Hướng dẫn thí nghiệm dụng cụ linh kiện điện tử với EME-DEV - KS. Phạm Hưng Thịnh

(cid:87)(cid:101)(cid:98)(cid:115)(cid:105)(cid:116)(cid:101)(cid:58) (cid:104)(cid:116)(cid:116)(cid:112)(cid:58)(cid:47)(cid:47)(cid:100)(cid:101)(cid:101)(cid:98)(cid:46)(cid:100)(cid:105)(cid:101)(cid:110)(cid:116)(cid:117)(cid:118)(cid:110)(cid:46)(cid:99)(cid:111)(cid:109)

(cid:119)(cid:119)(cid:119)(cid:50)(cid:46)(cid:104)(cid:99)(cid:109)(cid:117)(cid:116)(cid:46)(cid:101)(cid:100)(cid:117)(cid:46)(cid:118)(cid:110)(cid:47)(cid:126)(cid:118)(cid:107)(cid:99)(cid:104)(cid:97)(cid:117)(cid:59)

(cid:69)(cid:109)(cid:97)(cid:105)(cid:108)(cid:58) (cid:99)(cid:111)(cid:110)(cid:116)(cid:97)(cid:99)(cid:116)(cid:64)(cid:100)(cid:105)(cid:101)(cid:110)(cid:116)(cid:117)(cid:118)(cid:110)(cid:46)(cid:99)(cid:111)(cid:109)

HƯỚNG DẪN THÍ NGHIỆM DỤNG CỤ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ VỚI EME-DEV Ks. Phạm Hưng Thịnh

(cid:71)(cid:73)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:85)

EME-DEV là bộ thí nghiệm được thiết kế để thực hiện các bài thí nghiệm tìm hiểu, khảo sát đặc tính, hoạt động và ứng dụng đơn giản của các linh kiện điện tử cơ bản. Với tài liệu hướng dẫn thí nghiệm này, sinh viên có thể thao tác trên bộ thí nghiệm và đo đạc các thông số cần thiết để khảo sát và hiểu rõ về đặc tính và hoạt động của các linh kiện. Tài liệu này bao gồm hai phần lớn:

Phần 1: Hướng dẫn chung về bộ thí nghiệm. Phần 2: Hướng dẫn chi tiết cách thực hiện các bài thí nghiệm. Mỗi bài thí nghiệm được tổ chức thành 5 phần như sau:

(cid:50)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Mục đích: phần này cho biết các kiến thức cần nắm được sau khi thí nghiệm. Sau mỗi bài thí nghiệm, cần xem lại mục đích để kiểm tra mức độ đạt được các yêu cầu thí nghiệm. Chuẩn bị trước khi vào thí nghiệm: người tham gia thí nghiệm cần chuẩn bị trước một số nội dung nêu trong mục này để đảm bảo quá trình thí nghiệm đạt được hiệu quả tốt. Phần thí nghiệm sẽ tập trung làm rõ các kiến thức được chuẩn bị trước. Cài đặt phần cứng: hướng dẫn các thao tác trên bộ thí nghiệm để cài đặt mạch cần khảo sát. Tiến hành thí nghiệm: phần này sẽ trình bày các nội dung thí nghiệm cụ thể. Người thí nghiệm cần tìm hiểu kỹ các vấn đề trong phần này. Gợi ý kiểm tra: mục này trình bày một số câu hỏi gợi ý để kiểm tra các kiến thức nhận được qua mục tiến hành thí nghiệm. Nội dung kiểm tra cụ thể có thể do giáo viên hướng dẫn thí nghiệm đề xuất trong buổi thí nghiệm.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

1

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:67)(cid:72)(cid:85)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:86)(cid:7872) (cid:66)(cid:7896)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)

Bộ thí nghiệm dụng cụ linh kiện điện tử bao gồm 2 thiết bị rời là bộ nguồn EME- PSG và bộ thí nghiệm EME-DEV.

1.1 SỬ DỤNG BỘ NGUỒN EME-PSG

Hình 1 Bộ nguồn thí nghiệm EME-PSG

(cid:51)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

EME-PSG tạo ra nguồn cung cấp và nguồn tín hiệu cho các mạch thí nghiệm. Sau khi cấp điện, nhấn công tắc ở góc phía trên bên phải để mở nguồn. EME-PSG được thiết kế thành 5 khối với chức năng cụ thể và có các nút điều chỉnh phù hợp để thay đổi điện áp, tầng số. Chú ý các điểm nối GND trong từng khối nguồn đã được nối với nhau. Các GND của các khối nguồn là độc lập nên có thể kết nối các khối nguồn để tạo nguồn có điện áp cao hơn.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

1.1.1 Khối AC/DC POWER

Hình 2 Khối nguồn AC/DC

Khối AC/DC cung cấp nguồn DC và AC 50Hz. 2 nguồn này có chung nút điều chỉnh biên độ ở các mức: 12V, 18V, 24V, 40V.

