Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

Chương 44 Chương Y SINH THITHIẾẾT BT BỊỊ & C& CẢẢM BIM BIẾẾNN Y SINH

Mục tiêu: -Gi ới thiệu nguyên lý cơ bản hoạt động thiết bị y sinh và các loại cảm biến thu nhận các tín hiệu sinh học - Đặc trưng tổng quát các cảm biến -Phân lo ại cảm biến ứng dụng trong y sinh

Trở kháng Dung kháng Áp điện Nhiệt độ Quang học Hoá học, hoásinh

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến ln làà ggìì??

Thiết bị biến đổi năng lượng từ dạng này sang dạng khác

Cảm biến Đầu phát Ví dụ, hiên tượng áp điện:

Lực-> điện thế Tín hiệu điện

Điện thế-> lực Tín hiệu vật lý

=> Tín hiệu siêu âm

Tín hiệu điện Tín hiệu vật lý

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCáác đc đặặc trưng c

c trưng củủa ca cảảm bim biếếnn

Hàm truyền:

Mối quan hệ chức năng giữa tín hiệu vật lý ra vào vàtín hi ệu hiệu vào ra (cid:240) sự hiệu chỉnh tương thích.

Độ nhạy:

Tỷ lệ độ biến thiên nhỏ của tín hiệu vật lý và độ biến thiên tương ứng của tín hiệu điện. Đơn vị ví dụđộ nhạy của nhiệt kế: Volts/Kelvin.

Khoảng hiệu lực (khoảng động):

Khoảng giátr ị tín hiệu vật lý vào cóth ể biến đổi thành tín hiệu điện tương ứng. Ngoài khoảng đó, tín hiệu không nhận được hoặc có độ chính xác kém.

Độ chính xác:

Sai số lớn nhất giữa tín hiệu thực tế vàtín hi ệu lý tưởng phát ra.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCáác loc loạại ci cảảm bim biếến vn vậật lýt lý

Ví dụ:

•Dòng ch ảy/áp suất máu

• Lực tác dụng, áp suất

•Các k ẹp phẫu thuật

•Các túi hơi khảo sát nhu động

• Đo thân nhiệt

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

n y sinh CCảảm bim biếến y sinh

• Đầu đo bíến dạng kim loại lỏng

• Cảm biến dịch chuyển từ

(Linear variable differential

• Đo dịch chuyển cảm ứng

transformer)

• Đo lực nén

•Các túi hơi khảo sát nhu động

•Vi c ảm biến áp suất bán dẫn

• Cảm biến điện từ dòng chảy

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến trn trởở khkhááng ng -- Đ Đầầu dò đi

u dò điệện thn thếế

(cid:240) Độ dịch chuyển tuyến tính hoặc góc quay tỷ lệ với điện trở

Đầu dò điện thế (potentiometer) tuyến tính vàquay

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

c căng u dò sứức căng

CCảảm bim biếến trn trởở khkhááng ng -- Đ Đầầu dò s

(strain gage) (strain gage)

Điện trở strain gage = điện trở suất * chiều dài / tiết diện mặt cắt:

Biến đổi vi phân loga hai vế:

Biến áp điện đổi Kích thước

Biến đổi tương đối điện trở cóth ể xác định bởi:

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến trn trởở khkhááng ng -- Đ Đầầu dò s

c căng u dò sứức căng

Hệ số đầu dò sức căng

G =

Hàm truyền

lety lety

bien bien

doi doi

dien luc

Rtro cang

(cid:222)Input là lực căng

(cid:222) Output làdR

G làthông s ố đặc trưng cho độ nhạy

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến trn trởở khkhááng ng -- Đ Đầầu dò s

c căng u dò sứức căng

Ứng dụng

(cid:222) kẹp giải phẫu

(cid:222) Đầu dò áp suất máu

(cid:222) Đầu dò đo độ căng cơ vv…

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến cn cảảm khm kháángng

Cảm biến dịch chuyển Sơ cấp Thứ cấp

Bộ cảm ứng thường làcu ộn dây bao quanh lõi sắt. Nó đáp ứng cho cả từ trường lẫn điện trường Bộ biến thế thường là2 cu ộn dây cách điện nhau bao quanh lõi sắt: cuộn sơ cấp vàcu ộn thứ cấp

