Bài giảng "Dụng cụ bán dẫn - Chương 4: Chuyển tiếp PN (Phần 1)" cung cấp cho người học các kiến thức: Chuyển tiếp PN – Giới thiệu các khái niệm, điều kiện cân bằng nhiệt, miền nghèo, điện dung miền nghèo, đặc tuyến dòng-áp, các mô hình của diode bán dẫn. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT BMĐT GVPT: Hồ Trung Mỹ Môn học: Dụng cụ bán dẫn
9/29/2010
1
2
1. Chuyển tiếp PN – Giới thiệu các khái niệm 2. Điều kiện cân bằng nhiệt 3. Miền nghèo 4. Điện dung miền nghèo 5. Đặc tuyến dòng-áp 6. Các mô hình của diode bán dẫn 7. Điện tích chứa và quá trình quá độ 8. Đánh thủng chuyển tiếp 9. Chuyển tiếp dị thể (Heterojunction) 10. Các loại diode bán dẫn 11. Giới thiệu các ứng dụng của diode bán dẫn
1
9/29/2010
3
• Chuyển tiếp PN là 1 dụng cụ hai cực. • Dựa vào đồ thị pha tạp chất , người ta có thể chia các
chuyển tiếp PN thành 2 nhóm chính: - các chuyển tiếp bước - các chuyển tiếp biến đổi đều tuyến tính
N
N
D N
A
D N
A
ax
bên n bên p bên p
4
bên n Chuyển tiếp biến đổi đều tuyến tính (Linearly-graded junction)
2
9/29/2010
• Dựa trên VP – VN: (VP là thế ở đầu Anode và VN là thế ở
đầu Cathode)
» < 0 : phân cực ngược (REVERSE BIAS )
» = 0 : không có phân cực hay cân bằng
» > 0 : phân cực thuận (FORWARD BIAS)
5
Sự tạo thành chuyển tiếp PN (1/2)
6
Evac = mức năng lượng chân không
3
Sự tạo thành chuyển tiếp PN (2/2)
7
9/29/2010
8
4
Điều kiện cân bằng nhiệt (1) • Đặc tính quan trọng nhất của các chuyển tiếp p-n là sự chỉnh lưu
9/29/2010
• Khi ta đưa "phân cực thuận" vào chuyển tiếp (điện áp dương vào phía P), dòng điện tăng nhanh theo điện áp tăng. Tuy nhiên khi đưa vào "phân cực ngược", không có dòng điện chạy qua.
9
• Khi phân cực ngược tăng, dòng điện giữ không đổi trị rất nhỏ cho tới khi đạt đến điện áp tới hạn mà tại đó dòng tăng đột ngột. Sự tăng đột ngột ở dòng điện này được gọi là đánh thủng chuyển tiếp (junction breakdown). Điện áp thuận được đưa vào thường < 1V, nhưng điện áp tới hạn ngược, hay điện áp đánh thủng, có thể thay đổi từ vài volts đến hàng ngàn volts phụ thuộc vào nồng độ pha tạp chất và các tham số dụng cụ khác.
Điều kiện cân bằng nhiệt (2)
10
Đặc tuyến dòng-áp của 1 chuyển tiếp p-n Si tiêu biểu.
5
9/29/2010
1. Chuyển tiếp PN loại bước 2. Dùng mô hình điện tích không gian bước
11
(Miền khối)
12
P N
6
9/29/2010
• Mức Fermi
• Để lại
+), bên phải
– Gần dải dẫn ( loại N) – Gần dải hóa trị (loại P)
• Gắn lại với nhau
– Điện tử được khuếch tán – Lỗ khuếch tán
– Ion donor dương (ND -), trái – Ion acceptor âm (NA • Tạo nên điện trường • Tạo nên điện thế. • Miền điện tích không gian
13
Thì
hoặc
Tương tự, mật độ dòng điện tử:
với
Như vậy, với điều kiện dòng điện tử và lỗ bằng không, mức Fermi phải là hằng số.
14
Ở cân bằng nhiệt, các dòng điện tử và lỗ chạy qua các chuyển tiếp thì đồng nhất bằng zero.