1.1.2 Khối nguồn DC cố định

Hình 3 Khối nguồn DC cố định Khối nguồn này được thiết kế gồm 4 nguồn DC cố định: ±5V, ±12V. Các điểm kết nối GND của 4 nguồn này được nối với nhau. Mỗi nguồn có 2 điểm kết nối VCC, 2 điểm kết nối này của tưng nguồn cũng được nối với nhau.

1.1.3 Khối nguồn DC thay đổi được

Hình 4 Khối nguồn DC thay đổi được

(cid:52)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Khối này gồm 2 nguồn DC thay đổi độc lập. Nguồn DC thay đổi tầm 0-20V ở phía bên phải. Nó có một nút chỉnh cho phép chỉnh điện áp DC ở ngõ ra từ 0V tới 20V. Nguồn DC thay đổi tầm 0-5V ở phía bên trái. Nó có hai nút chỉnh cho phép chỉnh điện áp DC ở ngõ ra từ 0V tới 5V. Nút COARSE dùng để chỉnh thô, nút FINE dùng để chỉnh tinh.

1.1.4 Khối nguồn tạo hàm

Hình 5 Khối nguồn tạo hàm

Khối này gồm 3 nguồn tín hiệu: nguồn sóng sin, nguồn sóng vuông, và nguồn sóng tam giác. Tín hiệu GND của các nguồn này được nối với nhau. Các nguồn sóng này sử dụng chung 2 nút bên trái để điều chỉnh tần số. Nút RANGE để chọn tầm thay đổi tần số. Nút FREQ để thay đổi tần số trong tầm đã chọn. Các nguồn sóng này có thể điều chỉnh biên độ độc lập bằng 3 nút điều chỉnh biên độ bên phải tương ứng với 3 nguồn.

1.2 SỬ DỤNG BỘ THÍ NGHIỆM EME-DEV

(cid:53)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Bộ thí nghiệm được thiết kế thành 10 mạch nhỏ được đánh dấu từ A(cid:61664)J. Mỗi mạch thí nghiệm này sử dụng để thí nghiệm cho mỗi linh kiện điện tử cụ thể. Trên mạch có các điểm kết nối dùng để cắm dây kết nối mạch, kết nối với thiết bị đo hoặc kết nối với nguồn. Trên mạch có các đường kết nối màu trắng để nối giữa các điểm kết nối, nối các điểm kết nối với các chân linh kiện. Các đường này thể hiện kết nối sẵn có trong mạch.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2

(cid:78)(cid:7897)(cid:105)(cid:32)(cid:100)(cid:117)(cid:110)(cid:103)(cid:32)(cid:116)(cid:104)(cid:237)(cid:32)(cid:110)(cid:103)(cid:104)(cid:105)(cid:7879)(cid:109)

2.1 MẠCH RC

2.1.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện điện trở và tụ điện.

2.1.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

(cid:54)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Xem trước phần đọc giá trị vòng màu của điện trở. Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

A1

A2

A14

A15

A16

RA 1

R

RA 6

RA 7

RA 8

A9

A10

A11

A12

A13

VIN

CA 1

+

RA 2

RA 3

RA 4

RA 5

A3

A4

A5

A6

A7

A8

2.1.3 Cài đặt phần cứng

Cấp nguồn Vin là nguồn phát sóng vuông vào mạch. Đầu + vào điểm kết nối A1, đầu GND vào điểm kết nối A3. Lấy dây nối 2 điểm kết nối A2, A10 để sử dụng RA2 vào mạch thí nghiệm.

2.1.4 Tiến hành thí nghiệm

Đọc các giá trị điện trở bằng vạch màu của điện trở trên mạch thí nghiệm. Bật nguồn. Dùng dao động ký (dđk) đo nguồn để chỉnh nguồn Vin có điện áp đỉnh-đỉnh Vp-p = 4V, f =1 KHz. Dùng dđk để quan sát điện áp trên RA2, đo giá trị điện áp đỉnh trên điện trở RA2 rồi tính hệ số phân áp và vẽ lại dạng sóng. Rphân áp= VRA2 / ( VRA1 + VRA2 )

