Kỹ thuật Vi xử lý<br />
Điện tử-Viễn thông<br />
Đại học Bách khoa Đà Nẵng<br />
<br />
Chương 4<br />
4.1<br />
4.2<br />
4.3<br />
4.4<br />
4.5<br />
<br />
Phân loại bộ nhớ bán dẫn<br />
Hoạt động của các chip EPROM<br />
Hoạt động của các chip SRAM<br />
Bus hệ thống của hệ vi xử lý 8088<br />
Bài toán thiết kế bộ nhớ<br />
<br />
Mục tiêu và biện pháp thiết kế<br />
Ghép nối các chip nhớ EPROM và SRAM<br />
với Bus hệ thống sao cho không xảy ra<br />
xung đột:<br />
Các chip nhớ bị cấm khi vi xử lý truy cập<br />
các cổng I/O<br />
Chỉ có một chip nhớ hoạt động khi vi xử lý<br />
truy cập bộ nhớ<br />
Thực hiện một mạch giải mã địa chỉ bộ<br />
nhớ dùng các chip giải mã hoặc các cổng<br />
logic hoặc kết hợp cả hai<br />
<br />
4.1 Phân loại bộ nhớ bán dẫn<br />
Bộ nhớ bán dẫn<br />
(Semiconductor memory)<br />
RAM<br />
<br />
SAM<br />
(Sequential Access Memory)<br />
<br />
(Random Access Memory)<br />
<br />
ROM (Read Only Memory)<br />
PROM<br />
<br />
EPROM<br />
<br />
EEPROM<br />
<br />
Flash ROM<br />
<br />
RWM (Read Write memory)<br />
SRAM<br />
<br />
DRAM<br />
<br />
4.2 Các chip EPROM<br />
<br />
p chân địa chỉ<br />
<br />
A0<br />
A1<br />
A2<br />
A3<br />
A4<br />
A5<br />
A6<br />
A7<br />
A8<br />
A p-1<br />
<br />
Điều khiển đọc<br />
Chọn chip<br />
Các chân điều khiển<br />
<br />
OE<br />
PGM<br />
CE<br />
Vpp<br />
<br />
D0<br />
D1<br />
D2<br />
D3<br />
D4<br />
D5<br />
D6<br />
<br />
EPROM<br />
<br />
D<br />
m-1<br />
<br />
m chân dữ liệu<br />
<br />