Tham khảo luận văn - đề án 'đề tài: thiết kế mạch điều khiển động cơ điện một chiều', luận văn - báo cáo, điện - điện tử - viễn thông phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
YOMEDIA/
Chủ đề:
Nội dung Text: Đề tài: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN ĐỘNG CƠ ĐIỆN MỘT CHIỀU
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Luận văn
Đề tài: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU
KHIỂN ĐỘNG CƠ ĐIỆN MỘT
CHIỀU
Sv: Tr n Tu n Vũ 1
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
MỤC LỤC
NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI ............................................................................................ 3
CHƯƠNG I: CƠ SỞ LÝ THUYẾT .............................................................................. 5
1.1 Các linh kiện thụ động......................................................................................... 5
1.1.1 Điện trở.......................................................................................................... 5
1.1.2 Biến trở, triết áp :.......................................................................................... 6
1.1.3 tụ điện ............................................................................................................ 8
1.1.4 Diode ............................................................................................................ 10
1.2 Bộ Vi Điều Khiển 89C51 ................................................................................... 14
1.3 IC Opto (loại PC817C). ..................................................................................... 22
1.4.IC L7805T ......................................................................................................... 22
1.5 MOSFET ............................................................................................................ 23
1.6. Động cơ một chiều ............................................................................................ 27
1.7.Lý thuyết về điều chế độ rộng xung PWM ....................................................... 33
CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ ............................................................... 36
2.1 Sơ đồ khối........................................................................................................... 36
2.2 Sơ đồ khối nguồn ............................................................................................... 37
2.3. khối động lực ..................................................................................................... 38
2.4.Khối điều khiển .................................................................................................. 39
2.5 Sơ đồ nguyên lý chung ....................................................................................... 40
2.6 Sơ đồ board mạch .............................................................................................. 41
2.7 Chươngtrình ……………………………………………………………………42
CHƯƠNG 3:KẾT LUẬN ............................................................................................ 43
1.Kết quả đạt được .................................................................................................. 43
2.Tài liệu tham khảo………………………………………………………………... .43
Sv: Tr n Tu n Vũ 2
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
LỜI NÓI ĐẦU
Ngày nay thế giới đã bước vào một cuộc cách mạng khoa học kỹ thuật trong
mọi lĩnh vực. Con người biết ứng dụng khoa học kĩ thuật vào sản xuất để nâng cao
năng suất chất lượng rút ngắn thời gian sản xuất.
Trong những năm gần đây, công nghệ vi điện tử phát triển. sự ra đời của các vi
mạch với ưu điểm nhỏ gọn dung lượng lớn, cực lớn với giá thành hợp với khả
năng của người sử dụng... đã mang lại những thay đổi sâu sắc cho ngành kỹ thuật
điện tử. Mạch số đã và đang thâm nhập vào tất cả các thiết bị điện tử thông dụng
và chuyên dụng.
Sự phát triển hối hả của nền đại công nghiệp nên sự cạnh tranh của các mặt hàng
trên thị trường diễn ra càng mạnh. Do đó chúng em đã chọn đề tài môn học là
“THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN ĐỘNG CƠ ĐIỆN MỘT CHIỀU “ nhằm
phục vụ cho thực tế của đời sống.
Được sự hướng dẫn tận tình của thầy Dương Tấn Quốc chúng em đã thực hiện đề
tài của mình với hết khả năng của mình.
Cùng với sự lỗ lực của bản thân nhưng do thời gian, kiến thức và kinh nghiệm còn
hạn hẹp nên sẽ không tránh khỏi những sai sót. Chúng em rất mong được sự giúp
đỡ và tham khảo ý kiến của thầy cô cùng các bạn nhằm đóng góp để phát triển
thêm đề tài.