7
9/29/2010
biqV
FE
qV
VE
E i
bi
F
ni
(a) Điện áp nội (Built-in voltage) Vbi:
E
0
i
W
)(x
n n p
n i n i
B
F
0
p
qND
p
p
0
V
ln
ln
+
bi
V T
x
Tk B q
n n 0 2 n i
NN DA 2 n i
)(xV
biV
x
)(xE
V
p
p
/
p
n
0
px
nx
bi /
V
n
- -qNA
V T T V
n n
bi
p
0
0
x
maxE
15
(b) Quan hệ giữa hạt dẫn đa số - thiểu số: exp 0 exp
E x ( p
V x (
,
)
)
)
0
V x ( n
E x ( n
V bi
p
A
x
x
V x ( ) p
p
Giải phương trình Poisson bậc nhất dùng xấp xỉ miền nghèo, với các điều kiện biên sau: 2
x
2
V x ( ) n
x n
V bi
) 0, qN 2 S qN D 2 S
2 ( S
N V ) D bi
x V
n (0)
W
N A qN N A D
p N x A p
x W p V (0) n N x D n
16
S = hằng số điện môi của bán dẫn
Sử dụng sự liên tục của 2 nghiệm tại x=0, và sự trung hòa điện tích, để có được biểu thức cho miền nghèo W:
8
9/29/2010
Điện trường cực đại, sẽ xảy ra ở chuyển tiếp luyện kim, được cho bởi:
E
max
dV dx
qN N W A D N (
N
)
0
x
A
D
1015
3
15
]
cm
3 -
A
1013
N
calc
1011
N W E
/
cm
max(
DC
)
n [cm-3] p [cm-3]
109
E
/
cm
max(
sim
)
107
m c [ n o i t a r t n e c n o C
105
0
0.5
3
3.5
2
1.5
1 2.5 Distance [m]
17
0
1015
]
-2
]
5x1014
3 -
m c / V k [
-4
l
m c [
0
-6
q / ) x (
-5x1014
-8
l
d e i f c i r t c e E
-1015
-10
0
0.5
2
1.5
3
3.5
0
0.5
2
1.5
3
3.5
1 2.5 Distance [m]
1 2.5 Distance [m]
18
9
10
1017
]
0
-10
5x10 16
]
3 -
-20
l
m c [
-30
0
q
-40
/ ) x (
-50
-5x10 16
l
-60
m c / V k [ d e i f c i r t c e E
-70
-1017
0.6
1.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.8 1 1.2 Distance [m]
Distance [m]
19
9/29/2010
k
V
s
bi
W
V 0 qa
12
3/1
2
E
max
0
2 s
C
2 0 V
bi
qaW 8 sk qak V 12
3/1
2
ln
V
V T
g
2 3
8
Vka 0 s T 3 qn i
Based on accurate numerical simulations, the depletion layer capacitance can be more accurately calculated if Vbi is replaced by the gradient voltage Vg:
20
10
9/29/2010
21
• Chuyển tiếp bước (Abrupt junction)
– Chuyển tiếp PN được tạo thành bằng khuếch tán cạn hoặc cấy ion năng lượng thấp.
– Sự phân bố tạp chất
» Xấp xĩ bằng sự chuyển đột ngột
nồng độ pha tạp giữa miền N và P.
• Chuyển tiếp biến đổi đều tuyến tính
– Khuếch tán sâu hoặc cấy ion năng
lượng cao.
– Sự phân bố tạp chất thay đổi tuyến tính
ở chỗ chuyển tiếp PN.
22
11
9/29/2010
miền nghèo
miền P trung hòa
miền N trung hòa
với
với
với
23
Với
Bề rộng miền nghèo W Điện trường cực đại Em
nghĩa là
Trường giảm xuống zero tại x=W, do đó
24
Với NB là nồng độ khối được pha tạp chất ít (nghĩa là ND với chuyển tiếp p+-n)
12
9/29/2010
• Phân cực thuận (Forward bias) – Vbi-VF – Bề rộng miền nghèo W
• Phân cực ngược (Reverse bias) – Vbi+VR – Bề rộng miền nghèo W
25
Với V là điện áp đặt vào diode: • phân cực thuận V = VF > 0 • phân cực ngược V = -VR < 0
26
13
9/29/2010
27
28
14
9/29/2010
• Đặc tuyến điện dung-điện áp
(Capacitance-voltage characteristics)
• Đánh giá sự phân bố tạp chất
(Evaluation of impurity distribution) • Diode biến dung (Varactor=Varicap)
29
• Khi điện tích thay đổi đại lượng nhỏ dQ sẽ làm cho điện trường thay đổi 1 đại lượng nhỏ dE=dQ/(từ phương trình Poisson).
