intTypePromotion=1

Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nâng cao chất lượng thiết bị thực nghiệm và triển khai nghiên cứu cấu trúc hạt nhân Ti, V và Ni

Chia sẻ: Minh Van Thuan | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:147

0
95
lượt xem
15
download

Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nâng cao chất lượng thiết bị thực nghiệm và triển khai nghiên cứu cấu trúc hạt nhân Ti, V và Ni

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nâng cao chất lượng thiết bị thực nghiệm và triển khai nghiên cứu cấu trúc hạt nhân Ti, V và Ni nhằm nghiên cứu thực nghiệm phân rã gamma nối tầng của các hạt nhân 49Ti, 52V và 59Ni trong phản ứng bắt nơtron nhiệt; đánh giá số liệu thực nghiệm theo mẫu lý thuyết đơn hạt; nghiên cứu nâng cao chất lượng hệ trùng phùng gammagamma;...

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nâng cao chất lượng thiết bị thực nghiệm và triển khai nghiên cứu cấu trúc hạt nhân Ti, V và Ni

  1. i LỜI CẢM ƠN Trước tiên, tôi xin gửi lời cảm ơn đến Viện Năng lượng Nguyên Tử Việt Nam, Viện Nghiên cứu Hạt nhân, Trung tâm Đào tạo Hạt nhân đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi trong thời gian nghiên cứu để thực hiện Luận án. Trân trọng cảm ơn Ban giám hiệu trường Đại học Đà Lạt, Phòng TC-CB, Khoa Vật lý, Khoa Kỹ thuật Hạt nhân đã tạo mọi điều kiện tốt nhất cho tôi trong nghiên cứu, học tập và công tác. Với lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc, tôi xin gửi lời cảm ơn tới hai Thầy hướng dẫn là TS. Phạm Đình Khang và PGS. TS Nguyễn Đức Hòa đã tận tình giúp đỡ tôi từ những bước đi đầu tiên xây dựng ý tưởng nghiên cứu, cũng như trong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thiện Luận án. Quý thầy đã luôn ủng hộ, động viên và hỗ trợ những điều kiện tốt nhất để tôi hoàn thành Luận án. Kính gửi đến quý thầy tấm lòng tri ơn của người học trò. Mong rằng trí tuệ và sự độ lượng của quý thầy sẽ còn mãi để những thế hệ mai sau có cơ hội tiếp cận và lĩnh hội. Xin cảm ơn PGS. TS. Lê Bá Dũng, nguyên Hiệu trưởng trường Đại học Đà Lạt đã luôn ủng hộ tinh thần học tập của cán bộ, tạo mọi điều kiện thuận lợi trong công tác, cho phép tôi có được cơ hội tiếp tục nghiên cứu. Xin cảm ơn TS. Nguyễn Xuân Hải, người đã cùng tôi trực tiếp làm thực nghiệm, trao đổi, giúp đỡ tôi trong chuyên môn. Cảm ơn một người bạn chân thành! Cảm ơn ThS. NCS. Đặng Lành đã góp ý, giúp đỡ tôi trong chuyên môn cũng như động viên kích lệ tôi trong nghiên cứu khoa học.
  2. ii Cảm ơn ThS. NCS. Phạm Ngọc Sơn, ThS. Hồ Hữu Thắng đã không ngại khó khăn giúp đỡ tôi triển khai một số thực nghiệm. Tôi xin cảm ơn các anh Phòng Vật lý – Điện tử đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi nghiên cứu bằng mọi thiết bị hiện có. Cảm ơn Trung tâm Lò phản ứng hạt nhân đã tạo điều kiện thuận lợi để tôi được khai thác tại kênh thực nghiệm số 3. Cảm ơn các bạn cùng nhóm nghiên cứu: Th.S. NCS Trần Tuấn Anh, ThS. NCS Nguyễn Văn Hải, ThS. NCS Trương Văn Minh, NCS Mangengo Lumenganod đã cùng tôi trao đổi, thảo luận thẳng thắn vấn đề nghiên cứu của Luận án. Với tình yêu thương gia đình, con xin gửi lời cảm ơn đến Ba, Mẹ - xin nhận nơi đây tấm lòng của người con. Cảm ơn các chị, anh và các em đã động viên giúp đỡ tôi trong công việc hằng ngày. Cuối cùng, cảm ơn vợ và hai con đã cho tôi một điểm tựa về tinh thần lẫn vật chất để tôi có thể toàn tâm thực hiện Luận án. Xin chân thành cảm ơn mọi người!
