Ộ Ộ Ủ Ệ
ộ ậ ự ạ C NG HÒA XÃ H I CH NGHĨA VI T NAM Đ c l p T do H nh phúc
Ề Ố Ề Ệ
Ề Ẳ Đ THI T T NGHI P CAO Đ NG NGH KHÓA 3 (2009 – 2012) Ề NGH : HÀN Ế MÔN THI: LÝ THUY T CHUYÊN MÔN NGH
ề Mã đ : H – LT02
ể ờ ề ờ ế ứ Hình th c thi: (Vi t) (Không k th i gian chép/giao đ thi) Th i gian: 150 phút
Ề Đ BÀI
ể ụ ủ ự ấ ặ ươ ể Nêu th c ch t, đ c đi m và công d ng c a ph ng pháp hàn Câu 1 (02 đi m):
TIG?
ể ố ớ ệ ầ ồ Trình bày các yêu c u đ i v i máy hàn đi n h quang tay? Câu 2 (02 đi m):
ế ườ ủ ặ Th nào là đ ng đ c tính ngoài c a máy hàn?
ế ế ậ ạ ườ ủ ặ ố t các d ng khuy t t t th ng g p c a m i hàn khi ể Câu 3 (03 đi m): Cho bi
ồ ừ hàn h quang tay? Nguyên nhân và cách phòng ng a?
......., ngày .... tháng ..... năm2012
Ể Ề TI U BAN RA Đ THI DUY TỆ
Ố Ệ Ộ Ồ H I Đ NG THI T T NGHI P
Ộ Ộ Ủ Ệ
ộ ậ ự ạ C NG HÒA XÃ H I CH NGHĨA VI T NAM Đ c l p T do H nh phúc
Ề Ố Ề Ệ
Ề
ề ĐÁP ÁN Ẳ Đ THI T T NGHI P CAO Đ NG NGH KHÓA 3 (2009 – 2012) Ề NGH : HÀN Ế MÔN THI: LÝ THUY T CHUYÊN MÔN NGH Mã đ thi: DA H – LT02
Ộ N I DUNG ĐÁP ÁN ĐI M Ể
ấ : ự * Th c ch t TT Câu 1 (02 đi m)ể ự ệ 0.2 ả ườ ằ ơ ệ
ữ ủ ả ộ
ơ ổ ồ Hàn TIG (tungsten inert gas) là quá trình hàn b ng đi n c c không ỗ ặ ả ng khí b o v là khí tr (Ar, He ho c h n nóng ch y, trong môi tr ạ ủ ụ ợ h p c a Ar + He) có tác d ng ngăn c n nh ng tác đ ng có h i c a ị ôxy và nit trong không khí và n đ nh h quang.
0.4
ể ặ * Đ c đi m :
0.2 ố ấ ượ ố ớ ầ ế ạ ợ ng cao đ i v i h u h t kim lo i và h p
ạ T o ra m i hàn có ch t l kim
0.2 ệ ậ ố ộ ế ả ạ Nhi t t p trung cao cho phép tăng t c đ hàn, gi m bi n d ng.
0.2 ể ự ộ Có th t đ ng hóa khi hàn.
ố ả ạ ỉ 0.2 M i hàn không ph i làm s ch sau khi hàn vì không có x và không có ạ ắ kim lo i b n tãe..
