UED Journal of Social Sciences, Humanities & Education - ISSN: 1859 - 4603
TP CHÍ KHOA HC XÃ HI, NHÂN VĂN VÀ GIÁO DC
Tp chí Khoa hc Xã hi, Nhân văn & Giáo dc Tp 9, s 1 (2019), 9-12 | 9
a
Trường Đại hc Sư phm - Đại học Đà Nẵng
*
Tác gi liên h
Đinh Thanh Khn
Email: dtkhan@ued.udn.vn
Nhận bài:
25 11 2018
Chấp nhận đăng:
20 02 2019
http://jshe.ued.udn.vn/
NGHIÊN CU CU TRÚC VÀ TÍNH CHT QUANG CA VT LIU PHÁT
QUANG Zn2SiO4 PHA TP ION Mn2+
Mai Phước Đạta, Lê Vũ Thái Sơna, Nguyn Quý Tuna, Lê Văn Thanh Sơna, Đinh Thanh
Khna*
Tóm tt: Trong nghiên cu này, vt liu phát quang Zn2SiO4 pha tp ion Mn2+ đã được chế to bng
phương pháp phản ng pha rn. Cu trúc và tính cht quang của chúng được nghiên cu bằng phương
pháp nhiu x tia X (XRD) đo phổ phát quang (PL). Các kết qu XRD cho thấy kích thước tinh th
ca vt liu phát quang c vài trăm nanomet. Các kết qu XRD cũng ch ra s ảnh hưởng ca nồng độ
ion pha tp Mn2+ lên cu trúc tinh th ca vt liu nn Zn2SiO4, t đó làm thay đổi cường độ phát quang
ca vt liệu như thể hin trong các kết qu đo PL. Các kết qu trên có th đưc gii thích da trên s
chênh lch v kích thước ca ion pha tp Mn2+ ion Zn2+ trong vt liu nn hiện tượng dp tt
hunh quang do nồng độ.
Từ khóa: vật liệu phát quang; Zn2SiO4 pha tạp Mn2+; cấu trúc tinh thể; hằng số mạng; kích thước hạt.
1. Gii thiu
Các vt liu phát quang đã và đang đưc quan m
nghiên cu rt nhiu bic nhà khoa hc do kh năng
ng dng ca chúng trong nhiều lĩnh vực như laser,
dẫn sóng, kĩ thut chiếu sáng, hin thị, trang tĐc
biệt, trong kĩ thut chiếu sáng hin th, vt liu phát
quang đóng vai trò quan trng trong vic chế to c
loại đèn huỳnh quang, đèn LED, đó là các loi đèn
hiu sut cao, tiết kiệm năng ng và ít gây ra nguy
hại cho i tng.
Vt liu phát quang Zn2SiO4 pha tp Mn2+ đã được
quan tâm nghiên cu t rt sớm. Năm 1994, tác gi C.
Barthou và các cng s đã nghiên cứu s ảnh hưởng ca
nồng độ ion pha tp Mn2+ lên tính cht quang ca
Zn2SiO4 pha tp Mn2+ [1]. Sau đó cũng nhiu nghiên
cu v nhóm vt liu này [2-7]. Tuy nhiên, nhng
nghiên cu này ch yếu tp trung vào vic nghiên cu
công ngh chế to vt liu phát quang Zn2SiO4 pha tp
Mn2+ kho sát s ảnh ng ca nồng độ ion pha tp
Mn2+ lên tính cht quang ca vt liu này. Trong nghiên
cu này, nhóm tác gi kho sát những thay đổi trong
cu trúc tinh th và tính cht phát quang ca vt liu nn
Zn2SiO4 khi thay đổi nồng độ pha tp Mn2+ bng các
phương pháp đo nhiễu x tia X (XRD) đo phổ phát
quang (PL). T đó, nhóm tác giả nghiên cu mi liên h
gia cu trúc tinh th tính cht quang ca vt liu
phát quang Zn2SiO4 pha tp Mn2+ .
