Ngân hàng đề thi Cấu kiện điện tử Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông

Ư

Ễ

H C VIỌ

ỆN CÔNG NGHỆ B U CH

ÍNH VI N THÔNG Km10 Đ ngườ Nguyễn Trãi, Hà ĐôngHà Tây Tel: (04).5541221; Fax: (04).5540587 u .vn d u.v

n ; Email: 1

H dhtx@e

p tit.ed

Website: 0H

htt

p ://www.eptit.e

NGÂN HÀNG ĐỀ THI MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Dùng cho h ệ ĐHTX ngành ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

(60 ti

tế – 4 tín chỉ)

Ệ Ệ CHƯƠNG I: GIỚI THI U CHUNG V C Ề ẤU KI N ĐI ỆN TỬ

Câu hỏi loại 1:

ủ ấ c aủ ch t bán ấ ậ h t thì 1 / Theo lý thuy t dế ải năng lượng c a v t c đ rộ ộng vùng cấm E G

ị: d n có giá tr

ẫ a E = 0eV G b E > 6eV G c E = 0eV ÷ 6eV d E = 0eV ÷ 2eV

G

ủ ả ằ 2 / Các tính ch t v t ấ ậ lý đi nệ c ơ b n c a c hất đi n mệ ôi là: h ng s ệ ố đi n môi ,ε đ t nộ ổ hao đi n ệ môi (P ),

đ.t.

ự ệ đ b n ộ ề về đi nệ E , nhi ệ ộ chịu đ ng và t đ ở đi n tr cách đi n.ệ

Đúng. b Sai.

ự ử 3 / D a theo ử lịch s phát tri n ể của công ngh ệ điện t thì c u ấ ki nệ đi n t ệ ử ượ chia đ c

ẫ ệ ử bán d n, c u ấ ki n ệ vi m ch,ạ c u ấ ki n ệ đi n t nanô. làm 5 loại là c u ấ ki nệ đi n tệ ử ệ ử chân không, c u ấ kiện đi n t

a Sai b Đúng

ấ ở 4 / H s ệ ố nhi ệ ủ điện tr su t t c a α bi uể thị:

ở ệ ộ ự a S thay đ ệ ổi c a ủ đi n tr su t ấ khi nhi ổi 10 C .

ở ệ ộ ự b S thay đ ệ ổi c a ủ đi n tr khi nhi t đ thay đ

t đ thay đ ổi 10 C đổi 10 C . ấ khi nhiệt đ thay ở ự c S tăng c ự d S thay đ ở ủa điện tr su t ệ ổi c a ủ đi n tr su t ộ ệ ộ t đ thay đ ấ khi nhi ổi m t ộ kho ngả là ∆t.

ấ d n t p ẫ ạ loại N do:

ố tỗ r ng quy t ế định. 5 / Tính dẫn điện c aủ ch t bán a Các ion âm quy t ế định. ạ ẫ điện t b H t d n ố ạ ẫ l c H t d n ử và h t ỗ tr ng quy t ạ d nẫ l ế định.

ử ạ ẫ điện t ế quy t d H t d n đinh.

ấ 6 / Tính dẫn điện c aủ ch t bán d n t p ẫ ạ loại P do:

ố quy t và h t ế định ạ d nẫ l tỗ r ng quy t ế định a Các ion âm quy t ế định. b H t d n c H t d n d H t d n ử ạ ẫ điện t ạ ẫ điện t ử ố ạ ẫ l ỗ tr ng quy t ế định

ộ ừ ẩ ươ th m t ng đ ối (µ ), đi n trệ ở su tấ

ở v tậ liệu từ là đ t ư ấ ặ tr ng cho ệ ủ điện tr su t (α ấ i t c a ).

7 / Các tính ch t đ c ρ ệ ố ( ), h s nh a Đúng b Sai

ấ ư m t ộ miếng tinh th ể silic nguyên ch t ho t ộ ạ đ ng g ố i ng nh t đ phòng, đi nệ

8 / T i nạ hi ệ ộ ấ a Ch t cách ồ ạ ộ b M t đo n dây đ ng. ấ ẫ đi n ệ c Ch t d n kém ộ d M t ngu n ồ đi nệ

ệ ồ thành ph nầ là

ế ế ệ ệ h t ấ đi n môi g m có 2 ệ 9 / Dòng đi n trong c a Dòng điện phân c c ự và dòng điện rò b Dòng điện phân c c ự và dòng điện trôi. c Dòng điện khu ch tán và dòng d Dòng điện khu ch tán và dòng đi n trôi đi n phân c ực.

ợ ố ẫ h p ch t đ ấ ặc bi tệ có liên k t haế i, ba ho c ặ b n thành ộ 1 0 / V t ậ liệu bán d n quang là ủ các nguyên t thu c ph n c a

ầ ố a Nhóm 4 và nhóm 5 b c d

Nhóm 2 và nhóm 4 nhóm 3 và nhóm 6 Nhóm 3 và nhóm 5.

Câu hỏi loại 2:

ệ ấ ẫ ế đi n ệ khu ch tán ầ ầ ế 1 1 / Dòng đi n trong ch t bán a Ba thành ph n là dòng b Hai thành ph n là dòng ồ d n g m có: ự điện rò, dòng đi n ệ phân c c, dòng đi nệ chuy n ể dịch (dòng phân điện khu ch tán và dòng c c).ự ầ ố ệ ế ự ệ c B n thành ph n là dòng đi n rò, dòng đi nệ khu ch tán, dòng đi n phân c c và dòng đi n ệ trôi ầ ế d Hai thành ph n là dòng điện khu ch tán và dòng đi n ệ trôi

1 2 / Ferit từ m m ề là vật li u tệ ừ đ c dùng r t n s cao do có: ấ ượ ừ ẩ ộng rãi nh t ầ ố ứ ừ a Đi nệ d n ẫ su t cao, đ ộ t th m ban đ u cao, g ấ ở ầ iá trị c mả ng t bão hòa th ích h pợ ộ ừ ẩ ầ ấ ứ ừ b Đi nệ d n ẫ su t ấ th p, đ t th m ban đ u cao, g iá trị cảm ng t bão hòa thích h pợ

ấ ấ ừ ẩ ừ ẩ ứ ứ ầ ầ c Đi nệ d n ẫ su t cao, đ d Đi nệ d n ẫ su t cao, đ ộ t ộ t th m ban đ u th p, th m ban đ u cao, g ấ giá trị c mả ng t ấ ừ bão hòa th p h pấ ừ iá trị c mả ng t bão hòa t

ủ ử 1 3 / Ký hiệu dưới đây là c a c u ấ ki n ệ đi nệ t nào?

ộ Đi a T ụ đi nệ b Không phải ký hiệu của c u ấ ki nệ đi n tệ ử ạ ộ c B dao đ ng th ch ẫn ố t bán d anh d

ườ ng đ ượ dùng làm c 1 4 / Ch t ấ đi n môi ệ ộ ấ

ở ộ thụ đ ng th i nế áp a Lõi cu n dây và b b T ụ đi nệ và ch t cách đi nệ . c Đi nệ trở d Đi nệ tr và t ụ đi nệ

Câu hỏi loại 3:

(cid:0)

ế 1 5/ M t ộ mi ng bán d ẫn silic đ cượ pha thêm photpho nồng độ1,5.1015.cm .

(cid:0) 3

ẫ ế mi ng bán d ẫn tại nhi tệ độ 3000 K . (cho bi = t n ế i (cid:0) Hãy tính nồng đ ộ h t ạ d n trong 1,5.1010.cm

3 .

1,5.105 ). 1,5.1015 .cm .cm . a N =n (cid:0) ; P = n (cid:0) 105.cm b N = 1,5.1015.cm ; P =n

(cid:0) (cid:0) 1,5.105.cm 10 5.cm c N = . ; P = n

5.cm

(cid:0) (cid:0) (cid:0) 1,5.1015.cm 1,5.10 d N = ; P =n .

ở h tấ là kim loại dẫn đi nệ t t vìố điện tr su t c a ấ ủ nó là

ồ 1 6 / Đ ng nguyên c 0, 024(cid:0) (cid:0) .m 0, 0165(cid:0) (cid:0) .m 0, 0175(cid:0) (cid:0) .m 0,030 µ .m.Ω c d

ườ ượ ạ ầ ố ộ h ng đ c dùng làm các bộ dao động th ch anh có t n s dao đ ng

ạ 1 7 / Th ch anh t ấ ổ a R t n định b

Trung t nầ c R t ấ th pấ ấ d R t cao

CHƯƠNG 2: CÁC CẤU KI N ĐỆ I N TỆ Ử TH Ụ ĐỘNG

Câu hỏi loại 1

1 / V t ậ li uệ c n ả đi n dùng đ ể chế t o ạ điện trở là ệ ệ a Ch t d n ấ ẫ đi n có ở đi nệ tr su t ấ th pấ

ấ ại v tậ liệu trên ở đi nệ tr su t ệ đi nệ ấ ả b T t c các lo ấ ẫ đi n có c Ch t d n ấ Ch t cách cao d

ở ườ ệ ả ố 2 / Trên thân đi n tr th ng đ ấ ược các nhà s n xu t ghi các tham s ch ính sau:

ở ệ Trị s ố đi nệ tr , dung sai c aủ trị số đi nệ tr , đở i nệ áp làm vi c cho phép

a Đúng b Sai

ệ ở ệ ệ ố nhi t mang giá trị âm

3 / Tecmixto là đi n tr có h s a Sai b Đúng

ụ ầ 4 / Khi sử d ng t các tham s ố chính c aủ chúng là: tr sị ố ụ điện chúng ta c n chú ý i, đi nệ áp làm vi c ệ ng, dung sa dung l

ượ a Đúng b Sai

ạ ươ c ơ ồ m ch t ươ đ ng ng bởi

ượ bi u tể h trong s đ ị ới cu n dây. ộ ắ ộ ụ đi nệ m c song song với cuộn dây

ấ ủ ả ộ c m đ ổ 5 / T n th t c a cu n ắ ộ ụ iện m c song song v đ a M t t ệ b M t độ i n tr và m t t ệ c M t độ i n tr n ệ d M t độ i n tr song song ở ở ối ti p ế với cuộn dây. với cu nộ dây. ở

ỏ ổ ể ầ 6 / Biến áp cao t n dùng đ truy ể biến đổi t ng tr ầ t n dùng đ ền tín hi u ệ có ch nọ l c ọ thì dùng loại ghép l ng, ở thì dùng loại ghép ch tặ còn bi n áp cao

ế a Sai b Đúng

ụ có ch t ấ điện môi là dung dịch hóa h cọ

7 / Tụ hóa là loại t a Sai b Đúng

ệ ủ trị s ố c a nó đ ượ đi uề khi nể b ngằ c

đ tặ lên nó ườ ở 8 / Varixto là đi n tr mà ngườ ộ t ệ đ môi a Nhi tr b Dòng điện ch yạ qua nó. ệ c Đi n áp d T từ r xung quanh nó ng

ạ ừ h cóể nhiều ngăn. M iỗ ngăn có các lá tĩnh và các lá đ ng ộ chế t o t ẽ yên chất, đặt xen k nhau ụ đ ng ngu

9 / T xoay có t ồ a Đúng b Sai

Câu hỏi loại 2:

ệ ứ ự : vàng t ím lá cây vàng kim có 1 0 / M t độ i n tr màu có các vòng màu theo th t ở trị s ố điện trở là

10% 5% 10%

(cid:0) 470K (cid:0) (cid:0) 4700K (cid:0) (cid:0) 4, 7M (cid:0) (cid:0) 470M (cid:0) 5% a b c d

ệ ộ ở là m t tham ố ơ ả c a:ủ s c b n

ại đi nệ tr .ở ở 1 1 / “Lu t đậ i n tr ” a Bi nế trở ấ ả b T t c các lo c Đi nệ tr màng kim.

