Giáo trình Linh Kin Đin T
- Khi chưa áp VEE vào cc phát E (cc phát E để h) thi bán dn là mt đin tr
vi ngun đin thế VBB, được ký hiu RBB và gi là đin tr liên nn (thường có tr s t
4 K K). T mô hình tương đương ta th y Diod được dùng để din t ni P-N
gia vùng P và vùng n-. Đin tr RB1 và RB2 din t đin tr ca thi bán dn n-. Như vy:
đến 10
0I
2B1BBB E
RRR =
+=
đin thế ti đim A là: Vy
0 .V BB >η=
+
=
AR
R
VBB
2B1B
1B V
R
Trong đó: 1B1B RR ==η được gi là t s ni ti (intrinsic stan
BB2B1B
à η được cho bi nhà sn xut.
RRR +d – off)
RBB v
mass), vì VAđin thế dương nên Diod được phân
cc nghch và ta ch có mt dòng đin r nh chy ra t cc phát. tăng VEE ln dn, dòng
đin theo chiu dương (d
dương dn). Khi VE có tr s
V=V +V
n và bt đầu dn
đin mnh.
in thế VE=0,5V + η VB2B1=VP được gi là đin thế đỉnh (peak-point voltage) ca
UJT.
đin tr
âm
- Bây gi, ta cp ngun VEE vào cc phát và nn B1 (cc dương ni v cc phát).
Khi VEE=0V (ni cc phát E xung
IE bt đầu tăng òng r ngược IE gim dn, và trit tiêu, sau đó
E D A
VE=0,5V + η VB2B1 ( đây VB2B1 = VBB) thì Diod phân cc thu
Đ
Vùng
VE
0
V
IE
V
P
V IP IV
0
lũng
Đỉnh
Thung
VE
VP
IE
IV
0
VV
Hình 26
Trang 141 Biên son: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com
Giáo trình Linh Kin Đin T
Khi VE=VP, ni P-N phân cc thun, l trng t vùng phát khuếch tán vào vùng n-
và di chuyn đến vùng nn B1, lúc đó l trng cũng hút các đin t t mass lên. Vì độ dn
đin ca cht bán dn là mt hàm s ca mt độ đin t di động nên đin tr RB1 gim.
Kết qu là lúc đó dòng IE tăng và đin thế VE gim. Ta có mt vùng đin tr âm.
Đin tr động nhìn t cc phát E trong vùng đin tr âm là:
E
E
dI
V
r
=
Khi IE tăng, RB1 gim trong lúc RB2 ít b nh hưởng nên đin tr liên nn RBB gim.
Khi IE đủ ln, đin tr liên nn RBB ch yếu là RB2. Kết thúc vùng đin tr âm là vùng
thung lũng, lúc đó dòng IE đủ ln và RB1 quá nh không gim na (chú ý là dòng ra cc
nn B1) gm có dòng đin liên nnB cng vi dòng phát IE ) nên VE không gim mà bt
đầu tăng khi I tăng. Vùng này được gi là vùng bo hòa.
Pa cc phát E để t UJT hot động trong vùng
đin tr âm. Dòng đin thung lũng IV là dòng đin ti đa ca IE trong vùng đin tr âm.
P V
EB1 đin tr âm.
i ta cho UJT hot động trong vùng đin tr âm,
mun
Q
B2
I
E
Như vây ta nhn thy:
- Dòng đỉnh I là dòng ti thiu c đặ
- Tương t, đin thế đỉnh V đin thế thung lũng V đin thế ti đa và ti thiu
ca V đặt UJT trong vùng
Trong các ng dng ca UJT, ngườ
vy, ta phi xác định đin tr RE để IP<IE<IV
Thí d trong mch sau đây, ta xác định tr s ti đa và ti thiu ca RE
EB1
BB
+V
B1
R
+
-
V
VEB1
IE
0
VEB1
IE
0 IP IV
VV
VP
VBB > VP
Emax
REmin
Hình 27
R
Trang 142 Biên son: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com
Giáo trình Linh Kin Đin T
Ta có:
P
PBB
P
PBB
maxE I
VV
I0
VV
I
V
R
=
=
=
V
VBBVBB
minE I
V
IV0
VV
I
V
RV
=
=
=
Như vy:
P
PBB
E
V
VBB
I
VV
R
I
VV
2. Các thông s k thut ca UJT và vn đề n định nhit cho đỉnh:
Sau đây là các thông s ca UJT:
- Đin tr liên nn RBB: là đin tr gia hai cc nên khi cc phát để h. RBB tăng khi
nhit độ tăng theo h s 0,8%/1oC
- T s ni ti:
BB
1B
2B1B
1B
R
R
RR
R=
+
=η T s này cũng được định nghĩa khi cc phát E
để h.