2. Thực nghiệm
c mẫu vật liệu Zn2SiO4 được chế tạo tcác tiền
chất ZnO, SiO2 và H3BO3. Oxit MnO2 được pha vào cùng
với các tiền chất với các thành phần phần trăm mol khác
nhau. Hỗn hợp được nghiền trộn đều trong i giờ
trước khi được nung nhiệt đ1200ºC trong 2 giờ. Các
mẫu vật liệu sau khi chế tạo được kí hiệu như Bng 1.
Bảng 1. Các mẫu vật liệu Zn2SiO4 pha tạp Mn2+ được
chế tạo
Kí hiu
% Mn2+
Kí hiu
% Mn2+
S1
0,5
S6
3,0
S2
1,0
S7
3,5
S3
1,5
S8
4,0
S4
2,0
S9
4,5
Mai Phước Đạt, Lê Vũ Thái Sơn, Nguyn Quý Tuấn, Lê Văn Thanh Sơn, Đinh Thanh Khn
10
2,5
Cấu trúc tinh thể tính chất phát quang của các
mẫu vật liệu được khảo sát thông qua các phép đo XRD
PL tại phòng thí nghiệm Khoa học Vật liệu của Khoa
Vật lí, Trường Đại học Sư phạm - Đại học Đà Nẵng.
3. Kết quả và thảo luận
Hình 1. Kết qu đo XRD của các vt liu Zn2SiO4
pha tp Mn2+
Các kết qu đo XRD ca các mu vt liu Zn2SiO4
pha tp Mn2+ đưc th hin Hình 1. Kết qu XRD cho
thy các vt liu đưc chế to đơn pha cu trúc
tinh th lục phương (có phổ XRD phù hp vi mu
chun PDF 00-001-1076 ca Zn2SiO4). Các hng s
mng ac ca Zn2SiO4 được xác định theo công thc:
2 2 2
2 2 2
14
3
hkl
h kh k l
d a c

++
=+



(1)
Trong đó,
hkl
d
khoảng cách giữa các mặt mạng
(hkl). T kết qu XRD Hình 1, các hng s mng a và
c ca các mu vt liu vi nồng đ pha tp Mn2+ khác
nhau đã được xác định được trình bày Hình 2. T
Hình 2, th nhn thy s thay đổi ca các hng s
mng ac theo nồng đ Mn2+ là ging nhau. Khi nng
độ Mn2+ tăng từ 0,5 đến khong 3,0%, các hng s
mng xu hướng tăng. Điều này cho thy trong
khong nồng độ pha tp này s thay thế ca Mn2+ cho
Zn2+ din ra mnh. Bi bán kính ion ca Mn2+ ln
hơn bán kính ion ca Zn2+ nên khong cách gia các
mt mng ca vt liu nn Zn2SiO4 s m rng [8].
Khi nồng đ Mn2+ t quá 3,5%, các hng s mng
xu hướng gim. Kết qu này cho thy khi nồng độ ion
Mn2+ tăng lên, một phn ln Mn2+ đưc pha tp không
th xen vào mng tinh th ca vt liu nn Zn2SiO4.
Hình 2. S ph thuc ca các hng s mng
vào nồng độ ion pha tp Mn2+
Ngoài ra, t kết qu XRD kích thước tinh th ca
các vt liệu phát quang cũng th được xác định da
vào phương pháp Williamson - Hall (W-H) [9,10]:
cos 4 sin
hkl k
D

=+


(2)
Trong đó,
hkl
độ bán rộng của đỉnh phổ,
1.5406Å
=
bước sóng tia X, D kích thước tinh
thể của vật liệu,
1k=
các hệ số tỉ lệ
độ biến
dạng của tinh thể. Hình 3 tả sự phụ thuộc của
cos
hkl

vào
sin
đối với mẫu S2. T kết quả thu
được ở Hình 3, kích thước tinh thể của mẫu S2 được xác
định vào khoảng 360 nm.