Nối thêm tụ CA1 vào mạch bằng cách lấy dây nối 2 điểm A9 và A10 để khảo sát ảnh hưởng của tụ và xác định thời hằng. Thời hằng là khoản thời gian tụ nạp tới 63% giá trị đỉnh hoặc là khoản thời gian tụ xả còn 37% giá trị đỉnh. Dùng dđk để quan sát điện áp trên RA2. Vẽ lại dạng sóng. Thay thế điện trở RA2 lần lượt bằng các điện trở RA3, RA4, RA5, (RA3 + RA6), (RA4 + RA7), (RA5 + RA8) bằng cách lấy dây nối lần lượt điểm kết nối A2 với các điểm A11, A12, A13, A14, A15, A16. Lặp lại các bước ở trên để khảo sát lại mạch tương ứng với các điện trở mới thay đổi.

2.1.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:55)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Tính các giá trị hệ số phân áp theo các giá trị điện trở đã đọc bằng vạch màu của điện trở. So sánh với các giá trị hệ số phân áp tương ứng đã đo được trong thí nghiệm. So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk. Cho biết ảnh hưởng của tụ CA1. Tính thời hằng theo công thức lý thuyết và so sánh với giá trị đo được τ = RC

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.2 DIODE

2.2.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện diode.

2.2.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về diode và ứng dụng chỉnh lưu của diode.

_

B1

B2

+

RB1

mA

470ohms, 1/2W

B3

B4

B5

B6

DB1

2.2.3 Cài đặt phần cứng

DIODE

Vin1 0(cid:61664)5V

_

+

+

+

V

CB1 0.1 1000u

RB2 560 470ohms, 1/2W

Vin2 0(cid:61664)20V

Vout

B7

B8

B9

B10

B

_

Cấp nguồn Vin là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)25V, nối 2 nguồn Vin1 0(cid:61664)5V và Vin2 0(cid:61664)20V, vào mạch. Đầu + vào điểm kết nối B3. Đầu GND vào điểm kết nối B7. VOM chỉnh tầm đo điện áp 2.5V để đo điện áp 2 đầu diode. DVM chỉnh tầm đo 20mA để đo dòng điện qua diode.

(cid:56)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

2.2.4 Tiến hành thí nghiệm a. Xác định đặc tuyến

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Chỉnh cho Vin = 0V rồi bật nguồn. Tăng dần Vin, đồng thời quan sát giá trị trên các đồng hồ đo. Ghi lại các thông số đo được vào bảng sau:

0 0.2 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65

Vd (V) Id (mA)

B1

B2

RB1

470ohms, 1/2W

B3

B4

B5

B6

DB1

DIODE

Vin 1kHz

Vout

+

CB1 0.1 1000u

RB2 560 470ohms, 1/2W

B7

B8

B9

B10

B

Vẽ đặc tuyến và xác định gần đúng điện áp dẫn của diode. b. Đặc tính chỉnh lưu

B1

B2

RB1

470ohms, 1/2W

B3

B4

B5

B6

DB1

DIODE

Vin 1kHz

Vout

+

CB1 0.1 1000u

RB2 560 470ohms, 1/2W

B7

B8

B9

B10

B

(cid:57)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Tắt nguồn. Tháo Ampe kế ra khỏi mạch. Lấy dây nối tắt 2 điểm B4, B6. Dùng dđk để đo tín hiệu Vin, Vout. Nối GND của dđk tới điểm B10, kênh CH1 tới điểm B3 (Vin), kênh CH2 tới điểm B6 (Vout). Thay nguồn Vin bằng nguồn phát sóng sin f = 1kHz. Chỉnh biên độ nguồn sin = 0V rồi bật nguồn. Tăng dần biên độ Vin và quan sát Vout. Vẽ lại dạng sóng Vin, Vout tại điểm Vin có biên độ = 2 Vp-p. Nhận xét và giải thích dạng sóng. c. Ảnh hưởng của tụ

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

B1

B2

RB1

470ohms, 1/2W

B3

B4

B5

B6

DB1

DIODE

Vin 1kHz

Vout

+

CB1 0.1 1000u

RB2 560 470ohms, 1/2W

B7

B8

B9

B10

B

Bỏ điện trở RB2 ra khỏi mạch bằng cách bỏ kết nối B5, B6; thay thế tụ điện CB1 vào đó bằng cách lấy dây nối 2 điểm B4, B5. Dùng dđk để đo tín hiệu Vin, Vout. Nối GND của dđk tới điểm B10, kênh CH1 tới điểm B3 (Vin), kênh CH2 tới điểm B5 (Vout). Nguồn Vin là nguồn phát sóng sin f = 1kHz. Chỉnh biên độ nguồn sin = 0V rồi bật nguồn. Tăng dần biên độ Vin và quan sát Vout. Vẽ lại dạng sóng Vin, Vout tại điểm Vin có biên độ = 2Vp-p. Nhận xét và giải thích dạng sóng. d. Ảnh hưởng của tải

Thêm tải cho mạch bằng cách nối điện trở RB2 vào mạch, kết nối B5, B6. Quan sát và vẽ lại dạng sóng Vin, Vout tại điểm Vin có biên độ = 2Vp-p. Nhận xét và giải thích sự thay đổi của dạng sóng ngõ ra.