  3. iii LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan: 1 Những nội dung trong luận án này là do tôi thực hiện dưới sự hướng dẫn khoa học trực tiếp của TS. Phạm Đình Khang và PGS.TS. Nguyễn Đức Hòa. 2 Mọi tham khảo dùng trong luận án đều được trích dẫn rõ ràng tên tác giả, tên công trình, thời gian, địa điểm công bố. 3 Mọi sao chép không hợp lệ, vi phạm quy chế đào tạo, hay gian trá nếu có tôi chịu trách nhiệm hoàn toàn về bản luận án này. Người cam đoan Nguyễn An Sơn
  4. iv MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH ẢNH ............................................................................. 1 DANH MỤC BẢNG BIỂU............................................................................ 3 DANH MỤC CHỮ CÁI VIẾT TẮT.............................................................. 5 MỞ ĐẦU ....................................................................................................... 7 Chương một. TỔNG QUAN VỀ PHƯƠNG PHÁP VÀ ĐỐI TƯỢNG NGHIÊN CỨU ........................................................................................... 10 1.1. Phương pháp trùng phùng gamma-gamma ................................ 10 1.1.1. Quá trình phát triển phương pháp ............................................................. 10 1.1.1.1. Trên thế giới ...................................................................................... 10 1.1.1.2. Tại Việt Nam..................................................................................... 14 1.1.2. Hệ đo thực nghiệm tại Viện NCHN .......................................................... 15 1.1.2.1. Hệ phổ kế trùng phùng gamma-gamma ............................................ 15 1.1.2.2. KS3 của LPUHNDL .......................................................................... 18 1.2. Tình hình nghiên cứu các hạt nhân 49Ti, 52V và 59Ni .................. 18 1.2.1. Hạt nhân 49Ti ............................................................................................ 18 1.2.2. Hạt nhân 52V ............................................................................................ 19 1.2.3. Hạt nhân 59Ni ........................................................................................... 20 1.3. Cơ sở lý thuyết tính toán trong luận án ....................................... 22 1.3.1. Cường độ dịch chuyển gamma nối tầng.................................................... 23 1.3.2. Mật độ mức .............................................................................................. 24 1.3.2.1. Tổng quan sự phát triển lý thuyết mật độ mức ................................... 24 1.3.2.2. Mẫu khí Fermi dịch chuyển ngược và công thức Gilbert-Cameron .... 26
  5. v 1.3.3. Spin và độ chẵn lẻ .................................................................................... 28 1.3.4. Bậc đa cực, xác suất dịch chuyển, độ rộng mức và hàm lực...................... 31 1.3.4.1. Bậc đa cực và xác suất dịch chuyển ................................................... 31 1.3.4.2. Thời gian sống, độ rộng mức và hàm lực ........................................... 33 I.4. Kết luận chương ............................................................................... 35 Chương hai. TRIỂN KHAI NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM .............. 36 Phần I. HOÀN THIỆN PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU ..................... 36 2.1. Phát triển hệ thống thực nghiệm ................................................... 36 2.1.1. Cải tiến giao diện ..................................................................................... 36 2.1.1.1. Đánh giá thực trạng hệ đo .................................................................. 36 2.1.1.2. Chế tạo giao diện bằng PCI 7811R .................................................... 37 2.1.2. Thay đổi cấu trúc hệ thống che chắn, dẫn dòng nơtron ............................. 41 2.2. Xác lập các tham số cho hệ trùng phùng gamma-gamma......... 