Hình 3. Phương pháp W-H xác định kích thước tinh thể
trong mẫu vật liệu S2
ISSN 1859 - 4603 - Tp chí Khoa hc Xã hi, Nhân văn & Giáo dc Tp 9, s 1 (2019), 9-12
11
Hình 4. Ph kích thích ca Mn2+ trong nn tinh th
Zn2SiO4 với bước sóng phát quang 520 nm
Để nghiên cu ảnh hưởng ca vic pha tp ion
Mn2+ lên tính cht phát quang ca các mu vt liu, ph
kích thích ph phát quang ca các vt liệu đã được
đo và kết qu đưc trình bày Hình 4 và 5. Hình 4 cho
thy ph kích thích ca vt liu Zn2SiO4 pha tp Mn2+
gm nhiều đỉnh tương đối hẹp, cường đ phát quang cao
nht ng với bước sóng kích thích khong 420 nm. Do
đó, trong nghiên cu này chúng tôi chọn bước sóng 420
nm để làm bước sóng kích thích. Hình 5 cho thy ph
phát quang ca Zn2SiO4 pha tp Mn2+ khi được kích
thước bởi ánh sáng bước sóng 420 nm một đám
rng với đỉnh ph tại bước sóng khong 520 nm, tương
ng vi chuyn di t 4T1(4G) 6A1(6S) [11].
Hình 5. Ph phát quang ca Mn2+ trong nn tinh th
Zn2SiO4 với bước sóng kích thích 420nm
Hình 6. S ph thuc của cường độ phát quang vào
nồng độ Mn2+
Hình 6 biu din s ph thuc của ờng độ phát
quang mnh nht ca các mu vt liu vào nồng độ pha
tp Mn2+. Dựa vào đ th ta thy s phát quang tt nht
ca Mn2+ trong nn Zn2SiO4 trong khong nng độ t
0,5% đến khong 2,5%. Khi nồng độ pha tp t 3,0%
tr đi sự phát quang có hiện tượng dp tt [11].
T các kết qu thu đưc Hình 2 Hình 6, chúng
ta th nhn thy khi nồng đ pha tp ca Mn2+ đưa
vào thp (< 2.5%), hng s mạng thay đi nhiu, s
chiếm ch ca Mn2+ din ra mạnh. Điều này dẫn đến
ờng độ phát quang ln trong khong nồng độ này.
Khi nồng độ Mn2+ > 3%, cu trúc mng ổn định hơn do
phn ln Mn2+ đưa vào không xen vào mạng tinh th
ca vt liu Zn2SiO4, dẫn đến kết qu ờng độ phát
quang giảm đến mt giá tr gần như không đổi.
4. Kết luận
Các vt liu phát quang Zn2SiO4 pha tp ion Mn2+
đã được chế to thành công bng phương pháp phản
ng pha rn. Cu trúc tinh th tính cht phát quang
của chúng đưc nghiên cu bằng phương pháp XRD
PL. Các kết qu đo XRD cho thấy kích thước tinh th
ca các vt liu phát quang c vài trăm nanomet. Ph
phát quang một đám rộng đặc trưng của ion Mn2+.
Kho sát s thay đổi ca cu trúc mạng cường độ
phát quang ca các vt liu theo nồng độ pha tp ion
Mn2+ cho thy s tương quan giữa cu trúc mng
ờng độ phát quang khi nồng độ ion Mn2+ thay đổi.
Kết qu này được gii thích da trên s chênh lch v
kích thước ca ion pha tp Mn2+ ion Zn2+ trong vt
liu nn và hiện tượng dp tt hunh quang do nồng độ.
C
ư
n
g
độ
(a.
u)
Mai Phước Đạt, Lê Vũ Thái Sơn, Nguyn Quý Tuấn, Lê Văn Thanh Sơn, Đinh Thanh Khn
12
Lời cảm ơn
Nghiên cứu này đươc thc hin vi s tr giúp tài
chính ca B Giáo dục Đào tạo thông qua đ tài cp
B, mã s KYTH-88.