2.2.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:49)(cid:48)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng trong trường hợp không có tụ (b), có tụ và không tải (c), có tụ và có tải trở (d) đã vẽ trên dđk với lý thuyết.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.3 ZENER

2.3.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện diode Zener và mạch ổn áp dùng Zener.

2.3.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

_

+

mA

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến diode và ứng dụng ổn áp của diode Zener.

C1

C2

C3

C4

330 100ohms, 1/2W

RC1 +

DZC1

RC2

V

Vout

Vin 0(cid:61664)20V

_

DIODE ZENER

1k 220ohms, 2W

C5

C7

C6 Cấp nguồn Vin là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)20V vào mạch. Đầu + vào điểm kết nối C1. Đầu GND vào điểm kết nối C5. VOM để đo điện áp 2 đầu Zener. DVM chỉnh tầm đo dòng điện để đo dòng điện qua Zener.

2.3.3 Cài đặt phần cứng

2.3.4 Tiến hành thí nghiệm a. Khảo sát đặc tuyến của Zener

(cid:49)(cid:49)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Chỉnh Vin = 0V rồi bật nguồn. Tăng dần Vin và quan sát Vout trên VOM cho đến khi Vout gần như không đổi. Ghi lại các giá trị đo được vào bảng sau.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

4 8 10 11 11.5 12

Vdz Idz

Vẽ đặc tuyến của Zener và xác địnhVz. Tính công suất RC1 khi Id = IRC1 = 20mA. Xác định dòng ổn áp tối thiểu. b. Mạch ổn áp dùng Zener

Để mạch như phần a, chỉnh Vin sao cho Id = IRC1 = 5 mA. Sau đó kết nối tải RC2 song song với Zener bằng cách lấy dây nối tắt điểm C3, C4. Quan sát Volt kế và Miliampe kế khi có tải và giải thích sự thay đổi đó. Tăng dần Vin và quan sát Vout cho đến khi Vin = 20V. Ghi lại các giá trị Vout theo Vin khi có tải. Từ Vin = 20V chỉnh giảm dần Vin. Xác định giá trị nhỏ nhất của Vin mà mạch vẫn còn ổn áp. Tính lại giá trị này từ lý thuyết.

2.3.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:49)(cid:50)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh đặc tuyến của Zener đã vẽ với đặc tuyến lý thuyết của Zener. Với mạch như câu (b), thử tính lại tầm điện áp thay đổi của nguồn Vin để ngõ ra Vout vẫn còn đảm bảo ổn áp.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.4 BJT

2.4.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện transitor BJT.

2.4.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến BJT và ứng dụng trong mạch khuếch đại của BJT.

D14

D15

D17

D16

RD1 100 ohm

RD4 560 ohm

D18

V RD

CD2

D4

D2

R E S I S TO R V A R

CD1

D5

D6

D1

Vdd 0(cid:61664)20V

_

+

mA

Vin 0(cid:61664)5V

Q D1 N P N B C E

D3

D12

+ V2 _

D13

RD2 22 K

+

+ V1 _

RD3 47 ohm

CD3 10uF

D8

D9

D10

D11

D7

Hình BJT1

(cid:49)(cid:51)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

2.4.3 Cài đặt phần cứng

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

D14

D15

D17

D16

Hình BJT2

RD1 100 ohm

RD4 560 ohm

D18

V RD

CD2

D4

D2

R E S I S TO R V A R

CH1

CD1

D5

D6

D1

Vdd 0(cid:61664)20V

Q D1 N P N B C E

Vb 0(cid:61664)5V

CH2

D3

D12

D13

~Vin

GND

RD2 22 K

+

RD3 47 ohm

CD3 10uF

D7

D8

D9

D10

D11

Mạch hình BJT1 dùng để khảo sát đặc tuyến của transitor BJT. Chú ý Volt kế đo Vbe phải dùng DVM ở tầm đo Volt. Mạch hình BJT2 dùng để khảo sát mạch khuếch đại dùng BJT. Kênh CH1 của dđk đo Vin, kênh CH2 đo Vout.