42 2.3. Xây dựng hàm hiệu suất ................................................................. 43 Phần II. NGHIÊN CỨU PHÂN RÃ GAMMA NỐI TẦNG CỦA CÁC HẠT NHÂN 49Ti, 52V VÀ 59Ni .......................................................................... 46 2.4. Chuẩn bị bia mẫu 49Ti, 52V và 59Ni ................................................ 46 2.5. Thu thập số liệu phân rã gamma nối tầng của 49Ti, 52V và 59Ni 47 2.6. Xử lý số liệu thực nghiệm ............................................................... 49 2.7. Xây dựng sơ đồ phân rã và xác định các đặc trưng lượng tử ... 51 2.7.1. Xây dựng sơ đồ phân rã............................................................................ 51 2.7.2. Xác định các đặc trưng lượng tử ............................................................... 52 2.8. Đánh giá xác suất và hàm lực dịch chuyển gamma.................... 53 2.9. Kết luận chương ............................................................................... 55
  6. vi Chương ba. KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN .................... 56 3.1. Kết quả hoàn thiện hệ thống thực nghiệm ................................... 56 3.1.1. Kết quả cải thiện giao diện ....................................................................... 56 3.1.2. Kết quả về phông của hệ đo...................................................................... 58 3.1.3. Kết quả về lựa chọn tham số cho hệ đo..................................................... 60 3.1.4. Kết quả xác định hàm hiệu suất ................................................................ 62 3.2. Kết quả ghi nhận phổ tổng và phổ nối tầng................................. 64 3.3. Kết quả số liệu phân rã nối tầng của 49Ti, 52V và 59Ni ................ 68 3.3.1. Năng lượng và cường độ dịch chuyển nối tầng ......................................... 68 3.3.2. Kết quả sắp xếp các dịch chuyển gamma nối tầng vào sơ đồ mức ............ 73 3.4. Hệ số rẽ nhánh và xác suất dịch chuyển điện từ ......................... 81 3.4.1. Hệ số rẽ nhánh ......................................................................................... 81 3.4.2. Kết quả tính xác suất dịch chuyển theo mẫu đơn hạt ................................ 86 3.5. Độ rộng mức, thời gian sống của mức và hàm lực ..................... 93 3.6. Kết luận chương ............................................................................... 99 KẾT LUẬN CHUNG ................................................................................ 101 CÁC CÔNG TRÌNH LÀM CƠ SỞ CHO LUẬN ÁN ............................... 104 TÀI LIỆU THAM KHẢO ........................................................................ 107 PHỤ LỤC 1. PHƯƠNG PHÁP CHUẨN CÁC THAM SỐ TFA VÀ CFD CỦA HỆ TRÙNG PHÙNG GAMMA-GAMMA TẠI VIỆN NCHN........ 115 PHỤ LỤC 2. KẾT QUẢ SUẤT LIỀU SAU KHI THAY THIẾT BỊ CHE CHẮN VÀ DẪN DÒNG KS3................................................................... 120 PHỤ LỤC 3. CÁC PHỔ NỐI TẦNG ....................................................... 126 PHỤ LỤC 4. XÁC ĐỊNH SPIN VÀ ĐỘ CHẴN LẺ................................. 135
  7. 1 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1. 1 Sơ đồ nguyên lý hệ trùng phùng do Hoogenboom thiết kế ..................... 10 Hình 1. 2 Hệ đo trùng phùng nhanh chậm tại Dubna . ............................................ 12 Hình 1. 3 Hệ trùng phùng nhanh chậm tại Hungary . ............................................. 13 Hình 1. 4 Sơ đồ khối hệ trùng phùng cộng biên độ tại Viện NCHN. ...................... 14 Hình 1. 5 Hệ phổ kế trùng phùng gamma – gamma tại LPUHNDL. ....................... 15 Hình 1. 6 Mô tả phân rã gamma của hạt nhân hợp phần. ........................................ 23 Hình 1. 7 Minh họa spin, chẵn lẻ và bậc đa cực của một số dịch chuyển. ............... 30 Hình 2. 1 Bản mạch giao diện PCI 7811R. ............................................................. 38 Hình 2. 2 Sơ đồ phần cứng PCI 7811R .................................................................. 