Sv: Tr n Tu n Vũ 3
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI
ĐỒ ÁN MÔN HỌC
Khoá học : 2010-2013
Ngành họ : Điện Tử Viễn Thông
Lớp : K16ECD1
TÊN ĐỀ TÀI : THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN ĐỘNG CƠ ĐIỆN MỘT
CHIỀU
I.Dữ liệu sử dụng:
Vi Điều Khiển AT89C51, các linh kiện cần thiết liên quan.
-
Hệ thống có thể điều khiển đ ược các động cơ có công suất
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Ý TƯỞNG THIẾT KẾ
Thiết kế động cơ một chiều có chức năng thực hiện các yêu cầu điều khiển
đảo chiều và điều chỉnh tốc độ động cơ điện một chiều.
Các yêu cầu :
Điều khiển động cơ DC
-
Điều chỉnh tốc độ động cơ DC bằng phương pháp PWM
-
Mạch có hệ thống có cách ly về điện giữa mạch điều khiển và mạch động
-
lực để đảm bảo chống nhiễu cho bộ điều khiển nên ta sử dụng IC opto để
cách ly quang
Điều khiển chính xác, tin cậy và ổn định.
-
Thiết kế đơn giản
-
Sv: Tr n Tu n Vũ 5
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
CHƯƠNG I: CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1 Các linh kiện thụ động:
1.1.1 Điện trở:
-Khái niệm:
Điện trở :Điện trở là sự cản trở dòng điện của một vật dẫn điện, nếu một vật dẫn
điện tốt thì điện trở nhỏ, vật dẫn điện kém thì điện trở lớn, vật cách điện thì điện
trở là vô cùng lớn.
-Hình dáng và ký hiệu : Trong thiết bị điện tử điện trở là một linh kiện quan
trọng, chúng được làm từ hợp chất cacbon và kim loại tuỳ theo tỷ lệ pha trộn mà
người ta tạo ra được các loại điện trở có trị số khác nhau.
H ình1.1: H ình d ạng của điện trở trong thiết bị điện tử.
K ý hi ệu của điện trở tr ên các sơ đ ồ nguy ên lý.
- Đơn vị của điện trở
Đơn vị điện trở là Ω (Ohm) , KΩ , MΩ
1KΩ = 1000 Ω
1MΩ = 1000 K Ω = 1000.000 Ω
Các điện trở có kích thước nhỏ được ghi trị số bằng các vạch
Sv: Tr n Tu n Vũ 6
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
-Phân loại điện trở.
Điện trở thường : Điện trở thường là các điện trở có công xuất nhỏ từ 0,125W
đến 0,5W
Điện trở công suất : Là các điện trở có công xuất lớn hơn từ 1W, 2W, 5W,
10W.
Điện trở sứ, điện trở nhiệt : Là cách gọi khác của các điện trở công xuất , điện
trở này có vỏ bọc sứ, khi hoạt động chúng toả nhiệt.
H ình1.2: C ác đi ện trở : 2W – 1 W – 0 ,5W – 0 ,25W
Hình 1.3: Điện trở sứ hay trở nhiệt
1.1.2 Biến trở, triết áp :
Biến trở Là điện trở có thể chỉnh để thay đổi giá trị, có ký hiệu l à VR chúng có
hình dạng như sau :
Sv: Tr n Tu n Vũ 7
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Hình1.4: Hình d ạng biến trở k ý hi ệu tr ên sơ đ ồ
Biến trở thường ráp trong máy phục vụ cho quá trình sửa chữa, cân chỉnh của kỹ
thuật viên, biến trở có cấu tạo như hình bên dưới.
H ình1.5: C ấu tạo của biến trở
Triết áp : Triết áp cũng tương tự biến trở nhưng có thêm cần chỉnh và thường bố
trí phía trước mặt máy cho người sử dụng điều chỉnh. Ví dụ như – Triết áp
Volume, triết áp Bass, Tress v.v.. , triết áp nghĩa là triết ra một phần điện áp từ đầu
vào tuỳ theo mức độ chỉnh.
