T đi n :ụ ệ T đi n là linh ki n đi n t th đ ng đ c s d ng r t r ng rãi trong các m ch đi n t , chúng đ c s d ng trong các m ch l cụ ệ ệ ệ ử ụ ộ ượ ử ụ ấ ộ ạ ệ ử ượ ử ụ ạ ọ
ngu n, l c nhi u, m ch truy n tín hi u xoay chi u, m ch t o dao đ ng .vv…ồ ọ ễ ạ ề ệ ề ạ ạ ộ
1. C u t o c a t đi n .ấ ạ ủ ụ ệ
C u t o c a t đi n g m hai b n c c đ t song song, gi a có m t l p cách đi n g i là đi n môi.ấ ạ ủ ụ ệ ồ ả ự ặ ở ữ ộ ớ ệ ọ ệ
Ng i ta th ng dùng gi y, g m , mica, gi y t m hoá ch t làm ch t đi n môi và t đi n cũng đ c phân lo i theo tên g i c a các ch t đi n môi này nh Tườ ườ ấ ố ấ ẩ ấ ấ ệ ụ ệ ượ ạ ọ ủ ấ ệ ư ụ
gi y, T g m, T hoá.ấ ụ ố ụ
C u t o t g m C u t o t hoáấạụố ấạụ
2. Hình dáng th c t c a t đi n.ự ế ủ ụ ệ
Hình d ng c a t g m.ạ ủ ụ ố
Hình d ng c a t hoáạ ủ ụ
3. Đi n dung , đ n v và ký hi u c a t đi n.ệ ơ ị ệ ủ ụ ệ
* Đi n dung :ệ Là đ i l ng nói lên kh năng tích đi n trên hai b n c c c a t đi n, đi n dung c a t đi n ph thu c vào di n tích b n c c, v t li u làm ch tạ ượ ả ệ ả ự ủ ụ ệ ệ ủ ụ ệ ụ ộ ệ ả ự ậ ệ ấ
đi n môi và kho ng cách gi hai b n c c theo công th cệ ả ữ ả ự ứ
C = ξ . S / d
•Trong đó C : là đi n dung t đi n , đ n v là Fara (F)ệ ụ ệ ơ ị
•ξ : Là h ng s đi n môi c a l p cách đi n.ằ ố ệ ủ ớ ệ
•d : là chi u dày c a l p cách đi n.ề ủ ớ ệ
•S : là di n tích b n c c c a t đi n.ệ ả ự ủ ụ ệ
* Đ n v đi n dung c a tơ ị ệ ủ ụ : Đ n v là Fara (F) , 1Fara là r t l n do đó trong th c t th ng dùng các đ n v nh h n nh MicroFara (µF) , NanoFara (nF),ơ ị ấ ớ ự ế ườ ơ ị ỏ ơ ư
PicoFara (pF).
•1 Fara = 1.000.000 µ Fara = 1.000.000.000 n F = 1.000.000.000.000 p F
•1 µ Fara = 1.000 n Fara
•1 n Fara = 1.000 p Fara
* Ký hi uệ : T đi n có ký hi u là C (Capacitor)ụ ệ ệ
Ký hi u c a t đi n trên s đ nguyên lý.ệ ủ ụ ệ ơ ồ
4 . S phóng n p c a t đi n .ự ạ ủ ụ ệ
M t tính ch t quan tr ng c a t đi n là tính ch t phóng n p c a t , nh tính ch t này mà t có kh năng d n đi n xoay chi u.ộ ấ ọ ủ ụ ệ ấ ạ ủ ụ ờ ấ ụ ả ẫ ệ ề
Minh ho v tính ch t phóng n p c a t đi n.ạ ề ấ ạ ủ ụ ệ
* T n p đi n :ụ ạ ệ Nh hình nh trên ta th y r ng , khi công t c K1 đóng, dòng đi n t ngu n U đi qua bóng đèn đ n p vào t , dòng n p này làm bóng đènư ả ấ ằ ắ ệ ừ ồ ể ạ ụ ạ
loé sáng, khi t n p đ y thì dòng n p gi m b ng 0 vì v y bóng đèn t t.ụ ạ ầ ạ ả ằ ậ ắ
* T phóng đi n :ụ ệ Khi t đã n p đ y, n u công t c K1 m , công t c K2 đóng thì dòng đi n t c c d ng (+) c a t phóng qua bóng đ n v c c âm (-) làmụ ạ ầ ế ắ ở ắ ệ ừ ự ươ ủ ụ ề ề ự
bóng đèn loé sáng, khi t phóng h t đi n thì bóng đèn t t.ụ ế ệ ắ
=> N u đi n dung t càng l n thì bóng đèn loé sáng càng lâu hay th i gian phóng n p càng lâu.ế ệ ụ ớ ờ ạ
5 . Cách đ c giá tr đi n dung trên t đi n.ọ ị ệ ụ ệ
* V i t hoá :ớ ụ Giá tr đi n dung c a t hoá đ c ghi tr c ti p trên thân tị ệ ủ ụ ượ ự ế ụ
=> T hoá là t có phân c c (-) , (+) và luôn luôn có hình tr .ụ ụ ự ụ
T hoá ghi đi n dung là 185 µF / 320 Vụ ệ
* V i t gi y , t g m :ớ ụ ấ ụ ố T gi y và t g m có tr s ghi b ng ký hi uụ ấ ụ ố ị ố ằ ệ
T g m ghi tr s b ng ký hi u.ụ ố ị ố ằ ệ
•Cách đ c :ọ L y hai ch s đ u nhân v i 10ấ ữ ố ầ ớ (Mũ s th 3 )ố ứ
•Ví d t g m bên ph i hình nh trên ghi 474K nghĩa làụ ụ ố ả ả
Giá tr = 47 x 10ị 4 = 470000 p ( L y đ n v là picô Fara)ấ ơ ị
= 470 n Fara = 0,47 µF
•Ch K ho c J cu i là ch sai s 5% hay 10% c a t đi n .ữ ặ ở ố ỉ ố ủ ụ ệ
* Th c hành đ c tr s c a t đi n.ự ọ ị ố ủ ụ ệ
Cách đ c tr s t gi t và t g m .ọ ị ố ụ ấ ụ ố
Chú ý : ch K là sai s c a t .ữ ố ủ ụ
50V là đi n áp c c đ i mà t ch u đ c.ệ ự ạ ụ ị ượ
* T gi y và t g m còn có m t cách ghi tr s khác là ghi theo s th p phân và l y đ n v là MicroFaraụ ấ ụ ố ộ ị ố ố ậ ấ ơ ị
M t cách ghi tr s khác c a t gi y và t g m.ộ ị ố ủ ụ ấ ụ ố
6. Ý nghĩ c a giá tr đi n áp ghi trên thân t :ủ ị ệ ụ
•Ta th y r ng b t k t đi n nào cũng đ c ghi tr s đi n áp ngay sau giá tr đi n dung, đây chính là giá tr đi n áp c c đ i mà t ch u đ c,ấ ằ ấ ể ụ ệ ượ ị ố ệ ị ệ ị ệ ự ạ ụ ị ượ
quá đi n áp này t s b n .ệ ụ ẽ ị ổ
•Khi l p t vào trong m t m ch đi n có đi n áp là U thì bao gi ng i ta cũng l p t đi n có giá tr đi n áp Max cao g p kho ng 1,4 l n.ắ ụ ộ ạ ệ ệ ờ ườ ắ ụ ệ ị ệ ấ ả ầ
•Ví d m ch 12V ph i l p t 16V, m ch 24V ph i l p t 35V. vv..ụ ạ ả ắ ụ ạ ả ắ ụ
–
7 – Phân lo i t đi nạ ụ ệ
7.1) T gi y, T g m, T mica. (T không phân c c )ụ ấ ụ ố ụ ụ ự
Các lo i t này không phân bi t âm d ng và th ng có đi n dung nh t 0,47 µF tr xu ng, các t này th ng đ c s d ng trong các m ch đi n có t nạ ụ ệ ươ ườ ệ ỏ ừ ở ố ụ ườ ượ ử ụ ạ ệ ầ
s cao ho c m ch l c nhi u.ố ặ ạ ọ ễ
T g m – là t không phân c c.ụ ố ụ ự
7.2) T hoá ( T có phân c c )ụ ụ ự
T hoá là t có phân c c âm d ng , t hoá có tr s l n h n và giá tr t 0,47µF đ n kho ng 4.700 µF , t hoá th ng đ c s d ng trong các m ch có t nụ ụ ự ươ ụ ị ố ớ ơ ị ừ ế ả ụ ườ ượ ử ụ ạ ầ
s th p ho c dùng đ l c ngu n, t hoá luôn luôn có hình tr ..ố ấ ặ ể ọ ồ ụ ụ
T hoá – Là t có phân c c âm d ng.ụ ụ ự ươ
7.3) T xoay .ụ
T xoay là t có th xoay đ thay đ i giá tr đi n dung, t này th ng đ c l p trong Radio đ thay đ i t n s c ng h ng khi ta dò đài.ụ ụ ể ể ổ ị ệ ụ ườ ượ ắ ể ổ ầ ố ộ ưở
T xoay s d ng trong Radioụ ử ụ
8 – Ph ng pháp ki m tra t đi nươ ể ụ ệ
8.1) Đo ki m tra t gi y và t g m.ể ụ ấ ụ ố
T gi y và t g m th ng h ng d ng b dò r ho c b ch p, đ phát hi n t dò r ho c b ch p ta quan sát hình nh sau đây .ụ ấ ụ ố ườ ỏ ở ạ ị ỉ ặ ị ậ ể ệ ụ ỉ ặ ị ậ ả
Đo ki m tra t gi y ho c t g mể ụ ấ ặ ụ ố .
• hình nh trên là phép đo ki m tra t g m, có ba t C1 , C2 và C3 có đi n dung b ng nhau, trong đó C1 là t t t, C2 là t b dò và C3 là t bỞ ả ể ụ ố ụ ệ ằ ụ ố ụ ị ụ ị
ch p.ậ
•Khi đo t C1 ( T t t ) kim phóng lên 1 chút r i tr v v trí cũ. ( L u ý các t nh quá < 1nF thì kim s không phóng n p )ụ ụ ố ồ ở ề ị ư ụ ỏ ẽ ạ
•Khi đo t C2 ( T b dò ) ta th y kim lên l ng ch ng thang đo và d ng l i không tr v v trí cũ.ụ ụ ị ấ ư ừ ừ ạ ở ề ị
•Khi đo t C3 ( T b ch p ) ta th y kim lên = 0 Ω và không tr v .ụ ụ ị ậ ấ ở ề
•L u ý: Khi đo ki m tra t gi y ho c t g m ta ph i đ đ ng h thang x1KΩ ho c x10KΩ, và ph i đ o chi u kim đ ng h vài l n khi đo.ư ể ụ ấ ặ ụ ố ả ể ồ ồ ở ặ ả ả ề ồ ồ ầ
8.2) Đo ki m tra t hoáể ụ