Giới thiệu tài liệu
Tài liệu này giới thiệu về kính hiển vi điện tử (KHV ĐT), một công cụ khoa học sử dụng chùm điện tử để quan sát bề mặt vật chất ở độ phân giải cao. KHV ĐT ra đời nhằm khắc phục những hạn chế của kính hiển vi quang học, đặc biệt là khả năng đạt độ phóng đại lớn, cần thiết để quan sát chi tiết cấu trúc tế bào. Tài liệu tập trung vào hai loại KHV ĐT chính: Kính hiển vi điện tử quét (SEM) và Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM).
Đối tượng sử dụng
Tài liệu này nhằm cung cấp kiến thức cơ bản về kính hiển vi điện tử, đặc biệt là SEM và TEM, cho sinh viên và các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực khoa học vật liệu, sinh học và các ngành liên quan.
Nội dung tóm tắt
Tài liệu này trình bày chi tiết về nguyên tắc hoạt động, cấu tạo và các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng ảnh của KHV ĐT quét (SEM) và KHV ĐT truyền qua (TEM).
**Kính hiển vi điện tử quét (SEM):** Phần này mô tả quá trình tương tác giữa điện tử và vật chất, bao gồm các loại điện tử phát xạ (điện tử truyền qua, điện tử tán xạ ngược, điện tử thứ cấp, điện tử Auger) và sóng điện từ (tia X, huỳnh quang catốt). Cấu tạo của SEM bao gồm nguồn phát điện tử, hệ thấu kính từ, hệ thống chân không, bộ thu và hiển thị tín hiệu. Các yếu tố ảnh hưởng đến ảnh SEM bao gồm nguồn điện tử, độ phân giải (khả năng phân biệt hai điểm ảnh gần nhau), chiều sâu trường quan sát và quá trình chuẩn bị mẫu. Các kiểu tạo ảnh SEM bao gồm sử dụng điện tử thứ cấp, điện tử tán xạ ngược và dòng điện tử hấp thụ. Cuối cùng, phần này đề cập đến các ứng dụng của SEM trong phân tích thành phần hóa học và cấu trúc vật liệu.
**Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM):** Phần này giới thiệu về TEM, một loại KHV ĐT cho phép quan sát cấu trúc bên trong vật liệu ở độ phóng đại lớn. TEM sử dụng chùm điện tử năng lượng cao xuyên qua mẫu mỏng. Cấu tạo của TEM bao gồm súng điện tử, hệ quang học (thấu kính từ) và bộ phận ghi nhận và quan sát ảnh. Quá trình xử lý mẫu là rất quan trọng để đảm bảo mẫu đủ mỏng để điện tử có thể xuyên qua. Các kỹ thuật tạo ảnh trong TEM bao gồm ảnh trường sáng và ảnh trường tối. Cuối cùng, phần này đề cập đến các phép phân tích trong TEM như nhiễu xạ điện tử và phân tích năng lượng điện tử (EELS).