H ình 1.6: Hình d ạng triết áp, c ấu tạo trong triết áp
1.1.3 Tụ điện:
- Cấu tạo của tụ điện :
Cấu tạo của tụ điện gồm hai bản cực đặt song song, ở giữa có một lớp cách điện
gọi là điện môi.
Sv: Tr n Tu n Vũ 8
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Người ta thường dùng giấy, gốm , mica, giấy tẩm hoá chất làm chất điện môi và tụ
điện cũng được phân loại theo tên gọi của các chất điện môi này như Tụ giấy, Tụ
gốm, Tụ hoá.
H ình 1.7: C ấu tạo tụ gốm, c ấu tạo tụ hoá
- Hình dáng thực tế của tụ điện.
H ình1.8: H ình d ạng của tụ gốm.
- Điện dung đơn vị và ký hiệu của tụ điện:
Sv: Tr n Tu n Vũ 9
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
* Điện dung : Là đại lượng nói lên khả năng tích điện trên hai bản cực của tụ điện,
điện dung của tụ điện phụ thuộc vào diện tích bản cực, vật liệu làm chất điện môi
và khoảng cách giữ hai bản cực theo công thức
C=ξ.S/d
Trong đó C : là điện dung tụ điện , đơn vị là Fara (F)
ξ : Là hằng số điện môi của lớp cách điện.
d : là chiều dày của lớp cách điện.
S : là diện tích bản cực của tụ điện.
* Đơn vị điện dung của tụ : Đơn vị là Fara (F), 1Fara là rất lớn do đó trong thực
tế thường dùng các đơn vị nhỏ hơn như MicroFara (µF), NanoFara (nF), PicoFara
(pF).
1 Fara = 1.000.000 µ Fara = 1.000.000.000 n F = 1.000.000.000.000 p F
1 µ Fara = 1.000 n Fara
1 n Fara = 1.000 p Fara
* Ký hiệu : Tụ điện có ký hiệu là C (Capacitor)
Ký hiệu của tụ điện trên sơ đồ nguyên lý.
– Phân loại tụ điện
Tụ giấy, Tụ gốm, Tụ mica. (Tụ không phân cực )
Các loại tụ này không phân biệt âm dương và thường có điện dung nhỏ từ 0,47 µF
trở xuống, các tụ này thường được sử dụng trong các mạch điện có tần số cao hoặc
mạch lọc nhiễu.
Sv: Tr n Tu n Vũ 10
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Hình 1.9: T ụ gốm – l à t ụ không phân cực.
Tụ hoá ( Tụ có phân cực )
Tụ hoá là tụ có phân cực âm dương, tụ hoá có trị số lớn hơn và giá trị từ 0,47µF
đến khoảng 4.700 µF, tụ hoá thường được sử dụng trong các mạch có tần số thấp
hoặc dùng để lọc nguồn, tụ hoá luôn luôn có hình trụ..
H ình 1.10: T ụ hoá – L à t ụ có phân cực âm d ương.
Tụ xoay
Tụ xoay là tụ có thể xoay để thay đổi giá trị điện dung, tụ này thường được lắp
trong Radio để thay đổi tần số cộng hưởng khi ta dò đài.
1.1.4 Diode:
– Diode (Điốt) Bán dẫn :
Tiếp giáp P – N và Cấu tạo của Diode bán dẫn.
Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N, nếu ghép hai chất bán dẫn theo
một tiếp giáp P – N ta được một Diode, tiếp giáp P -N có đặc điểm
: Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch tán sang vùng
bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion trung hoà về điện =>
lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất bán dẫn.
Sv: Tr n Tu n Vũ 11
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
H ình 1.11: M ối t i ếp xúc P – N = > C ấu tạo của Diode .
- Ở h ình trên là m ối tiếp xúc P – N v à c ũng chính l à c ấu tạo của
D iode bán d ẫn.
H ình 1.12: K ý hi ệu v à hình dáng c ủa Diode bán dẫn.