ở d Đi nệ tr than ổ t ng h ợp.

ệ t n s 1 2 / Khi tụ đi n làm ụ ố cao thì phải chú ý đến: ổ ệ số t n hao D thông qua h F. ổ ả

ệ ệ ở ầ vi c ấ a T n hao công su t trong t ố b C 3 tham s trên. ệ c Dung sai c a t d Đi nệ áp làm vi c cho phép c a ủ ụ đi n tính theo %. ủ t ụ điện.

ủ ố ỹ 1 3 / Các tham s k thu t c b n ậ ơ ả c a cu n ộ c mả là ổ ả ủ a Đi nệ c m (L), đ ệ i n tr n ở ối ti p bế iểu thị t n hao c a cu ), kích th cướ ả ộn c m (R S

cu n c m ả ả ộ ả ộ ệ ố phẩm ch t ấ (Q), đi nệ dung riêng c aủ cu n c m (C), s vòng dây (N). b H s c Đi nệ c m (L), ố ầ t n s làm iới h nạ (f vi c gệ ố riêng c a củ ả u n c m (C). ộ ệ gh), đi n dung

ả d Đi nệ c m (L), h s ẩ ệ ố ph m ch t ệ ấ (Q), đi n dung riêng của cu n cộ ảm (C).

ở ầ ố t n s cao th 1 4 / Cu nộ dây không lõi làm vi cệ ố ườ ấ ẩ ch t cao, yêu c u pầ ng ệ đi n dung hải có riêng nhỏ tở ần s ố

ệ t n s l ả đi n dung vi cệ ở ầ riêng lớn ở ầ a Đi nệ c m ả ổn định, hệ s ph m làm vi cệ b Đi nệ c m ả ổn định, hệ s nhi c Đi nệ c m th d Đi nệ c m ả cao, h s ố ệ ố ích h p, ợ h s ph m ẩ ệ ố ph m ch t đi nệ dung riêng l nớ t cao, ẩ ch t cao, ệ ấ ệ ấ nh , ỏ đi n dung riêng cao ố àm vi cệ tở ần s làmố ố làm vi c.ệ t n s

ộ ủ iới h nạ c a cu n c ượ để ộ dây. it có th ể điều chỉnh đ vi c gệ ộ ấ ủ cu n dây ệ ả ả 1 5 / Lõi trong cu n dây fer a Thay đổi tần s làmố b Thay đổi tổn th t c a ủa cu n dây c Thay đổi đi n c m c ộ ậ ố ỹ d Thay đổi c 3 tham s k thu t trên

ủ 1 6 / Khi sử d ng ụ ở đi n ệ tr ta ph ải bi ế ượ t đ c các tham g? ở ố ơ ả s c b n nào c a chún ế ệ ộ ấ ệ ố nhiệt, công su t tiêu tán và kho ng t đ làm và công su t tấ iêu tán (n u có). ả nhi vi cệ ệ vi c cho phép. ở ở ệ ố a Trị s ố đi nệ tr , dung sai b H s Trị s ố đi nệ tr , dung sa c d Trị s ố đi nệ tr , h s nh ệ i, đi n áp làm ệ i t và dòng điện c cự đại

ụ ủ 1 7 / Khi sử d ng t ụ điện ta phải bi ế ượ t đ c các tham ố ơ ả s c b n nào c a chúng? ệ và công su tấ tiêu tán ệ ộ ấ ệ ố nhiệt, công su t tiêu tán và kho ng ả nhi t đ làm

a Trị s ố đi n dung, dung sai b H s c Trị s ố đi n dung, dung sai ệ ệ ệ d Trị s ố đi n dung, h ố ệ s nhi vi cệ và điện áp làm việc cho phép đi nệ c c đự t và dòng ại

Câu hỏi loại 3:

ầ ố ố ấ ả ầ t n có đáp ứng t n s không b ng ằ phẳng trong kho ng t n ầ s th p

ả ưởng c a ủ đi n cệ ủ ảm c a cu ơ ấ ộn s c p và ổ t n hao năng ng c a ữ ế 1 8 / Bi n áp âm dưới 100Hz và cao h nơ 10KHz là do nh h ủ lõi s t tắ ừ ượ l (do đi nệ cảm rò và điện dung phân tán gi a các vòng dây) tăng lên?

a Đúng b Sai

ở ệ ở ể ố tri s là 1 kΩ và dung sai là 5%, hỏi trị s ố c a ủ đi n tr có th 1 9 / M t độ i n tr có ghi ệ là bao nhiêu?

a Kho ng ả từ 1K(cid:0) ÷ 1,5K (cid:0)

b Kho ng ả c Kho ng ả d Kho ng ả t từ 950(cid:0) ÷ 1000(cid:0) từ 950 (cid:0) ÷ 1050 (cid:0) 0,95K(cid:0) ÷ 10,5K (cid:0) ừ

CHƯƠNG 3: ĐIỐT BÁN D NẪ

Câu hỏi loại 1.

ả 1 / Tính ch t v t ủ lớp ti pế xúc PN là khả năng dẫn đi n t ệ ố khi đ t cượ ự ậ ấ ậ lý cơ b n c a phân c c ự thu n và phân c c n gư cợ

a Đúng b Sai

ế

l p ớ ti p xúc ế ế l p ớ ti p xúc tăng, điện tr ở l p ớ tiếp xúc tăng i mả giảm, đi nệ tr ở lớp ti p xúc g ế ế ế ề ả i m, b dày ế iảm, điện tr ở l p ớ tiếp xúc ế l p ớ ti p xúc g

ế ế ế ậ ự 2 / Khi ti p xúc PN phân c c thu n thì ề ả i m, b dày a Hàng rào th năng g ề b Hàng rào th năng tăng, b dày c Hàng rào th năng g gi mả d Hàng rào th năng ề tăng, b dày l p ớ ti p xúc tăng, đi nệ tr ở lớp ti p xúc tăng

ế ự ế đi n thệ lớp ti p xúc là do

ố ế lớp ti p xúc t o nên ế ể ụ ườ ế u nậ ch y qua ả ậ 3 / Khi ti p xúc PN phân c c thu n, dòng a Các h t dạ ẫn thi u ể s ố khu chế tán qua l p ớ tiếp xúc t o nên. ạ b Các h t dạ ẫn đa s khu ch tán qua ố c Các h t dạ ẫn đa s chuy n đ ng ộ trôi dưới tác d ng c ạ ủa đi nệ tr ng ti p xúc t oạ nên. ố ể ộ ố ộ d C h t d ả ạ ẫn đa s và thi u ể s chuy n đ ng trôi dưới tác đ ng c a ệ ủ đi n tr ườ ng ạ t o nên

ự 4 / Nguyên lý ho t đạ ộng c a ủ đi ốt bán d nẫ d a vào tính d n ẫ đi nệ m t chộ i u ề c aủ lớp

tiếp xúc PN a Sai b Đúng

ượ ậ tố bán d nẫ đ c phân cực thu n khi đi nệ áp đ tặ lên đi tố phải: (cid:0) 5 / Trên th c t U AK ự ế đi , U D a

b (cid:0)

c (cid:0) U D U D 0V (cid:0) U AK U AK U AK d

ệ 6 / Ký hi u sau đây c h c u ỉ ấ ki nệ nào:

a Đi b Đi c Đi d Đi ố t zener t ố S tky. ố ố t tunen. t cố hỉnh l u.ư

ư ứ ẫ t bán d n có ch c năng nh môt:

ố 7 / Varicap là đi ả ộ a Cu n c m b T ụ đi nệ c Đi nệ trở ế d Bi n áp

ỉ t cố hỉnh l u ư ch ho t đ ng ạ ộ khi ộ ở ch ế đ phân c cự thu nậ

8 / Đi a Sai b Đúng

ơ ả c a ủ đi t cố hỉnh lưu là ệ ộ ệ vi c cho phép ại và nhi t đ làm ậ ại và điện áp thu n cho phép. ượ ại và điện áp ng c cho phép 9 / Đ c tặ ính c b n ị a Giá tr dòng ị b Giá tr dòng ị c Giá tr dòng ị d Giá tr dòng điện thuận c c đự điện thuận c c đự điện thuận c c đự điện thuận c c đự ại và công suất tiêu tán c c đự ại

ở ệ ộ ệ ượ ư ng c a ủ nhi t đ lên dòng đi n ng c bão hòa c a ủ đi ốt đ c ượ tính x p ấ xỉ Ả 1 0 / nh h là

ự a Tăng gấp 3 l nầ đối với s tăng nh i t đệ ộ lên 100 C .

ộ ự ỗ b Tăng gấp 2 l nầ đối với m i m t s tăng nhi

ộ ự ỗ

ộ ự ỗ ệ ộ lên 150 C . t đ ệ ộ lên 100 C c Tăng gấp 2 l nầ đối với m i m t s tăng nhi t đ ệ ộ lên200 C . d Tăng gấp 2 l nầ đối với m i m t s tăng nhi t đ

1 1 / Đi cượ gọi là ạ ả ăng bi nế đổi dòng đi n ệ xoay chi u ề thành m tộ chi uề đ yển m ch.

t chu t n áp. t tunen. ố a Đi b Đi c Đi d Đi t có kh n ố ố ổ ố t cố hỉnh l u.ư

đ.t.

ườ ượ ượ cho phép c aủ đi c t ố th ng đ c c họn b ngằ

ệ 1 2 / Đi n áp ng a 0,6 U b Uđ.t. c d 0,8 Uđ.t. 0,5 Uđ.t.

ế tố có l p ớ ti p xúc: 1 3 / Đi ấ đi n ệ

tố Sôtky là loại đi a Bán dẫn ch t cách b Bán dẫn bán d nẫ c Bán dẫn v tậ liệu từ d Bán dẫn kim loại

Câu hỏi loại 2:

ặ ố ượ đi t bán d nẫ đ c b i uể di nễ

1 4 / M iố quan h ệ gi aữ dòng đi nệ và điện áp đ t trên b ngằ công th c:ứ ⎛ U AK (cid:0)

I (cid:0) I 1⎟ ⎟ ⎠ ⎜ e ⎞ VT 0 ⎜⎝ a

với I0

là dòng đi n ệ ngư cợ bão hòa.

I (cid:0) I (cid:0) 1⎟ ⎞ ⎟ ⎠ với I là dòng đi n nệ g cượ bão hòa.

