intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Giáo trình Điện tử thông tin: Phần 1 - CĐ Kỹ Thuật Cao Thắng

Chia sẻ: Trần Thị Ta | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:81

Thêm vào BST
Báo xấu
95
lượt xem 8
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

(NB) Với 3 chương đầu tiên Giáo trình Điện tử thông tin: Phần 1 trình bày nội dung về mạch khuếch đại công suất âm tần, đáp ứng tần số của mạch khuếch đại, mạch lọc tích cực sử dụng op amp. Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Giáo trình Điện tử thông tin: Phần 1 - CĐ Kỹ Thuật Cao Thắng

  1. BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ THUẬT CAO THẮNG KHOA ĐIỆN TỬ - TIN HỌC BỘ MÔN ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG NGUYỄN DUY THẮNG LẠI NGUYỄN DUY NGUYỄN PHÚ QUỚI GIÁO TRÌNH ĐIỆN TỬ THÔNG TIN TP. HỒ CHÍ MINH - 2018 (LƯU HÀNH NỘI BỘ)
  2. Mục lục MỤC LỤC CHƯƠNG 1 ..................................................................................................................... 1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN......................................................... 1 1.1. KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ............................................. 1 1.2. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A ............................................................. 2 1.2.1. Mạch dùng cuộn chặn ................................................................................... 2 1.2.2. Mạch ghép biến áp ........................................................................................ 8 1.3. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B ........................................................... 11 1.4. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BỔ PHỤ .................. 15 BÀI TẬP CHƯƠNG 1 .................................................................................................. 17 CHƯƠNG 2 ..................................................................................................................... 1 ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI...................................................... 1 2.1. KHÁI NIỆM VỀ ĐÁP ỨNG TẦN SỐ ............................................................ 1 2.2. THANG ĐO DECIBEL ................................................................................... 1 2.3. ĐỒ THỊ BODE ................................................................................................. 2 2.4. PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP ....................................................... 6 2.4.1. Mạch có tụ ngõ vào ...................................................................................... 6 2.4.2. Mạch có tụ bypass ........................................................................................ 8 2.4.3. Mạch có tụ ngõ vào và ngõ ra ...................................................................... 9 2.4.4. Mạch có tụ hỗn hợp .................................................................................... 13 2.5. PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO ....................................................... 13 2.5.1. Mạch tương đương tần số cao .................................................................... 13 2.5.2. Hiệu ứng Miller .......................................................................................... 16 BÀI TẬP CHƯƠNG 2 .................................................................................................. 