39 Hình 2. 3 Lưu đồ thuật toán chương trình điều khiển viết cho giao diện................. 40 Hình 2. 4 Sơ đồ lắp đặt thiết bị bên trong và ngoài KS3. ........................................ 42 Hình 2. 5 Hình ảnh của các bia mẫu. ...................................................................... 46 Hình 2. 6 Hình chụp của hệ phổ kế trùng phùng gamma – gamma tại Viện NCHN. ..... 47 Hình 2. 7 Thuật toán xử lý số liệu. ......................................................................... 49 Hình 2. 8 Mô tả file lưu trữ các mã biên độ. ........................................................... 50 Hình 3.1 Giao diện ở chế độ MCA. ........................................................................ 57 Hình 3. 2 Giao diện của chương trình ở chế độ trùng phùng. ................................. 57 Hình 3.3 Phổ tổng của Cl35(n, 2)Cl36 đo thử nghiệm với giao diện PCI 7811R. .... 58 Hình 3. 4 Phổ phông của kênh sử dụng đetectơ GC2018, đo khi kênh mở và lò hoạt động ở công suất 500 kW....................................................................................... 59 Hình 3. 5 Phổ phông của kênh sử dụng đetectơ EGPC20, đo khi kênh mở và lò hoạt động ở công suất 500 kW....................................................................................... 60 Hình 3. 6 Phổ thời gian của 60Co (cửa sổ trùng phùng đặt 100 ns, ADC 1k). .......... 61
  8. 2 Hình 3. 7 Phổ năng lượng ở hai kênh. .................................................................... 62 Hình 3. 8 Hiệu suất ghi tương đối của hai đetectơ. ................................................. 63 Hình 3. 9 Một phần phổ tổng của 49Ti. ................................................................... 65 Hình 3. 10 Một phần phổ tổng của 52V................................................................... 65 Hình 3. 11 Một phần phổ tổng của 59Ni.................................................................. 66 Hình 3. 12 Phổ nối tầng bậc hai ứng với đỉnh tổng 8142,50 keV của 49Ti. ............. 66 Hình 3. 13 Phổ nối tầng bậc hai ứng với đỉnh tổng 7310,68 keV của 52V. .............. 67 Hình 3. 14 Phổ nối tầng bậc hai ứng với đỉnh tổng 8999,14 keV của 59Ni. ............. 67 Hình 3. 15 Kết quả sắp xếp sơ đồ mức của 49Ti và spin, độ chẵn lẻ của các mức.... 75 Hình 3. 16 Kết quả sắp xếp sơ đồ mức của 52V và spin, độ chẵn lẻ của các mức. ... 78 Hình 3. 17 Kết quả sắp xếp sơ đồ mức của 59Ni và spin, độ chẵn lẻ của các mức. .. 80 Hình 3. 18 Xác suất dịch chuyển E1 của 49Ti từ Bn................................................ 87 Hình 3. 19 Xác suất dịch chuyển E1 của 52V từ Bn. ............................................... 90 Hình 3. 20 Xác suất dịch chuyển E1 của 59Ni từ Bn. .............................................. 92 Hình 3. 21 Hàm lực chuyển dời gamma sơ cấp của 49Ti từ mức 8142,50 keV về các mức trung gian. ...................................................................................................... 94 Hình 3. 22 Hàm lực chuyển dời gamma sơ cấp của 52V từ mức 7310,68 keV về các mức trung gian. ...................................................................................................... 97 Hình 3. 23 Hàm lực chuyển dời gamma sơ cấp của 59Ni từ mức 8999,14 keV về các mức trung gian. ...................................................................................................... 99
  9. 3 DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 2. 1 Độ phổ biến đồng vị và tiết diện bắt nơtron nhiệt của các đồng vị trong bia mẫu ....................................................................................... 46 Bảng 2. 2 Giá trị các tham số của hệ đo được chọn. ............................................... 48 Bảng 3. 1 Tỉ số đỉnh giữa các kênh trong trường hợp đo với .................................. 60 Bảng 3. 2 Hiệu suất tương đối của các đetectơ theo năng lượng ............................ 62 Bảng 3. 3 Các tham số của đỉnh tổng .................................................................... 64 Bảng 3. 4 Năng lượng và cường độ dịch chuyển nối tầng các tia gamma trong phản ứng 48Ti(n, 2)49Ti ....................................................................... 68 Bảng 3. 5 Năng lượng và cường độ dịch chuyển nối tầng các tia gamma trong phản ứng 51V(n, 2)52V ........................................................................ 69 Bảng 3. 6 Năng lượng và cường độ dịch chuyển nối tầng các tia gamma trong phản ứng 58Ni(n, 2)59Ni ...................................................................... 71 Bảng 3. 7 Sắp xếp mức dịch chuyển nối tầng của 49Ti ........................................... 74 Bảng 3. 8 Sắp xếp mức dịch chuyển nối tầng của 52V ........................................... 75 Bảng 3. 9 Sắp xếp mức dịch chuyển nối tầng của 59Ni .......................................... 79 Bảng 3. 10 Hệ số rẽ nhánh của một số mức của hạt nhân 49Ti ................................ 82 Bảng 3. 11 Hệ số rẽ nhánh của một số mức của hạt nhân 52V ................................. 82 Bảng 3. 12 Hệ số rẽ nhánh của một số mức của hạt nhân 59Ni ................................ 84 Bảng 3. 13 Xác suất dịch chuyển điện từ của 49Ti từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 48Ti(n, 2)49Ti so sánh lý thuyết và thực nghiệm ................... 86 Bảng 3. 14 Xác suất dịch chuyển điện từ của 52V từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 51V(n, 2)52V so sánh lý thuyết và thực nghiệm .................... 87 Bảng 3. 15 Xác suất dịch chuyển điện từ của 59Ni từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 58Ni(n, 2)59Ni so sánh lý thuyết và thực nghiệm .................. 90
  10. 4 Bảng 3. 16 Độ rộng, thời gian sống của một số mức thực nghiệm. Hàm lực của 49 Ti từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 48Ti(n, 2)49Ti ........................ 93 Bảng 3. 17 Độ rộng, thời gian sống của một số mức thực nghiệm. Hàm lực của 52 V từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 51V(n, 2)52V .......................... 95 Bảng 3. 18 Độ rộng, thời gian sống của một số mức thực nghiệm. Hàm lực của 59 Ni từ Bn về mức cơ bản theo phản ứng 58Ni(n, 2)59Ni ....................... 97
  11. 5 DANH MỤC CHỮ CÁI VIẾT TẮT KHCN Khoa học công nghệ KS3 Kênh số 3 LPUHNDL Lò phản ứng Hạt nhân Đà Lạt NCHN Nghiên cứu hạt nhân NCS Nghiên cứu sinh NLNT Năng lượng nguyên tử ADC Analog – to - Digital Khối biến đổi tín hiệu tương tự Converter sang tín hiệu số Amp Amplifier Khuếch đại phổ BSFG Back - Shifted Fermi Mẫu khí Fermi dịch chuyển Gas Model ngược CFD Constant-Fraction Khối gạt ngưỡng hằng Discriminator COIN Coincidence Trùng phùng FPGA Field-programmable Vi mạch dùng cấu trúc mảng gate array phần tử logic mà người dùng có thể lập trình được FWHM Full Width at Half Độ rộng tại một nửa chiều cao Maximum đỉnh phổ HPGe High-Purity Đetectơ bán dẫn Ge siêu tinh Germanium khiết HV High Voltage Cao thế MCA Multi Chanel Khối phân tích đa kênh Analyzer
  12. 6 NIM Nuclear Instrument Chuẩn NIM Module PCI 7811R Giao diện 7811R Pre. Amp Pre - Amplifier Tiền khuếch đại Pulser Pulser Bộ phát xung SCA Single Chanel Khối phân tích đơn kênh Analyzer SRT Slow Rise Time Reject Chế độ loại các xung có thời gian tăng chậm TAC Time-to-Amplitude Khối biến đổi thời gian thành Converter biên độ TFA Timing Filter Khối khuếch đại lọc lựa thời Amplifier gian Delay Khối làm trễ