0

⎛ U AK ⎜ e VT 0 ⎜⎝ b

U AK VT

I (cid:0) I là dòng đi n nệ g cượ bão hòa. ⎛ U AK (cid:0) 1 ⎞ ⎜ e ⎟ ⎟ VT ⎠ với I 0 ⎜⎝ c

I (cid:0) e ượ ⎞ (cid:0) 1⎟ ⎟ ⎠ với I là dòng đi n nệ g c bão hòa ⎛ I ⎜ 0 ⎜ ⎝ d

ệ ở ộ ộ ố ) c a ủ đi tố là m t tham s quan tr ọng, nó được tính theo công

1 5/ Đi n tr đ ng (R i th cứ

M với I M

VT R (cid:0) i I là dòng đi n cệ ủa đi ố ở h đ đ ế ộ ộng c t a

(cid:0) Ri ượ là dòng đi n nệ g c bão hòa với I 0 I 0 b

R (cid:0) U I ệ là dòng đi n tệ ại ch đ ế ộ làm vi c tĩnh với I M c

với I ế ộ là dòng đi n cệ ủa đi ố ở h đ tĩnh c t I R (cid:0) VT

M

R (cid:0) VT ẫ ở ộ ượ coi nh m t ệ ư ộ đi n tr có c trị số khi nó ho t ạ đ ng ở hế c I 1 6 / Điot bán d n đ độ

với tín hi u nệ ố h p.ấ ậ ậ ỏ ầ với tín hi u nệ ỏ ầ h t n s t ố h t n s cao

a Phân c cự thu n và b Phân c cự thu n và c Phân c cự thu nậ ượ ậ d Ph n c c ự ng c và v ới tín hi u nệ hỏ

ươ ng c a ủ đi tố bán d n ẫ có d ng mạ ạch nh ư hình v dẽ ưới khi nó ơ ồ ươ 1 7 / S đ t ng đ ệ ở chế độ làm vi c

với tín hi u nệ h t n s cao

ậ ậ ượ ượ a Phân c cự thu n và b Phân c cự thu n và c Phân c cự ng d Phân c cự ng c và v c và v với tín hi u nệ ới tín hi u nệ ới tín hi u nệ ố ỏ ầ ố h pấ ỏ ầ h t n s t ỏ ầ ố h t n s cao ố h pấ ỏ ầ h t n s t

ố ượ 1 8 / Khi đi t phân c ực ng c thì dòng đi nệ ch yạ qua nó là bao nhiêu?

300 mA 1 mA

a b c Không phải nh ngữ giá trị trên d 0 mA

ơ ồ ươ ươ ố ự 1 9/ S đ t ng đ ủ ng c a m t ộ đi t phân c c thu n ậ dưới đây đ cượ coi như

ồ đi nệ áp thực ồ đi n áp lý ệ ồ ộ ở ự a M t độ i n tr th c ệ ộ b M t ngu n ộ c M t ngu n ngưở d M t ngu n dòng lí t tưởng.

ọng nh t cấ ủa đi tố xung là

đánh th ngủ U dt ố 2 0 / Tham s quan tr ố a Thời gian xu ng t . f b Thời gian lên tr ệ c Đi n áp d Thời gian ph c hụ ồi chức năng ngắt t .

p

ươ ươ ố ự ơ ồ t 2 1 / S đ ng đ ủ ng c a m t ộ đi t phân c c thu n ậ dưới đây đ cượ coi như

ưởng ệ ưở ng ồ ồ đi n áp lý t ồ đi nệ áp thực ộ a M t ngu n dòng lí t ộ b M t ngu n ộ c M t ngu n ở ự d M t độ i n tr th c ệ

ơ ồ ươ ươ ự ượ ư 2 2/ S đ t ng đ ủ ng c a m t ộ đi tố phân c c ng ượ dưới đây đ c c coi nh

ưở ng ồ đi n áp lý t

ộ ồ ộ ồ đi nệ ộ ệ a M t ngu n b M t độ i n tr th c ở ự ệ c M t ngu n dòng lí tưởng d M t ngu n áp thực

< 10ns thu cộ loại 2 3/ M t độ i hời gian ph c hụ ồi chức năng ngắt tp

ố t xung có t ố ộ h m.ậ a T c đ c ố ậ ộ b T c đ quá ch m ộ ố c T c đ nhanh

ố ộ d T c đ trung b ình.

ể ạ ố ộ t xung có t c đ chuy n m ch 2 4 / Đi là loại đi

ố ình. ậ

t ố S tkyố ố ộ a T c đ trung b ố ộ b T c đ quá ch m ộ ố c T c đ ộ ố nhanh d T c đ ch m.ậ

Câu hỏi loại 3:

ườ ế ế ằ ạ ệ ộ đi n tr ng ) c aủ l p ớ ti p xúc PN khi ở r ng thái cân b ng t ti p xúc (E 0

ườ 2 5/ C ng đ đ ngộ ượ đ

KT ln định theo công th c:ứ c xác (cid:0) N D N A E0 2 n i a ủ ạ ấ ạ ấ ươ là n ngồ độ c a t p c h t Nh n ậ và t p ch t Cho, t ứ ng ng với N , N

D

A

(cid:0) ln VT E0 N D N A 2 n i b ủ ạ ạ ấ ấ ươ ứ với N , N là n ngồ độ c a t p c h t Nh n ậ và t p ch t Cho, t ng ng và V là

D tệ ế nhi

đi n thệ

(cid:0) KT ln E0 N D N A c ủ ạ ạ ấ ấ ươ với N , N là n ngồ độ c a t p c h t Nh n ậ và t p ch t Cho, t ứ ng ng.

(cid:0) (cid:0) VT ln E0 N A VT ln 2ni N D n 2 i d

ủ ạ ấ ạ ấ ươ ứ với N , N là n ngồ độ c a t p c h t Nh n ậ và t p ch t Cho, t ng ng và V là

D tệ ế nhi

đi n thệ

ạ ố ơ ồ ạ 2 6 / Hãy tính c ngườ độ dòng đi nệ ch y qua đi t trong s đ m ch dưới đây

a b c d 14 mA 20 mA. 0 mA 14 A

ố ệ ồ ấ 2 7/ Hãy tính công suất tiêu tán c a ủ đi t zener khi bi tế đi n áp ngu n cung c p U =

ệ đi t ố là 10V và dòng đi n qua đi t ố là 20mA 24V, ệ đi n áp trên 200 W a

b 200 mW 280 mW c 480 mW d

ư ạ ẽ dưới đây với đi tố silic, hãy tính dòng đi n cệ h y trong ạ ồ ạ 2 8 / Cho sơ đ m ch nh hình v m ch khi điot phân cực thu nậ

10 mA a 0 A b c 9,3 A d 9,3 mA

ệ ư đi n nh hình v . ẽ Hãy cho bi t gế iá trị đi n tr ở là bao nhiêu để có dòng 2 9 / Cho m ch ạ đi nệ qua đi ệ t x p ố ấ xỉ 10 mA?

a b

c 430 KΩ 1 KΩ 430 Ω d 500 Ω

ạ t có ệ điện áp là 0,7V và dòng đi n ch y qua nó là 50mA. H ỏi công su t ấ

3 0 / M t độ i ố ủ c a nó là bao nhiêu? 3,5 W. a 50 mW b 35 mW c 35 W d

ô.đ

ệ ố 3 1 / Đi n áp n ổ định U (V ) c aủ m t độ i t zener ph th ộ ụ u c vào

ệt cho đi tố

ấ ệ ỏ t a nhi ượ đ tộ ạp ch t c a Đi n áp ngoài c bão hòa ấ ủ ch t bán đ tặ lên nó ươ ng pháp a Ph b Dòng điện ng c N ng ồ d nẫ d

Câu hỏi loại 4:

ấ ệ t ố thứ nh t có đi n áp phân c cự là 0,75 V và đi ứ t ố th hai

t ố th nứ h tấ là 100mA, hỏi dòng đi nệ đi qua đi ứ t ố th hai là bao đi nệ đi qua đi

140 mA 120 mA 80 mA ối ti p. ế Đi 3 2 / Hai điốt m c nắ có điện áp phân c c là 0,8 V. ự ế N u dòng nhiêu? a b c d 100 mA

ượ ệ đo đ c là 3 V. ư đi n nh hình v . ẽ Điện áp tại đi m nể 3 3/ Cho m ch ạ ối gi a Rữ 1 và R 2

ệ ố ệ ả Đi n áp g iữa đi t và đi n tr 5 ở KΩđo đ cượ 0 V. Hỏi đi uề gì x y ra t rong m chạ điện?

tắ ộ ạ đ ng bình th ngườ t ố bị đ tứ h ngỏ a Đi t ố b nị ối t b Đi ạ c M ch ho t d Đi nệ tr ở b nị ối t tắ

ố t m c là 1,4V. ứ ế ệ t ố th ứ nh t có ắ nối tiếp với nhau với ngu n ồ đi n ệ cung c p ấ cả m ch ạ ấ điện áp là 0,75V. N u dòng ạ qua đi đi n ch y t ố th nh t là 500mA,

t ố thứ hai có công su tấ là bao nhiêu? 325 mW

3 4 / Có hai đi ấ Đi hỏi đi a b C 3 ả đáp án trên đ uề không đúng c d 375 mW 300 mW

Ự CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG C C (BJT)

Câu hỏi loại 1.

ạ ẫ ố s trong ph n ầ g cố là ạ ẫ

ạ ẫ 1 / Trong tranzito lưỡng c cự loại NPN, h t d n đa a C ả hai loại h t d n trên. tỗ r ngố b Các l c Các đi n tệ ử t doự d Không phải hai loại h t d n trên

ộ ế ở hế đ ộ tích c c,ự l p ớ ti p xúc phátg c ố đ c cượ 2 / Khi tranzito ho t ạ đ ng a Không d nẫ đi nệ

ng ở đánh th ngủ Phân c cự thu nậ . c Phân c cự c.ượ vùng ạ ộ d Ho t đ ng

ế ở hế đ ộ tích c c,ự l p ớ ti p xúc gópg c ố đ c cượ ở đánh th ng ủ ộ vùng

3 / Khi tranzito ho t ạ đ ng ạ ộ a Ho t đ ng b Phân c cự thu nậ c d Không d nẫ đi nệ Phân c cự c.ượ ng

ự ấ ỏ ủ các tranzito lưỡng c c r t m ng và

Là kim loại. ạ ố h tấ là nguyên t có hóa tr ị năm. ố 4 / Ph n ầ g c c a a Có độ pha t p ạ th pấ b c Có độ pha t p cao. d Pha t p cạ

5 / Trong m tộ tranzito loại NPN đ ầ ch ể ượ ế các điện t trong ph n phát có đ cượ phân c c ự ở ủ năng lượng đ v ế đ ộ tích cực, t qua hàng rào t h năng c aủ

ử ấ ả ế a b c T t c các vùng trên. L p ớ ti p xúc góp g c.ố L p ớ ti p xúc phát ế g c.ố d Vùng tái hợp.

ầ ố do tái h pợ với m tộ l ỗ tr ng trong ph n g c ủ ố c a tran zito thì đi nệ

do khá c.

ộ ạ ẫ ử ự 6 / Khi m t ộ đi nệ t t ẽ r thành ở ử ự t t do này s t a M t độ i n tệ ử t ự b M t độ i n tệ ử trong vùng d n. ẫ c M t độ i n tệ ử hóa trị. ố d M t h t d n đa s .