20 CHƯƠNG 3 ................................................................................................................... 26 MẠCH LỌC TÍCH CỰC SỬ DỤNG OP-AMP ........................................................ 26 3.1. Khái niệm ....................................................................................................... 26 3.2. Mạch lọc tích cực thông thấp (Low Pass Filter – LPF) .................................. 27 3.2.1. Mạch lọc thông thấp bậc một ..................................................................... 27 3.2.2. Mạch lọc thông thấp bậc cao ...................................................................... 30 i
  3. Mục lục 3.3. Mạch lọc tích cực thông cao (High Pass Filter – HPF) .................................. 33 3.3.1. Mạch lọc tích cực thông cao bậc một ......................................................... 33 3.3.2. Mạch lọc thông cao bậc cao ....................................................................... 36 3.4. Mạch lọc thông dải (Band pass filter – BPF) ................................................. 39 3.4.1. BPF bằng cách kết hợp HPF và LPF .......................................................... 39 3.4.2. Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu trúc đa hồi tiếp .................................... 42 3.4.3. Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu hình Sallen-Key .................................. 43 3.5. Mạch lọc chắn dải (Notch filter hay BSF: Band stop filter) .......................... 44 BÀI TẬP CHƯƠNG 3 .................................................................................................. 46 CHƯƠNG 4 ................................................................................................................... 52 MẠCH DAO ĐỘNG..................................................................................................... 52 4.1. NGUYÊN LÝ HÌNH THÀNH DAO ĐỘNG ..................................................... 52 4.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG KHI PHÂN TÍCH MẠCH DAO ĐỘNG ............ 53 4.3. CÁC MẠCH DAO ĐỘNG CƠ BẢN ............................................................. 56 4.3.1. Mạch dao động Hartley .............................................................................. 56 4.3.2. Mạch dao động Colpitt ............................................................................... 56 4.3.3. Mạch dao động dịch pha ............................................................................. 57 4.3.4. Mạch dao động cầu Wien ........................................................................... 60 4.3.5. Mạch dao động Clapp ................................................................................. 63 4.3.6. Dao động thạch anh (Crystal OSC) ............................................................ 64 BÀI TẬP CHƯƠNG 4 .................................................................................................. 67 CHƯƠNG 5 ................................................................................................................... 68 MẠCH CỘNG HƯỞNG .............................................................................................. 68 5.1. MẠCH CỘNG HƯỞNG SONG SONG ........................................................ 68 5.2. MẠCH CỘNG HƯỞNG NỐI TIẾP ............................................................... 71 5.3. TRUYỀN CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CHO TẢI ............................................. 