• Sự thay đổi tương ứng ở điện áp đưa vào dV được biểu diễn bằng diện tích gạch chéo ở hình bên và xấp xỉ bằng WdE=WdQ/s. Do đó Cj sẽ bằng
30
Định nghĩa: CJ là điện dung trên đơn vị diện tích [mặt cắt ngang]
15
9/29/2010
• Với chuyển tiếp bước 1 bên
• Phân cực ngược
– Điện dung chuyển tiếp
• Phân cực thuận
– Điện dung khuếch tán
» Từ hạt dẫn chuyển động
– Điện dung chuyển tiếp
2 theo V là đường thẳng,
• Đồ thị của 1/Cj
Độ dốc của đường thẳng này cho biết nồng độ tạp chất NB của miền nền
• Phần giao (tại 1/Cj
2 =0) cho Vbi
31
32
16
9/29/2010
V
2 k s
bi
W
V 0 qN
D
qN
)
bi
C
k sD
dQ c dV
D dV
qN (2 V
0 V )
V (2 qN
V
1 2 C
bi
k sD
0
2
1 C
Điện dung miền nghèo được tính bằng: dW
slope
Thiết lập đo lường:
1 DN
dW
Phân cực thuận
W
Phân cực ngược
V
vac ~
V
Vbi
33
V
Xét chuyển tiếp p+-n với pha tạp chất bên N:
Biểu thức của nồng độ tạp chất ở cạnh miền nghèo
2 )/dV, cho nồng
Như vậy ta có thể đo điện dung trên diện tích đơn vị với điện áp phân cực ngược và 2 theo V. vẽ 1/Cj Độ dốc của đồ thị = d(1/Cj độ N(W)
34
17
9/29/2010
Sử dụng tính chất điện dung miền nghèo thay đổi theo điện áp phân cực ngược:
với
Với n=1/3 cho chuyển tiếp biến đổi đều
n=1/2 cho chuyển tiếp bước
n>1/2 cho chuyển tiếp hyperabrupt
Với m=-3/2, thì n=2, khi đó varactor này được nối với điện cảm L, tần số cộng hưởng:
với
35
36
18
9/29/2010
Miền nghèo
Giản đồ dải năng lượng
37
Phân bố hạt dẫn
Phân cực ngược Phân cực thuận
38
19
9/29/2010
điện.
• Mật độ hạt dẫn tại các biên liên hệ với hiệu điện thế tĩnh điện trên
chuyển tiếp
• Bơm mức thấp (Low-level injection) mật độ hạt dẫn thiểu số được
bơm vào phải nhỏ hơn nhiều mật độ hạt dẫn đa số
• Không có sự sinh-tái hợp trong miền điện tích không gian SCR
(space-charge region)
Giả sử: • Xấp xỉ miền nghèo bước; bên ngoài miền nghèo giả sử trung hòa
CE
qV
FnE
FpE VE
39
px
nx
(a) Miền nghèo: W
(
xx
/)
L
n
p
/ VV T e
)1
p
e
)( xp n
n
0
(
xx
/)
L n
p
n
)( x
n
/ VV T e
(
)1
e
p
p
0
)( x
)( x
n p
pn
Phân cực thuận
Miền điện tích không gian W
0np
0pn
x
px
nx
Phân cực ngược
40
• Sử dụng các phương trình liên tục của hạt dẫn thiểu số, ta có được các biểu thức sau cho các mật độ lỗ và điện tử thừa trong miền tựa trung hòa: (
20
• Tương ứng với những mật độ dòng khuếch tán:
qD
(
xx
/)
L
0
n
p
J
)( x
/ VV T e
(
)1
e
diff p
p np L
qD
(
xx
/)
0
L n
p
J
)( x
/ VV T e
(
)1
e
diff n
p n pn L n
9/29/2010
J
J
(
x
)
J
(
x
)
diff p
n
diff n
p
Mô hình Shockley
J
J
J
J
diff n
drift n
tot drift p
diff p
totJ
diff
diff
minority
pJ
minority
nJ
x
px
nx
41
Không có tái hợp trong miền SCR
Phân bố của hạt dẫn thiểu số được bơm vào
42
Phân cực thuận
Phân cực ngược
Mật độ dòng điện tử và lỗ [lý tưởng] (J = I/A)
21
9/29/2010
• Dòng tổng cộng bằng tổng của những dòng điện khuếch tán hạt dẫn thiểu số được định nghĩa ở các cạnh của SCR:
I
I
(
x
)
I
(
x
)
tot
diff p
n
diff n
p
0
0
TVV / e
Ge Si GaAs
pD np L
p
nD pn L n
qA
• Dòng bão hòa ngược (Reverse saturation current) IS:
D
0
0
I
s
2 qAn i
pD np L
p NL
D n NL
p
nD pn L n
Dp
An
qA
43
Đặc tuyến dòng-áp lý tưởng
(a) Đồ thị tuyến tính
44
(b) Đồ thị semilog
22
9/29/2010
W
CE
Ln
CE
qV
V
V
Vq bi
Vq bi
qV
FnE
FpE VE
FnE
FpE VE
Lp
W
Phân cực ngược Phân cực thuận
45
Dòng bão hòa ngược là do các hạt dẫn thiểu số bị thu thập qua khoảng cách cỡ chiều dài khuếch tán.