ế ố ể ề ệ ọ r ng nh t ấ đ nói v dòng đi n c c ự góp (I )?C

ố ) chia cho hệ s khu ch ế đại dòng đi n.ệ ự đi n ệ c c g c (I B 7 / Y u t nào quan t ấ ỏ a Nó r t nh . ằ ố b Nó b ng dòng cượ đo b ng ằ miliampe. c Nó đ

ằ ệ d Nó x p ấ x ỉ b ng dòng đi n c c ự phát (I ). E

ự ắ thì: ậ ộ ế đ ng t ti p ế xúc gópg cố đ chở ợ gư c và ự c phân c c thu n ố c.ượ ượ ự ậ ố ự ạ ộng 8 / Khi tranzito lư ng ỡ c c ho t đ ượ a Ti p ế xúc phátg c phân c c n ự ố b Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ ượ phân c c ự thu n.ậ c ố c Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ ượ phân c cự ng c tiếp xúc gópg cố đ d Ti p ế xúc phátg c phân c c th u n và c phân c c ng ượ c

ạ ộng c c ho t đ chở thì

ự ậ ố c.ượ ượ ự ượ ế đ bão hòa ố c u n và c phân c c ng c. ượ phân c c ự thu nậ ự ố ượ ậ 9 / Khi tranzito lư ng ỡ ộ ự a Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ b Ti p ế xúc phátg c phân c c th c Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ d Ti p ế xúc phátg c phân c c n ượ phân c cự ng tiếp xúc gópg cố đ ố c ti p ế xúc gópg cố đ ợ gư c và ự c phân c c thu n.

1 0 / Khi tranzito l ộ ạ đ ng ở hế đ ộ tích c cự thì c ố ự ngưỡ c c ho t a Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ ượ phân c c ự thu n.ậ c

ợ ự ường h p phân c c trên đ u đúng ự ố ượ ự ề ậ u n và tiếp xúc gópg cố đ c phân c c

ả b C ba tr c Ti p ế xúc phátg c phân c c th ng cượ

ố d Ti p ế xúc phátg cố và tiếp xúc gópg c đ ượ phân c cự ng c c.ượ

ộ 1 1 / Nguyên lý ho t ạ đ ng c a ủ hai loại tranzito lưỡng c cự PNP và NPN ể ả là hoàn toàn giống nhau k c ngu n ồ cung c pấ bên ngoài đ t ặ lên các chân c c?ự

a Sai b Đúng

ự ỡ ố ủ ự ộ tranzito lư ng c c c h t o t ế ạ ừ silic, đi nệ áp g cphát

1 2/ Trong vùng tích c c c a m t (U ) là BE a b c d 0,7 V 0 V 1 V 0,3 V

ỡ ủ ệ ) là ộ tranzito lư ng c c, 1 3/ Trong vùng bão hòa c a m t ự đi n áp gópphát (U CE

a b c d 0,3 V 1 V 0,7 V 0 V

= 0,7V; zito trong m ch ạ đi nệ đ cượ phân c c vự ệ ới các đi n áp tĩnh ộ 1 4/ M t tran là U BE

U = 0,2 V. Hỏi tranzito đó ho t ạ động chở ộ ế đ nào?

a Tích c cự b Bão hòa c Ng tắ d Không phải các ch đế ộ trên

= 0 V; zito trong m ch ạ đi nệ đ cượ phân c c vự ệ ới các đi n áp tĩnh ộ 1 5/ M t tran là: U BE

(cid:0)

EC . U CE Hỏi tranzito đó ho t ạ động chở ộ ế đ nào?

a Ng tắ b Bão hòa. Tích c cự c d Không phải các ch đế ộ trên

ư ộ ể ộ c coi nh m t chuy n m ạch khi ho t ạ đ ng ở hế độ c ắ

ắ ượ 1 6 / Tranzito đ tích c c ự a Ng t và b Không phân c cự c Bão hòa và tích c c.ự d Ng t và bão hòa

ả ẫ 1 7 / Trong tranzito lưỡng c cự loại PNP h tạ d n c ạ ơ b n nào t o ra dòng đi nệ góp?

ỗ tr ngố ạ ẫ ại h t d n trên a Các I on b H t d n c d H t d n ạ ẫ l ấ ả T t c các lo ạ ẫ điện tử

(cid:0)

α β ệ ố ượ ả ứ 1 8 / Quan h ệ gi a hữ ệ s khu ch ế đại dòng đi n và đ c mô t qua công th c: (cid:0) 1 (cid:0) (cid:0)

(cid:0) a

(cid:0)

(cid:0) (cid:0)

(cid:0) 1 (cid:0) (cid:0)

1 (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) b

(cid:0)

c (cid:0) (cid:0) 1 (cid:0) (cid:0) d

Câu hỏi loại 2:

CB0

ữ ệ ố đi n góp và dòng đi nệ g c trong tran zito lưỡng c cự th ể hiện 1 9 / Quan h ệ gi a dòng qua công th cứ + βI a I = (β+1)I B C

CB0

b I = β + (β+1)I C

CB0

+ I c I = βI B C

CB0

α + ( +1)I d I = C Iα B

ữ ệ ệ đi n góp và dòng đi n phát trong tran zito lưỡng c cự th ể hiện

a + I 2 0 / Quan h ệ gi a dòng qua công th cứ I = C Iα E

CB0

ICB0 b c I = C I = C Iα E Iα E

d I = (I α + I C ) CB0

ệ zito có dòng đi n phát ệ là 10 mA, dòng đi n góp là 9,95 mA. Hỏi dòng

(cid:0)

ộ 2 1 / M t tran đi nệ g cố là bao nhiêu? 1mA a 0,5 mA b c 19,95 mA d 0,05 mA

ự ệ ố là 5 mA, dòng đi nệ g c ố là 0,02 mA. Hỏi h s khu ếch đại 2 2 / Dòng đi n ệ c c góp dòng đi nệ β là bao nhi u?ệ

a b c d 250 100 50 25

ố ế đại dòng đi n ệ là 125 và dòng điện g c là 3 0μA. 2 3 / M t trộ anzito có hệ s khu ch ự ệ Hỏi dòng đi n c c góp ố là bao nhiêu?

a b

37,5 mA 3,75 A c 375 μA 3,75 mA

2 4 / Tranzito trong sơ đ đ ắ ồ ượ m c theo cá c ch nào?

a Phát chung (CE) b G cố chung (CB). c Góp chung (CC). d Dacling t nơ

ồ ạ ượ ắ 2 5/ Tranzito trong sơ đ m ch đ c m c theo cách nào?

a G cố chung (CB). b Phát chung (CE). c Dacling t nơ d Góp chung (CC)

ạ ắ 2 6 / Trong m ng 4 c ực dưới, tranzito đ c ượ m c theo cá ch nào?

ố a Phát chung (CE). b Góp chung (CC). c G c chung (CB) d Dacling t nơ

ạ ắ 2 7/ Trong m ng 4 c ực dưới, tranzito đ c ượ m c theo cá ch nào?

a Phát chung (CE) b G cố chung (CB). c Góp chung (CC). d Dacling t nơ

= 200 và dòng đi n ệ c cự góp là 100mA thì ệ ố ự ố 2 8 / N u ế h s khu dòng đi nệ c c g c s ếch đại dòng đi n βệ ẽ là

2 mA a 2 A b c 20A d 0,5 mA

ồ ạ ư ở 2 9 / Cho sơ đ m ch nh hình v , ẽ hãy cho bi ạ ộ tế tranzito ho t đ ng ch đ ế ộ nào?

a Ng tắ b Không phải 3 ch đế ộ trên Tích c cự c d Bão hòa.

ế ạ ắ 3 0/ Hãy cho bi t tran zito trong m ch đ ượ m c theo cách nào? c

chung ố chung ự a C c góp chung ự b C c phát ự c C c g c d Dac ling t nơ

Câu hỏi loại 3:

ở ươ ệ ệ ươ ư đi n nh hình v . ẽ Hãy xác định đi n tr t ng đ 3 1/ Cho m ch ạ ng R B = R //R 2 1

a b c d 30 KΩ 170 Ω 5,866 KΩ 14 KΩ

ở ươ ệ ệ ươ ư đi n nh hình v . ẽ Hãy xác định đi n tr t ng đ = R //R ? 3 2/ Cho m ch ạ ng R B

10 KΩ 20 KΩ 5 K Ω 7,5 KΩ a b c d

ồ ạ ư 3 3/ Cho sơ đ m ch nh hình v . ẽ Hãy xác đinh đi nệ áp U ?B

a b c d 10 V 5 V 7,5 V 6 V

ồ ạ ư 3 4/ Cho sơ đ m ch nh hình v , ẽ hãy cho bi tế tranzito làm vi c ế ộ ệ ở ch đ nào?

a Ng tắ b Bão hòa c Không phải ba ch ế độ trên. d Tích c cự

ế ồ ạ ượ ự 3 5 / Hãy cho bi t tran zito trong sơ đ m ch dưới đ c phân c c theo cách nào?

tệ a M ch ạ b M ch ạ c M ch ạ d M ch ạ định thiên cố định định thiên hồi tiếp điện áp định thiên hồi tiếp có n ổ định nhi định thiên phân áp

ế ồ ạ ượ ự 3 6/ Hãy cho bi t tran zito trong sơ đ m ch dưới đ c phân c c theo cách nào?

tệ tệ

a M ch ạ b M ch ạ c M ch ạ d M ch ạ định thiên hồi tiếp có n ổ định nhi định thiên cố định có m chạ n ổ định nhi định thiên phân áp định thiên hồi tiếp điện áp

ế ồ ạ ượ ự 3 7 / Hãy cho bi t tran zito trong sơ đ m ch dưới đ c phân c c theo cách nào?

tệ

a M ch ạ b M ch ạ c M ch ạ d M ch ạ định thiên cố định định thiên hồi tiếp điện áp có n ổ định nhi định thiên hồi tiếp điện áp định thiên phân áp

ệ có hệ 3 8/ Cho m ch ạ ư đi n nh hình v ẽ dưới: Tranzito Q 1 có h s β ệ ố 1 = 90, tranzito Q 2

= 70. s βố 2

ế ủ Hỏi h s ệ ố khu ch đ ại dòng đi nệ c a c m ả ạch β là bao nhiêu?

20 a b 6300 c d 160 320

Câu hỏi loại 4:

ệ ư đi n nh hình v , ẽ hãy xác định h sệ ố ổn định nhiệt S c a mủ ạch n u ế hệ

3 9 / Cho m ch ạ ế đại ố s khu ch ủ dòng đi nệ c a tran zito β = 100?

a S = 34,1 b S = 101 c S = 15,1 d S = 9,5

ư ệ ẽ = 100KΩ. đi n nh hình v có tran 4 0/ Cho m ch ạ zito silic và U B = 10V; R B

ự là bao nhiêu? ệ Hỏi dòng đi n c c g c ố I B

a b c d 100 μA 93 μA 100 mA 93 mA

ệ ự ở ư đi n nh hình v ệ = 1 mA; đi n tr R ệ ẽ với dòng đi n c c góp I C =C 4 1/ Cho m ch ạ 3,6KΩ;

CE bằng bao

ồ ệ ự = 10V. Hỏi đi n áp g i aữ c c góp phát U c p Vấ C và điện áp ngu n cung nhiêu?

a U = 0,64 V = 6,4 V b U = 10 V c U CE d U = 9 V CE

ự ệ ệ ấ ệ ư đi n nh hình v ẽ với dòng đi n c c góp là 1 mA; ngu n ồ đi n cung c p

ự = 6,4 V. Hãy xác đinh công su t cấ ủa tranzito trong phát U 4 2 / Cho m ch ạ V = 10 V; đi nệ áp giữa c c góp

m ch ạ là bao nhiêu?

a b

d 6,4 mW 10 W c 6,4 W 10 mW

của tranzito trong s ơ đồ m ch ạ đi nệ sau. Tranzito chế 4 3/ Hãy xác định dòng điện I C

CB0

ạ ừ silic có β =100 và I t o t = 0mA

a b c d 2,5 mA 3,1 mA 25 μA 3,3 mA

ạ ệ ủ c a tranz ito trong s đ ơ ồ m ch d ưới đây khi bi tế dòng 4 4/ Hãy xác định đi n áp U

= 10 mA; đi n Iệ C

ở = 100KΩ? ngu nồ E C ệ =10V; đi n tr R C = 470Ω; R B

a b c d 4,0 V 6,3 V 5,3 V 4,7 V

CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET)

Câu hỏi loại 1.