  13. 7 MỞ ĐẦU Nghiên cứu cấu trúc hạt nhân thực nghiệm nhằm thu thập, tìm kiếm và cung cấp các bằng chứng về tính chất và cấu trúc của các hạt nhân, góp phần kiểm chứng và hiệu chỉnh các mẫu cấu trúc hạt nhân, là công việc quan trọng trong vật lý hạt nhân thực nghiệm. Bên cạnh đó, các số liệu thực nghiệm trong nghiên cứu cấu trúc hạt nhân còn góp phần phát triển công nghệ và ứng dụng kỹ thuật hạt nhân phục vụ mục đích năng lượng. Vì vậy, nhiều trung tâm nghiên cứu lớn trên thế giới như Dubna, Cern, J-PARC,... đã và đang triển khai nghiên cứu cấu trúc hạt nhân bằng thực nghiệm trên nhiều thiết bị nghiên cứu lớn. Nghiên cứu thực nghiệm về số liệu phân rã gamma nối tầng dựa trên phản ứng bắt nơtron ngoài việc góp phần làm sáng tỏ cấu trúc hạt nhân, còn là những số liệu quan trọng trong thiết kế các lò phản ứng hạt nhân, che chắn an toàn bức xạ. Các số liệu này chỉ có thể thu được từ các phép đo bức xạ gamma do hạt nhân bị kích thích phát ra. Tuy nhiên, việc loại trừ phông của trường bức xạ gamma, loại trừ ảnh hưởng của quá trình tán xạ compton vẫn là các vấn đề chưa được xử lý triệt để nếu sử dụng các hệ đo một đetectơ giảm phông tốt. Phương pháp trùng phùng gamma – gamma là phương pháp ghi đo được sử dụng trong nhiều lĩnh vực nghiên cứu và ứng dụng, với phương pháp trùng phùng ghi đo sự kiện – sự kiện và việc xử lý phổ theo phương pháp cộng biên độ các xung trùng phùng đã tách ra các dịch chuyển nối tầng hai gamma với độ chính xác cao hơn các phương pháp khác. Sự thành công của phương pháp thể hiện qua việc đóng góp số liệu mới vào nghiên cứu cấu trúc hạt nhân, đáng kể nhất là các công trình của nhóm tác giả
  14. 8 tại Nga, trong gần 20 năm nghiên cứu có khoảng 40 hạt nhân biến dạng đã được công bố. Các phát triển tiếp theo của phương pháp đã được một số phòng thí nghiệm lớn ở một số nước như Hungary, Tiệp Khắc, Mỹ, Nhật, ... triển khai. Tại Việt Nam, đến cuối năm 2008 phương pháp trùng phùng gamma – gamma đã được triển khai khá hoàn chỉnh. Hệ trùng phùng gamma – gamma được lắp đặt tại KS3 của LPUHNDL. Tuy nhiên, do hạn chế về khâu lắp ráp mạch trong nước ở phần giao diện nên hệ đo hoạt động có khi không ổn định, tốc độ ghi đo của hệ chậm. Phương pháp thiết lập các tham số cho hệ đo còn mang tính kinh nghiệm, chưa thành quy trình cụ thể chọn lựa tham số. Không gian bố trí thí nghiệm tại KS3 còn giới hạn và chưa tính đến các yếu tố đảm bảo an toàn bức xạ. 49 52 59 Các hạt nhân Ti, V, Ni nằm trong nhóm hạt nhân trung bình và được nghiên cứu từ khá sớm trên thế giới. Tuy nhiên, các tổng kết về số liệu của những hạt nhân này trong thư viện cho thấy còn thiếu nhiều thông tin như spin, độ chẵn lẻ ở các mức năng lượng lớn hơn 2 MeV. Mặt khác đây là những hạt nhân liên quan đến vật liệu dùng trong thiết kế lò phản ứng hạt nhân, do đó nghiên cứu phản ứng bắt nơtron của các hạt nhân này là cần thiết đối với các nước đang phát triển năng lượng hạt nhân như Việt Nam. Luận án gồm các mục tiêu sau: 1) Nghiên cứu thực nghiệm phân rã gamma nối tầng của các hạt nhân 49Ti, 52 V và 59Ni trong phản ứng bắt nơtron nhiệt bằng phương pháp đo trùng phùng gamma - gamma; 2) Đánh giá số liệu thực nghiệm theo mẫu đơn hạt;
  15. 9 3) Nghiên cứu nâng cao chất lượng hệ trùng phùng gamma-gamma. Xây dựng phương pháp lựa chọn các tham số tối ưu cho hệ đo trùng phùng gamma – gamma. Quy hoạch lại không gian KS3, thiết kế và chế tạo lại một số thiết bị che chắn, dẫn dòng nhằm tạo không gian thuận tiện cho người làm thực nghiệm, giảm phông và tăng mức độ an toàn của LPUHNDL; Trên cơ sở các nội dung nghiên cứu đặt ra, luận án được bố cục gồm phần mở đầu, ba chương chính và phần kết luận. Trong đó: Chương một trình bày tổng quan về hệ đo và phương pháp trùng phùng gamma-gamma ghi ”sự kiện-sự kiện”, tình hình nghiên cứu của các hạt nhân được lựa chọn và cơ sở lý thuyết của luận án. Chương hai trình bày về thiết kế, chế tạo giao diện mới nhằm nâng cao chất lượng hệ đo; thiết kế và chế tạo một số thiết bị che chắn dẫn dòng trên KS3; phương pháp lựa chọn các tham số cho hệ trùng phùng gamma-gamma; xây dựng đo đạc thực nghiệm phân rã gamma nối tầng và phương pháp xử lý số liệu của các hạt nhân 49Ti, 52V và 59Ni. Chương ba trình bày kết quả về thiết kế, chế tạo giao diện mới, kết quả phông của hệ đo; kết quả suất liều bức xạ nơtron và gamma trong không gian KS3; kết quả nghiên cứu phân rã gamma nối tầng của các hạt nhân 49Ti, 52V và 59Ni. Phần kết luận nêu những thành công cũng như hạn chế trong nghiên cứu của luận án; ý nghĩa khoa học; ý nghĩa thực tiễn và hướng nghiên cứu tiếp theo của luận án.
