ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC

Chia sẻ: Thanh Tuấn | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Thêm vào BST

Báo xấu

647
lượt xem 80
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

TÀI LIỆU THAM KHẢO ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC

Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1. Tụ điện bypass emitter : H.1_1 Vcc Rc Cc2 ->oo Cc1->oo R Rb L i r i Re i + C Vbb E ie ic > < Rb ---- R 1+hfe L Re Rc ' Ce i ie i hib Rb Rb + hib (1) => ii'= (2) (khi không có ri) Đặt Rb'= Rb 1 + hfe + hib 1 + hfe Rb // ri r // Rb + hib (1') => ii'= Rb'= i (2' ) (khi có ri) Rb // ri 1 + hfe + hib 1 + hfe Đặc biệt khi có Re1,Re2 như hình vẽ: ri // Rb + hib + RE1 (1* ) ta sẽ có Rb'= (có ri,có RE1) R E1 1 + hfe Rb // ri ( 2* ) ii'= ( có ri,có RE1) R C Rb // ri E2 E + hib + RE1 1 + hfe s + ω1 Dạng hàm truyền tổng quát : Ai=Aim (3) s + ω2 1
Rb Rb (4) Aim=- =- (không có ri,không có RL) Rb Rb ' + hib 1 + hfe R // r Rb // ri Aim=- b i = − (4' ) (có ri, không có RL) Rb // ri Rb ' + hib 1 + hfe R // r Rb // ri Aim=- b i = − (4" ) (có ri, có RE1, không có RL) Rb // ri Rb ' + hib + RE1 1 + hfe Rb // ri RC RC Rb // ri (4• ) =− Aim=- o o RC + RL Rb // ri RC + RL Rb ' + hib + RE1 1 + hfe (có ri, có RE1 và có cả RL) Ai 1 ω1 = (5) RE C E 1 ω2 = ωL = ( 6) Aim C E ( RE // R 'b ) Aio ω (rad / s ) ( R'b thay đổi như trên) ω1 Aio=Aim (7 ) ω2 = ωL ω1 ω2 2. Tụ ghép Cc1 : H 1-7 Vcc Rc Cc2 ->o o Cc1 iL R Rb L i r i Re i + Vbb 2
Cc1 hie ib ic < i L Rc R (1+hfe)R r L i Rb h ib i i e fb Đặt R'b=Rb//[hie+(1+hfe)RE] (1) ( không có tụ CE) (1') (có tụ CE-> ∞ hoặc RE = 0 ) R'b=Rb//hie s (2) Dạng hàm tryền cơ bản : Ai=Aim s + ωL ri // R'b Aim=- (3) ( không có tụ CE, không có RL) hib + RE r // R'b Aim=- i (3') ( có tụ CE, hoặc RE=0) hib Ai RC ri // R'b • Aim=- (3") RC + RL hib + RE Aim ( không có tụ CE, có RL) 1 ωL = (4) 0 ωL (ri + R'b ) ω (rad / s ) 3. Các tụ ghép cực nền (Cc1) và tụ ghép collector (Cc2) : Vcc Rc Cc2 i Cc1 >L Rb R L i r i Re i + Vbb 3
Cc1 Cc2 ic hie ib > il iL Rc (1+hfe) R r i Rb L h i i ib Re fe Hàm truyền cơ bản : s s Ai ⋅ Ai=Aim (1) s + ω1 s + ω 2 A im RC ri // R'b Aim=- (2) o ω ωL 0 RC + RL hib + RE 1 1 ω1 = (3) & ω 2 = (4) (ri + R'b )Cc1 ( RC + RL )Cc 2 Trường hợp ω o = ω1 = ω 2 khi đó : Ai s2 Aim Ai=Aim (5); (s + ω o ) 2 ω L = 1,55ω O (6) ω ω ω ω 0 1 2 L Trường hợp ω1 ≠ ω 2 : ω14 + 6ω12ω 2 + ω 2 ω12 + ω 2 2 4 2 ωL = + 2 (7) 2 2 4. Ảnh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass : Vcc 1 Rc B1 : f L = f LCE Cc2 2Π (ri + R'b )C E i >L Cc1 tính CE R Rb L 1 i r B2 : f LCc1 = f LCv 2 = i fL Re i + Ce Vbb 10 CE 1 f LCc1 = B3 : Tính Cc2 và Cc1 theo: (3) 2Π (ri + R 'b )Cc1 4
1 Aim f LCc 2 = (4) 2Π (ri + R'b )Cc 2 ω ωL 0 II. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET : 1. Tụ bypass cực nguồn : VDD Cs /( μ + 1) μV ' i VL Rd Cc2 ->oo rds Cc1 ->oo ri ( μ + 1) Rs - R + R L Rd Rg l Vi Rs + Cs - μ = g m rds (1) Rg V 'i = vi ≈ vi (2) vì Rg >>ri Rg + ri s + ω1 VL ' Av = = Avm (3) Avm=-gmR// (4) s + ω2 V 'i 1 R//=rds//Rd//RL (5) ; ω1 = (6) A V Rs C s A Vm ω ω1 ω 2 = ω L 0 1 ω2 = ωL = (7) rds + ( Rd // RL ) C s Rs [ ] ( μ + 1) Rs + rds + ( Rd // RL ) s + ω1 Avo=Avm (8) s + ω2 5
2. Tụ ghép cực máng : Rg VDD Vi ≈ Vi (1) V'I= ri + Rg Rd Cc2 i Hàm truyền cơ bản : >L + ->oo Cc1 ri + s Av=Avm (2) R s +ϖ L + L Rg Vi Rs Cs ->oo - Avm=-gmR// (3) 1 ϖL = (4) Cc2 [ RL + (rds + Rd )] ri Av V Vgs L + gmVgs Rg RL Avm Rd rds Vi - ω ωL 3. Tụ ghép cực cổng : VDD Rd ->o i o Cc2 >L + Cc1 ri + R + L Rg Vi Rs ->oo - Cs ri iL Cc1 + > Vgs g Vgs + m Rg RL rds Rd Vi - s Av=Avm (1) s +ϖ L Avm=-gmR// (2); R//=rds//Rd//RL (3) Avm 1 ϖL = (4) Cc1 (ri + Rg ) Vì Rg thường rất lớn nên ϖ L rất nhỏ. Đối với FET méo tần số thấp chủ yếu do Cs gây ra. 6