73 5.4. MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG ................................................................ 74 BÀI TẬP CHƯƠNG 5 .................................................................................................. 76 CHƯƠNG 6 ................................................................................................................... 79 MẠCH ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU ................................................................................... 79 6.1. KHÁI NIỆM VỀ ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU ....................................................... 79 6.2. ĐIỀU CHẾ VÀ GIẢI ĐIỀU CHẾ THEO BIÊN ĐỘ ..................................... 79 ii
  4. Mục lục 6.3. ĐIỀU CHẾ THEO TẦN SỐ........................................................................... 83 6.4. ĐIỀU CHẾ THEO GÓC PHA ....................................................................... 88 6.5. CÁC KỸ THUẬT ĐIỀU CHẾ SỐ ................................................................. 89 BÀI TẬP CHƯƠNG 6 .................................................................................................. 92 TÀI LIỆU THAM KHẢO............................................................................................ 93 PHỤ LỤC ...................................................................................................................... 94 TỔNG QUÁT VỀ HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ THÔNG TIN ......................................... 94 iii
  5. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần CHƯƠNG 1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về phân tích nguyên lý và tính toán các thông số công suất các của mạch khuếch đại công suất âm tần. 1.1.KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT Được thiết kế để cho tải có công suất lớn, không bị méo và trung thực. Mạch khuếch Mạch khuếch vi đại tín hiệu đại công suất RL nhỏ Hình 1.1. Sơ đồ vị trí mạch khuếch đại công suất Phân loại: Mạch khuếch đại công suất iC được phân loại theo dạng sóng hình sin đi qua cực C của transistor. ICQ Có 4 loại chính: Khuếch đại công suất lớp A: t 0 iC Khuếch đại công suất lớp AB: ICQ t 0 iC t ICQ Khuếch đại công suất lớp B: 0 iC t Khuếch đại công suất lớp C: 0 Hình 1.2. Phân loại mạch khuếch đại công suất 1
  6. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Trong chương này chỉ nghiên cứu hai dạng mạch thông dụng nhất là khuếch đại lớp A và khuếch đại lớp B. 1.2.KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A 1.2.1. Mạch dùng cuộn chặn Xét mạch khuếch đại công suất lớp A dùng cuộn chặn RFC như sau: i L→∞ C2→∞ C1→∞ iC Rb RL ri ii Re Ce→∞ VBB Hình 1.3. Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng RFC Phân tích mạch: Do L→ ∞ nên xem như ngắn mạch ở DC và hở mạch ở AC.  Phân tích DC: (ngắn mạch L) VBB  VBEQ I CQ  và VCEQ  VCC  R e I CQ Rb  Re  DCLL: VCC  v CE  i C R e (RDC = Re) (1.1)  Phân tích AC: (hở mạch L) RAC = RL  1  ACLL: iC  I CQ    .vCE  VCEQ  (1.2)   R ÂC  Điều kiện maxswing:   VCEQ  I CM  min I CQ ,   max  R AC  2
  7. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần VCM max  min VCEQ , I CQ .RAC  iC DCLL (-1/Rdc) Giả sử: i C  I cm sin .t Thì i L  I Lm sin .t  I cm sin .t ACLL (-1/Rac) VCC VCC Q Tại điểm Qmaxswing: I CQ   ICQ R ac  R dc R e  R L vCE RL VCEQ  I CQ .R ac  VCC Re  RL 0 VCEQ VCC VCEQ + ICQRac Lúc đó Q là trung điểm của đường ACLL. Hình 1.4. DCLL và ACLL VCC I CM  I LM  I CQ  Re  RL max max  Nếu Re