• Xét một diode được phân cực thuận dưới các điều kiện bơm
mức thấp :
Tính tựa trung hòa cần:
)(xnn
xn )( n
xp )( n
0nn
)(xpn
x )(
J
J
x )(
diff n
diff p
0np x
Điều này dẫn đến: D n D
p
nx
• Dòng lỗ tổng cộng trong miền tựa trung hòa (quasi-neutra
regions):
J
x )(
J
x )(
J
x )(
J
x )(
tot p
drift p
diff p
diff p
46
23
• Dòng trôi điện tử trong miền tựa trung hòa:
J
x )(
J
J
(
x
),
xE )(
J
x )(
diff n
tot
diff p
diff n
D n D
1 xqn )(
p
n
1
)(x
J drift n
totJ
J
x )(
J
x )(
J
x )(
tot n
diff n
drift n
J
x )(
J
x )(
diff n
diff p
)(x
J diff p
x
)(x
J diff n
47
9/29/2010
• Mô hình Shockley (được đơn giản hóa) mô tả chính xác đặc tuyến I-V của các diode Ge ở những mật độ dòng điện thấp.
• Đối với các diode Si và Ge, người ta cần kể đến nhiều hiệu
ứng không lý tưởng quan trọng như:
Sự sinh và tái hợp của các hạt dẫn trong miền nghèo.
Những hiệu ứng điện trở nối tiếp do sụt áp trong những miền tựa trung hòa.
48
Đánh thủng chuyển tiếp xúc ở những phân cực ngược cao do hiệu ứng đường hầm và ion hóa va chạm.
24
9/29/2010
49
scrJ
J
G
R
p
p
p t
p x
1 q Trạng thái xác lập và quá trinh không có ánh sáng:
tp
0
Phương trình liên tục của lỗ:
• [Mật độ] Dòng tái hợp tại SCR :
dJ
)( x
J
(
x
)
J
(
x
)
q
p
n
p
p
p
dxR p
x n x
x n x
p
p
J
q
scr
dxR p
x n x
p
50
25
9/29/2010
• Nồng độ n và p có thể được bỏ qua trong miền nghèo:
E
E
i
i
t
R
exp
exp
g
p
n
2 n i
n
n 1
p
p 1
n
g
E t Tk B
E i Tk B
• Dòng SCR thực ra là dòng sinh:
J
J
J
V
V
scr
gen
gen
bi
Wqn i
Wqn i
g
g
/ VV T
1
J
J
J
J
Thời gian sống để sinh hạt dẫn
• Dòng bão hòa ngược tổng cộng:
eJ s
scr
s
gen
VV T
51
• Dòng sinh thắng thế khi ni nhỏ, đây là trường hợp thường
thấy trong các diode Si và GaAs.
