intTypePromotion=3

Bài thuyết trình Dùng phổ Raman và phổ quang phát quang: Nghiên cứu ảnh hưởng của tỉ lệ khí Oxy và sự ủ nhiệt đối với màng TiO2 chế tạo bằng PP phún xạ magneton phản ứng

Chia sẻ: Lavie Lavie | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:15

0
35
lượt xem
2
download

Bài thuyết trình Dùng phổ Raman và phổ quang phát quang: Nghiên cứu ảnh hưởng của tỉ lệ khí Oxy và sự ủ nhiệt đối với màng TiO2 chế tạo bằng PP phún xạ magneton phản ứng

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Mục đích của bài thuyết trình Dùng phổ Raman và phổ quang phát quang: Nghiên cứu ảnh hưởng của tỉ lệ khí Oxy và sự ủ nhiệt đối với màng TiO2 chế tạo bằng PP phún xạ magneton phản ứng là nhằm nghiên cứu sự ảnh hưởng của tỉ lệ dòng Oxy đưa vào trong hệ phún xạ trong việc chế tạo màng, sự ảnh hưởng của nhiệt độ ủ trong quá trình hình thành cấu trúc của màng.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Bài thuyết trình Dùng phổ Raman và phổ quang phát quang: Nghiên cứu ảnh hưởng của tỉ lệ khí Oxy và sự ủ nhiệt đối với màng TiO2 chế tạo bằng PP phún xạ magneton phản ứng