- Ứ ng dụng của Diode bán dẫn :
* D o tính ch ất dẫn điện một chiều n ên Diode t hư ờng đ ư ợc sử dụn g
t rong các m ạch chỉnh l ưu ngu ồn xoay chiều t hành m ột c hi ều, các
m ạch tách sóng, mạch gim áp phân cực cho t ransistor ho ạt đ ộng .
t rong m ạch chỉnh l ưu Diode có th ể đ ư ợc tích hợp th ành Diode có
d ạng .
Sv: Tr n Tu n Vũ 12
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
H ình 1.13: D iode c ầu trong mạch chỉnh l ưu đi ệ n xoay chi ều .
C ác lo ại Diode
- D iode Zener
* C ấu tạo :
D iode Zener có c ấu tạo t ương t ự Diode th ư ờng nh ưng có hai l ớp bán
d ẫn P - N g hép v ới nhau, Diode Zener đ ư ợc ứng dụng trong chế độ
p hân c ực n gư ợc, khi phân cực thuận Diode zener nh ư diode thư ờng
n hưng k hi phân c ực ng ư ợc Diode zener sẽ gim lại một mức điện áp cố
đ ịnh bằng giá t r ị g hi trên diode.
H ình 1.14: H ình dáng Diode Zener ( D z ) k hông đ ổi.
- D iode Thu quang . ( Photo Diode )
D iode t hu quang ho ạt động ở chế độ phân cực nghịch, vỏ diode có
m ột m i ếng t hu ỷ tinh đ ể ánh sáng chiếu v ào m ối P – N , dòng đ i ện
n gư ợc qua diode t ỷ lệ thuận với c ư ờng độ ánh sáng chiếu v ào diode.
Sv: Tr n Tu n Vũ 13
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
- D iode Phát quang ( L ight Emiting Diode : LED )
D iode p hát phang là Diode phát ra ánh sáng khi đư ợc phân cực thuận,
đ i ện áp l àm v i ệc của LED khoảng 1,7 => 2,2V d òng qua Led kho ản g
t ừ 5mA đến 2 0mA
L ed đư ợc sử dụng để l àm đèn báo ngu ồn, đ èn nháy trang trí, báo
t r ạng thái có điện . vv…
– D iode Varicap ( D iode bi ến dung )
D iode bi ến dung l à Diode có đi ện dung nh ư t ụ điện, v à đi ện dun g
b i ến đổi khi ta thay đổi điện áp ng ư ợc đặt v ào Diode.
- D iode xung
T rong c ác b ộ nguồn xung th ì ở đ ầu ra của biến áp xung , ta phải d ùn g
D iode x ung đ ể chỉnh l ưu. diode xung là diode l àm vi ệc ở tần số cao
k ho ảng v ài c h ục KHz , diode nắn điện thông th ư ờn g k hông th ể thay
t h ế v ào v ị trí d iode xung đư ợc, nh ưng ng ự ơc l ại diode x ung có th ể
t hay th ế cho vị trí d iode thư ờng, d iode xung có giá thành cao hơn
d io de thư ờng nhiều lần.Về đặc điểm , hình dáng thì Diode xung k hông
c ó gì khác bi ệt với Diode t hư ờng, t uy nhi ên Diode xung t hư ờng có
v òng dánh d ấu đứt nét hoặc đ ánh d ấu bằng hai v òng
H ình 1.15: K ý hi ệu của Diode xung
– D iode tách sóng .
L à lo ại Diode nhỏ vở bằng thuỷ tinh v à còn g ọi l à diode ti ếp điểm v ì
m ặt tiếp xúc giữa hai chất bán dẫn P – N t ại một điểm đ ể tránh điện
Sv: Tr n Tu n Vũ 14
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
dung ký sinh, diode tách sóng th ư ờng d ùng trong các m ạch cao tần
d ùng đ ể tách sóng tín hiệu.
– D iode n ắn điện.
L à Diode ti ếp mặt d ùng đ ể nắn điện trong c ác b ộ chỉnh l ưu ngu ồn AC
5 0Hz , Diode này thư ờng có 3 loại l à 1A, 2A và 5A.