CE
I (log-scale)
V (log-scale)
FpE VE
sAJ
FnE
AJ
gen
W
52
Các hạt dẫn sinh ra bị quét ra khỏi miền nghèo Đặc tuyến I-V dưới điều kiện phân cực ngược
26
9/29/2010
• Nồng độ n và p lớn trong miền nghèo:
VV / T
VV / T
np
R
2 en i
1 p
2 en i nn 1
n
p
1 p
• Điều kiện để tốc độ tái hợp cưc đại:
2/ VV T
n
p
/ VV T
R
2/ VV T e
Thời gian sống tái hợp
max
p
n
rec
en i 2 en i n p
n i
p
n
rec
• Ước lượng dòng tái hợp:
J
2/ TVV e
max scr
Wqn i
rec
53
• Biểu thức chính xác cho dòng tái hợp:
V
qN
D
J
VV 2/ e T
E
scr
np
qn i
2
1 E
V 2 bin k
rec
np
0
s
/
J
TrVmV e
scr
• Các sửa đổi với mô hình: qn i
rec
/
VV / T
V T
1
J
VmV / Tr e
J
V e
• Dòng thuận tổng cộng:
eJ s
s
,
eff
qn i
rec
hệ số lý tưởng (ideality factor). Những sai biệt của với 1 cho biết dòng tái hợp.
54
27
• Sự quan trọng của các hiệu ứng tái hợp:
Điện áp thấp, ni nhỏ dòng tái hợp thắng thế Điện áp lớn dòng khuếch tán thắng thế
log(I)
scrAJ
AJ
V
dAJ
• Ở mức dòng điện thấp, dòng tái hợp thắng thế và =2. • Ở mức dòng điện cao hơn, dòng khuếch tán thắng thế và tiến tới 1. 55
So sánh đặc tuyến I-V phân cực thuận của diode Si và GaAs ở 300K. Các đường đứt nét chỉ các độ dốc với các hệ số lý tưởng khác.
56
9/29/2010
28
9/29/2010
• Ở mức dòng điện cao hơn nữa, ta thấy rằng dòng điện lệch khỏi trường hợp lý tưởng =1 và tăng lên từ từ với điện áp thuận. Hiện tượng này liên quan đến 2 hiệu ứng: điện trở nối tiếp và bơm mức cao.
• Trước hết ta xét hiệu ứng điện trở nối tiếp. Ở những mức dòng điện thấp và trung bình, sụt áp IR ở miền trung hòa thường nhỏ so với kT/q (26mV ở 300K), với I là dòng điện thuận và R là điện trở nối tiếp. Sụt áp làm giảm phân cực miền nghèo, do đó dòng điện I là
và dòng khuếch tán lý tưởng bị giảm đi 1 đại lượng là
• Ở mật độ dòng điện cao, mật độ hạt dẫn thiểu số được bơm vào có thể
57
so sánh vối nồng độ hạt dẫn đa số, nghĩa là Đây là điều kiện bơm cao
Điện trở nối tiếp RS
Miền
At higher current level, the effect of series resistance kicks in Needs a larger applied voltage to achieve the same level of current
58
nghèo
29
9/29/2010
59
Đặc tuyến semilog của dòng điện diode ở phân cực thuận
60
30
9/29/2010
61
• VON=0.7V với Si • rD là điện trở thuận = dV/dI tại điểm Q (có VDQ >VON) = VT/IDQ
62
31
9/29/2010
• Bán dẫn hoạt động khác nhau với dòng điện DC và AC. • Có 3 loại điện trở
– Điện trở tĩnh hay DC :
RD = VD/ID
– Điện trở động hay AC:
rd = ∆VD/ ∆ID
– Điện trở AC trung bình:
rd = ∆VD/ ∆ID (từ điểm đến điểm)
Điện trở động rd
Điện trở tĩnh RD
Điện trở AC trung bình 63
Mô hình tín hiệu nhỏ (Small Signal Model):
V /nV T
D
I
D
I e s
assume V giả sử D
V T
D
D
D
d
D
For an instantaneous voltage v (t): v (t) V v (t) Với điện áp tức thời then we have the instantaneous current i (t): Thì ta có dòng điện áp tức thời là
v (t)/nV T
d
i (t) D
nghỉa là giả sử tín hiệu nhỏ
1, that is, a small
signal assumption
Nếu
I e D if v (t)/nV T
d
v (t)/nV T
d
)
I
i (t) D
I e D
I (1 D
D
v (t) d
v (t) d nV T
I D nV T
Nếu Since i (t)
I
D
D
i (t) DC AC; d We can have the AC i-v components: Ta có các thành phần i-v AC
i (t) d
v (t) d
I D nV T
incremental resistance)
So, we can also have the small-signal resistance (or the Vì vậy, ta có điện trở tín hiệu nhỏ
Ω
r d
nV T I
v (t) d i (t) d
D
64
Đặc tuyến dòng-áp (I-V): The diode I-V characteristics:
