9/6/2024 1
CHƯƠNG 4. TRANSISTOR TIẾP XÚC LƯỠNG CỰC
(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR -BJT)
Cấu tạo hiệu
Nguyên làm việc
Mối quan hệ giữa các dòng IB, IC, IE 2 hệ số truyền
đạt dòng điện ,
Các dạng mắc mạch của BJT và các họ đặc tuyến tĩnh
Giới hạn vùng làm việc của BJT
Các phương pháp phân cực cho BJT
Hệ số ổn định S
Phương pháp lựa chọn điểm làm việc tĩnh Q dựa trên
các tham số đặc tính của BJT
BJT chuyển mạch
hình tương đương của BJT chế độ khuếch đại tín
hiệu nhỏ
Các tham số cơ bản của BJT
9/6/2024 2
4.1. Cấu tạo, ký hiệu
4.1.1. Cấu tạo
Một cấu trúc mặt phẳng Epitaxial của BJT
Epitaxial: Là một quá trình cấy ghép trong linh
kiện bán dẫn
BJT cấu tạo gồm
3 miền bán dẫn tạp
chất pn:
Emitter (E), collector (C)
và Base (B)
+ Miền E kích thước
trung bình, được pha tạp
chất mạnh nhất. Mục
đích chủ yếu để bơm
(inject) các hạt đa số của
tới miền Collector
thông qua miền Base
9/6/2024 3
+ Miền C kích thước lớn nhất, được pha tạp chất trung bình,
được thiết kế để thu nhận các hạt đa số từ miền E inject tới
+ Miền B kích thước mỏng nhất, được pha tạp chất ít nhất,
mục đích chính tạo ra sự điều khiển dòng điện giữa E C.
Chú ý:
+ Miền B được lấy từ bán dẫn tạp chất ngược với miền E và C;
Miền B kích thước mỏng nhất. Những thuộc tính này
những cho phép điều khiển dòng điện của BJT thông qua
việc bơm (inject) các hạt thiểu số vào miền B (lưu ý: hạt đa số
trong miền E hạt thiểu số trong miền B).
+ Sự tham gia của cả hai loại hạt dẫn Electrons Holes vào
hoạt động của BJT thể hiện tên gọi của (Bipolar junction
transistor).
9/6/2024 4
Tỉ lệ pha tạp chất của miền B nhỏ hơn nhiều so với tỉ lệ pha
tạp chất của 2 miền còn lại (thông thường, 10:1)
[R.Boylestad, Louis Nashelsky]
Gim độ dẫn điện (tăng trở kháng) của miền B hạn
chế số lượng hạt dẫn tự do
Bề rộng mặt cắt của miền B = 1/150 bề rộng mặt cắt của 3
miền
2 tiếp xúc pn: Tiếp xúc giữa E B (Emitter Base
Junction JE); Tiếp xúc giữa C B (Collector – Base JC);
BJT cấu tạo gồm 3 miền bán dẫn tạp chất pn xếp xen kẽ
2 loại BJT: pnp npn
9/6/2024 5
Trong đó: Pp là hạt dẫn đa số của miền bán dẫn tạp chất loại p; nn là hạt dẫn đa số
của miền bán dẫn tạp chất loại n
Collector Base
Junction (JC)
Emitter Base
Junction (JE)
pnp
E (Emitter)
C (Collector)
Pp (E) > Pp (C) >> nn(B)
nn (E) > nn (C) >> pp(B)
npn