2.4.4 Tiến hành thí nghiệm a. Đặc tuyến ngõ vào của BJT và VCE bảo hòa (VCEsat)

Lắp mạch như hình BJT1. Chỉnh nguồn Vin, Vdd = 0, bật nguồn điện. Chỉnh Vdd sao cho VCE = 5V. Chỉnh tăng dần Vin đồng thời quan sát các ampe kế và volt kế. Chú ý khi Vin thay đổi thì VCE cũng thay đổi. Cần phải chỉnh lại Vdd để VCE = 5V trước khi ghi giá trị vào bảng.

80 100 120 140 160 180 200 220

Ib (uA) VBE (V)

Từ bảng trên vẽ đồ thị Ib = f(VBE) | VCE = 5V. Xác định VCEsat bằng cách: Chỉnh Vdd = 5V. Tăng dần Vin từ 0V. Dùng dđk Quan sát đồng thời VCE, Vin, ampe kế đo Ib và ghi nhận lại các giá trị đo cần thiết để đưa ra nhận xét và giải thích cho sự thay đổi của VCE theo Ib và xác định VCEsat. b. Đặc tuyến ngõ ra của BJT

(cid:49)(cid:52)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Tháo DVM đo Volt ở VBE chỉnh lại DVM ở tầm đo dòng điện. Tháo dây nối 2 điểm D18, D2 để nối DVM vào đo dòng IC.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Chỉnh nguồn Vin, Vdd = 0, VRD1 lên max (theo chiều kim đồng hồ), bật nguồn điện. Chỉnh Vin, biến trở VRD1 sao cho Ib = 0.1mA. Chỉnh tăng dần Vdd đồng thời quan sát các ampe kế và volt kế. Chú ý khi Vdd thay đổi thì Ib cũng thay đổi. Cần phải chỉnh lại Vin để Ib = 0.1mA trước khi ghi giá trị vào bảng.

1 2 3 4 5 6 7 8

VCE (V) IC (V)

Từ bảng trên vẽ đồ thị IC = f(VCE) | Ib = 0.1mA. Lập lại các bước trên ở mục (b) với Ib= 0.05 và 0.15 mA. Xác định gần đúng giá trị hfe = Ic / Ib khi BJT làm việc trong vùng tích cực. c. Mạch khuếch đại

Tháo hết dây ra khỏi mạch. Chỉnh nguồn Vdd (nguồn thay đổi tầm 0(cid:61664)20V) có biên độ = 12V. Chỉnh nguồn Vin (nguồn phát sóng sin) có f = 1KHz, sau đó chỉnh biên độ Vin = 0. Tắt nguồn để lắp mạch như hình BJT2, chỉnh VRD ở vị trí max sau đó bật nguồn. Chỉnh Vdd= 12V, Vb và biến trở VRD để đạt điểm tĩnh tại VCEQ = 6V. Tăng dần Vin, đồng thời quan sát Vin, Vout trên dđk. Vẽ lại dạng sóng Vin, Vout tại các điểm Vin = 0.1V, Vin = 0.2V, Vin = 0.4V và xác định hệ số khuếch đại áp Av. Tiếp tục chỉnh Vin để xác định Vin, Vout max mà Vout không bị méo dạng. Tính lại giá trị này dựa trên đường tải ngõ ra từ mạch. Chỉnh lại Vin =0.1V, nối thêm điện trở RD3 vào cực E bằng cách chuyển dây nối 2 điểm D3, D10 thành dây nối 2 điểm D3, D12. Quan sát dạng sóng trên dao động ký nhận xét và giải thích. Tiếp tục nối thêm tụ CD3 để bypass điện trở RD3 bằng cách nối dây 2 điểm D3, D13. Quan sát dạng sóng trên dao động ký nhận xét và giải thích.

2.4.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:49)(cid:53)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Tắt nguồn, tháo hết dây trên mạch, đọc các giá trị điện trở, và đo điện trở VRD. Lấy các chỉ số của điện trở và giá trị hfe đã đo ở phần b để tính toán lại các giá trị đã đo bằng lý thuyết để kiểm chứng lại giá trị đã đo.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.5 JFET

2.5.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện JFET.

2.5.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến JFET và ứng dụng trong mạch khuếch đại của JFET.