32
9/29/2010
Categories of Circuit I-V Models:
Non-Linear Model Non-Linear Model
• Exponential (physical); • Exponential (physical); • Piecewise Linear; • Piecewise Linear; • Constant Voltage Drop; • Constant Voltage Drop; • Ideal-diode; • Ideal-diode; • Small signal (linear approximation); • Small signal (linear approximation);
Reference : Table 3_1 Reference : Table 3_1
65
66
33
67
68
9/29/2010
34
Ideal-diode Model:
i i
0, any
for 0v positive
OFF for
0,
value
0v
ON
P N
69
Example of the Branch Current Calculation :
(based on the ideal-diode model)
70
9/29/2010
35
i
Constant Voltage Drop Model:
v
9/29/2010
i i
0, any
for v positive
0.7 value
0,
OFF v for
0.7
ON
71
Piecewise Linear Model:
i
for
OFF
D,0
0, V
Vv
D,0
i
,
for
Vv
ON
D,0
V Dr
72
36
Terminal Characteristics of a Real Diode:
•Real I-V in normal scale
73
*
The
forward
-
bias
diode
current
:
v/n
v/n
tv
tv
1)
i
eI s
the
saturation
current
or the
scale
current;
the
thermal
voltage
(
25mV);
(eI s where is I s is v t isn
the
ideal
factor.
For two
diode
currents
and I 1
,I 2
we
can
have
nV
ln
2.3n
VV 1
2
t
logV t
10
I 2 I 1
I 2 I 1
74
9/29/2010
37
Temperature Effect on the diode current:
•At a given constant current the voltage drop across the diode decreases by approximately 2mV for every 1C increase in temperature.
•See the practice before!
75
Ex. Using the fact that a silicon diode has Is=10-14 A at 25 C and that Is increases by 15% per C rise in temperature, find the value of Is at 125 C.
:Sol
14
I
10
A
C25 @
s
I
?
A
125 @
C
s
(T
)25 1
I
(T)
(1
15%)
I
(25
)
s
s
100
14
8
(125
)
I
(1.15)
10
1.174
10
(A)
s
76
9/29/2010
38
A Real I-V model, Graphical Analysis, and Iterative Analysis:
Diode I-V
i
,
),
the load line
is
DI
For the set V
(V of D
DD
V D
VDD/R
I
D
R
v
VDD
77
•Graphical Analysis: read out the intersection point directly!
78
9/29/2010
39
•Iterative Analysis: Device I-V + Load Line Current Conservation.
(Ex.3.4) practice.
Diode
: V-I
I
I
s
D
V D nV t
V
exp V D
DD
Load
: V-I
I
D
R
9/29/2010
79
Small Signal Model:
/nVV D t
The
diode
V-I
characteri
stics
:
I
V D
V t
For
an
instantane
ous
voltage
v
eI D s (t) v:
(t)
(t)
assume vV D
d
then we have
the instantane
D D ous current i
(t)
:
D
v
d
(t)/nV t
i
(t)
D vif
1,
that
is,
a
small signal assumption
d
eI D (t)/nV t
v
d
(t)/nV t
i
(t)
)
I
v
(t)
D
eI D
(1I D
D
d
I D nV t
v (t) d nV t AC;
Since i
(t)
I
i
(t)
DC
d
v-i AC
components
:
D the
We
(t)
i
(t)
v
d
d
So,
the small
-
signal resistance (or the incrementa l resistance )
Ω
r d
D can have I D nV t we can v (t) d (t) i
also have nV t I
d
D
80
40
9/29/2010
• DC or Static resistance
• AC or Dynamic resistance
• Average AC resistance
81
82
41
9/29/2010
• The resistance depends on the amount of current(ID) in the diode.
• The voltage across the diode is fairly constant(26 mA for 25 C).
• rB ranges from a typical 0.1 Ohms for high power device to 2 Ohms for low power, general purpose diodes.
Reverse bias region:
• The resistance is infinite. The diode acts like an open.
83
84
42
9/29/2010
85
86
43
9/29/2010
87
44
![Bài tập tối ưu trong gia công cắt gọt [kèm lời giải chi tiết]](https://cdn.tailieu.vn/images/document/thumbnail/2025/20251129/dinhd8055/135x160/26351764558606.jpg)