  16. 10 Chương một TỔNG QUAN VỀ PHƯƠNG PHÁP VÀ ĐỐI TƯỢNG NGHIÊN CỨU 1.1. Phương pháp trùng phùng gamma-gamma 1.1.1. Quá trình phát triển phương pháp 1.1.1.1. Trên thế giới Phương pháp trùng phùng gamma – gamma đã được Hoogenboom đề xuất và thử nghiệm từ năm 1958 [33][34]. Trong nghiên cứu này, tác giả xây dựng hệ đo dựa trên các đetectơ nhấp nháy và thử nghiệm trên các nguồn 60Co, 22Na và các phản ứng 24Mg(p, 2)25Al và 29Si(p, 2)30P. Kết quả cho thấy sự hiệu quả của phương pháp trong nghiên cứu và xây dựng sơ đồ phân rã của các hạt nhân. Sơ đồ nguyên lý của hệ đo được trình bày trên Hình 1.1. Nguồn CF1a PM1 CR1 CR2 PM2 CF2a CF1b CF2b R1 RV1 R2 Amp Amp.1 Sum Amp.2 D.D Sum Gate MCA MONITOR Hình 1. 1 Sơ đồ nguyên lý hệ trùng phùng do Hoogenboom thiết kế [33].
  17. 11 Trong đó: CR1 và CR2 là các tinh thể nhấp nháy; PM1 và PM2 là các ống nhân quang; CF là lối ra catốt của ống nhân quang. Nguyên tắc hoạt động của hệ như sau: tín hiệu từ lối ra của các catốt CF1a và CF2a được khuếch đại bằng các Amp.1, 2. Tín hiệu từ lối ra của Amp. 1 được đưa vào khối phân tích đa kênh để phân tích biên độ, tín hiệu từ lối ra của Amp. 2 được đưa vào dao động ký để quan sát. Để điều khiển quá trình phân tích, tín hiệu từ các lối ra CF1b và CF2b được cộng trên mạng các điện trở R1, R2 và RV1. Tín hiệu sau khi cộng được khuếch đại bằng khuếch đại tổng (Amp Sum), sau đó được đưa vào khối phân biệt ngưỡng tổng (D.D Sum) và hình thành xung đóng mở cổng để điều khiển quá trình phân tích biên độ. Do cách thiết kế nên việc lựa chọn tín hiệu trùng phùng phụ thuộc vào mạng điện trở và điều chỉnh chiết áp RV1, hệ hoạt động như một hệ trùng phùng chậm và có thời gian phân giải cỡ 3 s. Năm 1965 John Duncan Hepburn ở Đại học British Columbia đã nghiên cứu các vấn đề liên quan đến hiệu suất của hệ trùng phùng chậm dựa trên nguồn 60 Co và phản ứng 11B(p, 2)12C[42]. Hệ đo sử dụng hai đetectơ nhấp nháy tinh thể NaI(Tl), ADC 512 kênh, hệ số chuẩn năng lượng 30 keV/kênh, tốc độ biến đổi của hai kênh tương ứng là 25 s và 0,5 s. Nghiên cứu làm cơ sở cho ứng dụng phương pháp trùng phùng trong đo hoạt độ tuyệt đối và trong nghiên cứu cường độ dịch chuyển nối tầng. Từ năm 1981, tại Viện Liên hợp nghiên cứu Hạt nhân Dubna đã đưa ra vấn đề ghi nhận, lưu trữ và xử lý số trên máy tính các thông tin thu được từ hệ đo cộng biên độ các xung trùng phùng. Phương pháp này khác xa nhiều so với nguyên tắc ban đầu do Hoogenboom đưa ra. Nó cho phép tiết kiệm rất nhiều lần thời gian thực hiện một nghiên cứu, độ chính xác cao hơn, loại trừ được ảnh hưởng chênh lệch về thời điểm xuất hiện các xung từ đetectơ tương ứng
  18. 12 với một cặp chuyển dời nối tầng, khai thác và xử lý thông tin thuận lợi hơn. Sơ đồ của hệ được trình bày trên hình 1.2. Hình 1. 2 Hệ đo trùng phùng nhanh chậm tại Dubna [78]. Nguyên tắc hoạt động của hệ như sau: Các lượng tử gamma của một phân rã nối tầng sẽ tạo nên hai xung điện xuất hiện đồng thời ở các lối ra của đetectơ. Các xung ở lối ra T của hai đetectơ đi đến các khối khuếch đại nhanh (FFA), phân biệt ngưỡng hằng và đến khối trùng phùng nhanh (FCOIN). Khối FCOIN sẽ cho ra 1 xung điện khi hai lối vào có xung xuất hiện trong khoảng thời gian T được lựa chọn trước. Các xung ở lối ra E sẽ được khuếch đại bằng khuếch đại phổ. Các khối SCA cho ra xung nếu biên độ xung ở lối vào nằm trong dải đo được lựa chọn tương ứng khoảng năng lượng từ 0,5 đến 8 MeV. Như vậy, từ một cặp gamma trùng phùng có năng lượng từ 0,5 đến 8 MeV được ghi nhận sẽ có một xung ra ở khối trùng phùng chậm. Xung ra ở khối này là tín hiệu để các khoá tuyến tính (LG) mở cho các ADC nhận xung phân tích và giao diện sẽ ghi nhận các giá trị bằng số (code) của biên độ xung của cặp chuyển dời gamma nối tầng. Sau đó, phương pháp đã được phát triển ở Cộng hòa Séc, Hungary và nhiều nước khác trên thế giới trong đó có Việt Nam [39][65][67][68].
