TP CHÍ KHOA HC VÀ CÔNG NGH, Trường Đại hc Khoa học, ĐH Huế
S chuyên san Vt lý Tp 27, S 1C (2024)
29
TNG HP QUY TRÌNH CH TO CHIP QUANG
NG DNG CH TO THIT B CHUYỂN ĐI VÀ GHÉP MODE
CHO H THNG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO MODE
H Đức Tâm Linh*, Nguyn Tun Vinh, Nguyn Hoàng Huy,
Đặng Ngọc Sơn, Trn Th Thu Hin, Vương Quang Phước
Trường Đại hc Khoa học, Đại hc Huế
*Email: hdtlinh@hueuni.edu.vn
Ngày nhn bài: 5/10/2024; ngày hoàn thành phn bin: 8/10/2024; ngày duyệt đăng: 01/11/2024
TÓM TT
Trong bài báo này, chúng tôi tng hp quy trình thiết kế và chế to mt chip quang
t ớc cơ bản nhất là ý tưởng thiết kế đến bước cuối cùngđo kiểm sn phm. T
đó, chúng tôi ng dụng quy trình này để chế to mt b chuyển đổi ghép bn
mode cho h thng ghép kênh phân chia theo mode.
T khoá: Chip quang, chuyển đổi mode, ghép mode, MDM.
1. M ĐẦU
Chip quang được chế to trên nn vt liệu silicon được xem là hướng nghiên cu
tương lai của công ngh tốc độ cao. Chip quang cung cp nhiu li thế hơn so với chip
đin t thông thường bi những ưu điểm vượt trội như tốc độ cao hơn, băng thông lớn
hơn và suy hao năng lượng thấp hơn [1-2]. Công ngh tiên tiến này đang thúc đẩy lĩnh
vc công ngh khoa học vượt qua nhng gii hn thời đại điện t đang tồn ti.
Tuy nhiên, để chip quang phát trin rc r như chip điện t thì cn phi có thi gian và
cần được đầu tư nghiên cứu, ci tiến nhiều, đặc bit là ci tiến công ngh chế to. Hin
ti, do tính bo mật cao và đang giai đoạn đầu ca vic phát trin và nghiên cu nên
trên thế giới chưa có mt quy trình chun chung cho s chế to chip quang này. Nhiu
lĩnh vực quan trọng đang ng dng các công ngh chế tạo chip quang như y tế, vin
thông, quc phòng, truyn thông d liu, cm biến và d liệu điện toán đám mây. Một
công ngh rt ni bật, đang được các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực truyn thông d
liu chú ý đến, đó công nghệ ghép kênh phân chia theo mode (MDM) [3-4]. Công ngh
ghép kênh này được các nhà khoa học đặc bit chú ý, bi vì công ngh này cung cp mt
cách tiếp cn mi cho phép ghép đưc nhiều kênh hơn và có khả năng nâng cao các liên
kết trong cùng một bước sóng mang đơn [5-6]. Trong h thng MDM, mi tín hiệu được
điu chế trên mt mode quang trực giao khác nhau được dn trong cùng mt ng
Tng hp quy trình chế to chip quang và ng dng chế to thiết b chuyển đổi và ghép mode
30
dẫn sóng đa mode. Theo đó, số ng kênh tín hiu ghép trên cùng một đường truyn
s tăng lên nếu s ng các bc mode trực giao khác nhau tăng lên. Ngoài ra, theo dự
đoán của các nhà nghiên cu, vic áp dng công ngh ghép kênh phân chia theo mode
vào trong mạng ghép kênh phân chia theo bưc sóng (WDM) s h tr rt tích cực để
tăng dung lượng cho h thng [7]. S kết hp này s m ra một hướng phát trin rc r
cho mạng thông tin quang trên chip trong tương lai gần. Tuy nhiên, s tham gia ca các
mode bc cao trong các h thng MDM to ra mt s thách thc ln khi x các tín
hiệu đa mode này.
