphene đã đưc nghiên
cu chi tiết. Phân ch SEM cho thy các
hạt nano silicon (Si) kích thước trung
bình nm trong khong t 50 đến 200 nm.
Các mu vt liu composite th hin hình
dng hình thái hạt không đồng đu,
mt hiện tượng ph biến do ảnh hưởng
ca quá trình nghin. Trong khi đó,
carbon super P xut hin kích thước vi
mô. Đặc bit, quan sát t SEM cho thy
s phân tán khá đồng đều ca ht nano Si
trong mạng carbon định hình, như thể
hin mu C1 và C3. S phân tán này to
điều kin thun li cho quá trình vn
chuyn điện tích trong vt liu, ci thin
tính chất điện hóa. Ngoài ra, mu C2,
SEM t s kết t ca ht Si trong môi
trường carbon, mt hiện tượng ch ra s
khác bit trong cu trúc vt liu gia các
mu. Nhng phát hin y không ch
cung cp thông tin quan trng v hình thái
vt liệu còn đóng góp vào vic hiu
biết sâu hơn về chế ảnh hưởng đến
hiu suất điện hóa ca vt liu tng hp
Si/super P: graphene.
Hnh 2. Giản đồ nhiu x tia X ca các vt liu
Super P, Graphene, Si/SuperP:Graphene (C1-C3).
Ph tng tr điện hóa được thc hin
vùng tn s t 105 Hz đến 0,1 Hz vi biên
độ kích thích 10 mV được trình bày
Hình 4a vi ba vt liu composite
Si/super P: graphene. vùng tn s cao,
cung tròn đặc trưng cho điện tr ca quá
trình chuyển đin tích s hình thành
lp solid eletrolyte interphase (SEI) ti
giao din ca vt liệu điện cc âm
dung dịch điện ly. vùng tn s thp,
đường thng vi góc 45o đặc trưng cho s
khuếch tán ion Li+ trong vt liu cc âm.
Kết qu ph tng tr cho thy, ti vùng
tn s cao, cung tròn chuyển điện tích ca
vt liệu composite Si/C tăng dần khi hàm
ng carbon dn super P càng cao. Điều
này được gii thích do s hình thành
lp SEI ổn định trong quá trình phóng sc
s tiếp xúc dày đc gia carbon vi
các ht Si, cn tr quá trình vn chuyn
điện ch, dẫn đến đin tr ca vt liu
composite tăng lên. Ngoài ra, tr kháng
giảm đáng kể t vt liệu C1 đến C3 khi
hàm lượng graphene vt liệu tăng lên, sự
ci thiện độ dn do carbon super P
cu ni giúp s liên kết ca các mng vt
liu Si/super P tốt hơn, tạo điều kin
thun li cho s di chuyn ca các ion.
Tóm li, kết qu EIS cho thy vic b
sung carbon dẫn Super P, đã cải thin hiu
186
suất điện hóa ca cc âm Si/C bng cách
tăng cường kh năng vận chuyn ion Li+
giảm điện tr liên quan đến quá trình
chuyển điện tích.
Hnh 3. nh SEM ca các vt liu C1 (a-b), C2(c-
d) và C3 (e-f).
Để kho sát vùng thế hoạt động các
phn ng oxy a-kh xy ra trong quá
trình áp điện, phương pháp quét thế vòng
tuần hoàn (cyclic voltammetry) đưc thc
hin vi tốc độ quét là 0,1 mV/s trong
vùng thế 0,01-2,5 V (so vi Li/Li+) (Hình
4b). Đồ th CV ca các vt liu composite
xut hiện các đỉnh oxy hóa kh ca vt
liu Si/C trong vùng thế t 0,01-0,5 V. Ti
vùng thế 0,3-0,50 V (so vi Li/Li+) xut
hiện mũi tín hiệu dc rng ng vi s
xut hin ca lp solid electrolyte
interphase (SEI), quá trình y din ra
không thun nghịch, đặc trưng cho quá
trình tiêu th ion Li+ không th phc
hồi. Hai mũi tín hiệu thế khong 0,01-
0,15 V tại vùng cathode đặc trưng cho s
kết hp gia Li Si to thành hp cht
LixSi. Ngoài ra, các đỉnh ti vùng thế
khong 0,30 V vùng anode tương ng
vi s phân hy ca pha LixS. Ti vùng
thế t 1,0 đến 2,5 V không xut hin tín
hiệu điện hóa nào, điều này chng t ti
khong thế t 1,0 đến 2,5 V không các
phn ứng đin hóa xảy ra, đây vùng thế
hoạt động an toàn ca vt liu.
Để kho sát kh năng điện hóa ca vt
liệu composite Si/C, phương pháp đo
phóng sc các tốc độ dòng khác nhau đã
được áp dng vi các tốc độ t 0,1C đến
10C trong vùng thế 0,01-3,0 V (Hình 4c),
tương ng vi vùng thế bn ca vt liu
đã được kho sát phương pháp CV. Kết
qu thu được t phương pháp phóng sạc
các tc độ dòng khác nhau cho thy mu
C3 th hiện dung lượng riêng trung bình
cao nht ti mật độ dòng 0,1C, đạt 1535
mAh.g-1, cao hơn so với mu C2 (1490
mAh.g-1) và mu C1 (1460 mAh.g-1).
Đáng chú ý, khi tăng mật đ dòng, dung
ng riêng ca vt liu gim dn. Tuy
nhiên, ti mật đ dòng cao nht 10C, c
ba mu vt liu vẫn duy trì được hiu sut
điện hóa tt với dung lượng riêng trung
bình gn 300 mAh/g. Khi gim mật độ
dòng tr v 0,1C, dung ng ca vt liu
Si/Super P:Gr nhanh chóng phc hi v
mc ban đu, minh chng cho kh năng
chịu đựng điều kin phóng sc dòng cao
ca vt liu này. Kết qu y chng minh
tiềm năng ng dng thc tế ca vt liu
Si/super P:graphene trong pin lithium-ion,
đặc bit nhn mnh vai trò quan trng ca
carbon, c th graphene, trong vic ci
thin hiu suất độ ổn định ca vt liu
điện cc composite Si/C.
S ổn định ca vt liu composite Si/C
trong quá trình phóng sạc đã được đánh
giá qua 100 chu k mật độ dòng 0,1C,
vi kết qu được trình bày trong Hình 4d.
Qua đánh giá, mu C3 th hin dung
ợng riêng trung bình vượt trội, đạt 1547
mAh.g-1, cao hơn so với mu C2 C1,
lần lượt 1479 mAh.g-1 1352 mAh.g-
1. Đồng thi, hiu sut coulombic (CE)
ca các mu vt liệu được bo toàn n
định trên 90%, điều này ch ra rng không
s suy giảm dung lượng đáng k sau
100 chu k phóng sc. Kết qu y khng