Bài tập điện áp

Chia sẻ: Lê Tất Thắng | Ngày: | Loại File: DOC | Số trang:7

Thêm vào BST

Báo xấu

117
lượt xem 12
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Đề số 1 1. Cho sơ đồ mạch điện dùng trazito trường MOS kênh cảm ứng loại N. a. Hãy cho biết tranzito được mắc theo cách nào ? b. Mạch định thiên kiển gì? c. Nêu nhiệm vụ của các linh kiện trong sơ đồ mạch.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài tập điện áp

Bài giải: a. Transistor được mắc theo sơ đồ DC – Drain Common. b. Mạch định thiên kiểu phân áp. c. R1 , R2 : Cầu phân áp lấy từ nguồn VD tạo điện áp phân cực cho G. R3 : Điện trở cực S nhằm ổn định độ khuếch đại của transistor. C1 , C2 : Tụ liên lạc lấy tín hiệu vào và tín ra của mạch transistor. Bài giải: Điện áp trên cực gốc chính là sụt áp trên điện trở R2 do dòng điện phân áp tạo nên. Vậy ta có Vcc VB = I phân áp .R2 mà: I phân áp = Và: R1 + R2 V .R 35.5 VB = CC 2 = = 1,129V Do đó: R1 + R2 150 + 5 Từ sơ đồ ta có: 1
VB = VBE + VE VE = RE .I E = RE ( I B + I C ) = RE ( I B + β I B ) = I B RE (1 + β ) Trong đó: � VB = VBE + I B RE (1 + β ) Tìm I B : VB − VBE 1,129 − 0, 2 IB = = = 0, 0184mA RE (1 + β ) 0,5(1 + 100) Tìm I C : I C = β I B = 100.0, 0184 = 1,84mA Transistor Gemani có : VBE = 0, 2V Tìm I E : VB − VBE 1,129 − 0, 2 IE = = = 1,858mA RE 0,5 Tim điên ap U CE : ̀ ̣́ U CE = Vcc − I C RC − I E RE = 35 − 1,84.2,5 − 1,858.0,5 = 29.47V Tim hệ số ôn đinh S: ̀ ̉ ̣ R1.R2 150.5 RB = = = 4,838K Ω R1 + R2 150 + 5 1+ β 1 + 100 S= = = 9, 74 β .RE 100.0,5 1+ 1+ RE + RB 0.5 + 4,838 3, Cho sơ đồ mạch như hình vẽ: 2
Bài giải: Transistor được mắc theo cách cực nguồn chung SC – Source Common. Mạch định a. thiên kiểu phân cực tự cấp. Nhiệm vụ của các linh kiện trong mạch: b. RG : điện trở định thiên RD : điện trở tải cực D RS : điện trở ổn định cực S C3 : nối đất thành phần xoay chiều C1 , C2 : tụ liên lạc lấy tín hiệu vào/ra. c. Tìm U GS : 2 �U � �I � I D = I DO �− GS �� U GS = −U GSngat � D − 1� 1 �I � � U GSngat � � DO � � � � 200 � U GS = −(−4) � � 2 − 1� 36V = � � � Tìm RS : U GS 36 U GS = − I D .RS � RS = − =− = 180Ω 200.10−3 ID 4. Trình bày về sơ đồ mắc cực gốc CB của transistor lưỡng cực trong các mạch khuếch đại và đặc điểm của cách mắc này. Sơ đồ mắc gốc chung: Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung mô tả trong hình 1. Trong sơ đồ mạch có: + EE , EC là nguồn cung cấp một chiều cho tranzito loại P-N-P trong mạch. + RE - điện trở định thiên cho tranzito. RE có nhiệm vụ làm sụt bớt một phần điện áp nguồn EE để đảm bảo cho tiếp xúc phát được phân cực thuận với điện áp phân cực UEB ≈ 0,6 V cho tranzito Silic, và UEB ≈ 0,2V cho tranzito Gecmani. Đồng thời tín hiệu vào sẽ hạ trên RE để đưa vào tranzito. + RC - điện trở gánh có nhiệm vụ tạo sụt áp thành phần dòng xoay chiều của tín hiệu để đưa ra mạch sau và đưa điện áp từ âm nguồn EC lên cực góp đảm bảo cho tiếp xúc góp được phân cực ngược. + Tụ điện C1 , C2 gọi là tụ liên lạc có nhiệm vụ dẫn tín hiệu vào mạch và dẫn tín hiệu ra mạch sau. 3