  19. 13 Về cơ bản, các hệ đo tại Cộng hòa Séc và Hungary đều dựa trên nguyên tắc của hệ trùng phùng nhanh chậm dưới dạng số, nhưng sử dụng các đetectơ bán dẫn có độ phân giải cao, các khối điện tử của các hãng nổi tiếng trên thế giới. Sơ đồ của hệ đo ở Hungary được trình bày trên hình 1.3. HV Canberra 3105 Amp ADC Tennelec Canberra TC245 8077(16k) Gate Delay E Ortec Đetectơ 1 FFA HpGe T GG8010 Ortec 579 Delay Ortec GG8010 CFD Level ADC Phillips Transl Multiplexer Computer KFKI (4k) 730 Phillips 720 SCA CFD Start TAC/SCA TAC Phillips Tennelec 730 TC863 Stop FFA Delay T Đetectơ 2 Ortec Ortec HpGe 579 GC8010 E Gate Amp ADC HV Canberra Canberra Canberra 2025 8077(16k) 3106D Hình 1. 3 Hệ trùng phùng nhanh chậm tại Hungary [65]. Ngày nay, sự phát triển của kỹ thuật điện tử, kỹ thuật xử lý tín hiệu số đã cho phép tích hợp các khối điện tử vào trong một vi mạch và điều khiển từ chương trình máy tính nên hệ đo tương đối đơn giản, dễ sử dụng và hiệu quả cao[67]. Vì thế, hiện nay phương pháp trùng phùng gamma-gamma không chỉ ứng
  20. 14 dụng trong lĩnh vực số liệu cấu trúc hạt nhân mà còn ứng dụng trong các lĩnh vực khác[23][39][44][65]. 1.1.1.2. Tại Việt Nam Việc nghiên cứu về phương pháp cộng biên độ các xung trùng phùng đã được tiến hành từ năm 1984 bởi nhóm nghiên cứu tại Đại học Khoa học tự nhiên Hà Nội, trên cơ sở hệ phân tích biên độ 1 k, với đetectơ nhấp nháy NaI (Tl). Sau đó, từ sự hợp tác nghiên cứu giữa Đại học Khoa học tự nhiên Hà Nội và Viện NCHN, các thử nghiệm về hệ đo đã được thực hiện tại LPUHNDL. Sơ đồ của hệ được trình bày trên hình 1.4. Đến cuối năm 2005, một hệ đo hoàn chỉnh đã được lắp đặt tại KS3 của LPUHNDL. Đến năm 2009, hệ đo đã được xây dựng với hai cấu hình dùng khối trùng phùng và dùng TAC. Trong giai đoạn này, từ hệ đo được xây dựng, nhóm nghiên cứu đã tiến hành nghiên cứu phân rã gamma nối tầng của một số hạt nhân như 153Sm,182Ta, 239U, 28Al, 36Cl, 65 Cu[6][10][18]. Việc lựa chọn các tham số, các đặc trưng của hệ đã được nghiên cứu tổng hợp và xây dựng thành phương pháp[2][3][68]. E Amp ADC T I N Đetectơ TFA CFD T E COIN R PC  F TFA CFD A C Đetectơ E T Amp ADC E Hình 1. 4 Sơ đồ khối hệ trùng phùng cộng biên độ tại Viện NCHN.
ADSENSE
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2