Tài liu tham kho
[1] C. Barthou, J. Benoit, P. Benalloul, and A. Morell
(1994). Mn2+ Concentration Effect on the Optical
Properties of Zn2SiO4:Mn Phosphors. Journal of The
Electrochemical Society, 141, 524-528.
[2] T.H. Choa and H.J. Chang (2003). Preparation and
characterizations of Zn2SiO4:Mn green phosphors.
Ceramics International, 29, 611-618.
[3] R.P.S. Chakradhar, B.M. Nagabhushana, G.T.
Chandrappa, K.P. Ramesh, and J.L. Rao (2004).
Solution combustion derived nanocrystalline
Zn2SiO4: Mn phosphors: A spectroscopic view. The
Journal of Chemical Physics, 121, 10250-10259.
[4] Z.T. Kang, Y. Liu , B.K. Wagner, R. Gilstrap, M.
Liu, and C.J. Summers (2006). Luminescence
properties of Mn2+ doped Zn2SiO4 phosphor films
synthesized by combustion CVD. Journal of
Luminescence, 121, 595-600.
[5] Q. Lu, P. Wang, and J. Li (2011). Structure and
luminescence properties of Mn-doped Zn2SiO4
prepared with extracted mesoporous silica.
Materials Research Bulletin, 46, 791-795.
[6] K.W. Park, H.S. Lim, S.W. Park, G. Deressa, and J.S.
Kim (2015). Strong blue absorption of green
Zn2SiO4:Mn2+ phosphor by doping heavy Mn2+
concentrations. Chemical Physics Letters, 636, 141-145.
[7] B.C. Babu, B.V. Rao, M. Ravi, and S. Babu
(2017). Structural, microstructural, optical, and
dielectric properties of Mn2+: Willemite Zn2SiO4
nanocomposites obtained by a sol-gel method.
Journal of Molecular Structure, 1127, 6-14.
[8] S.C. Peter, K. Robert, and D.S Galusek (2016).
Photoluminescence of (ZnO)X-Z(SiO2)Y:(MnO)Z
green phosphors prepared by direct thermal
synthesis: The effect of ZnO/SiO2 ratio and Mn2+
concentration on luminescence. Ceramics
International, 15, 16852-16860.
[9] A.K. Zak, W.H.A. Majid, M.E. Abrishami, and R.
Yousefi (2011). X-ray analysis of ZnO nanoparticles
by WilliamsonHall and sizestrain plot methods.
Solid State Sciences, 13, 251-256.
[10] Y.T. Prabhu, K.V. Rao, V.S.S. Kumar, and B.S.
Kumari (2014). X-Ray Analysis by Williamson-Hall
and Size-Strain Plot Methods of ZnO Nanoparticles
with Fuel Variation. World Journal of Nano Science
and Engineering, 4, 21-28.
[11] M.C. Parmar, W.D. Zhuang, K.V.R. Murthy,
X.W. Huang, Y.S. Hu, and V. Natarajan (2009).
Role of SiO2 in Zn2SiO4: Mn2+ phosphor used in
optoelctronic materials. Indian Journal of
Engineering & Material science, 16, 185-187.
STUDY ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES
OF Zn2SiO4 DOPED WITH Mn2+
Abstract: In this study, luminescence materials Zn2SiO4 doped with Mn2+ were fabricated by using the solid state reaction
method. The structural and luminescence properties were investigated by using X-ray diffraction (XRD) and photoluminescence (PL)
measurements. XRD results show that the crystallite size of the materials is a few hundred nanometers. The results also show the
influence of Mn2+ concentration on the crystallite structure of Zn2SiO4, as a result, influencing the luminescence intensity of the
materials, as shown in PL results. The obtained results can be explained based on the difference in the size of ions Mn2+ and Zn2+
and the luminescence quenching phenomenon.
Key words: luminescence materials; Mn2+ doped Zn2SiO4; crystallite structure; lattice constants; crystallite size.