ằ đi nệ ộ ấ ki nệ đ Là m t c u ở ệ ế

1 / FET: cượ đi u ề khiển b ng dòng a ấ b Có tr kháng và th p ại đi n áp r t cao c Có h ệ s ố khu ch đ ấ cượ đi u ề khiển b ng ằ ộ ấ ki nệ đ d Là m t c u đi nệ áp

ạ ể ạ ự điện trong m ch, m t ộ tranzito đ nơ c c s d ử ụng tỗ r ngố ự do, ho ặc l tỗ r ngố

ệ ử ự 2 / Đ t o ra dòng a Chỉ mỗi h tạ d nẫ l b Chỉ m tộ loại h t dạ ẫn: ho c ặ đi n tệ ử t ử ự c Chỉ mỗi điện t t d C ả hai loại h t d n do ạ ẫ là đi n t và l do t tỗ r ngố

ở ủa JFET cướ đ cượ

ằ zero ằ 1 3 / Tr kháng vào c a Không thể đoán tr ầ b G n b ng ầ c G n b ng ớ d L n vô cùng

ệ điều khiển ự C a ử c a FET

ở ủ ủa kênh ắ t ỉ lệ đi u ề k raể Dòng điện máng 4 / Đi n áp c c ộ ộ a Đ r ng c ệ b Đi n áp “ng t” ấ ả c T t c các đây d

ự ồ ủa JFET c nầ phải: ậ ặ phân c c ng cực C a cử ượ ự c

đi uề này 5 / L p tớ iếp xúc PN gi a ữ c c Ngu n và ự a Ho cặ phân c c thu n, ho c cượ b Phân c cự ng c Không phải t ấ ả t c các d Phân c cự thu nậ

6 / Các h t d n a do và các ạ ẫ trong JFET kênh P là lỗ ự Các đi n tệ ử t tr ngố

tỗ r ngố b Các l c Các đi n tệ ử t d Có thể là đi n t doự ệ ử ự t ặ do ho c có t hể là l tỗ r ngố

ể ự 7 / Đ FET h tiếp xúc PN phải phân c c ự ậ ự ự ồ ừ c c ngu n qua kênh về c c máng đ t oể ạ nên dòng đi n ệ trong ạ ộ ta phải phân c c sao cho các o t đ ng ạ ẫ thu n và các h t d n phải chuyển đ ng t ộ FET?

a Đúng b Sai

ạ ộ ầ ư ồ dòng ảm ng ứ

ở 8 / MOSFET kênh sẵn ho t đ ng g n nh ộ a M t ngu n ộ b M t MOSFET kênh c ộ c M t JFET d M t độ i n trệ

ệ ậ ứ b t cho MOSFET kênh c ảm ng ho t ạ đ ng?ộ

DSbh

ỷ ưỡ g g t ắ (U ) GSth ) GSngắt d ng ụ 9 / Đi n áp nào có tác ệ a Đi n áp khu u (U )B0 ệ ng (U b Đi n áp n ệ c Đi n áp n ệ d Đi n áp bão hòa (U )

ế cở h đ n ế ộ g tắ thì các l p ớ ti p xúc PN ( ớ l p nghèo h t d n) ạ ẫ s :ẽ 1 0 / Khi một JFET ạ a Ch m vào nhau

ủ b D n ẫ đi nệ c Cách xa nhau ra d Trùm ph lên nhau

ử ệ ơ ộ đi n áp c c ự c a càng âm h n thì kênh d nẫ n mằ gi a ữ 1 1 / Trong m t JFET kênh N, khi ế hai l p ớ ti p xúc s t ở ẽ r nên:

h nơ ơn

a R ng ộ b H p hẹ c Không d nẫ đi n ệ d D n ẫ đi nệ

ệ ở ủ ặ ế y n ra trong FET, dòng đi n ệ t ỉ l vệ ới đi n áp theo qui 1 2 / Ở vùng thu n tr c a đ c tu ầ lu tậ ẳng cong parabol

ườ ườ a Đ ng th ườ b Đ ng c Không thay đổi d Đ ng cong hypecbol

ế ệ ủ ặ y n ra trong FET, dòng đi n ệ t ỉ l vệ ới đi n áp theo qui 1 3 / Ở vùng bão hòa c a đ c tu lu tậ

ườ ườ cong hypecbol cong parabol

a Đ ng b Đ ng c Không thay đổi ườ d Đ ng th ẳng

ồ 1 4 / V t ậ liệu ph nầ Ngu n và ph ần Máng của MOSFET kênh c mả ngứ loại N là:

a Kim loại b Bán dẫn thu nầ c Bán dẫn tạp loại N d Bán dẫn tạp loại P

ằ của JFET có giá trị n m trong kho ảng:

ở 1 5/ Tr kháng vào (10 6 (cid:0) 108 )(cid:0) a

(1013 (cid:0) 1015 )(cid:0) b

(1010 (cid:0) (1010 (cid:0) 1013 )K(cid:0) 1013 )(cid:0) d

ằ ả của MOSFET có giá tr ị n m trong kho ng

13 (cid:0)

ở 1 6 / Tr kháng vào 1013 )(cid:0) (1010 (cid:0) a

(10 10 )(cid:0) b

(10 6 (cid:0) (1014 (cid:0) 108 )(cid:0) 1016 )K(cid:0) d

ủ 1 7 / V t ậ liệu kênh d nẫ c a JFET kênh N là ch tấ

a Bán dẫn loại N b H p ợ kim c Bán dẫn thu n ầ d Bán dẫn loại P

Câu hỏi loại 2:

GSth

ấ ệ ố cảm ngứ loại P ho t đạ ộng ta phải c p ngu ồn đi n phân 1 8 / Mu n cho MOSFET kênh ự c c sao cho (cid:0) U U GS a và U < 0 DS

GSth

U GS (cid:0) b và U < 0 DS U

GSth

U GS và U > 0 DS c (cid:0) U U GS và U > 0 DS d

GSth

(cid:0) U

Dbh

DSbh

ở ộ s ẽ b ngằ 1 9/ M t Jộ FET có I = 10mA và U ệ = 2V, thì đi n tr m t ch i uề R DS

2 KΩ 400 Ω 200 Ω 5 KΩ a b c d

Dbh

ệ 2 0 / M t Jộ FET có dòng đi n máng bão hòa I = 20mA và điện áp máng bão hòa

DSbh

= 5V. U

ở ủ i uề c a JFET ở vùng thuần tr là bao nhiêu?

Hỏi điện tr m t ch ở ộ = 100 Ω = 250 Ω = 2,5 KΩ a RDS b RDS c RDS d RD = 250 KΩ

ệ 2 1 / Công th c ứ tính dòng đi n máng ủ c a tranz ito tr ngườ là:

(cid:0) I D ⎛ ⎞ U 1 (cid:0) I D 0 GS ⎜ ⎟ ⎟ U ⎜ ⎝ GSngat ⎠ a

(cid:0) 1 (cid:0) I D ⎛ KI D 0 ⎜ ⎜ ⎝ ⎞ U GS ⎟ ⎟ U GSngat ⎠ b

(cid:0) ⎛ ⎞ U ⎜1 (cid:0) GS ⎟ I I

D 0 ⎜ ⎝

U ⎟ GSngat ⎠ c

(cid:0) 1 (cid:0) I D ⎜ ⎛ I D 0 ⎜ ⎝ ⎞ U GS ⎟ ⎟ U GSngat ⎠ d

DSbh là 2V,

2 2 / Tranzito 2N5902 có dòng điện máng bão hòa là 500µA và điện áp mángngu nồ bão hòa U

ầ trong vùng thu n tr ở là bao nhiêu? ở Hỏi điện tr máng R

= 10 KΩ = 4 Ω K = 100 Ω

= 40 Ω a RDS b RDS c RDS d RDS

Dbh

ị ệ 2 3 / Tranzito 2N5457 có giá tr dòng đi n máng bão hòa I ệ ắ là 5 mA và đi n áp ng t

GSngắt

là 6 V. U

ố ệ là 0 V? Hãy tính hệ s K k hi đi n áp U

a K = 1 b K = 2. c K = 6. d K = 5.

ằ b ng 20 V ở nhi t đệ ộ là 5 pA tại đi nệ áp UGS 2 4/ Tranzito 2N5902 có các tham s Iố G phòng.

ệ ộ Hỏi tr kháng vào c ủa nó là bao nhiêu nhở i t đ phòng? (cid:0) 4.10 (cid:0) ở ZV a

ZV (cid:0) 4.1015 (cid:0) b

ZV (cid:0) 5.1010 (cid:0) c

(cid:0) 4.10 (cid:0) ZV d

ệ ố ự ệ c aủ JFET, h s K là: 2 5/ Trong công th c ứ tính dòng đi n c c máng I D = KID0

K (cid:0) 1 (cid:0) ⎛ ⎜ ⎜ ⎝ ⎞ U GS ⎟ ⎟ U GSngat ⎠ a

K (cid:0) ⎛ U ⎞ ⎜ GS ⎟ ⎟ ⎜ GSngat ⎠ U ⎝ b

K (cid:0) ⎛ 1 (cid:0) ⎜ ⎜ ⎝ ⎞ U GS ⎟ ⎟ U GSngat ⎠ c

K (cid:0) ⎞ U GS ⎟ ⎟ U GSngat ⎠ ⎛ ⎜1 (cid:0) ⎜ ⎝ d

ủ ố ồ chung, hệ s khu ch ộ ế đại đi nệ áp l nớ nh t ấ c a m t ơ ồ ắ c c ngu n ự ạ ượ là: (cid:0) a 300 (cid:0) b c (cid:0) 10 (cid:0) 150 (cid:0) 1 5 (cid:0) 10 2 6 / Trong s đ m c FET có thể đ t đ c (cid:0) 30 (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) d

ự ớ ố 2 7 / Trong s đ m c ơ ồ ắ c c máng chung, h ệ s khu ch ế đại đi nệ áp l n nh t c ấ ủa m tộ

(cid:0) ạ ượ là c 300 a (cid:0) 30 b (cid:0) c 150 (cid:0) 10 (cid:0) 5 (cid:0) 10 1 FET có thể đ t đ (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) d

ể ặ ế đi u khi n c ủa FET : ID = f(UGS) khi UDS không đổi là một: ề ẳng.

2 8/ Đ c tuy n ườ a Đ ng th ườ b Đ ng ườ c Đ ng ườ d Đ ng cong parabol. cong hypecbol. không xác định tr c.ướ

Câu hỏi loại 3:

ệ là bao nhiêu? ư đi n nh hình v , ẽ hãy cho bi 2 9/ Cho m ch ạ t ế đi nệ áp mángnguồn U DS

= 11 V

= 17 V

= 5 V

a UDS b UDS c UDS d UD = 9 V

S

ệ ế là bao nhiêu? 3 0/ Cho m ch ạ ư đi n nh hình v , ẽ hãy cho bi t dòng điện máng I D

a b c d ID = 17 mA ID = 20 mA ID = 7,5 mA ID = 7,5 A

ế ồ ạ ượ ắ 3 1 / Hãy cho bi t tran zito trong sơ đ m ch đ c m c theo cách nào?