in thế đỉnh VP và dòng đin đỉnh IP. VP gim khi nhit độ tăng vì đin thế
ngưỡng ca ni PN gim khi nhit độ tăng. Dòng I gim khi V tăng.
- Đin thế thung lũng V và dòng đin thung lũng I . C V và I đều tăng khi VBB
hơn và VBB 10V. Tr s thông thường ca VEsat là 4 volt (ln
hơn nhiu so vi diod thường).
n định nhit cho đỉnh: Đin thế đỉnh VP là thông s quan trng nht ca UJT. Như
đã thy, s thay đổi ca đi đỉnh VP ch yếu là do đin thế ngưỡng ca ni PN vì t
s η thay i không đáng k
Người ta n định nhit cho VP bh thêm mt đin tr nh R2 (thường khong
vài trăm ohm) gia nn B2 và ngun VBB. Ngoài ra người ta cũng mc mt đin tr nh
R1 cũng k ng vài trăm oh cc nn B1 để ly tín hiu ra.
- Đ
PBB
V V V V
tăng.
- Đin thế cc phát bo hòa VEsat: là hiu đin thế gia cc phát E và cc nn B1
được đo IE=10mA hay
n thế
đổ .
ng các
ho m
Trang 143 Biên son: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com
Giáo trình Linh Kin Đin T
Khi nhit độ tăng, đin tr liên nn RBB tăng nên đin thế liên nn VB2B
o cho s tăng ca V 1 tăng. Chn
R2 sa B2 N. Tr ca R2
được
B1 bù tr s gim ca đin thế ngưỡng ca ni P
chn gn đúng theo công thc:
BB
BB
2V
R)040(
R
8,,
η
Ngoài ra R2 còn ph thuc vào cu to ca UJT. Tr chn theo thc nghim khong
vài tr
3. ng dng đơn gin ca UJT:
ch dao động thư giãn (relaxation oscillator)
gười ta thường dùng UJT làm thành mt mch dao động to xung. Dng mch và
tr s các linh kin đin hình như sau:
BB
ăm ohm.
M
N
B2
R1
V
B1
R2
E
Hình 28
BB
330
V
B2
C1 .1
R1
E
R2
B1
V
V
R10K
+12V
E
22
VE
t
VC1
0
C1 np C1 xã (rt nhanh)
VB2
VB1
VE
t
t
t
VP
VV
Hình 29
= VP
Trang 144 Biên son: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com
Giáo trình Linh Kin Đin T
Khi cp đin, t C1 bt đầu np đin qua đin tr RE. (Diod phát-nn 1 b phân cc
nghch, dòng đin phát I xp x bng không). Đin thế hai đầu t tăng dn, khi đến đin
thế đ
V. Đến đây UJT bt đầu ngưng
và chu k mi lp li.
* Dùng UJT to xung kích cho SCR
- Bán k dương nếu có xung đưa vào cc cng thì SCR dn đin. Bán k âm SCR
ngưng.
- Điu chnh góc dn ca SCR bng cách thay đổi tn s dao động ca UJT.
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).
Như tên gi, PUT ging như mt UJT có đặc tính thay đổi được. Tuy vy v cu
to, PUT khác hn UJT
E
nh VP, UJT bt đều dn đin. T C1 phóng nhanh qua UJT và đin tr R1. Đin thế
hai đầu t (tc VE) gim nhanh đến đin thế thung lũng V
z
330
B1
470uF
110V/50Hz
SCR
100K
20K
+
F1
FUSE
V=20V
.1
47
5,6K
UJT B2
-E
Hình 30
220V/50Hz
Ti
N
N
Anod
A
K
Catod
P
P
G
Cng
G
Cng
Anod
A
K
Catod
Cu to Ký hiu Phân cc
R
B2
GK
R
A
V
I
AK
V
A
AA
R
K
V
B1
Hình 31
Trang 145 Biên son: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com