Điện Tử - Vật Liệu Linh Kiện part 9

Chia sẻ: Ngọc Tam | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

Thêm vào BST

Báo xấu

68
lượt xem 7
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Sự hình thành của spintronics xuất phát từ những phát kiến về hiệu ứng từ điện trở. Spintronics bắt đầu ra đời với sự phát hiện của hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (giant magnetoresistance - GMR)

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Điện Tử - Vật Liệu Linh Kiện part 9

2: Tranzitor s: V~t li¢u c h€ t
• Na.rn dU~1C cac thOng s6 c ua tranzitor (tra trung s6 tay tra cuu). • Bi~t c ach do ki~rn tra tranzitor Co th~ tharn khao cach do sau d ay :;.: Ki~rn tra tranzitor thl!c ~h~t la t a ki~rn tra cac ti~p giap P-N cua tranzi- tor. Ta co th~ coi s o d6 tuong dUC1I1g c ua tranzitor (Hinh 2 - 23) n hu sau d~ thl!c hi~n do kiern tra: ~ I
ban diln c 6 l iel di¢n Ihay d6i duoi lAc d~ng c ua di¢n I ntang t hang g6c voi lop ban diln d6. T hay d 6i c uang d ¢ t ntang so I~m t hay d 6i d i¢n diin cUa l op ban diin va do d6 l am t hay d 6i dong di¢n d i qua. di¢n I ntang i1 d ay lam nhi¢m vu di~u khi~n dong di¢n. Hay n6l each khac tranzito t wang iil m¢t di¢n tra ban diln dU
I P j D D s N G O-~ I I I "P s G b) va ky hi¢u t ranzitor truang I-llnh 2-2-1. e,i'u tflO * Call tgo va kf hi¢u quy uac (Hinh 2-24) Call t~o e lla l ranzitor n ay g 6m m ¢t t am ban d an lo~i P, t a k huech tan vila d 6 h ai l op ban d an lo~i N v~ h ai phla k hae n hau (H'mh 2-24a). H ai l op b an d an lo:;ti N n ay n oi v ai n hau t
the giiii thieh d~e tuy€n VOn - AmI'" khao sat khi UCFeonst (HInh 2-25) Th e 6 ~n + K hi c hua c ung c ap di¢n a p ngoiH, n ghia HI. Uos=D vii Uso=O, hie oily cGng hinh thiinh l op n ghco n hu t iep xuc P-N khi khOng c6 di~n a p p han q rc d~t vao, dQ day e ua l ap n gheo kh6ng d 6i d qc t hea c hieu d ai e ua k~nh. d~t di~na p va~, c hi x et v ai mQt d uang d~c trl1ng (U'ng vOi m ¢t gia + Khi t a tr~ e ua U.S (UGs=const ). Uc,s se d am bao p han cl[c n guqc ello ti~p x uc P -N, k hi c6 U JS r6i nhl1ng UDS veln c hua co t hl d ong IDs' van ha.ng 0, va he day e ua 16p nghco se day han trong l ruong h dily t hay d di, d ing di ve p hia cl!c mling t hllop n gheo c ang day len, sa eli n hu Y~y VI di¢n a p p han cl,Tc nguqc d .ng y~ phia mling d..ng IOn. N 6i e ach khac, d..ng v~ p hia q rc m ang t hi k enh c ang bi h~p. Tiep t1~c t ang UDS Wn nfra d¢ r¢ng c ua k enh n gay d ing t hu h~p c ho d en k hi a UDS = U~, t hi h ai lOp n ghco t ren va duoi ch~p vao n hau di~m trimg voi cl!c mang, ta gqi la di6m cat k enh k y hi¢u la P. Di¢n a p UDS ling voi di~m P n ay gqi cat. lit di~n tip Tiep tl;lc t ang UDS l en nfra t hi di~m P se d ich d an v~ p hia cl!c n gu6n, n eu dq dai c ua k enh dAn la L , 1 g qi l a d ¢ d ai k~nh c at, tlie la k hi UDS tlIng len thi d¢ dai k~nh c at I se tAng va dong di~n ch
I + • I MN N 2 +1 - o U MN d) L------~ • ..... • ..... . ' ,' .:.' .......... .- ; ' ,'. " ' ,':. .. ":',:" M p ...::.: ....: :.: . .... ; .:::.:.... I:' . ' . ; .. : :; . . 2 3 , , ---,- o U~IN eJ I • 2 3 I +, - 0 U MN I » Veal UM N ~ f) Hinh 2-25. M 6 fa S~( hillll tlulnlz lap di¢n tfch khong g ian \'(1 d¢c tuye'n Von - Ampe luong Ung 7
* C ae dijc tinll c d b an: ~ D~ctrung tInh ca ban ella IFET: + D¢ dan ella kenh. + Di~n ap danh thung. + Di~n tn1 vao. + Di~n tra philn bo. + A nh huang ella nhi¢t d¢ va SIf dich chuy~n clla h~t dan di¢n. ~ D~c trLIng d¢ng c o ban ella IFET: Tan so cat va nhieu Nhu v~y muon tranzito lam vi¢c duqc thi Hln s o lam v i¢efnh6 h an tan so cat f·., ( JFET kenh n C6tio' Ian han/o~, I FET kenh p, de tranzito I~m vi¢e duqc a litn s 6 c ao thi ta phai giam L tuc giam chieu diIi clla kenh) DQ nhieu ella dong do elfc d ra G va nhi¢t sinh ra trong kenh dan. 2.2.2. Tranzito t ruimg k im 1000i - oxyt - b6n ddn ( MOSFET) k enh c am u ng * ccru tqo va k i hi¢lI. (Iu'nh 2~26) - Cau t~o: Gam 3 chat d n ghep If).i vai nhau I;), kim lo~i. o xyt vii ban dan. Clfe d ra cach di¢n vai kenh bang m¢t lap di¢n m6i Si02 nen gqi III tranzito truang c6 clfc cl'ra c aeh Iy IGFET. O"ing ngh~ t~o MOSFET lit tren m(it dO ban dan Io~i p khuy€ch tan vito d o hai l ap ban dan khac lo~i nong d ¢lan n+, m¢t lap la clfc nguon va m¢t lap la clfC mang, sau d o phll l ap di¢n moi Si02 len tren m~t d e ban dan p-, tren lap di¢n m6i mOl phu a khoang giUa hai l ap khueeh tan n ang dt) Ian n+ l~i phu tiep m¢t 16p kim lo~i, JOp kim lo~i nay dung lam elle dra, s au do ta noi day dan ra bang cac day kim Io~i ta se co 3 clfc G, D, S cung giong n hu JFET. V~y ta c6 tranzito twang kim lo~i - oxyt - ban dan kenh n. ky hi¢u MOSFET kenh n. Tuong til ta c ung co tranzito truang kim lo~i - oxyt ~ M.n dan kenh p. ph an biet hai Io~i MOSFET kenh n va MOSFET kenh p c&n Iuu y: D~ Neu d e Ia chat ban dan co ndng de) thap Io~i p (p-) thi MOSFET lit M OS- FET kenh n. con neu lit lo"i n- thi MOSFET lit MOSFET kenh p. Vi d eban d an co nang d¢ thflP nen di~n tro cua n6 100 va d e duqc cach di~n vai cac clfc D,S va kenh. MOSFET ca ban khac vai JFET Hl cac h~t dan di¢n nam 6 vung sal be mijJ ban dan va nong d¢ cua d .c h~t dan nay phV thuQc vuo di~n twang do a di¢n
G h L. o Si-P . , CDU I~C c,;a m