ử

a C a chung. b Phát chung. c Ngu n ồ chung d Máng chung.

ế 3 2/ Hãy cho bi t tran zito trong sơ đ đ ắ ồ ượ m c theo cá c ch nào?

ử

a Phát chung. b C a chung. c Máng chung. d Ngu n ồ chung

ự 3 3 / Tranzito trong sơ đ đ ồ ượ phân c c cá c ch nào?

ự ực.

a T phân c b Phân c cự hồi tiếp. c Phân c cự c ố định. d Phân c cự phân áp.

ế ơ ồ ượ 3 4/ Hãy cho bi t tran ztito trong s đ đ c phân c c ự theo cách nào?

ự ấ c p.

a Phân c cự t b Phân c cự hồi tiếp. c Phân c cự phân Phân c cự áp d c ố định.

Câu hỏi loại 4:

ệ là bao nhiêu? ư đi n nh hình v , ẽ hãy cho bi 3 5/ Cho m ch ạ t ế đi nệ áp mángnguồn UDS

= 1,2 V. = 11V.

= 4 V.

a UDS b UDS c UDS d UD = 13,8 V

S

ồ ạ ư là bao 3 6/ Cho sơ đ m ch nh hình v , ẽ hãy cho bi t ế đi nệ áp mángnguồn U DS

nhiêu?

= 11 V.

= 0 V.

= 9 V.

a UDS b UDS c UDS d UD = 7,5 V.

S

ế ế ồ ạ 3 7 / Cho sơ đ m ch nh hình v . ẽ ư ử là bao nhiêu n u bi ự Hỏi điện áp trên c c c a t dòng điện máng là ID = 15 mA?

a UG = 10 V b UG = 0 V c UG = 15 V d UG = 5 V

ư ế ệ ồ ạ 3 8 / Cho sơ đ m ch nh hình v . ẽ ự Hỏi điện áp trên c c máng là bao nh iêu n uế bi t dòng = 12 mA? đi n máng là I D

a UD = 25 V b UD = 0 V c UD = 15 V d UD = 13 V

D = 10 mA?

ẽ ư đi n nh hình v . ế ệ t dòng đi n máng I 3 9/ Cho m ch ạ ệ Hỏi điện áp UDS là bao nhiêu n uế bi

= 5 V = 20 V

= 15 V

a UDS b UDS c UDS d UD = 10 V

S

ệ ệ 4 0 / Cho m ch ạ ư đi n nh hình v . ẽ Hỏi dòng đi n máng là bao nh iêu?

ID = 5,55 mA ID = 0,25 b ID = mA. c 0,5 mA. d ID = 4,72 mA

Ấ Ệ CHƯƠNG 6: C U KI N THYRISTOR

Câu hỏi loại 1.

ụ

ại. 1 / Thyristo có th sể ử d ng nh : ư ở ệ a M t độ i n tr . ế ộ ộ b M t b kh u ch đ ắ ộ c M t công t c chuy n ể m chạ

ộ d M t ngu n ồ dòng.

ệ ộ ấ kiện thyristo d n ẫ đi n ta s d ử ụng

ự 2 / Đ kể ích thích m t c u a Hồi ti p ế ơ dư ng. b Hồi ti p.ế ỡ Tranzito lư ng c c. c ộ ử ụ m t dòng d S d ng điện.

ấ ệ ượ ỏ nh t mà nó có th b ể ật thyristo d n ẫ đi n đ c g ọi là

G

ệ 3 / Dòng đi n vào nh a Dòng điện đánh th ng.ủ b Dòng điện duy trì I . H c Dòng điện kích thích I . d Dòng điện ng cượ bão hòa.

ượ ấ gi ỏ ố h nh t cho thyristo d n ẫ đi nệ đ c g ọi là: ữ cượ bão hòa.

ệ 4 / Dòng đi n an t n a Dòng điện ng b Dòng điện kích thích. c Dòng điện đánh th ng. ủ d Dòng điện duy trì.

ạ ấ bán d n.ẫ

d 5 / Chỉnh l u ư silic có đi u ề khiển (SCR) có a Ba vùng pha t p ch t b Ba l p ớ tiếp xúc PN. Hai l pớ ti p xúc PN. ế c B nố l p ớ tiếp xúc P N.

ệ ườ ười ta th ng: ì.

ng đánh ế th ngủ lớp ti p xúc PN. ể 6 / Đ ể kích thích cho SCR d n ẫ đi n ng ệ a Dùng dòng đi n duy tr b Dùng cái ng t ắ đi n.ệ c Dùng hiện t ượ d Kích thích c c ự điều khi n G.

ơ ề

ương với: 7 / Triac tư ng đ ấ song và cùng chi u nhau. a Hai SCR đ u song tố có b nố l p bán dẫn. ớ Đi b ắ Hai diac m c song song. c ắ d Hai SCR m c song song và n ề gược chi u nhau.

ệ ể JT đ nó d ẫn điện được gọi là:

t ế đ tặ lên c cự phát c a Uủ i đỉnh U .P ũng U .V

ầ 8 / Đi n áp c n th ệ a Đi n áp ệ b Đi n áp tr c Đi nệ áp kích khởi U . ệ d Đi n áp đỉnh khu uỷ U .B0

Câu hỏi loại 2:

ế ặ ạ ử ụ đo n đ c tuy n ở đi n ệ tr d ộ ung người ta s d ng ở ươ ng

ở ể ạ 9 / Dùng UJT đ t o dao đ ng x a Đi nệ tr âm và b Ở vùng ngắt. c Đi nệ tr dở ư ng.ơ d Đi nệ tr âm.

ệ 1 0 / Đi n áp đỉnh c aủ UJT đ cượ tính theo công th cứ

+ 0,7 V a UP = η U b UP = η U B B

+ 0,7 V

0,7 V c UP = UBB d UP = η U

F (cid:0)

V và t

ệ 1 1 / Đi u ề ki n đ m ạ ộng t tố là (cid:0) ử ụ 0, 01(cid:0) 1(cid:0) ạ s d ng UJT ho t đ F ể ạch dao đ ng phóng n p ộ CT a Dòng điện I > I đụ i n ệ

và t ụ đi nệ > I > I P b Dòng điện I

V

F (cid:0)

(cid:0) 1(cid:0) 0, 01(cid:0) CT và tụ đi n ệ c Dòng điện I < I P

d Dòng điện I < I P và I > I . V

ệ ắ 1 2 / Khi SCR đã d n ẫ đi n, ta ng t dòng đi nệ đi u ề khiển thì SCR sẽ ng ng ừ dẫn?

a Đúng. b Sai.

ụ ự 1 3 / Tác d ng c a dòng ủ c a SCR là

ủ ạ ẫ ạ ẫ

2

a Gi m ả h t d n đa s b Gi m ả h t d n th ạ ẫ c Gia tăng h t d n th ạ ẫ d Gia tăng h t d n đa ớ l p bán d n điện kích thích đ a ư vào c c G ố cho lớp bán d n Pẫ . 1 ẫ N1 ớ i uể số cho l p bán d n lớp bán d nẫ P iểu s cho ố ẫ P2 ố s cho

Ạ CHƯƠNG 7: VI M CH TÍCH HỢP (IC)

Câu hỏi loại 1.

ơ ả tích hợp là c u ấ ki nệ có u ư đi mể c b n:

đi u ề k

1 / Vi m ch ạ a Tiêu thụ ít năng lượng. ể ở ấ ả b T t c các Kích thư cớ nh .ỏ đây. c d Đ ộ tin c yậ cao.

ạ ấ ề ợ ích h p đ ượ sản xu t và c ử ụ nhi u nh t s d ng ấ là

2 / Loại vi m ch t a Vi m chạ lai. ỏ b Vi m ch ạ màng m ng. c Vi m chạ bán d n.ẫ d Vi m ch ạ màng dày.

ệ ẫ là: trong chân không. ả ạ ế ạo vi m ch bán d n ơi và l ngắ đ ng ọ ệ này. t 3 / Công ngh ch t a Công nghệ b c hố ế ợ ấ c các công ngh b K t h p t c Công nghệ plana và plana

epitaxi. d Công nghệ quang khắc.

vi m chạ đ cượ tích h p dợ ưới dạng t trong ố ố 4 / Đi a Đi ể t nguyên th .

ộ ụ i n.ệ đ ượ ắ ự b M t ộ lớp tiếp xúc P=N. c M t t d Tranzito đ ối t c n t chân c c.

ạ ậ ế đại thu t toán thu c ộ loại:

5 / Vi m ch khu ch a Vi m chạ lai. b Vi m ch ạ số. ạ c Vi m ch tuy n d T h p ế tính. ạ ổ ợ vi m ch tranz itođiốt.

ầ ủ ậ ể ế khu ch đ b khộ uếch đại vi sai đ có: uếch đại lớn. ả zito trong IC. ả ở ra nh .ỏ ại thu t toán là 6 / T ng vào c a IC a Trở kháng vào lớn và h s kh ệ ố b Đ m b o an toàn cho các tran c Tr kháng d Dải t nầ s làmố vi c rệ ộng.

ế ại thuật toán có 7 / IC khu ch đ a Hai lối vào và hai lối ra.

b M t ộ lối vào và m t ộ lối ra. c Ba lối vào và m t ộ lối ra. Hai lối vào và m t ộ lối d ra.

ố ầ ậ ại thu t toán t t c n có ố ồ ế đại đ ng pha lớn. ố ồ ỏ ế đại đ ng pha nh .

ếch đại vi sai nhỏ và hệ s khu ch ớ ếch đại vi sai l n và ệ ố ớ ố ế 8 / M t bộ ộ khu ch đ ệ ố a H s khu ệ ố b H s khu c ệ ố d H s khu hệ s khu ch ồ uếch đại đ ng pha l n. ớ ồ ế đại đ ng pha hệ s khu ch Trở kháng vào lớn và h s kh ếch đại vi sai l n và lớn.

ế ạ ệ ơ ở h t o trên c s : c c

ở ộ điện tr và cu n dây. ượ ng. ệ ngưỡ c c.ự ườ 9 / Vi mạch s ố hi n nay đ ườ a Chỉ các tranzito tr ụ đi n, các b Các tranzito, các t c Chỉ các tranzito l d Các tranzito lưỡng c cự và tranzito tr ng.

ử ụ ộng rãi hi nệ nay là loại

ố ượ s d ng r ạ c 1 0 / Vi m ch s đ và h ọ ọ a H TTL CMOS. b H Dọ TL. c H Rọ TL. ọ d H TL.

ả ộ ấ kiện đi n t ệ ử có kh năng: ố ậ ạ rình điều khiển dưới d ng s th p phân. ng t ữ ố h s .

ươ ệ ạ . ạ ớ m t c u 1 1 / Vi m ch nh là ữ ữ li u và các ch ệ ươ L u tr d ữ ữ h cái và các c L u tr các c dữ li uệ dưới dạng số nhị phân. ữ L u tr các ữ ữ li u và các ch ư a ư b ư c ư d L u tr d ng t rình điều khiển dưới d ng s n ị ố h phân

ọ 1 2 / ROM là b nộ h ớ có kh nả ăng đ c và v i t?ế

a Đúng. b Sai.