ể ọ ị ượ ễ D quan sát b hàn. Hàn đ c m i v trí trong không gian. 0.2 0.2
ượ ụ ề ấ ặ c áp d ng trong nhi u lĩnh v c s n xu t, đ c bi 0.2 ự ả ạ ợ ợ ệ ấ t r t ủ
ầ ố ớ ệ ồ * Công d ng :ụ Hàn TIG đ ợ thích h p trong hàn thép h p kim cao, kim lo i màu và h p kim c a chúng. * Các yêu c u đ i v i máy hàn đi n h quang tay:
Câu 2 (02 đi m)ể ệ ả ủ Đi n áp không t i (U ồ ả ủ ể 0) c a máy hàn ph i đ đ gây và duy trì h
ư ổ ố ượ ị quang cháy n đ nh nh ng không đ i đa U
0 ≤ 80V) đ ể
ườ ử ụ không gây nguy hi m cho ng 0.4 c quá cao ( t ụ ể i s d ng. C th : ề ể ồ ố ớ ệ + Đ i v i ngu n đi n hàn xoay chi u:
ồ ộ
U0 = (55 ÷ 80)v; Uh= (25 ÷ 45)v. ề ệ ố ớ + Đ i v i ngu n đi n hàn m t chi u: U0 = (30 ÷ 55)v; Uh = (16 ÷ 35)v.
ố ồ ặ ng đ c tính ngoài là đ
ụ ườ ổ ủ ườ ự ế 0.4
ộ ự ổ
ạ ắ
ườ ng ng n m ch x y ra làm cho c ả ng đ dòng đi n hàn thay đ i ít. ả ậ 0.4
ắ ệ ớ ạ
ượ ề ả ỉ ế ộ c nhi u ch đ hàn khác
0.4 ố ượ ả ỏ ng càng nh c và kh i l
ồ ệ ố ặ ệ ụ ủ ố ườ ể ệ ườ ố
0.4 ế ủ ườ ệ ng th hi n m i quan vẽ ng đ dòng đi n và hi u đi n th c a máy hàn (
ồ là đ ệ ng đ c ngoài c a máy hàn h quang tay)
0.2 ng cong d c Máy hàn h quang tay có đ ệ ề liên t c, khi đi n áp có s bi n thiên theo s thay đ i c a chi u dài ệ ườ ồ h quang thì c ồ ệ ượ ng Khi hàn h quang tay hi n t ể ệ ộ đ dòng đi n hàn l n có th gây cháy máy. Do v y máy hàn ph i có 0 ≤ ( 1,3 ÷ 1,4)Iđm. dòng đi n ng n m ch: I ề ồ Máy hàn h quang tay ph i đi u ch nh đ nhau. ướ Máy hàn h quang tay ph i có kích th ấ càng t t, h s công su t hi u d ng cao. * Đ ng đ c tính ngoài c a máy hàn ệ ộ ệ ữ h gi a c ủ ặ ườ đ 1. N t.ứ Câu 3
ủ ụ ộ ệ ứ ự ế ở ạ ắ ượ (03 đi m)ể tr ng thái r n, đ c xem là N t là s phá h y c c b li n k t hàn
ế ậ ạ ơ ả ệ ể ấ khuy t t ấ t nguy hi m nh t. Chúng su t hi n trong kim lo i c b n
ố
ạ và kim lo i m i hàn. a. Nguyên nhân:
ượ ạ ậ ư ặ ố ỳ Hàm l ng l u hu nh và ph t pho trong kim lo i v t hàn ho c
ề ạ trong kim lo i que hàn quá nhi u. 0.2 ự ế ổ ổ ứ ể ạ ổ Co ngót và s bi n đ i t ch c hay thay đ i th tích khi kim lo i
ể ừ ạ ạ ắ ỏ chuy n t tr ng thái l ng sang tr ng thái r n.
ộ ậ ề ố t đ phân b không đ u khi nung nóng và làm ngu i v t hàn.
ệ ộ ệ ừ Nhi b. Bi n pháp phòng ng a:
ậ ệ ọ ượ ư ấ ồ ỳ Ch n v t li u hàn có hàm l ố ng l u hu nh và ph t pho th p, đ ng 0.2 ứ ố ờ ọ ố th i ch n que hàn có tính ch ng n t t t.