  8. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần v CE  VCEQ  v ce  Vcc  i c R L và v L  i L R L  i c R L Nếu dòng điện vào có dạng hình sin: i i  I im sin .t thì i c  I cm sin .t Biên độ dòng ic là Icm đạt giá trị bằng ICQ hay Icm ≤ ICQ. Công suất nguồn cung cấp: không phụ thuộc vào dòng tín hiệu vào 2 VCC PCC  VCC I CQ  (1.3) RL Công suất trên tải: vì iL = -ic nên ILm = Icm. 2 I 2Lm R L I cm RL PL   (1.4) 2 2 Công suất tiêu tán trung bình cực đại xảy ra khi Icm = ICQ 2 2 I CQ RL VCC PL ,max   2 2R L Công suất tiêu tán trên cực C: 2 2 VCC I cm RL PC  PCC  PL   (1.5) RL 2 2 VCC PC cực tiểu khi PL đạt cực đại: PC,min  2R L 2 VCC PC cực đại khi không có tín hiệu vào: PC,max   VCEQ I CQ RL P, Hiệu suất: PCC = PC + PL 2 RL  I cm   1I  2  PL   2    cm  (1.6) 50% PCC VCC I CQ 2  I CQ   PC Hiệu suất đạt cực đại khi Icm = ICQ:  max  50% PL Icm 0 ICQ Hệ số sử dụng: (chỉ số chất lượng có ích) Hình 1.5. Đồ thị công suất 4
  9. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần PC,max 2 (1.7) PL ,max Do đó, để cung cấp ra tải 25W thì chọn transistor có công suất tiêu tán là 50W. Đường Hyperbol tiêu tán cực đại: Các thông số cần thiết khi chọn transistor công suất khi thiết kế Phải chịu dòng khoảng 2ICQ. Điện áp chịu đựng VCE ≥ VCC. Tần số hoạt động không nhỏ hơn tần số tín hiệu. PC,max = VCEQ.ICQ iC max iC PC,max = vCEiC (sau khi suy giảm) PC,max (trước khi suy giảm) Vùng làm việc an toàn vCE 0 BVCEO Hình 1.6. Đường Hyperbol công suất Để làm việc an toàn, điểm tĩnh Q phải nằm dưới đường hyperbol. Đường tải AC có độ dốc (-1/RL) giao với trục vCE ở điện áp bé hơn BVCEO và giao với trục iC ở dòng nhỏ hơn iC cực đại. Tức là: 2VCC  BVCEO 2I CQ  max i C  1  Để có maxswing đối xứng thì I CQ   VCEQ kết hợp với phương trình (1), điểm tĩnh  L R Q tại vị trí: PC,max I CQ  và VCEQ  PC,max R L RL Tại điểm Q, độ dốc của đường hyperbol là: i C I CQ 1   v CE VCEQ RL 5
  10. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Ví dụ 1.1: Cho mạch như hình vẽ: Transistor có PC,max = 4W, BVCEO = 40V, iCmax = 2A, RL L→∞ = 10. Xác định điểm Q để C2→∞ công suất trên tải đạt cực đại. Xác định nguồn cung cấp C1→∞ iC VCC. Rb RL ri ii Re Ce→∞ VBB Giải: 1 v Vẽ đường có phương trình i C  .v CE  CE , điểm Q là giao điểm của đường này và RL 10 đường PC,max =ICQ.VCEQ = 4. Từ hình vẽ, ta suy ra: I CQ  4  0.63 10 VCEQ  4.10  6.3 Điện áp VCC được chọn ≈VCEQ nếu bỏ qua sụt áp trên Re: VCC = 6.3V vCE,max ≈ 12.6V < BVCEQ. IC , A DCLL 1.26 0.63 Q PC, max = 4W ACLL 0 6.3 12.6 vCE , V Xác định công suất: Công suất tiêu tán cực đại trên tải: PL ,max  2 I CQ RL  0.63  10 2  2W 2 2 6
  11. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Chọn Re, Rb và VBB: Rb R e  , hơn nữa chọn Re nhỏ để công suất tiêu tán có thể bỏ qua. Ta  1 có thể chọn Re = 1. PR e  I CQ 2 .1  0.4W  PC,max  4W Chọn Rb sao cho: R b  1  .R e . Nếu = 40 thì Rb ≈ 4. 10 VBB ≈ 0.7 + (0.63)(1) = 1.33V Thay đổi max iC = 1A. Nếu điểm Q không thay đổi thì max Icm = 0.37A. Do đó i C  0.37 sin t A  và công suất tiêu tán cực đại trên tải:  20.37 10  0.69W . PL,max  1 2 Vì RL = 10 không đổi nên đường tải AC cũng không đổi. Tuy nhiên, nếu đường tải dịch chuyển sao cho nó giao với trục iC tại điểm max iC = 1A, điểm Q tại: ICQ = 0.5A và VCEQ = VCC = 5V. Dòng điện iC = 0.5sint (A) và công suất tiêu tán trên tải:  20.5 10  1.25W PL,max  1 2 Ta thấy rằng công suất trên tải tính được trong hai trường hợp trên luôn nhỏ hơn 2W. Đó là bởi vì ta không thể bù sự suy giảm biên độ của dòng iC. Điều này sẽ được cải tiến trong mạch khuếch đại ghép biến áp. Ví dụ 1.2: Cho mạch như hình vẽ. Có RL = 10. Transistor có các thông số như sau: PC,max = 2.5W BVCEO = 80V L VCE,sat = 2V C →∞ Xác định điểm Q để công suất trên tải đạt C →∞ cực đại. Rb RL ii Ce Giải: VB Re →∞ Công suất trên tải cực đại khi dòng điện trên tải đạt cực đại. Phương trình ACLL: R L i C  I CQ   v CE  VCEQ  Khi iC đạt cực đại: iC = 2ICQ và vCE = VCE,sat. 7