ấ ứ ị 1 3 / RAM là b nộ h tớ ạm thời, khi m t đấ i n ệ cung c p thì t in t c trong nó b xóa ngay?

a Sai. b Đúng.

1 4 / EPROM là b ộ nh :ớ

ộ l nầ do người s n xu ất. ả ử ụ ộ l nầ do người s d ng. tế

ế cượ vi a Chỉ đ t m t ế cượ vi b Chỉ đ t m t ể c Có th xóa đi và vi Có khả năng lại. d đọc/viết.

ch aứ 1 5 / LSI là vi m ch ạ

đ n 100 ph ơ ơ L n h n 1000 ph n ợ tích h p có ần t .ử ế ừ a T 10 ớ ầ ử . b L n h n 100 ph n t ớ .ử ầ t c ế d Đ n 10 p ầ ử . h n t

Câu hỏi loại 2:

ậ ế ể 1 6 / B khộ h khu ch ế đại: ại thu t toán có t ề i u (ac). ề ệ i uề (dc). ệ tín hi u m t ề ộ chi u(dc). u ch đ a Chỉ tín hi u xoay ch ệ b C ả tín hiệu xoay chi u (ac) và m t chộ c Không tín hi u xoay chi u (ac) và không d Chỉ tín hi uệ m t chộ ề i uề (dc).

ầ ậ ủ 1 7 / T ng vào c a m t ếch đại thu t toán t h ngườ là:

ực phát chung (CE).

ế ộ ấ ộ a B khu ộ b B khu ộ c B khu ộ d B khu ộ ộ b khu ếch đại cao tần. ếch đại m c cắ ếch đại vi sai. ếch đại công su t ch đ B.

ệ ố ế ố ạ ầ s khu ch ế đại đ n ơ vị, h s kh ệ uếch đại đi n áp c a ủ bộ khu ch đ ại ằ

(cid:0) / 2

1 8 / T i t n ậ thu t toán b ng: a K = Zero U b K = 1. U KV 0 KU c d K = K . U0 U

ở ậ ầ của b khộ uếch đại thu t toán có t ng vào dùng JFET là:

1 9 / Tr kháng vào a Trung bình. ấ b R t cao. Th p.ấ c d Cao.

ộ ộ ế ậ ại thu t toán là ±15 V, ự ủ ế 2 0 / N u hai ệ thì đi n áp ra c c đ ngu n ồ cung c p ấ của m t b khu ch đ ại c a nó là bao nhiêu?

a b c 30V (cid:0) 12V (cid:0) 15V (cid:0) (12V (cid:0) 14V ) d

ạ ủ ề ộ ế 2 1 / Đ d c ặ ộ ố đ c tuy n ế truy n đ t c a b kh u ch đ ậ ại thu t toán t h ể hi nệ

ở a Tr kháng vào. ệ ố b H s khu ếch đại đi nệ áp.

ra. ở c Tr kháng ệ d Đi n áp ra.

ế ệ ại đi n áp là 500.000. đại thu t toán có 2 2 / M t bộ ộ khu ch ế ậ ệ N u ế đi nệ áp ra là 1 V, thì đi n áp và s ệ ố h s khu ch đ ẽ là

2 mV. 5 mV. 2 µV. 10 mV. a b c d

ệ ố ế ộ ậ ầ ơn t n s c ố ắt, h s kh u ch đ ại c aủ b khu ếch đại thu t toán ộ 2 3 / Ở t nầ s cao h ố ới t c đố gi m vả 0,707/decade. a

2 / 2 b dB/decade

c 10 dB/decade d 20 dB/decade

ộ ộ ế ằ ệ ại đi n áp c ủa m t b khu ch đ ậ ại thu t toán b ng 1 t ại: đ ng.ộ

u ch đ ại đơn vị. 2 4 / H sệ ố khu ch đ ế ố ầ a T n s dao ố ắt. ầ b T n s c ế ố ầ c T n s kh d Dải t nầ s làmố vi c.ệ

2 5 / M t ICộ a 741C có các tham s :ố MΩ Tr kháng vào kho ng 2

ả ố ệ ả ở ấ ả b T t c các tham s đã nêu ra. ệ ố c H s khu ở d Tr kháng Ω ếch đại đi n áp b ng kho ng 100.000 ằ ả ra kho ng 75

Câu hỏi loại 3:

ệ ố ư ạ 2 6/ Cho m ch nh hình v . ẽ Hỏi h s kh uếch đại c aủ m ch ạ là bao nhiêu?

a Ku = 10 b Ku = 100 c Ku = 11 d Ku = 10

ế 2 7 / H sệ ố khu ch đ ệ ại đi n áp c ủa m chạ là bao nhiêu?

a Ku = 10 b Ku = 11 c Ku = 11 d Ku = 110

Ệ Ấ CHƯƠNG 8: C U KI N QUANG ĐI N Ệ TỬ

Câu hỏi loại 1.

ạ ứ ủ ộ ạ ạ đi nệ t cóừ dải t n ầ số dao đ ng:ộ

109 Hz 1010 Hz 1015 Hz 10 20 Hz ứ 1 / B c x ánh sáng là m t d ng c a b c x a Từ 106 (cid:0) . b Từ 108 (cid:0) c Từ 1014 (cid:0) d Từ 1019 (cid:0)

ồ c sóng : 2 / Vùng h ng ng a b c ừ

ướ oại có b ừ T 380 nm ÷ 780nm ừ 380nm T 50 nm ÷ ừ T 100µm ÷ 10 mm T 780 nm ÷ d 100µm

ậ ấ ạ ủ v t ch t ph thu c vào: b ượ cướ sóng b c x c a ứ ọ ố hóa h c có t ng nguyên ộ ụ trong v t cậ h tấ

ấ ất. ủ ộ 3 / Đ dài a Số l b Năng lượng vùng cấm. c N ng ồ d Hóa trị c a nguyên đ tộ ạp ch t trong v t ch ậ ấ ậ tố v t ch t

ố t có k ại ánh sáng k ra hả năng b cứ xạ ở trên. ể

4 / LED hồng ngoại là đi ấ ả a T t c các lo b Ánh sáng c c ự tím. c Ánh sáng h ng ồ ngoại. d Ánh sáng nhìn th y.ấ

ướ 5 / Vùng ánh sáng nhìn th yấ có b c sóng ừ a T 50 nm ÷ ừ b 380nm T 780 nm ÷ 100µm

ừ c T 100µm ÷ 10 mm

ừ d T 380 nm ÷ 780nm

ạ tố có kh nả ăng b c xứ oại.

ấ ả ể ại ánh sáng k ra ở trên. 6 / LED ch tỉ h ị là đi ồ a Ánh sáng h ng ng b Ánh sáng c c ự tím. T t c các lo c d Ánh sáng nhìn th y.ấ

ở ệ ạ các b c ướ sóng khác nhau s cóẽ ự đi n áp phân c c khác nhau?

7 / Các LED b c xứ a Đúng. b Sai.

ệ ộ ạ ủ ệ ộ làm vi c tăng thì đ dài b t đ ước sóng b cứ x c a LED n g nắ lại?

8 / Khi nhi a Đúng. b Sai.

ể thêm: iam gi dị th kép có ữ ạ d n và ánh sáng.

ớ ữ ấ 9 / LED hồng ngoại c u trúc ẫ a Ba l p gớ h t ữ ạ d n và ánh sáng. b Hai l pớ giam gi ẫ h t ữ ạ d n.ẫ c Hai l pớ giam gi h t ẫ ữ ạ d n và m t d Hai l pớ giam gi h t ộ l p giam g i ánh sáng.

ế ạ ẫ ủ c a hai l p ớ giam gi ữ h t d n trong LED dị 1 0 / So với vùng tái hợp, hàng rào th năng th kép

ơ ặ có th th p ể ấ h n ơ ể ằ a B ng nhau. b Th p hấ ơn. ể c Có th cao h n ho c d Cao hơn.

ấ ể h t bán d nẫ trong vùng tích c c cự ủa LED dị th kép là 1 1 / Chi

vùng lân cận. tế su t c a c ấ ủ h tấ a Th p nấ b Cao nhất. ằ c B ng các ằ d B ng zero.

ồ ể ủ h ng ng ấ oại c u trúc d ị th kép dùng cho s ợi quang là

1 2 / Hai dạng c bơ ản c a LED loại b c ứ xạ b m t ạ c nhạ

ề ặ và loại b c xứ a Sai. b Đúng.

ể ượ ộ ấ 1 3 / Ch t bán d nẫ dùng đ ch t ế ạo LASER phải đ c pha t p vạ ồ ới n ng đ

a Không xác định b Trung bình. ấ c R t cao. d Th p.ấ

ấ ố ứ ạ ủ 1 4 / C u trúc c a ủ đi t LASER p h c t p h n ơ c a LED ơ ả là c b n

ạ ẫ ơn.

ưở ộ a Có kích thư cớ l nớ h n.ơ b Có nhi uề lớp giam giữ h t d n h c Có nhi uề lớp bán d nẫ h n. ơ d Có h c ố c ng h ng.

ố ưở ố ạ 1 5 / H c c ng h t LASER đ ờ ượ t o ra nh : c ấu ki n.ệ

hế t o bên trong ướ Fabry Perot c a ủ đi ộ ng ẫ ữ ạ d n trong c a Hai l pớ giam gi h t xì của LASER. ạ b Hai c nh bên xù ạ ượ c M tộ cái hộp đ c c ế đ ả ngươ ph n chi u d Hai g c ượ định h c u ấ kiện. ng.

ạ ộ ồ ậ 1 6 / Mu n LASER h o t đ ng p ấ hải c p ng u n phân c ực thu n cho c u ấ ki n?ệ

ố a Sai. b Đúng.

ặ ủ ạt.

ọ 1 7 / Đ c tính quan tr ng c a LASER là: ế truy n đề ố ế t n s . ầ ế vônampe. ứ ạ ế b c x . ặ a Đ c tuy n ặ b Đ c tuy n ặ c Đ c tuy n ặ d Đ c tuy n

ệ ẫ 1 8 / M t cặ h tỉ hị tinh thể l ngỏ (LCD) là m t c u ộ ấ ki n bán d n phát quang?

a Đúng. b Sai.

ấp cho nó m t ộ đi nệ áp 1 9 / Đ LCD ho t đ ạ ộng ta c n cầ i u.ề

ể a M t chộ b Xoay chiều. ộ chi uề đ uề đ ặ ề c Xoay chi u ho c m t ệ d Xoay chi uề không l nẫ đi n áp m c.ượ ột chi u.ề

ở ượ c g ọi là ế ạ điện tr quang đ ả quang.

2 0 / V t ậ liệu bán d nẫ ch t o ệ a V tậ li u bán d n c m ẫ ọi trên. ấ ả b T t c các tên g c V tậ li u bán d n ẫ suy bi n.ế ệ ẫ ệ d V tậ li u bán d n nh y ạ quang.

ố ộ ự ậ 2 1 / Đi t quang ho t ạ đ ng khi nó đ cượ phân c c thu n?

a Sai. b Đúng.