ợ
ọ Ch n quy trình hàn thích h p. ỗ ơ . 2. R h i
0.2 ồ ạ ả ầ ố Là kho ng không gian t n t ạ i trong ph n kim lo i m i hàn. Chúng
ấ ạ ố
ệ xu t hi n trong kim lo i m i hàn. a. Nguyên nhân
ượ ạ ậ ặ Hàm l ng cácbon trong kim lo i v t hàn ho c trong lõi thép que
ủ ả ẩ hàn quá cao, kh năng đ y ôxy c a que hàn kém. 0.2 ặ ủ ầ ị ẩ ố ướ ầ ẩ Dùng que hàn b m, trên m t c a đ u n i có n ỉ c d u b n, g
s t ...ắ
ộ
ố ộ ệ ừ ể ớ T c đ hàn l n, b hàn ngu i nhanh. b. Bi n pháp phòng ng a:
ượ ấ ả ẩ ố Dùng que hàn có hàm l ng cácbon th p, kh năng đ y ôxy t t.
0.2 ướ ề ặ ậ ả ấ ả Tr c khi hàn, que hàn ph i s y khô và b m t v t hàn ph i làm
ạ s ch tri ệ ể t đ .
ợ
ọ ố ộ ẫ ỉ 0.2 Ch n t c đ hàn thích h p. 3. L n x :
ề ặ ạ ạ ấ ổ ố ị Là các t p ch t phi kim lo i không k p n i lên b m t m i hàn khi
đông đ c.ặ a. Nguyên nhân
ủ ệ ỏ ư Dòng đi n hàn quá nh nên không đ nhi ệ ượ t l ng làm cho tính l u
0.2 ủ ể ị ạ ế ộ đ ng c a b hàn b h n ch .
ề ặ ậ ư ượ B m t v t hàn ch a đ ạ c làm s ch tri ệ ể t đ .
ộ
ừ ệ ố Làm ngu i m i hàn quá nhanh. b. Bi n pháp phòng ng a:
ệ ợ Tăng dòng đi n hàn cho thích h p. 0.2 ệ ể ấ ề ặ ậ ạ Tri t đ ch p hành công tác làm s ch b m t v t hàn.
ạ ế ố ộ
ộ ủ ữ ố ấ ự ụ H n ch t c đ ngu i c a m i hàn. ế ấ 4. Hàn không ng u ấ là nh ng b t liên t c do không có s liên k t c u
ạ ạ ơ ả ữ ệ ạ ặ ố 0.2 trúc t i giao di n gi a kim lo i c b n và kim lo i m i hàn ho c
ớ ữ
gi a các l p hàn. a. Nguyên nhân
ạ ơ ả ở ầ ố ỏ Khe h đ u n i và góc vát quá nh nên kim lo i c b n khó nóng
0.2 ch y.ả
ồ Nhi ệ ượ t l ủ ng h quang không đ .
ộ ặ ộ ợ
ừ ệ Góc đ que hàn ho c cách dao đ ng que hàn không h p lý. b. Bi n pháp phòng ng a:
ế ắ ậ ỹ L p ráp liên k t hàn đúng k thu t. 0.2 ườ ề ệ ả ộ ồ Tăng c ng đ dòng đi n hàn và gi m chi u dài h quang.
ề ợ
ộ ạ ơ ả ế ạ ỗ ố ộ ị là ch kim lo i c b n b lõm xu ng thành rãnh ỉ Đi u ch nh góc đ và cách dao đ ng que hàn thích h p. 5. Khuy t c nh 0.2 ằ ọ ườ ng hàn.
ề không đ u n m d c theo mép đ a. Nguyên nhân:
0.2 ệ ớ ồ Dòng đi n hàn l n, h quang quá dài.
ộ ợ ộ
ừ ệ 0.2 Góc đ que hàn và cách dao đ ng que hàn không h p lý. b. Bi n pháp phòng ng a:
ọ ợ ế ộ Ch n ch đ hàn h p lý.
ề ộ ợ ộ ỉ Đi u ch nh góc đ và cách dao đ ng que hàn thích h p.
....., ngày ..... tháng .... năm2012

