Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M=Mo, W) bằng DFT. Kết quả cho thấy biến dạng ảnh hưởng lớn đến vùng cấm.

Mục tiêu chính của luận án "Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)" là nghiên cứu tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc kim loại−bán dẫn và bán dẫn−bán dẫn trong dị cấu trúc vdW được thiết kế và xây dựng từ họ vật liệu MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P): MoSH/MoSi2N4, GR/MoGeSiN4, BP/MoGe2N4, C3N4/MoSi2N4.

Vật liệu 2D với nhiều tính chất ưu việt đã nhận được sự quan tâm của các nhà khoa học. Trong số đó, cấu trúc SiS đơn lớp là một vật liệu đầy hứa hẹn cho các ứng dụng thực tiễn. Bài viết trình bày xác định các tính chất cơ học, điện tử và áp điện của vật liệu SiS đơn lớp bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ.

Đề tài có cấu trúc gồm 3 chương trình bày tổng quan về pin mặt trời DSSC và vật liệu TiO2; giới thiệu vềcác phương pháp tính toán cấu trúc điện tử và phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ; kết quả và thảo luận. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Bài viết trình bày các tính chất của hệ vật liệu armchair silicene nanoribbons (ASiNR) hấp phụ các nguyên tử kim loại liềm thổ như Be, Mg và Ca. Bằng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT), dựa trên chương trình mô phỏng lượng tử VASP, một số tính chất đã được khảo sát như: sự thay đổi về mặt cấu trúc, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái, phân bố mật độ điện tích, sự dịch chuyển điện tích, phân bố mật độ spin đã được tính toán.

Các kết quả nghiên cứu này góp phần làm sáng tỏ thêm về tính chất từ của vật liệu từ dựa trên các bon và định hướng cho việc tổng hợp các vật liệu sắt từ dựa trên các bon với từ độ lớn và nhiệt độ trật tự từ cao. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung luận văn.

Trong luận văn này, dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ, một số dạng vật liệu từ dự trên cacbon đã được thiết kế và nghiên cứu, bao gồm: Đơn phân tử C13H9 (R1), dạng cặp phân tử [R1]2 và dạng bánh kẹp R1/D/R1 (trong đó D là phân tử phi từ C54H18). Kết quả nghiên cứu của chúng tôi cho thấy có thể chế tạo được các vật liệu sắt từ dạng bánh kẹp với từ độ lớn và nhiệt độ trật tự từ cacbon

Lý thuyết hàm mật độ có rất nhiều ưu điểm trong việc tính toán các tính chất vật lý cho các hệ cụ thể xuất phát từ những phương trình rất cơ bản của vật lý lượng tử. Việc nghiên cứu lý thuyết hàm mật độ đã đóng góp hữu dụng cho lý thuyết về nguyên tử và phân tử trong liên kết kim loại; khiếm khuyết trong kim loại; và những tính chất vật lý của vật liệu bán dẫn... Do đó, việc tìm hiểu lý thuyết hàm mật độ là một trong những vấn đề quan trọng của vật lý chất rắn. Đề tài này được chọn nghiên cứu với mục đích tìm hiểu sâu về lý thuyết hàm mật độ và các kỹ thuật tính toán để tính toán các tính chất vi mô của các vật liệu.

Mục tiêu của đề tài là nghiên cứu lý thuyết sự truyền tải spin xuyên hầm ở từ trường thấp trong các hệ perovskite từ dạng hạt kích thước nanô; nghiên cứu các phương pháp tính toán hiện đại như lý thuyết phiếm hàm mật độ, phương pháp tích phân phiếm hàm để giải quyết các vấn đề cập nhật của vật lý hiện đại như spin tử, hệ từ tính thấp chiều... Mời các bạn cùng tham khảo.

Trong luận văn này, dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) cấu trúc hình học, cấu trúc điện tử và tính chất từ của đơn phân tử C19H11 (R2) đã được thiết kế và nghiên cứu. Phân tử R2 có tổng spin bằng S= 1/2. Tuy nhiên khi chúng kết hợp với nhau để tạo thành dạng cặp phân tử [R2]2 mômen từ tổng cộng của cặp phân tử bằng 0 do liên kết phản sắt từ giữa các phân tử.

Luận văn tập trung vào các vật liệu g-CN là g-s-triazine g-C4N3 và g-htriazine g-C3N4. Hyđrô hóa và hấp phụ nguyên tử với các nguyên tố nhóm 2p được đề xuất nhằm biến đổi cấu trúc và từ tính của chúng. Những vật liệu như vậy, với cấu trúc và tính chất khác nhau được thiết kế dựa trên tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ.

Trong đề tài này, tác giả sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng và tính chất nhiệt điện của chất bán dẫn cơ bản Bi2Te3 dưới tác dụng của một số yếu tố thay đổi bên ngoài như tác động làm biến dạng tinh thể, sự thay thế nguyên tố. Các kết quả nghiên cứu sẽ giải thích các kết quả thực nghiệm và một số làm tiên phong định hướng cho các thực nghiệm tương lai.

Tiểu luận về những nền tảng của lý thuyết phiếm hàm mật độ, nội dung gồm có: ví dụ về một phiếm hàm, các định lí Hohenberg, những khó khăn khi đi tìm cách trình bày rõ ràng cho lý thuyết phiếm hàm chính xác, phần mở rộng của định lý Hohenberg-Kohn,...dành cho các bạn sinh viên đang thực tập và tìm tài liệu về đề tài này. Mời các bạn tham khảo!

Ý tưởng dùng hàm mật độ để mô tả các tính chất của hệ electron được nêu trong các công trình của Llewellyn Hilleth Thomas và Enrico Fermi ngay từ khi cơ học lượng tử mới ra đời. Đến năm 1964, Pierre Hohenberg và Walter Kohn đã chứng minh chặt chẽ hai định lý cơ bản là nền tảng của lý thuyết phiếm hàm mật độ. Hai định lý khẳng định năng lượng ở trạng thái cơ bản là một phiếm hàm của mật độ electron, do đó về nguyên tắc có thể mô tả hầu hết các tính chất vật lý của hệ điện...