Bộ cảm ứng hoặc biến thế chỉ hoạt động với điện AC

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

LVDT CCảảm bim biếến cn cảảm khm khááng ng -- LVDT

LVDT Linear Variable Differential Transformer

LVDT: linear variable differential transformer - bộ biến đổi vi sai tuyến tính

LVDT sử dụng như một cảm biến dịch chuyển: trong các thiết bị hỗ trợ khảo sát sự co cơ, trong thiết bị trợ tim khảo sát sự co thắt của tim vv…

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến dung kh

n dung kháángng

Phổ biến làcác t ụ điện hoáho ặc gốm

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến dung kh

n dung kháángng Một số cấu hình đo dịch chuyển

Dạng biến đổi diện tích Dạng biến đổi điện môi

Dạng vi sai

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến n ááp đip điệệnn

Hiện tương áp điện làgì ?

Áp lực lên bề mặt tạo ra sự phân bố bất đối xứng các điện tích tạo thành những lưỡng cực điện. Các phân bố định hướng khác nhau của lưỡng cực điện tạo ra hiệu thế giữa 2 bề mặt tinh thể áp điện. Tác dụng là2 chi ều:

Các áp dụng khác nhau đầu dò áp điện:

(cid:222)Đo gia tốc (cid:222) Lực cơ học tạo ra điện thế

(cid:222)Microphone

(cid:222)Điện thế áp đặt tạo ra sự dịch chuyển bề mặt (cid:222) Tạo vàthu nh ận sóng âm

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến n ááp đip điệệnn

Các phương trình trên ứng với khi lực tác dụng theochi ều L,Whayt.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến nhi

n nhiệệt đt độộ

1. Điện trở 2. a. Thiết bị nhiệt trở (RTD –Resistance

Temperature Devices)

b. Nhiệt trở bán dẫn

(RTD) ThiThiếết bt bịị nhinhiệệt trt trởở (RTD)

3. 4. Cặp nhiệt điện 5. Đo nhiệt bằng bức xạ 6. Cảm biến đo nhiệt sợi quang

Thiết bị ThermoWorks RTD thương mại

RTD thường được làm bằng kim loại bạch kim, nickel hoặc đồng. Các kim loại đóbi ểu thị sự phụ thuộc vào nhiệt độ như sau:

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến nhi

n nhiệệt trt trởở bbáán dn dẫẫnn

CCặặp nhi

p nhiệệt đi

t điệệnn

Hiệu ứng Seebeck: Khi cóhai kim lo ại khác nhau tiếp xúc với nhau, tại mặt tiếp xúc sẽ xuất hiện sức điện động nhiệt (thermal emf) do sự khuếch tán nhiệt của các electron tự do khác nhau từ 2 kim loại (cid:240) độ lớn của emf phụ thuộc vào nhiệt độ.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

Đo nhiệệt bt bằằng bng bứức xc xạạ nhinhiệệtt Đo nhi

Định luật Wien: Bước sóng ứng với năng suất phát xạ cực đại trong phổ bức xạ nhiệt tỷ lệ nghịch với nhiệt độ tuyệt đối: lmaxT=2.898x10-3 moK

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến nhi

i quang n nhiệệt st sợợi quang

Chiết suất lớp phủ bọc ngoài sợi quang (cladding) phụ thuộc vào nhiệt độ vàlàm cho hiện tượng phản xạ toàn phần ảnh hưởng (cid:240) lượng ánh sáng truyền qua sợi quang thay dổi theo nhiệt độ

(cid:240) Chọn vật liệu phù hợp, cóth ể chế tạo được cảm biến nhiệt rất nhạy.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến nhi

i quang n nhiệệt st sợợi quang

Cảm biến nhiệt sợi quang của hãng Nortech bao gồm một tinh thể GaAs và một gương điện môi ở một đầu sợi quang.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến hon hoáá sinhsinh

Cảm biến hoásinh t ạo ra một tín hiệu điện phụ thuộc vào nồng độ các hợp chất phân tích sinh học.