E6

E7

RE 1 100

RE 4 560

_

+

V RE 1

mA

E8

Hình JFET 1

E2

Vdd 0(cid:61664)20V

E1

_

Q1 J F ET N

+

V2

E3

_

+

V1

E9

Vg 0(cid:61664)5V

RE 2 22 K

RE 3 47

E4

E5

(cid:49)(cid:54)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

2.5.3 Cài đặt phần cứng

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

E6

E7

RE 1 100

CH2

RE 4 560

V RE 1

E8

Hình JFET 2

E2

Vdd 0(cid:61664)20V

CH1

D2 D4

E1

Q1 J F ET N

CD2

E3

E9

~Vin

GND

Vg 0(cid:61664)5V

RE 2 22 K

RE 3 47

E4

E5

Mạch hình JFET1 dùng để khảo sát đặc tuyến của transitor JFET. Volt kế 1 đo VGS, Volt kế 2 đo VDS, Ampe kế đo dòng IDS. Mạch hình JFET2 dùng để khảo sát mạch khuếch đại dùng JFET. Kênh CH1 của dđk đo Vin, kênh CH2 đo Vout. Tụ CD2 nằm ở mạch BJT

2.5.4 Tiến hành thí nghiệm a. Khảo sát và vẽ đặc tuyến

Lắp mạch như hình JFET1. Chỉnh Vg, Vdd = 0 V. Bật nguồn. Chỉnh Vg sao cho VGS = -0.25V. Chỉnh tăng dần Vdd đồng thời quan sát các đồng hồ đo. Ghi các giá trị vào bảng

0.2 0.5 0.7 1 2 4 6 8

VDS (V) ID(mA)

(cid:49)(cid:55)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Dựa vào bảng số liệu đã đo được vẽ đặc tuyến của JFET: ID = f (VDS) | VGS = - 0.25V. Chỉ ra trên đồ thị các vùng hoạt động của JFET. Tắt nguồn điện, thay nguồn Vdd = nguồn AC 12V 50 Hz chỉnh lưu bán kỳ dương, đầu + là đầu nguồn AC đầu – là đầu – nguồn DC. Tháo hết đồng hồ đo, và lấy dây nối 2 điểm E2, E8. Dùng dđk, kênh CH1 đo VDS, kênh CH2 đo áp trên điện trở RE4. Nối GND của dđk vào điểm E2, đường CH1 vào điểm E3, đường CH2 vào điểm E7. Chỉnh dđk ở mode X-Y. Bật nguồn, tăng dần Vin và quan sát dđk tại các điểm VGS = 0, -0.5, -0.9, -1.2 vẽ hình và xác định điện áp nghẽn VP.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

b. Mạch khuếch đại dùng JFET

Tắt nguồn, tháo hết dây ra khỏi mạch. Bật nguồn, chỉnh Vdd = 12 V. Tắt nguồn, lắp mạch như hình JFET2, chỉnh VRE1 max , Vin =0V. Bật nguồn, chỉnh VGS = -1.5 V. Tăng dần Vin và quan sát dđk. Tại Vin = 1Vpp Vẽ dạng sóng Vout và nhận xét. Chỉnh Vg sao cho VGS= -0.5V vẽ lại dạng sóng Vout, nhận xét và xác định Av.

2.5.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:49)(cid:56)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk ở phần a và phần b.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.6 MOSFET

2.6.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện transitor MOSFET.

2.6.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến MOSFET và ứng dụng trong mạch đóng ngắt ở chế độ bão hòa của MOSFET.

F4

F10

F11

S W F 1

F13

RF 2 100

RF 4 1k

F12

_

+

mA

V RF 1

LE D

Hình MOSFET 1

F2

RF 1 100

F5

F1

Vin 0(cid:61664)20V

Vin 0(cid:61664)5V

F14

M F F 1 MO S F E T N

_

+

_

F9

V

+

V

F6 + CF 1 100u

RF 3 22K

F7

F8

F3

(cid:49)(cid:57)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

2.6.3 Cài đặt phần cứng

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

F 4

F 1 0

F 1 1

S W F 1

F 1 3

R F 2 1 0 0

R F 4 1 k

F 1 2

V R F 1

L E D

Hình MOSFET 2

F 2

R F 1 1 0 0

F 5

F 1

Vin 0(cid:61664)20V

F 1 4

M F F 1 M O S F E T N

F 9

F 6 + C F 1 1 0 0 u

R F 3 2 2 K

F 7

F 8

F 3

Hình MOSFET1 dùng để khảo sát đặc tuyến của MOSFET. Nguồn Vin là nguồn DC thay đổi tầm 0 (cid:61664)5V. Nguồn Vdd là nguồn DC thay đổi tầm 0 (cid:61664)20V. Volt kế 1 đo VGS, Volt kế 2 đo VDS, Ampe kế đo dòng IDS. Hình MOSFET2 dùng để khảo sát mạch đóng ngắt dùng MOSFET.