H ình 1.16: D iode n ắn điện 5A
1. 2 Bộ Vi Điều Khiển 89C51:
Bắt đầu xuất hiện vào năm 1980, trải qua gần 30 năm, hiện đã có tới hang trăm
biến thể (derrivatives) được sản xuất bởi hơn 20 hãng khác nhau, trong đó phải kể
đến các đại gia trong làng bán dẫn (Semiconductor) như ATMEL, Texas
Instrument, Philips, Analog Devices… Tại Việt Nam, các biến thể của hãng
ATMEL là AT89C51, AT89C52, AT89S51, AT89S52… đã có thời gian xuất hiện
trên thị trường khá lâu và có thể nói là được sử dụng rộng rãi nhất trong các loại vi
điều khiển 8 bit.
Sv: Tr n Tu n Vũ 15
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Các thanh nghi đặc biệt SFR
Sv: Tr n Tu n Vũ 16
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Ngắt (Interrupt)
8051 chỉ có một số lượng khá ít các nguồn ngắt (interrupt source) ho ặc có thể gọi
là các nguyên nhân ngắt. Mỗi ngắt có một vector ngắt riêng, đó là một địa chỉ cố
định nằm trong bộ nhớ chương trình, khi ngắt xảy ra, CPU sẽ tự động nhảy đến
thực hiện lệnh nằm tại địa chỉ này.
Với 8052, ngoài các ngắt trên còn có thêm ngắt của timer2 (do vi điều
khiểnnày có thêm timer2 trong số các ngoại vi onchip).
Mỗi ngắt được dành cho một vector ngắt kéo dài 8byte. Về mặt lý thuyết, nếu
chương trình đủ ngắn, mã tạo ra chứa đủ trong 8 byte, người lập trình hoàn toàn có
thể đặt phần chương trình xử lý ngắt ngay tại vector ngắt. Tuy nhiên trong hầu hết
các trường hợp, chương trình xử lý ngắt có dung lượng mã tạo ra lớn hơn 8byte
Sv: Tr n Tu n Vũ 17
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
nên tại vector ngắt, ta chỉ đặt lệnh nhảy tới chương trình xử lý ngắt nằm ở vùng
nhớ khác. Nếu không làm vậy, mã chương trình xử lý ngắt này sẽ lấn sang, đè vào
vector ngắt kế cận.
Bảng tóm tắt các ngắt trong 8051 như sau:
Sv: Tr n Tu n Vũ 18
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
Để cho phép một ngắt, bit tương ứng với ngắt đó và bit EA phải được đặt
bằng 1. Thanh ghi IE là thanh ghi đánh địa chỉ bit, do đó có thể dùng các lệnh tác
động bit để tác động riêng rẽ lên từng bit mà không làm ảnh hưởng đến giá trị các
bit khác. Cờ ngắt hoạt động độc lập với việc cho phép ngắt, điều đó có nghĩa là cờ
ngắt sẽ tự động đặt lên bằng 1 khi có sự kiện gây ngắt xảy ra, bất kể sự kiện đó có
được cho phép ngắt hay không. Do vậy, tr ước khi cho phép một ngắt, ta nên xóa
cờ của ngắt đó để đảm bảo sau khi cho phép, các sự kiện gây ngắt trong quá khứ
không thể gây ngắt nữa.