Trong bài báo này, chúng tôi s trình bày mt quy trình t thiết kế cho đến chế
to ra mt chip quang ng dụng quy trình này đ ớc đầu chế to ra mt mch tích
hp quang t quan trng trong mạng ghép kênh phân chia theo mode, đó b ghép
kênh và chuyển đổi mode. Chúng tôi không phân tích chi tiết các thông s ca thiết b,
chúng tôi ch tp trung vào hiu sut chuyển đổi quang ca thiết b chuyển đổi và ghép
kênh bn mode TE0, TE1, TE2 và TE3 ng vi quy trình thiết kế chế to mà chúng tôi
tng hp.
2. QUY TRÌNH THIT K VÀ CH TO CHIP QUANG
Để to ra mt chip quang có th hoạt động tốt đúng với yêu cầu đt ra thì vic
tuân th mt quy trình thiết kế và chế to là rt quan trọng. Điều quan trọng hơn là quy
trình này phải đảm bo cho quá trình chế to s ng ln với độ ổn định và chính xác
cao. Quy trình thiết kế chế to ra mt con chip quang t đưc gi dòng thiết kế.
Hiu mt cách nôm na dòng thiết kế là quá trình biến ý tưởng ban đầu thành mt chip
kh năng hoạt động tt. Hình 1 minh ha mt dòng thiết kế chuẩn đang được s dng
của đại đa số các hãng làm vic trong lĩnh vực thc thi chip quang t [8-10].
TP CHÍ KHOA HC VÀ CÔNG NGH, Trường Đại hc Khoa học, ĐH Huế
S chuyên san Vt lý Tp 27, S 1C (2024)
31
Hình 1. Dòng thiết kế ca mt chip quang t.
2.1. ớc 1: Ý tưởng thiết kế
Bắt đầu mt dòng thiết kế ý tưởng thiết kế. Một ý tưởng thiết kế tt phi tr
lời được các câu hỏi như: Thiết b làm ra thc hin chức năng gì? Nguyên tắc hot
động ca thiết b này như thế nào? Thiết b này hoạt động tt cn phải đạt các tiêu chí
? Thiết b s đưc s dng đâu và như thế nào? Tất nhiên để được những ý tưởng
hay, độc đáo hay thực dụng thì người nghiên cu phải căn cứ vào nhu cu thc tế, tìm
đọc tài liu, kh năng tổng hp, so sánh vi các công trình nghiên cứu khác, đồng thi
phi hi thêm các ý kiến chuyên gia, những người kinh nghiệm trong lĩnh vực
mình d định tiến hành thc hin.
Chúng ta biết rng h thng ghép kênh phân chia theo mode s làm vic vi các
mode quang có bậc khác nhau, do đó sẽ cn các b phát đa mode: TE0, TE1, TE2, TE3
….. Tuy nhiên, trên thực tế, các laser phát tín hiu thì ch phát ổn định vi các tín hiu
mode bc thp TE0. T nhu cu cp thiết đó, các nhà nghiên cứu phi to ra mt thiết b
th chuyển đổi mode quang bc thp TE0 thành các mode quang bậc cao hơn (TE1,
TE2, TE3 …). Ngoài ra, đ các tín hiu này ghép kênh và phát vào h thng cùng lúc thì
cn phi có mt thiết b ghép kênh các mode bậc cao đó lại trong cùng mt thiết b. Qua
quá trình kho sát, chúng tôi nhn thy k thut ghép định hướng là phù hp cho yêu
cu này. Khi hai ng dn sóng với độ rng phù hp và khong cách đặt thích hp thì có
kh năng ghép định hướng và chuyển đổi mode t ng dn sóng này sang ng dn sóng
khác. Hình 2 là ý tưởng ban đầu v thiết kế mt b ghép mode và chuyển đổi mode t
các mode quang bc thp (TE0) thành các mode quang bậc cao hơn (TE1, TE2). Theo
thuyết của ghép định hướng, vic ghép và chuyển đổi tín hiu mode quang t ng dn
sóng này sang ng dn khác ph thuc vào mt lot các tham s như: chiết sut ca vt
Tng hp quy trình chế to chip quang và ng dng chế to thiết b chuyển đổi và ghép mode
32
liu ng dẫn sóng, độ rng hai ng dn sóng (w, W1, W2) và c khong cách gia hai ng
dn sóng (G1, G2). Do đó, vic tính toán phng chi tiết để chuyển đổi đúng bậc
mode như yêu cầu là rt cn thiết.