2.6.4 Tiến hành thí nghiệm a. Đặc tuyến truyền đạt

Lắp mạch như hình MOSFET1, Vin, Vdd = 0, VRF1 min. Bật nguồn. Chỉnh Vdd = 12V giữ cố định. Tăng Vin và quan sát các đồng hồ đo. Ghi lại các giá trị đã đo được vào bảng và vẽ đồ thị Id = f(VGS).

0 3 3.5 3.7 4 4.2 4.4 4.6 4.8 5

VGS (V) Id (mA)

b. Đặc tuyến ngõ ra

Chỉnh và giữ cố định Vin = VGS = 4V, chỉnh Vdd = 0V. Tăng Vdd và quan sát các đồng hồ đo. Ghi lại các giá trị đã đo được vào bảng và vẽ đồ thị Id = f(Vdd) | VGS = 4V.

0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.15 0.2 0.4 1 5

Vdd (V) Id (mA)

(cid:50)(cid:48)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Lặp lại phần b với VGS= 3.8V và 5V. Thay nguồn Vdd bằng nguồn phát sóng sin có biên độ chỉnh max, f= 1Khz. Dùng dđk, kênh CH1 đo VDS, kênh CH2 đo áp trên điện trở RF4. Nối GND của dđk vào điểm F2. đường CH1 vào điểm F3, đường CH2 vào điểm E11. Chỉnh dđk ở mode X-Y.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Chỉnh Vin tăng từ 0 (cid:61664) 5V quan sát dđk và vẽ lại hình tại VGS = 3.8, 4.0, 5.0. Xác định VDS tại các trường hợp đó. c. Mạch đóng ngắt ở chế độ bão hòa.

Lắp mạch như hình MOSFET2. Bật nguồn quan sát led. Nhấn nút SWF1 quan sát led. Tắt nguồn. Nối dây 2 điểm F1 và F9. Bật nguồn quan sát led. Nhấn nút SWF1 quan sát led. Nhận xét và giải thích sự thay đổi trên led.

2.6.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:50)(cid:49)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk. Tính lại các kết quả dựa trên sơ đồ mạch.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.7 DIAC

2.7.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện DIAC.

2.7.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến của DIAC.

_

+

mA

1k

Vi1 0(cid:61664)20V

RI1

I3

I4

I1

I7

_

+

V

DIODE DIAC

DCI1

I5

I2

I6

Vi2 +12V

2.7.3 Cài đặt phần cứng

Cấp nguồn Vin là nguồn ghép bởi 2 nguồn Vi1 và Vi2 . Vi1 là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)20V. Vi2 là nguồn DC cố định 12V. Cực + của Vi1 nối vào I 3. Cực GND của Vi1 nối vào cực + của Vi2. Cực GND của Vi2 nối điểm I5. Ampe kế đo dòng IA qua diac, Volt kế đo áp VAK trên diac.

(cid:50)(cid:50)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

2.7.4 Tiến hành thí nghiệm

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Lắp mạch như hình vẽ trên. Chỉnh Vi1 = 0 bật nguồn. Tăng dần Vi1 và quan sát các đồng hồ đo. Ghi các giá trị đo được vào bảng sau.

24 25 25.5 26 26.5 27 275

VAK (mA) IA (mA)

Vẽ đồ thi IA = f(VAK) Xác định giá trị VAK, IA tại điểm dẫn, VAK giảm Thay nguồn Vdd bằng nguồn AC 40V, 50Hz. Dùng dđk để vẽ đặc tuyến của DIAC. Kênh CH1 đo áp VAK, kênh CH2 đo áp VRI1 nên GND của dđk nối vào điểm I7, CH1 nối vào I2, CH2 nối vào I3. Chỉnh dđk ở mode X-Y và quan sát dđk. Vẽ lại các dạng sóng

2.7.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:50)(cid:51)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk với kết quả đo bằng đồng hồ.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.8 SCR

2.8.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện SCR.

2.8.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về đặc tuyến của SCR.

G8

G9

RG2

_

+

mA2

100ohms, 5W

G2

_

+

mA1

_

SCR

Vdd 0(cid:61664)5V

+

G4

G5

G1

RG1

V

47ohms

SCRG1

VG 0(cid:61664)20V

G6

G3

G7

2.8.3 Cài đặt phần cứng

Cấp VG là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)20V. Cấp Vdd là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)5V. Ampe kế 1 đo dòng qua cực gate, dòng kích, của SCR. Ampe kế 2 đo dòng qua SCR. Volt kế đo điện áp VAK trên SCR.