  12. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Do đó: R L I CQ  VCEQ  VCE ,sat iC , A Để tránh hiện tượng quá công suất tiêu tán trên collector, ta cho: 1.02 ICQVCEQ = PC,max Giải hệ phương trình, ta được: RLICQ = VCEQ – VCE,sat 2 0.41 VCE ,sat PC,max  VCE ,sat  I CQ       2R L RL  2R L  2 2 6.1 10.2 vCE, V VCE ,sat  VCE ,sat  VCE,sat và VCEQ   PC,max R L    ACLL 2  2  Tọa độ điểm Q: ICQ = 0.41A và VCEQ = 6.1V vì thế nguồn cung cấp: VCC = 6.1 V Chú ý: ACLL tiếp xúc đường Hyperbol không có nghĩa là công suất tiêu tán trung bình vượt quá PC,max, vì công suất tiêu tán cực đại trên cực C chỉ xảy ra khi không có tín hiệu. Vì Icm = 0.41A nên công suất trung bình trên tải: PL,max  1 I CQ R L  1 0.41 10  0.84W 2 2 2 2 Hiệu suất cực đại (bỏ qua tiêu tán trên Re) là: PL,max 0.84  max    33.6% PCC 6.10.41 Hệ số sử dụng (chỉ số chất lượng có ích): PC ,max 2. 5   2.98 PL ,max 0.84 1.2.2. Mạch ghép biến áp Xét mạch khuếch đại công suất lớp A ghép biến áp như sau: CC→∞ iC + Rb iL ii + Re Ce→∞ RL VBB vL - - Hình 1.7. Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng biến áp. 8
  13. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Giả sử biến áp là lý tưởng. Ta có: vc = NvL (1.8) và Nic = -iL Ta được: vc(-ic) = vLiL vc v   N 2  L   N 2 R L  R ' L  ic  iL  Do đó trở kháng AC R’L nhìn vào biến áp là N2.RL. Phương trình DCLL và ACLL: DCLL: VCC = vCE + iERC ≈ vCE + icRe ACLL: vc = vce = -ic.R’L iC DCLL 2ICQ Q ACLL vCE 0 VCC 2VCC Hình 1.8. Phương trình đường tải. Nếu chọn Re sao cho R e  R ' L thì dòng tĩnh để đạt maxswing là: VCC I CQ  R'L Tính toán công suất: Tính toán tương tự như phần trước, thay RL thành R’L. Tín hiệu vào ii có dạng hình sin: i c  I cm sin .t Công suất nguồn cung cấp: 2 VCC PCC  VCC .I CQ  R'L Công suất trên tải: i L  I Lm sin .t I 2Lm PL  R L . Do ILm = N.Icm nên 2 9
  14. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần 2 I cm  PL  R 'L 2 Công suất tiêu tán trên Collector: 2 VCC  I cm 2  PC    R ' L R ' L  2  PC đạt cực đại khi không có tín hiệu: 2 VCC PC,max   VCEQ .I CQ R'L Hiệu suất: 2  1  I      cm    max  50%  2  I CQ   Hệ số sử dụng: PC,max 2 PL ,max Ví dụ 1.3: Một transistor có PC,max = 4W, BVCEO = 40, max iC = 1A với mạch ghép biến áp đến tải 10. Thiết kế bộ khuếch đại để có công suất trên tải đạt cực đại. Tính VCC, PL, tỷ số biến áp N. Giải: Áp dụng các công thức đã học, ta được: Pc,max 0.4 0.63 I CQ  2   (A) N RL N2 N VCEQ  PC,max N 2 R L  6.3N (V) Mạch ghép biến áp, có thể chọn điểm Q bất kỳ miễn là: 12.6 2I CQ   1  max i C N và 2VCEQ  12.6 N  40  BVCEO Những bất đẳng thức này xác định giới hạn của N: 1.26
  15. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần PL,max = (1/2).(0.32)2.22.10 = 2W. 1.3. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B Trong mạch khuếch đại lớp A, hiệu suất lớn nhất là 50% bởi vì giá trị đỉnh của dòng collector Icm ≤ ICQ. Trong khuếch đại lớp B, dòng tĩnh ICQ < Icm vì thế công suất tiêu tán collector thấp và hiệu suất tăng lên đến 78.5%. iB2 iC2 VCC + ii vL RL - iB1 iC1 Hình 1.9. Lớp B Biến áp đảo pha cung cấp 2 tín hiệu ngược pha 1800 cho T1 và T2. Ngõ ra sẽ có dòng iC1 và iC2: iL = N(iC2 – iC1) (1.9) Hoạt động của mạch: trong bán kỳ đầu iB1 = 0 nên T1 được phân cực ở trạng thái tắt dẫn đến iC1 = 0, còn iB2 > 0 nên T2 dẫn dòng iC2 có dạng như hình vẽ. Ở bán kỳ tiếp theo thì T1 dẫn và T2 tắt. Như vậy dòng tải iL sẽ liên hệ với dòng iC1 và iC2 theo biểu thức (1.9) có dạng như hình vẽ. iB1 ii Iim t Iim 0 t -Iim iC1 Icm = hfeIim Icm iB2 t Iim 0 t 0 ILm = NIcm ILm iC2 Icm t Méo crossover 0 t 0 -ILm Hình 2.10. Dạng sóng ra 11