  1. Quang phổ Laser DÙNG PHỔ RAMAN VÀ PHỔ QUANG PHÁT QUANG NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA TỈ LỆ KHÍ OXY VÀ SỰ Ủ NHIỆT ĐỐI VỚI MÀNG TIO2 CHẾ TẠO BẰNG PP PHÚN XẠ MAGNETON PHẢN ỨNG
  2. Quang phổ Laser MỤC ĐÍCH: Nghiên cứu sự ảnh hưởng của tỉ lệ dòng oxy đưa vào trong hệ phún xạ trong việc chế tạo màng Nghiên cứu sự ảnh hưởng của nhiệt độ ủ trong quá trình hình thành cấu trúc của màng
  3. Quang phổ Laser GiỚI THIỆU: Chế tạo màng TiOx bằng phương pháp phún xạ magneton trực tiếp ở nhiệt độ phòng với tỉ lệ dòng oxy đưa vào khoảng 3-15% FO2 FO 2 %   100%  FO2  FAr  Sau đó đem ủ nhiệt ở 350-750oC Dùng phổ nhiễu xạ tia X, quang phát quang và phổ Raman để nghiên cứu tính chất của màng
  4. Quang phổ Laser THÍ NGHIỆM: Dùng đế p-Si(100), làm sạch bởi H2SO4 và H2O Target Ti tinh khiết 99.99%, đường kính 2in và được áp vào nguồn DC 100W Đế được áp điện thế -150V Khoảng cách giữa đế và bia là 100mm Áp suất nền 2.7*10-4 Pa, Áp suất làm việc 2.7*10-4 Pa Thời gian phún xạ 40 phút Độ dày của màng từ 50-200nm
  5. Quang phổ Laser ĐO TÍNH CHẤT MÀNG: Cấu trúc màng, thông tin phase (anatase hay rutile) đo bởi quang phổ kế tia X sử dụng bức xạ Cu Kα (0.1542nm). Made in Japan Các liên kết được đo bởi phổ Raman. Made in France Phổ PL dùng laser He-Cd 325nm 50mW, cách tử và CCD
  6. Quang phổ Lazer LabRAM HR UV/Vis/NIR + Ar ion CW Laser (514.5nm, 488nm) upto 40mW at sample. + He-Cd CW Laser (325nm) -Auto motor controlled XY mapping stage Anatase Rutile
  7. Quang phổ Laser Anatase Rutile APPLICATION 1- Paints, and Coating , emulsion widely used in painting, printing oil interior Paints, Enamels paper making 2- Road-Marking Paints Plastic 3- Filler , Primers, and undercoat Rubber 4- Paper Industry artificial fiber (sợi quang nhân tạo) 5- Plastic Industry welding electric (hàn điện) 6- Rubber Industry Enamel (tráng men) 7- Cement Industry. electric appliances and construction material etc
  8. RESULTS AND DISCUSSION _ The deposition time was fixed at 40 min. _ The crystalline (101) anatase peak denoted as A(101) at 25,3°. _ The (110) rutile peak denoted as R(110) at 27.4° can be easily observed from the TiOx thin film formed at 3 FO2%. _ The intensity of anatase peaks at 3 FO2% is stronger than rutile peaks. GIXRD patterns of titanium oxide films _ As FO2% is higher than formed at: 3, 6, 10 and 15 FO2% and 6%, the rutile peaks cannot post-annealing at 750 °C for 2 min in air be detected.
  9. RESULTS AND DISCUSSION _ TiOx film annealed at 350°C is still an amorphous film because of no distinct diffraction peak. _ The mixed crystalline anatase and rutile films are obtained after 550°C and 750°C annealing. _ The intensity of both anatase and rutile peaks increases with increasing GIXRD patterns of titanium oxide films temperature. formed at: 3 FO2% and post-annealed at RT, 350°C , 550°C , and 750°C for 2 min in air.
  10. RESULTS AND DISCUSSION _ The film at 3 FO2% shows several anatase peaks at 396 and 639 cm−1 and rutile peaks at 449 and 612 cm−1. _ The rutile peaks decrease with increasing oxygen flow ratio. _ The intensity of anatase peak decreaseswith increasing oxygen flow ratio due to the Raman spectra of titanium oxide reduction of film thickness. films formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% and post-annealed at 750 °C for 2 min in air.
  11. RESULTS AND DISCUSSION _ The intensity of anatase peaks at 396 and 639 cm−1 and rutile peaks at 449 and 612cm−1 increases with annealing temperature from RT to 750°C, especially for anatase peaks. Raman spectra of titaniumoxide films at 3 FO2% and post- annealed at RT, 350 °C , 550 °C , and 750 °C for 2 min in air.
  12. RESULTS AND DISCUSSION The relationship between the crystalline structure and PL behaviors of titanium oxides Laser excitation: 325 nm, at the room temperature _ The weak shoulder peak at 650 nm is induced from the laser source. _ An asymmetrical wide FWHM peak in visible region PL spectra of titanium oxide films is observed at the 3 FO2% formed at 3, 6, 10 and 15 FO2% sample. and post-annealed at 750 °C for 2 min in air.
  13. RESULTS AND DISCUSSION _ The wide peak is merged from two different TiOx peaks. _ The curve can be fitted into two Gaussian peaks at 486 nm (2,55eV) and 588 nm(2,11eV). The Gaussian fitted curve of PL spectra of the 3 FO2% film at 750 °C annealed for 2 min in air.
  14. RESULTS AND DISCUSSION _ Luminescence shift caused by the mixed anatase and rutile phase. _ The intensity of PL peaks increases with annealing temperature because of enhancement of the crystalline phase. _ For the as-deposited and 350 °C annealed samples, the PL signal is very weak due to the PL spectra of titanium oxide films poor crystallinity. at 3 FO2% and post-annealed at RT, 350 °C , 550 °C , and 750 °C for 2 min in air.
  15. CONCLUSION The oxygen flow ratios during deposition and post-annealed temperatures result in the evolution of phase formation of the films The XRD and Raman results indicate that the 3 FO2% film is formed of a mixed phase of anatase and rutile, and the specimens of 10 FO2%, and 15 FO2% are the single-phase anatase after 550–750 °C annealing The as-deposited TiOx films and those annealed at 350 °C are all amorphous because of no distinct diffraction peak. The minimum thermal annealing temperature necessary to stimulate the crystallization of film is between 350 °C and 550°C.

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

Đồng bộ tài khoản