Hình 2. Mô hình chuyn đổi và ghép kênh mode bc cao t các b ghép định hướng
2.2. Bước 2 và 3: Thiết kế và mô phng
Tiến trình tiếp theo ca lung thiết kế th hin thiết kế và mô phỏng. Đối vi
các mạch kích thước nhỏ, thường đơn thành phần hoc rt ít các thành phn kết
ni li vi nhau thì vic s dng phỏng trường điện t phù hp [11-13]. Các
phỏng này thường chính xác trên các cu trúc hình hc thc tế, nhưng chi phí tính toán
(thi giantiêu th b nh) s tăng lên khá lớn nếu như kích thước mạch tăng lên. Mô
phỏng trường điện ty s không thc tế và có th là bt kh thi nếu mch ca chúng
ta quá ln vi quá nhiu thành phn kết hp li.
Để gii quyết vic phng các mạch kích thước ln này, người ta thường
chia mch thành các thành phn nh, mi thành phn mt hình hành vi (chc
năng) khác nhau. Các thành phn này th đưc tái s dng trong cùng mt mch
hoc s dng các mch khác. Do vy, mô phng toàn b mch chính là s kết hp các
mô hình hành vi đơn giản để to nên mt mô hình hành vi phc tp ca mch.
Tại bước 2, chúng tôi đã mô phỏng và tối ưu thiết kế b chuyển đổi và ghép bn
mode TE0, TE1, TE2 và TE3 trong cùng mt cu trúc thiết b. Trong phn này, chúng tôi
không đi chi tiết cách tính toán tối ưu để đạt được s chuyển đổi ghép mode.
Chúng tôi ch ra rng, vic s dng k thuật ghép định hướng là hoàn toàn kh thi để
chuyển đổi và ghép mode. Hình 3 là hình nh mô phng thành công trường điện được
phát t các nhánh khác nhau ca thiết b.
TP CHÍ KHOA HC VÀ CÔNG NGH, Trường Đại hc Khoa học, ĐH Huế
S chuyên san Vt lý Tp 27, S 1C (2024)
33
Hình 3. Mô phng b ghép kênh và chuyển đổi bn mode (a) Mode TE0 ->TE0, (b) TE0 ->TE1,
(c) TE0 -> TE2, (d) TE0 ->TE3
Hình ảnh trường điện trong Hình 3 ch cho ta thy kh năng chuyển đổi thành
công t các mode bc thp TE0 thành các mode bc cao (TE1, TE2, TE3). Kết qu
phỏng này không đánh giá được hiu sut chuyển đổi quang t mode TE0 đến các mode
bc cao là bao nhiêu phần trăm, hay suy hao quang là bao nhiêu. Hình 4 là kết qu ca
vic s dụng phương pháp đánh giá số để đánh giá hiệu qu chuyển đổi quang ca thiết
b trong khoảng bước sóng dài 60 nm (t ớc sóng 1,52 µm đến 1,58 µm). Kết qu ch
ra rng, suy hao khi chuyển đổi tín hiu TE0 đầu vào đến các mode quang bc cao
đầu ra đồng đều và rt thp. Suy hao này luôn nm trong khoảng 2,3 dB đến 0,1 dB
cho bốn trường hp chuyển đổi và ghép mode.