Bài thuyết trình Phương pháp CVD

Chia sẻ: Lavie Lavie | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:21

Thêm vào BST

Báo xấu

409
lượt xem 42
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Phương pháp CVD là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng tạo thành màng. Để hiểu rõ hơn về vấn đề này mời các bạn tham khảo bài thuyết trình Phương pháp CVD.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài thuyết trình Phương pháp CVD

MÔN PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM Đề tài: Báo cáo: Nguyễn Thị Hảo Quang học K21 22/10/2011 1
What is ….? C V D Lắng đọng hơi hóa học 2
C V D Lắng đọng hơi hóa học là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng tạo thành màng. 3
C V D Màng Lắng đọng Đế bị Hợp chất nung nóng Ngƣng tụ trên đế Hơi (Precusor) Cung cấp E + Tác nhân Vật liệu (rắn) 4
C V D SƠ ĐỒ Buồng Khí phản ứng Khuyếch tán phản ứng (Precursor) xuống đế (reactor) Phản ứng Tạo màng Hấp thụ hóa học Khí phản ứng Màng (rắn) Sản phẩm (precursor) khí thừa
C V D SƠ ĐỒ Hơi vật liệu (Precursor) Sản phẩm khí thải Khuyếch tán Vùng phản ứng Đế hóa học Bộ phận cấp nhiệt t = 900o C, p = 0.1 mbar – 1bar
C V D SƠ ĐỒ Sản phẩm thừa Đế Sự hình Khuyếch tán Phát triển thành thành trên bề mặt đế màng nguyên tử và ốc đảo
C V D SƠ ĐỒ THIẾT BỊ P>0.01 bar t = 25o C Hệ thống xử lí khí thải Tấm lọc BUỒNG Precursor PHẢN ỨNG Khí thải Van Buồng chứa khí phản ứng
C V D BUỒNG PHẢN ỨNG Bộ phận cấp nhiệt Khí vào Kh Đế Khí ra Bộ phận cấp nhiệt Precursor
C V D BUỒNG PHẢN ỨNG Khí phản ứng (Precursor) Đế Đế Bộ phận cấp nhiệt Khí thải
C V D ĐIỀU KIỆN TRONG CVD Nhiệt độ đế Precursor Buồng phản ứng
C V D ĐỘ PHỦ MÀNG Tốc độ lắng đọng tỉ lệ với góc tới
C V D PHẢN ỨNG HÓA HỌC TRONG CVD Phản ứng phân hủy Phản ứng khử Phản ứng thủy phân Vận chuyển hóa học Phản ứng trùng hợp
CƠ CHẾ & QUÁ TRÌNH TRONG C V D CVD Vận chuyển nhiệt Ngưng tụ Hấp phụ
Phủ Phủ đế khu vực có cấu hình Hệ thiết phức tạp bị đơn giản Tốc độ lắng đọng cao C V D ƢU ĐIỂM Tạo màng hợp kim nhiều tp Màng dày, đều, ít xốp, sạch 15
C V D NHƢỢC ĐIỂM Cơ chếCơ phản ứng chế phản ứng tạp phức phức tạp Nhiệt độ đế cao Đế & thành buồng phản ứng dễ bị ăn mòn Sản phẩm khí độc
C V D ỨNG DỤNG Tạo nhiều loại màng Sợi quang mỏng Pin mặt trời Trong CN C D vi điện tử V Vật liệu Sợi composite siêu dẫn
C V D PHÂN LOẠI • Thermal CVD CVD • Kích hoạt phản ứng bằng nhiệt (>9000C) • Atmospheric pressure chemical vapor deposition APCVD •  Lắng đọng hơi hóa học ở áp suất khí quyển • Low pressure chemical vapor deposition LPCVD •  Lắng đọng hơi hóa học ở áp suất thấp • Metal organic chemical vapor deposition MOCVD • CVD nhiệt, precursor là hợp chất hữu cơ kim loại. • Plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD • Năng lượng của plasma để kích hoạt phản ứng.300- 500oC. 18
Quá trình ngưng tụ kim loại Khí vào Sản phẩm khí thải chất phản ứng Vùng phản ứng Đế Dòng nhiệt
C V D PRECURSOR CỦA MOCVD Hidro Cacbon Kim loại