Mô hình cảm biến hoásinh

Tín hiệu điện

Chất phân tích

Bộ chuyển đổi

Tác nhân thu nhận sinh học

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến hon hoáá sinhsinh

Nguyên lý cảảm nhm nhậận sinh h Nguyên lý c

c (biosensing) n sinh họọc (biosensing)

nn ĐiĐiệện hn hóóaa

=> cảm biến hoáth ần

kinh đối vớiDopamine, Nitric Oxide, etc.

Potentiometric •• Potentiometric •• Amperometric Amperometric FET based •• FET based Conductometric •• Conductometric

Quang họọcc

nn Quang h nn ÁÁp đip điệệnn

=> Máy đo nồng độ oxy => Accelerometer,

microphone

=> Thanh cấy vòm họng,

nn NhiNhiệệtt

máy trợ tim

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến hon hoáá sinhsinh

Nguyên lý cảảm nhm nhậận sinh h Nguyên lý c

c (biosensing) n sinh họọc (biosensing)

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

trong mááuu

Đo nĐo nồồng đng độộ khkhíí trong m Các phép đo nhanh vàchính xác các n ồng độ khí (pO2), (pCO2) (pH) là rất cần thiết vàquan tr ọng trong chẩn đoán.

Oxy được đo gián tiếp như tỷ lệ Hemoglobin chứa Oxy (sO2):

]

[

100

=

·

sO 2

Hb

HbO 2 [ ]

Nồng độ pCO2 được đo dựa vào quan hệ tuyến tính với pH trong khoảng 10-90 mm Hg.

-

H

(cid:219)

(cid:219)

++

H O CO + 2

2

HCO 2

3

HCO 3

Hằng số hoà tan được tính bằng:

+

-

[

]

k

=

][ H HCO 3 apCO (cid:215)

2

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

Đo nĐo nồồng đng độộ khkhíí trong m

trong mááuu

c đo pH ĐiĐiệện cn cựực đo pH

ĐiĐiệện cn cựực đo pO

c đo pO22

0

E

ln

=

H

RT nF

H H

[ [

] ]

(cid:230) (cid:231) Ł

(cid:246) (cid:247) ł

i

Phương trình Nersnt

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến hon hoáá sinh quang h

sinh quang họọcc

Nguyên lý:

Sự biến đổi về cường độ quang cóliên h ệ với sự biến đổi về khối lượng hay nồng độ các chất cảm quang hoặc phát quang.

LED

IR light

Finger

Nhiều nguyên lý cụ thể được sử dụng như: sợi quang, sự phát quang, sự hấp thụ, công hưởng quang bề mặt…

Photodetector

Ví dụ: mô hình đo nồng độ oxy trong máu bằng hồng ngoại (cid:240)

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

CCảảm bim biếến hon hoáá sinh quang h

sinh quang họọcc

Ống nội soi sợi quang xuyên tim

Đèn chiếu sáng

Đầu thu sợi quang

Nhiệt trở

Ống bọc ngoài

Ống nội soi sợi quang xuyên tim

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh

Bàigi ảng CƠ SỞ KỸ THUẬT Y SINH –Ngành V ẬT LÝ KỸ THUẬT -Khoa KHƯD – ĐHBK – ĐHQG TP.HCM 2006

ThiThiếết bt bịị đo n

đo nồồng đng độộ oxy trong m

oxy trong mááuu

The pulseoximeteris a spectrophotometricdevice that detects and calculates the differential absorption of light by oxygenated and reduced hemoglobin to get sO2. A light source and a photodetectorare contained within an ear or finger probe for easy application.

Two wavelengths of monochromatic light --red (660 nm) and infrared (940 nm) --are used to gauge the presence of oxygenated and reduced hemoglobin in blood. With each pulse beat the device interprets the ratio of the pulse-added red absorbance to the pulse-added infrared absorbance. The calculation requires previously determined calibration curves that relatetranscutaneouslight absorption to sO 2.

Chương 4:Thi ết bị & cảm biến y sinh