2.8.4 Tiến hành thí nghiệm

(cid:50)(cid:52)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Lắp mạch như hình vẽ trên. Chỉnh Vdd,Vin = 0 bật nguồn.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

Chỉnh Vdd = 1V giữ cố định. Tăng từ từ VG và quan sát VAK. Ghi các giá trị đo được vào bảng sau.

2 4 5 5.1 5.2 5.25 6

IG (mA) VAK (V) IA (mA)

Vẽ đồ thi IA = f(IG) Xác định giá trị IG, IA tại điểm dẫn, VAK giảm Lặp lại với Vdd = 2, 3, 4, 5 V để tìm IG, IA tại điểm dẫn, điền vào bảng sau.

1 2 3 4 5

Vdd (V) VAK (V) IG (mA) IA (mA)

Thay nguồn Vdd bằng nguồn AC 18V, 50Hz. Dùng dđk để vẽ đặc tuyến ở ngõ ra của SCR. Kênh CH1 đo áp VAK, kênh CH2 đo áp VRG2 nên GND của dđk nối vào điểm G2, CH1 nối vào G3, CH2 nối vào G9. Chỉnh dđk ở mode X-Y, tăng VG và quan sát dđk. Vẽ lại các dạng sóng tại các điểm VG = 4.75, 5, 5.25 V.

2.8.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:50)(cid:53)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

2.9 TRIAC

2.9.1 Mục đích

Tìm hiểu và khảo sát đặc tính của linh kiện TRIAC.

2.9.2 Chuẩn bị trước khi thí nghiệm

Xem trước lý thuyết về TRIAC.

H8

RH2

100ohms, 5W

H9 _

+

mA

Vdd 0(cid:61664)5V

H2

_

H5

H1

H4

+

RH1

V

47ohms

TRIAC

TRH1 _

mA

VG 0(cid:61664)20V

H6

+ H7

H3

2.9.3 Cài đặt phần cứng

(cid:50)(cid:54)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

Cấp VG là nguồn DC thay đổi tầm 0(cid:61664)20V. Cấp Vdd là nguồn DC thay đổi

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)

tầm 0(cid:61664)5V. Ampe kế 1 đo dòng qua cực gate, dòng kích, của TRIAC. Ampe kế 2 đo dòng qua TRIAC. Volt kế đo điện áp VAK trên TRIAC.

2.9.4 Tiến hành thí nghiệm

Lắp mạch như hình vẽ trên. Chỉnh Vdd,Vin = 0 bật nguồn. Chỉnh Vdd = 1V giữ cố định. Tăng từ từ VG và quan sát VAK. Ghi các giá trị đo được vào bảng sau.

9 10 11 12 13 14 15 16

IG (mA) VAK (V) IA (mA)

Vẽ đồ thi IA = f(IG) Xác định giá trị IG, IA tại điểm dẫn, VAK giảm Đảo chiều các nguồn VG, và Vdd lặp lại các bước trên để đo và ghi giá trị vào bảng sau: -9 -10 -11 -12 -13 -14 -15 -16

IG (mA) VAK (V) IA (mA)

Thay nguồn Vdd bằng nguồn AC 18V, 50Hz. Dùng dđk để vẽ đặc tuyến ở ngõ ra của SCR. Kênh CH1 đo áp VAK, kênh CH2 đo áp VRG2 nên GND của dđk nối vào điểm G2, CH1 nối vào G3, CH2 nối vào G9. Chỉnh dđk ở mode X-Y, tăng VG và quan sát dđk. Vẽ lại các dạng sóng tại các điểm VG = -4.75, -5, -5.25, 4.75, 5, 5.25 V.

2.9.5 Gợi ý kiểm tra

(cid:50)(cid:55)(cid:47)(cid:50)(cid:55)

So sánh và giải thích các dạng sóng đã vẽ trên dđk.

(cid:72)(cid:431)(cid:7898)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:68)(cid:7850)(cid:78)(cid:32)(cid:84)(cid:72)(cid:205)(cid:32)(cid:78)(cid:71)(cid:72)(cid:73)(cid:7878)(cid:77)(cid:32)(cid:68)(cid:7908)(cid:78)(cid:71)(cid:32)(cid:67)(cid:7908)(cid:32)(cid:76)(cid:75)(cid:272)(cid:84)(cid:32)(cid:86)(cid:7898)(cid:73)(cid:32)(cid:69)(cid:77)(cid:69)(cid:45)(cid:68)(cid:69)(cid:86)