RC C1 E IE IC C2 Mạch Mạch C vào UCB ra UEB URa UVào RE B IB EE EC Hình 1: Sơ đồ mắc gốc chung cho tranzito loại P-N-P Cực gốc B của tranzito trong sơ đồ được nối đất. Như vậy, tín hiệu đưa vào giữa cực phát và cực gốc. Tín hiệu lấy ra giữa cực góp và cực gốc nên cực gốc B là chân cực chung của mạch vào và mạch ra. - Ta gọi là sơ đồ mắc cực gốc chung. Trong mạch có các thành phần dòng điện và điện áp sau: IE gọi là dòng điện trên mạch vào. IC gọi là dòng điện trên mạch ra. UEB gọi là điện áp trên mạch vào UCB gọi là điện áp trên mạch ra Mối quan hệ giữa các dòng điện và điện áp trên các chân cực được mô tả thông qua các họ đặc tuyến tĩnh. Có hai họ đặc tuyến chính là : Họ đặc tuyến vào: UEB = f1(UCB, IE) Họ đặc tuyến ra: IC = f2 (UCB, IE) Họ đặc tuyến vào: Đặc tuyến vào mô tả mối quan hệ giữa điện áp vào và dòng điện vào như sau: UEB = f1(IE) khi UCB = const. Xét trường hợp đối với tranzito lưỡng cực Gecmani loại P-N-P. Khi cực góp hở thì đặc tuyến vào chính là đặc tuyến Vôn-Ampe của tiếp xúc P-N phân cực thuận nên ta có: U EB VT − 1) IE = I 0 ( e Ta có đường đặc tuyến vào mô tả trong hình 2. 4
UEB (V) UCB hở 0,6 0,4 UCB = 0V UCB= -10V UCB= - 20V 0,2 0 10 20 30 40 IE (mA) Hình 2: Họ đặc tuyến vào của tranzito gecmani loại P-N-P. Khi UCB ≤ 0, đặc tuyến xê dịch rất ít chứng tỏ điện áp trên cực góp ít ảnh hưởng đến dòng điện qua tiếp xúc phát. Họ đặc tuyến ra: Đặc tuyến ra biểu thị mối quan hệ giữa dòng điện trên mạch cực góp với điện áp trên mạch cực góp. Ta có mối quan hệ sau: IC = f2(UCB) khi IE = const. Biểu thức tính dòng điện trên cực góp IC như sau: IC = αIE + ICBo IC (mA) Vùng tích cực 40 IE5 = 40mA IE4 = 30mA 30 Vùng dẫn bão 20 IE3 = 20mA α(IE3 - IE2) hòa 10 IE2 = 10mA αI E 2 ICB0 IE1= 0 0 -2 -4 -6 -8 UCB (V) Vùng ngắt Hình 3: Họ đặc tuyến ra của tranzito gecmani loại P-N-P trong sơ đồ mắc cực gốc chung + Khi IE1 = 0 (khi cực phát hở mạch): đặc tuyến ra chính là đặc tuyến Vôn-Ampe của tiếp xúc góp phân cực ngược. Do vậy, dòng điện cực góp IC = ICBo.
+ Khi IE2 > 0: là khi tiếp xúc phát được phân cực thuận thì dòng điện cực góp sẽ là: IC = α IE2 + ICBo
Khi UCB > 0 trong khi UEB > 0 tranzito làm việc ở chế độ bão hòa nên sẽ có dòng điện thuận của tiếp xúc góp chạy ngược chiều với thành phần dòng điện thuận từ cực phát sang (αIE2), do vậy, dòng điện tổng qua tiếp xúc góp giảm nhanh đến 0 và sau đó tăng nhanh nếu UCB > 0 tăng tiếp tục. Các đặc điểm của sơ đồ mắc cực gốc chung: - Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau - Trở kháng vào ZV nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ôm 1 Z vào =0 30 300Ω 3 S - Trở kháng ra lớn Z ra = RC = 100 K ΩM1M Ω hệ số khuếch đại dòng điện cực phát - I α = C