Câu hỏi loại 2:

ự ệ ị ứ x ánh sáng màu ỏ đ có đi n áp phân c c th u nậ là: 2 2/ LED chỉ th b c

ạ a U = (1,6 ÷ 1,8) V D b U = 3,0 V D c U = (2,4 ÷ 2,7) V d U = (2,0 ÷ 2,2) V

ồ 2 3 / LED h ng ng oại ch t o t ấ ế ạ ừ ch t GaAs có điện áp phân c c ự thu nậ là

a U = (2,0 ÷ 2,2) V b U = (2,4 ÷ 2,7) V D c U = 3,0 V D d U = (1,6 ÷ 1,8) V

D

ẳ ồ ướ ộ ộ ổ 2 4 / Ngu n sáng c a ủ LED là đ ng h ng và có đ r ng ph

100) (2 ÷ 40) (40 ÷ ừ t ừ t Kho ng ả

ả ừ a Kho ng ả nm. b nm. c Kho ng < 2 nm. d Kho ng ả t (1 ÷ 2) nm.

ẫ ả ăng ấ ki n có kh n ộ cao. ư ng đ ụ ướ ình h pấ th quang. có đ r ng ng và ộ ộ phổ lớn. ạ ạ ạ ạ ế ơ ắ ề ệ 2 5 / LASER bán d n là c u ờ a T o ra ánh sáng có c ừ t b T o ra ánh sáng quá tr ẳng h c T o ra ánh sáng đ d T o ra và khu ch đ ại ánh sáng đ n s c có tính k t h p ế ợ v pha.

ử vi phân ngoài. ng t ính của LASER là: ượ ố ừ ể ố ộng h ổ ứ 2 6 / Tham s chố ệ ấ l a Hi u su t ấ ả b T t c các tham s v a k ra. ầ T n s c c ộ ộ d Đ r ng p ưở ng. ạ h b c x .

ố ộ ộ ướ ạ ủ ưở L c a LASER ng lớn h nơ nhi uề đ dài b c sóng b c xứ 2 7 / Chi uề dài h c c ng h nên ộ ố d c t n t ọ ồ ại trong LASER. ố ọ ồ ại trong LASER. iều m t d c t n t

a Có duy nhất m t m t b Có r t nhấ c Có ba m tố d c t n t d Có hai m t d c t n t ọ ồ ại trong LASER. ố ọ ồ ại trong LASER.

ở ế sáng vào đi nệ tr quang thì đi n trệ ủ ở c a nó:

u ng.ố 2 8 / Khi chi u ánh a Tăng lên. b Không đổi. c Gi m xả d Không xác định

ạ ươ ở ụ ế ng đối c aủ đi nệ tr quang p h thu c ổ ộ vào quang ph chi u vào nó?

2 9 / Đ nộ h y t a Đúng b Sai.

ộ ố 3 0 / Đi t quang ho t ự trên nguyên lý:

h t bán d n.ẫ ẫ ấ trong ch t bán d n ấ ụ ình h pấ th quang ấ d n.ẫ ấ ạ đ ng d a ụ ấ a Quá trình h p th quang trong c ạ ứ b Quá trình b c x và quá tr ạ kích thích trong ch t bán ứ c Quá trình b c x ạ ự ứ phát trong ch t bán d Quá trình b c x t d n.ẫ

ộ ở ướ ừ silic có đ nh y ạ cao vùng b c sóng 3 1 / Đi ế ạo t

ừ ừ d ố t quang ch t ừ a T (0,65 ÷ 0,85) µm. ừ b T (0,56 ÷ 0,65) µm. T (1,3 ÷ 1,6) µm. c T (0,85 ÷ 0,9) µm.

3 2 / T i sạ ao đi tố quang loại PIN có đ nộ hạy cao h nơ đi tố quang loại tiếp xúc PN? tính và khá r ng.ộ ả uang lên M l n.ầ ộ ạ ồng đ t p ch ất cao. a Vì nó có vùng h p thấ ụ quang là bán d n nguyên ế b Vì nó có kh năng khu ch đ ấ ế ạ ừ ch t bán cượ ch t o t c Vì nó đ r ng ộ ế d Vì nó có lớp ti p xúc PN ẫ ại dòng đi n qệ ẫ d n có n h n.ơ

ố ấ ặ ằ ạ 3 3 / Đi t quang thác có c u trúc đ c b t nệ h m m c i ụ đích t o ra vùng có đi nệ tr ngườ

ể ạ m nh g ọi là vùng thác đ t o ra ụ ạ ứ ấ

ự ạ a Hi nệ t b Hi nệ t c Hi nệ t d Hi nệ t ngượ nhân đi n ệ tích do quá trình h p tấ h quang. ngượ nhân đi n ệ tích do phát x th c p ngượ nhân đi n ệ tích bởi quá trình ion hóa do va chạm. ệ ngượ tăng dòng đi n quang do s tái ợ ồ ạ ủ t c a các h p h t dạ ẫn

3 4 / So với tranzito quang thì đi ộ ơ . ạ h p h n ấ ộ h n.ơ ầ a T n s ầ b T n s ầ c T n s ầ d T n s tố quang có: ơ ố hoạt đ ng cao h n nh ạ ộ ố hoạt đ ng và đ nh y x ố hoạt đ ng cao h n và ộ ơ ấ h n nơ ộ ố hoạt đ ng th p ưng đ nh y t ộ ấp xỉ nhau. độ nh y cao ạ ộ ư h ng đ nh y ạ cao h n.ơ

ệ ẫ ế điện là c u ấ kiện bán d n có kh n ả ăng chuy nể đổi tín hi u quang 3 5 / T bào quang sang tín hiệu điện?

a Đúng. b Sai.

ợ ồ ể ề ặ ấ tranzito quang nh m t ư ộ m chạ tích h p g m có m t ộ đi t ố

ườ ng. isto th ito

3 6 / V m t c u trúc có th coi quang và ộ a M t thyr ộ b M t tranz ườ ng. th t ố thường. c Đi ộ d M t LED.

ệ ệ 3 7 / Trong thyristo quang, tín hi u quang ụ chỉ có nhi m v :

ệ Khu chế đại đi n áp. ệ a Kích cho thyristo quang d n ẫ đi n.ệ b c Kích cho thyristo quang d n ẫ đi nệ và khu chế đại dòng đi n qua nó d Khu chế đại dòng đi n.ệ

ồ

ệ ộ ấ ki n thu quang. ấ ạ ủ ộ ộ 3 8 / C u t o c a m t b ghép quang g m có ố a M t độ i ộ tranzito quang. t quang và m t ở ộ đi nệ tr quang. ố b M t độ i t phát quang (LED) và m t c M t độ i ố t phát quang (LED) và m t c u ộ ế bào quang d M t t ộ ấ ki nệ thu quang. điện và m t c u

ố

ọng nh t cấ ủa bộ ghép quang là li.

ở ệ 3 9 / Tham s quan tr a Đi nệ th cách ế b Đi nệ dung cách đi n. ệ c Đi nệ tr cách ệ ố d H s truy điện. ạ ền đ t dòng đi n (CTR)

4 0 / Dùng tranzito quang Dacling t n nh m ằ m c ụ đích

ơ của tranzito quang. zito quang. ạ ộ ở a Tăng tr kháng vào ạ ủ b Tăng độ nh y c a tran ố Tăng t n ầ s ho t đ ng. c d Gi m ả tr ở kháng ra của tranzito quang.

Câu hỏi loại 3:

ệ ế 4 1 / Trị số đi n tr c ở ần thi ắ t m c n ối ti p vế ới LED đ ượ ính theo công th c:ứ c t

RT (cid:0) a

(cid:0) R T U D I U (cid:0) U I b (cid:0) U U D

R (cid:0) T CC

I c

(cid:0) RT U CC I d

ộ ệ phát laser v bề iên đ là: I(2L) = I(0) ậ ộ r với I(2L) m t đ t ngườ

ưở ề ờ ố ng; I(0) m t đ t ậ ộ rư ng quang g c và v pha là: (cid:0) (cid:0) ề 2 L (cid:0) 4 2 / Đi u ề ki n đ có ể quang tại Z = 2L; L chi u dài h c e ủ ề ố ố c ngộ h ằ 1 với β h ng s lan truy n c a ánh sáng?

a Sai. b Đúng.

4 3/ Đ nộ h y c a ủ đi tố quang được tính theo công th cứ

S (cid:0) ạ P0 I ph. a I .h(cid:0)

S (cid:0)

S (cid:0) c S (cid:0) .I ph P0 I ph P0 P0 d

ố 4 4 / So với các loại điốt quang thì đi t quang thác APD ầ yêu c u ng u n ồ đi n cệ ung c pấ

ố oại đi t khác. ư nổ định ấ Th p và a Cao. b Cũng giống nh các l c d Cao và nổ định v nhề iệt.

4 5 / Dòng quang điện trong tranzito quang đ c t o ở ạ ẫ m i ớ sinh ra do quá trình h p thấ ượ ạ nên là do ụ quang trong ph n ầ g cố c a c u ụ ớ sinh ra trong quá trình h pấ th quang.. do m i ế ầ phát khu ch tán sang. ụ a Các h t d n ủ ấ ki n.ệ b Các h t ạ điện t ử ự t ừ c Các h t dạ ẫn t ph n tỗ r ngố m i ớ sinh ra trong quá trình h pấ th quang d Các h t dạ ẫn l

ố ơ ấ c a ủ đi t quang đ ượ tính theo công th cứ c 4 6/ Dòng đi nệ quang s c p I ph

(cid:0)

(cid:0) (cid:0) e (cid:0) (cid:0) q ⎛ ⎜1 (cid:0) ⎞ ⎟(cid:0) 1 (cid:0) R (cid:0) ⎠ I P0

⎜ ⎝

h(cid:0) a ⎠

(cid:0)

L p

⎟ 1 (cid:0) (cid:0)

(cid:0)

(cid:0) (cid:0) e (cid:0) ⎛ ⎜1 (cid:0) (cid:0) ⎞ ⎟(cid:0) 1 (cid:0) R (cid:0) I P0

(cid:0)

L p

⎜ ⎝

⎟ 1 (cid:0) (cid:0) h(cid:0) b

(cid:0)

(cid:0) (cid:0) e (cid:0) ⎛ ⎜1 (cid:0) (cid:0) I P0 ⎞ ⎟(cid:0) 1 (cid:0) R (cid:0) ⎠

(cid:0)

L p

⎜ ⎝

(cid:0)

⎟ 1 (cid:0) (cid:0) h(cid:0) c (cid:0) (cid:0) ⎛

(cid:0) q ⎞ ⎟(cid:0) 1 (cid:0) ⎠ R (cid:0) I P0 ⎜1 (cid:0) e (cid:0)

L p

⎜ ⎝

⎟ 1 (cid:0) (cid:0) h(cid:0) d (cid:0)

ế ệ ố ại dòng đi n quang trong đi t quang thác APD đ ượ tính theo c 4 7 / H sệ ố khu ch đ công th cứ I (cid:0) (cid:0) M ph (cid:0) 1 (cid:0) a I (cid:0)

M ph I (cid:0) 1 (cid:0) V / Vdt 1 1 (cid:0) (cid:0) V / V (cid:0) n 1 b

(cid:0) M ph (cid:0) (cid:0) I M c 1 (cid:0) (cid:0) V / Vdt 1 I (cid:0)

(cid:0) M ph I 1 (cid:0) (cid:0) V / V (cid:0) n d

(nm)

ộ ượ ướ ứ xạ đỉnh λ là m t hàm c a ủ năng l ng vùng c ấm bi u dể iễn b ngằ 4 8 / B c sóng b c công th cứ d (cid:0)

(cid:0)

((cid:0) m)

(cid:0)

((cid:0) m)

(cid:0)

(cid:0) ((cid:0) m)

(cid:0)