  16. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Đối với dạng mạch này, dòng tải sẽ bị méo xuyên 0, hiệu ứng này gọi là méo crossover. Do mạch phân cực, khi không có tín hiệu vào thì vBE = 0, transistor hoạt động trong vùng tuyến tính khi iB đủ dương để vBE ≈ 0.7V (đối với Si). Để loại bỏ méo dạng này, mối nối BE được phân cực xấp xỉ 0.7V. Kết quả này làm mạch trở thành loại AB hơn là loại B. Trong thực tế, người ta thường cho phép méo crossover vì chúng sẽ bị lọc mất tại ngõ ra (do bộ lọc gồm transformer và điện dung phân bố ký sinh). Xác định đường tải: iB2 iC2 RL ii VCC Hình 1.11. Mạch tương đương Do đặc tính của mạch, mỗi transistor hoạt động trong 1 bán kỳ nên chúng ta chỉ cần nghiên cứu hoạt động cho 1 con transistor. iC2 DCLL Xét hoạt động của transistor T2: DCLL: vCE = VCC ACLL i 1 ACLL: C   vCE R' L vCE 0 VCC 2VCC Hình 1.12. Phương trình ACLL Trong khoảng thời gian T2 tắt, iC2 = 0 và vCE2 = VCC + NvL sẽ thay đổi từ VCC (khi vCE1 = VCC và do đó NvL = 0) đến 2VCC (khi vCE1 = 0 và do đó NvL = VCC). Vì thế khi transistor tắt ACLL là đường nằm ngang iC2 = 0. VCC Như vậy max của iC1 và iC2 là I cm  . R 'L Tính toán công suất: Giả sử tín hiệu vào là tín hiệu sin: i i  I im sin .t isupply iC2 iC1 iC2 Icm 12 t 0 T/2 T 3T/2 Dạng sóng của nguồn cung cấp
  17. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Công suất nguồn cung cấp:  1  T/2 PCC  VCC    i C1 t   i C 2 t dt  T  T / 2  1  T/2 2 mà   T / 2 i C1 t   i C 2 t dt   I cm T  2  PCC   VCC I cm  Giá trị max của nó là: 2 V  2VCC2 PCC ,max   VCC  CC      R'L  R ' L Công suất trên tải: 1 2 1 2 2 1 2 PL  I Lm R L  I cm N R L  I cm R 'L 2 2 2 2 VCC Giá trị max của nó là: PL,max  2R ' L P,ç ç 78.5% PCC PL Icm Hình 1.13. Đồ thị công suất lớp B Công suất tiêu tán trên Collector: 13
  18. Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần Tổng công suất tiêu tán trên T1 và T2: 2 2 R' I 2PC  PCC  PL   VCC I cm  L cm   2 Giá trị cực đại của PC được tìm bằng cách vi phân PC theo Icm và cho bằng 0, ta  2  V  được: I cm    CC     R ' L  Do đó, giá trị max của PC:  1  V   V2  2 PC,max   2  CC   0.1 CC     R ' L   R'L  Hiệu suất:    I R '  2 PL 1 2 R ' L I cm      cm L  PCC 2 VCC I cm  4  VCC  VCC Hiệu suất đạt cực đại khi I cm  . Khi đó: R 'L   max   78.5% 4 Hệ số sử dụng:  VCC 2    PC,max   2 R ' L 2 1   2  PL,max 2 VCC  5 2R ' L Nếu công suất tải PL,max = 25W thì mỗi transistor tiêu tán chỉ 5W. Một thuận lợi khác là khi không có tín hiệu thì không có dòng tĩnh trong mạch (không tiêu thụ công suất). Ví dụ 1.4: Thiết kế một mạch khuếch đại lớp B để cho công suất cực đại ở tải 10, biết PC,max = 4W. Dùng hai transistor có: BVCEO = 40V, max iC = 1A. Tìm VCC, N và mạch phân cực để tránh méo crossover. Tính toán công suất và hiệu suất. Giải: Công suất trên tải đạt cực đại: 2 VCC V I PL,max   CC cm 2R ' L 2 Công suất ra có thể tăng bằng cách tăng VCC và Icm. Tuy nhiên VCC và Icm không thể tăng đến vô hạn. Transistor có các thông số giới hạn như sau: VCC  1 BVCEO  20V 2 14
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí
65 tài liệu
2431 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
3=>0