8051 có 2 ngắt ngoài là INT0 và INT1. Ngắt ngoài được hiểu là ngắt được gây
ra bởi sự kiện mức lôgic 0 (mức điện áp thấp, gần 0V) hoặc sườn xuống (sự
chuyển mức điện áp từ mức cao về mức thấp) xảy ra ở chân ngắt tương ứng (P3.2
với ngắt ngoài 0 và P3.3 với ngắt ngoài 1). Việc lựa chọn kiểu ngắt được thực hiện
bằng các bit IT (Interrupt Type) nằm trong thanh ghi TCON. Đây l à thanh ghi điều
khiển timer nhưng 4 bit LSB (bit0..3) được dùng cho các ngắt ngoài
Khi bit ITx = 1 thì ngắt ngoài tương ứng được chọn kiểu là ngắt theo sườn xuống,
ngược lại nếu bit ITx = 0 thì ngắt ngoài tương ứng được sẽ có kiểu ngắt là ngắt
theo mức thấp. Các bit IE là các bit cờ ngắt ngoài, chỉ có tác dụng trong trường
hợp kiểu ngắt được chọn là ngắt theo sườn xuống. Khi kiểu ngắt theo sườn xuống
được chọn thì ngắt sẽ xảy ra duy nhất một lần khi có sườn xuống của tín hiệu, sau
đó khi tín hiệu ở mức thấp, hoặc có sườn lên, hoặc ở mức cao thì cũng không có
ngắt xảy ra nữa cho đến khi có sườn xuống tiếp theo. Cờ ngắt IE sẽ dựng lên khi
có sườn xuống và tự động bị xóa khi CPU bắt đầu xử lý ngắt. Khi kiểu ngắt theo
mức thấp được chọn thì ngắt sẽ xảy ra bất cứ khi nào tín hiệu tại chân ngắt ở mức
thấp. Nếu sau khi xử lý xong ngắt mà tín hiệu vẫn ở mức thấp thì lại ngắt tiếp, cứ
Sv: Tr n Tu n Vũ 19
- Đồ án chuyên ngành gvhd: Dương Tấn Quốc
như vậy cho đến khi xử lý xong ngắt lần thứ n , tín hiệu đã lên mức cao rồi thì thôi
không ngắt nữa. Cờ ngắt IE trong trường hợp này không có ý nghĩa gì cả.Thông
thường kiểu ngắt hay được chọn là ngắt theo sườn xuống.
Bộ định thời/Bộ đếm (Timer/Counter)
8051 có 2 timer tên là timer0 và timer1. Các timer này đều là timer 16bit, giá
trị đếm max do đó bằng 216 = 65536 (đếm từ 0 đến 65535).
Hai timer có nguyên lý hoạt động hoàn toàn giống nhau và độc lập. Sau khi cho
phép chạy, mỗi khi có thêm một xung tại đầu vào đếm, giá trị của timer sẽ tự động
được tăng lên 1 đơn vị, cứ như vậy cho đến khi giá trị tăng lên vượt quá giá trị
max mà thanh ghi đếm có thể biểu diễn thì giá trị đếm lại được đưa trở về giá trị
min (thông thường min = 0). Sự kiện này được hiểu là sự kiện tràn timer
(overflow) và có thể gây ra ngắt nếu ngắt tràn timer được cho phép (bit ETx trong
thanh ghi IE = 1). Việc cho timer chạy/dừng được thực hiện bởi các bit TR trong
thanh ghi TCON (đánh địa chỉ đến từng bit).
Khi bit TRx = 1, timerx sẽ đếm, ngược lại khi TRx = 0, timerx sẽ không đế m
mặc dù vẫn có xung đưa vào. Khi dừng không đếm, giá trị của timer được giữ
nguyên. Các bit TFx là các cờ báo tràn timer, khi sự kiện tràn timer xảy ra, cờ sẽ
được tự động đặt lên bằng 1 và nếu ngắt tràn timer được cho phép, ngắt sẽ xảy ra.
Khi CPU xử lý ngắt tràn timerx, cờ ngắt TFx tương ứng sẽ tự động được xóa về 0.
Giá trị đếm 16bit của timerx được lưu trong hai thanh ghi THx (byte cao) và TLx
(byte thấp). Hai thanh ghi này có thể ghi/đọc được bất kỳ lúc nào. Tuy nhiên nhà
sản xuất khuyến cáo rằng nên dừng timer (cho bit TRx = 0) trước khi ghi/đọc các
Sv: Tr n Tu n Vũ 20
Thêm vào BST
Báo xấu
Download
Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ
