![](images/graphics/blank.gif)
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
19
lượt xem 4
download
lượt xem 4
download
![](https://tailieu.vn/static/b2013az/templates/version1/default/images/down16x21.png)
Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử.
Chủ đề:
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!
![](images/graphics/blank.gif)
CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD