BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH
PHẠM THỊ MAI
ỨNG DỤNG PHƯƠNG PHÁP HỦY
PÔ-SI-TRÔN ĐỂ NGHIÊN CỨU ẢNH
HƯỞNG CỦA SẮT TRONG CẤU TRÚC
MỘT VÀI VẬT LIỆU ZÊ-Ô-LIT
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ
Thành phố Hồ Chí Minh - 2012
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH
PHẠM THỊ MAI
ỨNG DỤNG PHƯƠNG PHÁP HỦY
PÔ-SI-TRÔN ĐỂ NGHIÊN CỨU ẢNH
HƯỞNG CỦA SẮT TRONG CẤU TRÚC
MỘT VÀI VẬT LIỆU ZÊ-Ô-LIT
Chuyên ngành: Vật lí hạt nhân-nguyên tử-năng lượng cao Mã số: 60 44 05
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:
TS. TRẦN QUỐC DŨNG
Thành phố Hồ Chí Minh - 2012
LỜI CẢM ƠN
Trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu luận văn, tôi đã nhận được sự
quan tâm, chỉ bảo tận tình với tinh thần khoa học và trách nhiệm cao của các
Thầy, Cô. Nhân đây, cho phép tôi được bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến:
• TS. Trần Quốc Dũng, người thầy đã giảng dạy, định hướng đề tài
luận văn, tận tình hướng dẫn trong nghiên cứu khoa học.
• TSKH. Lê Văn Hoàng đã đọc và góp ý cho bài báo khoa học.
• Các Thầy, Cô trong hội đồng phản biện và báo cáo đã dành thời
gian đọc, và cho ý kiến đóng góp quý báu về luận văn.
• Các thầy, cô trong khoa vật lí, trường Đại học Sư phạm Thành phố
Hồ Chí Minh và đặc biệt là các thầy cô đã trực tiếp dạy dỗ và giúp đỡ
tôi trong suốt thời gian học tập.
• Các chuyên viên của phòng đào tạo sau Đại Học, trường ĐHSP
TP. HCM đã tạo mọi điều kiện tốt nhất cho tôi được học tập, nghiên
cứu và báo cáo luận văn.
Xin cảm ơn Bố, Mẹ, hai anh và bạn bè đã luôn là nguồn động viên, cỗ
vũ tinh thần, giúp tôi hoàn thành luận văn.
TP. Hồ Chí Minh - 2012
MỤC LỤC
LỜI CẢM ƠN ...................................................................................................... 2
MỤC LỤC ............................................................................................................ 3
DANH MỤC BẢNG ............................................................................................ 5
DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ ...................................................................... 6
MỞ ĐẦU .............................................................................................................. 8
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZÊ-Ô-LIT .............................. 17
1.1. Thành phần hóa học, đặc tính và cấu trúc zê-ô-lit ................................................. 17
1.1.1. Thành phần hóa học và đặc tính ..................................................................... 17
1.1.2. Cấu trúc khung của zê-ô-lit ............................................................................ 19
1.2. Phân loại zê-ô-lit. ................................................................................................... 23
1.2.1. Phân loại theo nguồn gốc ............................................................................... 23
1.2.2. Phân loại theo kích thước lỗ rỗng .................................................................. 23
1.2.3. Phân loại theo chiều trong không gian của các lỗ bên trong cấu trúc ............ 24
1.2.4. Phân loại theo thành phần hóa học ................................................................. 25
1.3. Tính chất cơ bản của zê-ô-lit và một số ứng dụng ................................................ 26
1.3.1. Tính chất trao đổi ca-ti-ôn .............................................................................. 26
1.3.2. Tính hấp phụ có chọn lọc nước và các chất phân cực .................................... 27
1.3.3. Tính a-xit bề mặt, hoạt tính xúc tác................................................................ 28
1.3.4. Tính chất chọn lọc hình dạng ......................................................................... 31
1.4. Tổng hợp zê-ô-lit ................................................................................................... 32
CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ PHƯƠNG PHÁP HỦY PÔ-SI-TRÔN .... 34
2.1. Sự tạo thành và sự hủy pô-si-trôn .......................................................................... 34
2.1.1. Pô-si-trôn, hạt phản vật chất ........................................................................... 34
2.1.2. Các nguồn pô-si-trôn ...................................................................................... 35
2.1.3. Tương tác của pô-si-trôn với vật chất, sự hủy pô-si-trôn ............................... 38
2.2. Lí thuyết về phương pháp hủy pô-si-trôn .............................................................. 50
2.2.1. Phương pháp đo thời gian sống ...................................................................... 52
2.2.2. Đo độ dãn nở Đôp-le ...................................................................................... 57
2.3. Giới thiệu về phần mềm phân tích phổ LT ............................................................ 61
2.3.1. Giới thiệu chung ............................................................................................. 61
2.3.2. Định nghĩa các số hạng chính được sử dụng trong LT .................................. 63
2.3.3. Mô hình lí thuyết ............................................................................................ 64
CHƯƠNG 3 : Ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu ảnh
hưởng của sắt trong cấu trúc vật liệu SBA-15 ............................................... 68
3.1. Đối tượng nghiên cứu ............................................................................................ 68
3.1.1. Khái quát về vật liệu SBA-15 và Fe-SBA-15 ................................................ 68
3.1.2. Sự hủy pô-si-trôn trong vật liệu xốp trung bình SBA-15 .............................. 70
3.1.3. Tổng hợp zê-ô-lit SBA và Fe-SBA-15 ........................................................... 71
3.2. Hệ đo ...................................................................................................................... 72
3.3. Kết quả đo và thảo luận ......................................................................................... 72
3.3.1. Thời gian sống của pô-si-trôn trong hai mẫu đo ............................................ 73
3.3.2. Độ dãn nở Đôp-le trong hai mẫu đo ............................................................... 75
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ .......................................................................... 78
TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................ 79
DANH MỤC BẢNG
Bảng 1.1: Phân loại zê-ô-lit theo kích thước lỗ rỗng................................................ 24
Bảng 2.1: Một số nguồn pô-si-trôn và cách tạo nguồn ........................................... 36
Bảng 3.1: Các giá trị thành phần thời gian sống và cường độ tương ứng ...............73
iR tương ứng thời gian sống iτ ............................ 75
Bảng 3.2: Các giá trị bán kính lỗ
Bảng 3.3: Các tham số để đánh giá độ dãn nở Đôp-le ............................................. 77
DANH MỤC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Hình 1.1: Đơn vị cấu trúc sơ cấp .............................................................................. 19
Hình 1.2: Đơn vị cấu trúc thứ cấp SBU ................................................................... 19
Hình 1.3: Cấu trúc sô-đa-lit ...................................................................................... 20
Hình 1.4: Mô hình zê-ô-lit A và X. .......................................................................... 20 Hình 1.5: Vị trí EFW của ca-ti-ôn Al3+ (EFAl) ........................................................ 21
Hình 1.6: Ba vị trí EFW (I, II, III) trong cấu trúc khung của zê-ô-lit loại X. .......... 22
Hình 1.7: Các vị trí EFW trong cấu trúc zê-ô-lit Da-chi-a-đit ................................ 22
Hình 1.8: Ba kiểu phân bố trong không gian của lỗ rỗng ........................................ 24
Hình 1.9: Mô hình zê-ô-lit hấp phụ chất phân cực. .................................................. 28 Hình 1.10: Quá trình trao đổi ca-ti-ôn Na+ lấy ca-ti-ôn H+ ...................................... 29
Hình 1.11: Tâm a-xit Brôn-tet của zê-ô-lit ............................................................... 29
Hình 1.12: Quá trình de-hy-đrô-xin chuyển tâm a-xit Brôn-tet thành a-xit Lê-it. .. 30 Hình 2.1: Sơ đồ phân rã của đồng vị phóng xạ 22Na ……………...........................36
Hình 2.2: Nguyên lí của sự mở kênh trong tinh thể ………………………………40
Hình 2.3: Các quá trình tương tác của pô-si-trôn trong tinh thể .............................. 42
Hình 2.4: Giản đồ phương bay ra của hai phô-tôn hủy ............................................ 46
Hình 2.5: Tổng hợp các cơ chế hủy pô-si-trôn trong vật rắn ................................... 50
Hình 2.6: Tổng hợp các phương pháp hủy pô-si-trôn cơ bản .................................. 51
Hình 2.7: Sơ đồ hệ đo thời gian sống của pô-si-tron ................................................ 53
Hình 2.8: Sơ đồ bằng chữ của hệ đo thời gian sống của pô-si-trôn ......................... 54
Hình 2.9: Sơ đồ hệ đo độ dãn nở Đôp-le .................................................................. 57
Hình 2.10: Sơ đồ trùng phùng để đo phổ giãn nở Đôp-le có giảm phông ............... 58
Hình 2.11: Phổ trùng phùng Đôp-le của Ga As – Zn.. ............................................. 59
Hình 2.12: Cách xác định diện tích vùng Np và Nw dưới đường cong phổ ............ 60
Hình 2.13: Giao diện phần mềm LT v9 .................................................................... 62
Hình 3.1: Mô hình mao quản lục lăng của SBA-15 ................................................. 69
Hình 3.2: Mô hình sự kết nối các kênh mao quản của SBA-15 ............................... 69
Hình 3.3: Phổ thời gian sống của mẫu SBA-15 ....................................................... 73
Hình 3.4: Phổ thời gian sống của mẫu Fe-SBA-15 .................................................. 73
Hình 3.5: Giao diện phần mềm xử lí số liệu Sigmaplot và các tham số đánh giá độ
dãn nở Đôp-le trong mẫu SBA-15 ............................................................................ 76
Hình 3.6: Giao diện phần mềm xử lí số liệu Sigmaplot và các tham số đánh giá độ dãn
nở Đôp-le trong mẫu Fe-SBA-15 ............................................................................. 77
MỞ ĐẦU
Pô-si-trôn - phản hạt của ê-lec-trôn, được tiên đoán bởi Đi-rắc (Dirac) vào năm
1928 và bị phát hiện trong các tia vũ trụ bởi An-đê-sân (Anderson) vào năm 1932, là
phản hạt đầu tiên được khẳng định trong thế giới hạt vi mô. Từ đó đến nay, các lí
thuyết và thực nghiệm về pô-si-trôn cũng như ứng dụng của kĩ thuật pô-si-trôn trong
nhiều lĩnh vực khác nhau đã phát triển mạnh mẽ. Sự hủy của pô-si-trôn với ê-lec-trôn
trong môi trường vật chất bắt đầu được nghiên cứu từ những năm bốn mươi của thế kỉ
hai mươi. Người ta sớm nhận ra rằng sự bảo toàn năng lượng và động lượng của cặp
hủy trong suốt quá trình hủy rất hữu hiệu trong nghiên cứu đặc tính lí-hóa của vật
chất. Phương pháp phổ kế hủy pô-si-trôn để nghiên cứu sự phân bố của ê-lec-trôn
trong kim loại và hợp kim đã sớm được thực hiện bởi Be-rin-gơ (Behringer) và Môn-
gô-me-ry (Montgomery) (1942); Bê-nê-det-ti (Benedetti) (1950) và được tổng hợp bởi
Quét (West R. N.) [53]. Những kĩ thuật thực nghiệm khác nhau về sự hủy pô-si-trôn
nhờ hệ phổ kế đã phát triển mạnh mẽ trong hai thập niên sau năm 1945. Phép đo góc
tương quan của các gam-ma hủy, phép đo độ dãn nở Đôp-le (Doppler) của đường hủy,
phép đo thời gian sống của pô-si-trôn đã được thiết lập một cách độc lập. Vào cuối
những năm 1960, người ta nhận ra rằng các tham số hủy pô-si-trôn không chỉ rất nhạy
với mật độ ê-lec-trôn mà còn với cả mật độ các khuyết tật trong mạng tinh thể không
hoàn hảo. Các pô-si-trôn có thể bị bẫy trong các khuyết tật này và bị hủy bên trong đó.
Nghiên cứu các khuyết tật tinh thể đã trở thành vấn đề được quan tâm nhiều nhất trong
các lĩnh vực sử dụng phương pháp hủy pô-si-trôn. Đến giữa những năm 1980, nghiên
cứu khuyết tật được tiến hành chủ yếu trong kim loại và hợp kim. Thời gian gần đây,
phương pháp hủy pô-si-trôn được áp dụng chủ yếu để nghiên cứu khuyết tật trong chất
bán dẫn, dưới dạng đơn chất hoặc hợp chất.
Cùng với sự phát triển của khoa học kỹ thuật, các kỹ thuật pô-si-trôn ngày càng
được cải tiến và hoàn thiện hơn, chẳng hạn sự kết hợp hai phương pháp đo phổ thời
gian sống và dãn nở Đôp-le hình thành phương pháp mới, đó là phương pháp tương
quan thời gian - động lượng; phát triển phép đo xác suất hủy ba gam-ma. Bên cạnh đó,
người ta còn khám phá thêm nhiều phương pháp mới xây dựng một cái nhìn toàn diện
hơn về các kỹ thuật pô-si-trôn như: kỹ thuật kính hiển vi và máy dò pô-si-trôn;
phương pháp bức xạ hủy pô-si-trôn tạo phổ ê-lec-trôn Au-gơ (Auger); và phương
pháp nhiễu xạ pô-si-trôn năng lượng thấp.
Sự phát triển rộng khắp trên toàn thế giới của các kỹ thuật hủy pô-si-trôn thể
hiện rõ qua các hội nghị quốc tế về bức xạ hủy pô-si-trôn ICPA (International
conference on positron annihilation), hội nghị quốc tế về tán xạ của pô-si-trôn trong
các chất khí (International worshops on positron collisions in gases), hội nghị quốc tế
về các kỹ thuật làm chậm pô-si-trôn SLOPOS (International conferences on slow
positron – beam techniques), hội nghị quốc tế về hóa học pô-si-trô-ni-um và pô-si-trôn
(International worshops on positron and positronium chemistry),… với hàng ngàn bài
báo được công bố. Ở nước ta, các kỹ thuật pô-si-trôn bước đầu được quan tâm.
PGS.TS Mai Văn Nhơn là người đầu tiên tiếp cận và khảo sát tổng thể về khả năng sử
dụng ba phương pháp thực nghiệm: dãn nở Đôp-le, tương quan góc, kỹ thuật thời gian
sống của pô-si-trôn trong nghiên cứu vật liệu biến dạng đàn hồi tại Đức cùng với GS.
Pri-e-mây-ơ (Priesmeyer) từ những năm 1990-1991. Công trình nghiên cứu này được
công bố trong các bài báo cáo “Application of positron annihilation to nondestructive
Testing” và “Combined Neutron Scattering – Neutron Capture Gamma rays and
Positron Annihilation studies on Materials under Elastic and Plastic – deformation”.
Trung tâm hạt nhân Thành Phố Hồ Chí Minh là nơi đầu tiên ở nước ta được trang bị
hệ phổ kế thời gian sống của pô-si-trôn (năm 2005) và đã bắt đầu áp dụng để nghiên
cứu độ rỗng của đá, kim loại,… Tại trường đại học Khoa Học Tự Nhiên, ĐHQG thành
phố Hồ Chí Minh, TS. Châu Văn Tạo đã tính toán năng lượng hình thành lỗ trống đơn
và đôi trong một số kim loại và hợp kim, và cùng với ThS. Trịnh Hoa Lăng đã áp
dụng lí thuyết hàm mật độ để tính năng lượng tương quan pô-si-trôn – ê-lec-trôn trong
kim loại đồng (cấu trúc FCC) [4].
Thông tin về cấu trúc vật chất có thể được cung cấp bằng nhiều phương pháp
phổ kế khác nhau, mỗi phương pháp đều có ưu điểm và hạn chế riêng. Phương pháp
kính hiển vi điện tử quét – SEM, là kính hiển vi điện tử có thể tạo ra ảnh với độ phân
giải cao của bề mặt mẫu vật bằng cách sử dụng một chùm điện tử hẹp quét lên bề mặt
vật mẫu và ghi nhận thông tin nhờ các bức xạ phát ra do tương tác của chùm điện tử
với bề mặt vật mẫu. Đây là phương pháp phân tích không phá hủy mẫu và cho độ hội
tụ sâu hơn đối với kính hiển vi quang học, tuy nhiên cho độ phân giải không tốt so với
kính hiển vi điện tử truyền qua. Phương pháp kính hiển vi điện tử truyền qua – TEM,
là một loại kính hiển vi quang học sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao chiếu
xuyên qua mẫu nhỏ và sử dụng các thấu kính từ để thu được ảnh với độ phóng đại cực
lớn. Đây là phương pháp phân tích cấu trúc tinh thể bằng nhiễu xạ điện tử và khá nhạy
đối với mật độ các sai hỏng tinh thể. Tuy nhiên mẫu phân tích phải đủ mỏng để có thể
cho chùm điện tử xuyên qua, do đó tốn kém thời gian và kinh phí gia công. Hơn nữa,
phương pháp này chỉ được tiến hành trong môi trường chân không cao vì cần sử dụng
chùm điện tử năng lượng cao. Phương pháp kính hiển vi lực nguyên tử – AFM, là loại
kính hiển vi quan sát cấu trúc vi mô của bề mặt vật rắn dựa trên nguyên tắc xác định
lực tương tác nguyên tử giữa một đầu mũi dò nhọn với bề mặt của mẫu. Đây là
phương pháp phân tích không phá mẫu và có độ phân giải tốt hơn kính hiển vi quét.
Tuy nhiên, kích thước ảnh của AFM chỉ đo được với chiều cao lớn nhất cỡ vài mµ và vùng quét nằm trong phạm vi khoảng 150 mµ . So với các phương pháp phổ kế trên,
phương pháp hủy pô-si-trôn - PAS là một công cụ phân tích không phá mẫu hiệu quả.
Ưu điểm nổi bật nhất của PAS là nó rất nhạy với mật độ ê-lec-trôn và mật độ khuyết
tật tinh thể và là công cụ hữu hiệu để phân tích các sai hỏng kích thước cực nhỏ.
Ngoài ra, vì ta có thể kiểm soát được năng lượng của chùm pô-si-trôn nên đo được các
sai hỏng có kích thước bất kì tại vị trí bất kì trong tinh thể với độ chính xác khá cao.
Zê-ô-lit là tên gọi chung để chỉ một họ các vật liệu khoáng vô cơ, còn được biết
đến như là một loại “rây phân tử”, được ứng dụng hiệu quả trong nhiều lĩnh vực, trong
đó nổi bật nhất là công nghệ xúc tác. Cho đến nay, zê-ô-lit vẫn là vật liệu được sử
dụng rộng rãi nhất làm chất xác tác trong công nghiệp, nhờ vào các đặc tính quý báu:
có diện tích bề mặt lớn và khả năng hấp phụ cao; có cấu trúc hệ các kênh và lỗ rỗng
đồng nhất, tương thích với nhiều loại phân tử thường gặp trong công nghiệp lọc hóa
dầu; có tính a-xit bề mặt; tính chất lựa chọn hình dạng đối với các phân tử phản ứng,
sản phẩm phản ứng và cả trạng thái chuyển tiếp; có độ bền nhiệt và thủy nhiệt cao.
Chính vì thế mà zê-ô-lit đã thu hút được sự chú ý của nhiều nhà khoa học trên thế
giới. Ở Việt Nam, bước đầu có những thành công rõ rệt về việc sản xuất cũng như ứng
dụng vật liệu zê-ô-lit vào các lĩnh vực của đời sống. Điển hình là công nghệ mang tính
đột phá của các chuyên gia đại học Bách Khoa Hà Nội trong sản xuất thành công vật
liệu zê-ô-lit từ khoáng sét thiên nhiên. Công nghệ chuyển hóa từ cao lanh không nung
thành zê-ô-lit là một sáng chế mới trong sản xuất zê-ô-lit rẻ tiền, đáp ứng được nhu
cầu rất lớn hiện nay ở Việt Nam, và đặc biệt chưa có quốc gia nào nghĩ ra ý tưởng
này.
Cho đến nay, có khoảng hơn 40 loại zê-ô-lit có sẵn trong tự nhiên và khoảng
200 loại zê-ô-lit nhân tạo với nhiều tính chất ưu việt hơn: đồng nhất về thành phần,
độ tinh khiết cao, độ bền cơ học cao. Gần đây, sự khám phá ra các vật liệu xốp trung
bình gây được sự chú ý bởi vì chúng có diện tích bề mặt riêng lớn, sự phân bố kích
thước lỗ đồng bộ, kích thước lỗ lớn, khả năng ứng dụng cao trong xúc tác, sự tách và
sự hấp phụ. Trong họ các vật liệu xốp trung bình, vật liệu SBA-15 được tổng hợp dưới
điều kiện a-xit cho kích thước lỗ lớn hơn và thành lỗ dày hơn so với M41S. Vật liệu
xốp trung bình chứa sắt được đặc biệt quan tâm bởi các đặc tính xúc tác độc nhất của
chúng đối với nhiều phản ứng khác nhau, chẳng hạn như quá trình ô-xi hóa hy-đrô-
cac-bon, sự tách N2O, sự giảm tính xúc tác lựa chọn của NO và N2O khi có mặt hy-
đrô-cac-bon hay a-mô-ni-ac.
Trước nhu cầu cần tìm hiểu thêm về vật liệu ngày càng được sử dụng phổ biến
zê-ô-lit và trên cơ sở những báo cáo về ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để
nghiên cứu cấu trúc vật liệu zê-ô-lit vẫn còn hạn chế ở nước ta. Tôi chọn đề tài luận
văn: “Ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu ảnh hưởng của sắt
trong cấu trúc một vài vật liệu zê-ô-lit”. Sản phẩm nghiên cứu được sẽ là tài liệu
tham khảo về khả năng ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu cấu trúc
vật liệu zê-ô-lit.
Mục tiêu tổng quát của đề tài là nghiên cứu cấu trúc của vật liệu zê-ô-lit trên cơ
sở áp dụng phương pháp hủy pô-si-trôn. Với mục tiêu tổng quát đó, các mục tiêu cụ
thể cần đạt được: hiểu biết tổng quan về vật liệu zê-ô-lit; hiểu biết về các kỹ thuật hủy
pô-si-trôn trong nghiên cứu vật liệu, đặc biệt là phương pháp đo thời gian sống của
pô-si-trôn và phương pháp đo độ dãn nở Đôp-le; hiểu biết về kỹ thuật đo và kỹ thuật
phân tích phổ hủy pô-si-trôn bằng chương trình LT-v9 để nghiên cứu cấu trúc vật
chất; biết áp dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu ảnh hưởng của sắt trong
cấu trúc SBA-15.
Nội dung bài luận văn được trình bày gồm 3 phần chính.
Chương 1: “Tổng quan về vật liệu zê-ô-lit”. Trong phần này, tác giả trình bày
các đặc điểm về thành phần hóa học, đặc tính và cấu trúc khung; phân loại; tính chất
cơ bản và một số ứng dụng; tổng hợp zê-ô-lit. Vật liệu zê-ô-lit được khám phá đầu
tiên bởi nhà khoáng vật học Thụy Điển A-xeo Fre-dric Crôn-tet (Axel Fredrik
Cronstedt) vào năm 1756. Thuật ngữ “zeolite” được dùng dựa trên từ Hi Lạp “zein”
(nghĩa là “sôi”) và “lithos” (nghĩa là “đá”) bởi vì zê-ô-lit giải phóng hơi nước khi đun
nóng. Zê-ô-lit phổ biến nhất là vật liệu khoáng vô cơ chứa những tinh thể A-lu-mi-nô-
si-li-cat ngậm nước và chứa các ca-ti-ôn nhóm 1 hay nhóm 2 của bảng hệ thống tuần
hoàn. Cấu trúc khung của zê-ô-lit được tạo thành từ 4 liên kết của các nguyên tử si-lic
(Si) và nhôm (Al) với nguyên tử ô-xi (O), làm nên một khối tứ diện AlO4 và SiO4.
Trong đó, một nguyên tử Si (hoặc Al) ở giữa và các nguyên tử O ở các góc. Các khối
tứ diện góp chung các góc hoặc các cạnh, vì vậy số lượng nguyên tử O gấp đôi tổng số
lượng nguyên tử Si và Al. Vì Si có hóa trị 4 nên tứ diện SiO4 trung hòa điện, nhưng
Al có hóa trị 3 nên tứ diện AlO4 có điện tích âm. Các điện tích âm được cân bằng điện
bởi một số lượng thích hợp các ca-ti-ôn, phổ biến là các i-ôn kim loại kiềm hoặc kiềm thổ (Na+, K+, Ca2+, Mg2+…), hoặc các i-ôn a-mô-ni bậc bốn.
Các vật liệu zê-ô-lit được đặc trưng bởi các kênh và lỗ rỗng phân bố theo nhiều
chiều trong không gian. Các kênh và lỗ rỗng của zê-ô-lit có kích thước thay đổi trong
một phạm vị hẹp bởi vì chúng có cấu trúc tinh thể. Đơn vị cấu trúc sơ cấp là các tứ
diện nhôm ô-xi AlO4 và si-lic ô-xi SiO4, giống nhau với mọi loại zê-ô-lit. Đơn vị cấu
trúc thứ cấp gồm các đơn vị cấu trúc sơ cấp kết nối lại với nhau. Việc lắp ghép khác
nhau sẽ tạo thành các đơn vị cấu trúc thứ cấp khác nhau. Sự đa dạng về cấu trúc của
zê-ô-lit phụ thuộc phần lớn vào cách thức các đơn vị cấu trúc thứ cấp liên kết để tạo
thành các khối đa diện khác nhau. Các khối đa diện này tiếp tục ghép với nhau theo
nhiều cách khác nhau, hình thành mạng lưới gồm các kênh và lỗ rỗng. Cấu trúc zê-ô-
lit không chỉ được quy định bởi các kiểu cấu trúc, mà còn cả sự phân bố của các ca-ti-
ôn bù trừ điện tích (Na+, K+, Ca+, Ag+, Zn2+, Ga3+,…) và các phân tử (H2O, CO,
NH3,…) ở các vị trí bên trong các lỗ rỗng hoặc kênh.
Các đặc trưng về thành phần hóa học, cấu trúc khung và sự phân bố của các ca-
ti-ôn bù trừ điện tích quy định tính chất hóa học của zê-ô-lit, nhờ đó, vật liệu xốp này
được ứng dụng rộng rãi trong đời sống. Tính chất trao đổi ca-ti-ôn của zê-ô-lit được
ứng dụng trong công nghiệp sản xuất chất giặt rửa, xử lí ô nhiễm môi trường. Trong
lĩnh vực y tế, zê-ô-lit giúp sản xuất ô-xi từ không khí, làm chất mang các dược phẩm
nhờ vào khả năng hấp phụ nước và các chất phân cực. Tính a-xit bề mặt, hoạt tính xúc
tác và tính chọn lọc hình dạng của zê-ô-lit đã và đang tạo một đột phá trong công nghệ
xúc tác, đặc biệt là xúc tác crac-kinh. Zê-ô-lit có thể được phân loại theo nhiều tiêu chí
khác nhau. Trong luận văn, tác giả đã phân loại zê-ô-lit theo nguồn gốc; kích thước lỗ
rỗng; chiều của lỗ rỗng; thành phần hóa học. Các loại zê-ô-lit nhân tạo khác nhau
được quy định trực tiếp vào điều kiện tổng hợp chúng, vì vậy, trong mục “tổng hợp
zê-ô-lit”, các nhân tố quan trọng ảnh hưởng đến kết quả tổng hợp đã được chỉ ra.
Chương 2: “Tổng quan về phương pháp hủy pô-si-trôn”. Chương này gồm 3
tiểu mục chính: sự tạo thành và hủy pô-si-trôn; lí thuyết về phương pháp hủy pô-si-
trôn; giới thiệu về phần mềm phân tích phổ LT
Ở tiểu mục “Sự tạo thành và hủy pô-si-trôn”, đầu tiên tác giả giới thiệu đôi nét
về thuộc tính của pô-si-trôn cũng như sự giống và khác nhau của cặp vật chất - phản
vật chất này. Tiếp theo, một số nguồn tạo pô-si-trôn phổ biến được chỉ ra, theo đó pô-
si-trôn có thể được tạo ra từ sự phân rã hạt nhân của các đồng vị phóng xạ; từ hiệu
ứng tạo cặp đối với các phô-tôn có năng lượng đủ lớn hoặc từ các phản ứng hạt nhân. Nguồn pô-si-trôn thông dụng nhất là nguồn đồng vị 22Na bởi các lí do: phân rã từ nguồn đồng vị 22Na cho xác suất phát ra pô-si-trôn cao 90,4%; sự phát ra lượng tử
gam-ma 1,27 MeV gần như đồng thời với pô-si-trôn (có năng lượng cực đại 540 keV),
nhờ vậy có thể đo được thời gian sống của pô-si-trôn bằng phổ kế gam-ma trùng
phùng; việc tìm nguồn Na khá dễ dàng từ các dung dịch muối của Natri (chẳng hạn từ
Na-tri-clo-rua hoặc Na-tri-a-xe-tat); thêm vào đó, chu kỳ bán rã khá dài 2,6 năm, giá
cả hợp lí nên phù hợp với mục đích sử dụng trong phòng thí nghiệm. Cuối cùng, tác
giả đề cập đến “Tương tác của pô-si-trôn với vật chất, sự hủy pô-si-trôn”. Những
tương tác cơ bản của pô-si-trôn với vật chất bao gồm : tán xạ ngược, mở kênh, nhiệt
hóa, khuếch tán, bị bẫy và bị hủy trong tinh thể. Một pô-si-trôn khi gặp bề mặt của vật
rắn, có thể bị tán xạ ngược trở lại, hoặc xuyên sâu vào mẫu. Khi vào trong mẫu, pô-si-
trôn nhanh chóng bị mất năng lượng do nhiệt hóa, rối khuếch tán trong khắp tinh thể
cho đến khi bị hủy. Thời gian nhiệt hóa chỉ vài ps, rất nhỏ so với thời gian sống của
pô-si-trôn trong vật chất (từ vài trăm ps trở lên), nên hầu hết pô-si-trôn hủy là pô-si- trôn nhiệt. Sự hủy của pô-si-trôn (e+) với ê-lec-trôn (e-) có thể diễn ra ở trạng thái tự
do hoặc trạng thái liên kết giữa pô-si-tron cùng với ê-lec-trôn tạo thành pô-si-trô-ni- um. Tùy vào sự định hướng spin của e+ và e- đối với nhau, có hai trạng thái cơ bản của nguyên tử pô-si-trô-ni-um: trạng thái pa-ra-pô-si-trô-ni-um (p-Ps) (khi spin của e- và e+ ngược hướng) và or-tho-pô-si-trô-ni-um (o-Ps) (khi spin của e- và e+ cùng
hướng). Thời gian sống trong chân không tương ứng của chúng là 0,125 ns và 140 ns.
Tiết diện hủy và thực tế diễn biến của sự hủy cũng tùy thuộc sự định hướng spin lẫn
nhau của các hạt thành phần tham gia sự hủy. Chẳng hạn, pa-ra-pô-si-trô-ni-um chỉ
xảy ra kèm theo sự phát xạ của hai phô-tôn, trong khi or-tho-pô-si-trô-ni-um chỉ xảy
ra kèm theo sự phát xạ ba phô-tôn.
Tiểu mục thứ hai: “Lí thuyết về phương pháp hủy pô-si-trôn”. Có ba phương
pháp thực nghiệm cơ bản được ứng dụng cho sự hủy pô-si-trôn, đó là phương pháp đo
thời gian sống của pô-si-trôn; phương pháp đo góc tương quan; phương pháp đo độ
dãn nở Đôp-le. Các phương pháp này về nguyên tắc đều trên cơ sở xác định các thuộc
tính của các gam-ma phát ra trong quá trình hủy của pô-si-trôn với ê-lec-trôn. Pô-si-
trôn và bức xạ gam-ma sơ cấp 1,27 MeV được sinh ra gần như cùng lúc (khoảng thời gian cách nhau chỉ cỡ 10-11s). Do đó, khoảng thời gian giữa thời điểm gam-ma 1,27
MeV phát ra (thời điểm pô-si-trôn đi vào môi trường) và thời điểm một trong hai gam-
ma năng lượng 0,51 MeV sinh ra từ sự hủy pô-si-trôn (thời điểm pô-si-trôn biến mất)
chính là thời gian sống của pô-si-trôn. Như vậy, phương pháp đo sự chênh lệch của
tốc độ đếm lượng tử có năng lượng 1.27 MeV (bắt đầu đếm) và lượng tử có năng
lượng 0,51 MeV (kết thúc) gọi là phương pháp đo thời gian sống của pô-si-trôn. Nếu khối tâm của hệ e+-e- đứng yên, thì hai gam-ma hủy phát ra ngược chiều nhau (góc giữa hai hướng phát ra là 1800) và mỗi gam-ma có năng lượng khoảng 0,51 MeV. Nhưng thực tế khối tâm của hệ e+-e- không đứng yên, do đó góc giữa hai hướng bay
của hai gam-ma khác 1800 một góc (trong hệ quy chiếu gắn với phòng thí nghiệm)
và năng lượng của gam-ma hủy cũng khác 0,51MeV một giá trị . Phương pháp đo
góc gọi là phương pháp đo góc tương quan và phương pháp đo gọi là phương
pháp đo độ dãn nở Đôp-le. Với phạm vi nghiên cứu của đề tài, tác giả chỉ trình bày cụ
thể về phương pháp đo thời gian sống của pô-si-trôn và phương pháp đo độ dãn nở
Đôp-le. Đối với mỗi phương pháp, nguyên tắc thiết lập hệ đo; xử lí số liệu; ưu điểm
và hạn chế đã được giới thiệu.
Tiểu mục thứ ba: “Giới thiệu về phần mềm phân tích phổ LT”. Trong phần này,
tác giả trình bày: giới thiệu chung về phần mền LT v9; định nghĩa các số hạng chính
được sử dụng; mô hình lí thuyết.
Chương 3: “Ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu ảnh
hưởng của sắt trong cấu trúc vật liệu SBA-15”. Đây là phần ứng dụng của đề tài,
cũng gồm 3 tiểu mục chính: đối tượng nghiên cứu; thiết lập hệ đo; kết quả đo và thảo
luận. Đối tượng được chọn để khảo sát là vật liệu zê-ô-lit loại SBA-15 và Fe-SBA-15.
Ngoài những thông tin khái quát về cấu trúc lỗ rỗng và phương thức tổng hợp, tác giả
còn giới thiệu về những nét riêng của sự hủy pô-si-trôn trong vật liệu xốp trung bình
SBA-15, đó là các thời gian sống của pô-si-trôn kéo dài từ 0,1 ns đến 135 ns. Thêm
vào đó, một phân tích dữ liệu thời gian sống đòi hỏi ít nhất bốn thành, được phân loại
một cách gần đúng như sau: các thành phần sống ngắn nhất (<0,5 ns) thể hiện sự hủy
của p-Ps và các pô-si-trôn tự do, từ 2-4 ns có thể do o-Ps bị bẫy trong các lỗ nhỏ của
mạng lưới, 10-70 ns đối với các o-Ps bị hủy ở các lỗ lớn hơn (kênh) bên trong và 100-
135 ns cho o-Ps ở bên ngoài của tinh thể zê-ô-lit. Các kết quả đo thời gian sống và độ
dãn nở Đôp-le nhằm đánh giá ảnh hưởng của sắt trong cấu trúc vật liệu zê-ô-lit SBA-
15 đã được trình bày trong phần “Kết quả đo và thảo luận”. Kết quả cho thấy sự hiện
diện của i-ôn sắt có thể làm dập tắt hoặc kiềm chế sự tạo thành và hủy or-tho-pô-si-
trô-ni-um trong cấu trúc Fe-SBA-15. Ngoài ra, các phương pháp phổ kế hủy pô-si-trôn
tỏ ra hữu hiệu trong việc phân tích cấu trúc và thành phần của các nguyên tố trong
nghiên cứu vật liệu zê-ô-lit. Các kết quả phân tích thời gian sống đã cho thấy ảnh
hưởng làm giảm mật độ lỗ trung bình khi chèn nguyên tố sắt vào cấu trúc zê-ô-lit
SBA-15 thông qua sự giảm đáng kể thời gian sống và cường độ của thành phần sống
dài nhất. Các kết quả phân tích độ dãn nở Đôp-le cho thấy ảnh hưởng của nguyên tố
sắt làm giảm tham số S do lớp vỏ điện tử 3d chưa đầy của sắt gây ra. Cuối cùng là một
số đề xuất cho hướng nghiên cứu phát triển đề tài, đó là để đánh giá chính xác hơn ảnh
hưởng của sắt đến cấu trúc SBA-15, cần thiết phải đánh giá ảnh hưởng của các chất bị
hấp phụ khác trong zê-ô-lit, chẳng hạn như ô-xi, ni-tơ, nước bởi vì các nghiên cứu về
cấu trúc zê-ô-lit đã chỉ ra ô-xi, ni-tơ, nước không chỉ ảnh hưởng đến thành phần o-Ps,
mà còn làm thay đổi sự phân bố 2 / 3γ γ . Hơn thế nữa, phương pháp phổ kế hủy pô-si-
trôn cần được kết hợp với hiệu ứng Mô-bau-e (Mossbauer) (ME-Mossbauer-effect), từ
đó có thể xác định kiểu vị trí của sắt trong cấu trúc Fe-SBA-15.
Trong quá trình tìm hiểu và trình bày luân vặn, vì còn hạn chế về kiến thức, nên
chắc chắn không tránh khỏi sai sót. Kính mong nhận được sự góp ý của quý thầy cô
và bạn đọc. Tôi xin chân thành cảm ơn.
Tác giả
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZÊ-Ô-LIT
1.1. Thành phần hóa học, đặc tính và cấu trúc zê-ô-lit
1.1.1. Thành phần hóa học và đặc tính
Vật liệu zê-ô-lit (zeolite) được khám phá đầu tiên bởi nhà khoáng vật học Thụy
Điển A-xeo Fre-dic Crôn-tet vào năm 1756. Thuật ngữ “zeolite” được dùng dựa trên
từ Hi Lạp “zein” (nghĩa là “sôi”) và “lithos” (nghĩa là “đá”) bởi vì zê-ô-lit giải phóng
hơi nước khi đun nóng.
Zê-ô-lit phổ biến nhất là vật liệu khoáng vô cơ chứa những tinh thể a-lu-mi-nô-
si-li-cat (aluminosilicate) ngậm nước và chứa các ca-ti-ôn (cation) nhóm 1 hay nhóm
.
.
. OAlOM 3
2
xSiO 2
OyH 2
2 n
2 của bảng hệ thống tuần hoàn. Công thức tổng quát được biểu diễn:
SiO 2 Al O 2 3
Trong đó: n là hóa trị của ca-ti-ôn; x là tỉ số mol ; y là số mol H2O; M là kim
.
.
loại hóa trị 1 hay 2.
Na O Al O SiO yH O .2
2
2
3
2
2
Chẳng hạn, xét mẫu zê-ô-lit NaX có công thức sau:
Cấu trúc khung của zê-ô-lit được tạo thành từ 4 liên kết của các nguyên tử si-lic
(Si) và nhôm (Al) với nguyên tử ô-xi (O), làm nên một khối tứ diện AlO4 và SiO4.
Trong đó, một nguyên tử Si (hoặc Al) ở giữa và các nguyên tử O ở các góc. Kích thước nguyên tử O bằng 1.32A0, tức lớn hơn kích thước của Si (0.39A0) và Al (0.57A0), nên khi tạo thành các tứ diện của Si và Al thì O luôn trùm lên các i-ôn (ion)
này. Các khối tứ diện góp chung các góc hoặc các cạnh, vì vậy số lượng nguyên tử O
gấp đôi tổng số lượng nguyên tử Si và Al.
Zê-ô-lit có cấu trúc tinh thể, được tạo thành từ sự phân bố theo không gian của
−
x
[
]
M Al Si O 2(
)
zH O 2
y
x
+ x / x n
+ x y
các khối đơn vị cơ sở (unit cell). Các khối cơ sở còn được biểu diễn bởi công thức:
Tỉ số Si/Al của mỗi khối cơ sở có thể thay đổi trong một giới hạn nào đó mà
vẫn không ảnh hưởng tới cấu trúc tinh thể, bởi vì bán kính i-ôn của Si và Al khác nhau
rất ít; tuy nhiên tổng số các nguyên tỉ Si và Al vẫn giữ nguyên.
Theo quy tắc Lô-uyên-ten (Loweinstein): Trong cấu trúc mạng a-lu-mi-nô-si-li-
cat, 2 nguyên tử Al không thể có chung một O, nghĩa là cấu trúc zê-ô-lit không thể tồn
tại các liên kết Al-O-Al mà chỉ có các liên kết Si-O-Al hay Si-O-Si. Do đó luôn có tỉ
lệ Si/Al ≥ 1.
Vì Si có hóa trị 4 nên tứ diện SiO4 trung hòa điện, nhưng Al có hóa trị 3 nên tứ
diện AlO4 có điện tích âm. Các điện tích âm được cân bằng điện bởi một số lượng thích hợp các ca-ti-ôn, phổ biến là các i-ôn kim loại kiềm hoặc kiềm thổ (Na+, K+, Ca2+, Mg2+…), hoặc các i-ôn a-mô-ni (amonium) bậc bốn. Các ca-ti-ôn này có độ linh
động rất cao nên dễ dàng trao đổi với các i-ôn khác trong dung dịch mà zê-ô-lit tiếp
xúc.
1
/
Si Al = (zê-ô-lit loại X) đến
/Si Al → ∞ (zê-ô-lit loại Si-li-ca-lit). Thành phần Al
Tỉ số Si/Al ảnh hưởng đủ lớn đến đặc tính của zê-ô-lit, có thể thay đổi từ
trong cấu trúc quyết định số lượng các ca-ti-ôn trong cấu trúc, cũng như các đặc điểm
về độ bền nhiệt và hóa học hay sự phân cực của các bề mặt nội. Thông thường, zê-ô-
lit có hàm lượng Al cao (zê-ô-lit loại X) kém bền với nhiệt và kém bền về mặt hóa
tính, vì vậy sự khử nước ở nhiệt độ cao có thể gây ra sự khử Al một phần (bởi nước bị
hấp thụ) và sự giảm độ kết tinh. Hệ quả dán tiếp, việc tăng nồng độ Al làm giảm độ a-
xit của zê-ô-lit. Thành phần Al còn quy định sự phân cực của các lỗ ở bên trong, do đó
ảnh hưởng đến mật độ các ca-ti-ôn trong các lỗ rỗng nhỏ (micropores) và ảnh hưởng
mật độ các ê-lec-trôn (electron) của các nguyên tử O.
Vì khả năng hút nước của zê-ô-lit có liên quan đến sự phân cực của các lỗ rỗng,
nên zê-ô-lit không chứa Al thì kị nước. Lượng nước được hấp thụ tăng theo sự tăng
của thành phần Al. Nước có thể đươc thay thế bởi các phân tử khác (guest molecules).
- và PO4
Ngoài họ a-lu-mi-nô-si-li-cat, một họ zê-ô-lit mới, a-lu-mi-nô-phôt-phat + theo tỷ lệ 1:1. (aluminophotphate)(AlPO), được cấu tạo từ các tứ diện AlO4
Các biến tướng của AlPO là SAPO và MeAPO khi được đưa vào một số nguyên tố
khác như Co, Mn, Fe, Ga.
1.1.2. Cấu trúc khung của zê-ô-lit
1.1.2.1. Các đơn vị cấu trúc trong tinh thể zê-ô-lit
Các vật liệu zê-ô-lit được đặc trưng bởi các kênh và lỗ rỗng phân bố theo nhiều
chiều trong không gian. Các kênh và lỗ rỗng của zê-ô-lit có kích thước thay đổi trong
một phạm vị hẹp bởi vì chúng có cấu trúc tinh thể.
Đơn vị cấu trúc sơ cấp (primary building unit): là các tứ diện nhôm ô-xi AlO4
và si-lic ô-xi SiO4 (hay gọi tắt là tứ diện TO4), giống nhau với mọi loại zê-ô-lit.
Hình 1.1: Đơn vị cấu trúc sơ cấp
Đơn vị cấu trúc thứ cấp (secondary building unit, thường viết tắt là SBU): gồm
các đơn vị cấu trúc sơ cấp kết nối lại với nhau. Việc lắp ghép khác nhau sẽ tạo thành
các đơn vị cấu trúc thứ cấp khác nhau, điều này bước đầu cho thấy sự khác nhau về
1, 75
0 A
cấu trúc của từng loại zê-ô-lit.
3, 07
1, 61
2, 629
0 A
d
0 A
0 A
− =
− =
− =
− =
Al Od
O Od
Si Si
Si Od
( , , , ).
Hình 1.2: Đơn vị cấu trúc thứ cấp SBU: vòng n gồm n đơn vị cấu trúc sơ cấp ghép lại (n=4, 6, 8, 5)
Sự đa dạng về cấu trúc của zê-ô-lit phụ thuộc phần lớn vào cách thức các SBU
liên kết để tạo thành các khối đa diện khác nhau. Các khối đa diện này tiếp tục ghép
với nhau theo nhiều cách khác nhau, hình thành mạng lưới gồm các kênh và lỗ rỗng.
Dưới đây là hình vẽ minh họa cách xây dựng một loại cấu trúc đa diện phổ biến dạng
hình học lập phương bát diện, sô-đa-lit (sodalite).
Hình 1.3: Cấu trúc sô-đa-lit
Mỗi đơn vị sô-đa-lit có 24 nguyên tử Al và Si, 48 nguyên tử O. Đơn vị sô-đa-lit có
đường kính 6,6 0A , thể tích khoảng trống bên trong là 150 A3, gồm tám mặt 6 cạnh và
sáu mặt 4 cạnh, 24 đỉnh và 36 cạnh. Các đơn vị cấu trúc sô-đa-lit này lại kết nối với
nhau theo các cách khác nhau thông qua các lăng trụ, tạo thành khoang rỗng to, nhỏ
khác nhau, nhờ vậy mà zê-ô-lit có cấu trúc xốp. Hình 1.4 mô phỏng cấu trúc của zê-ô-
lit loại A và zê-ô-lit loại X được tạo ra từ hai cách ghép sô-đa-lit khác nhau, dẫn đến sự khác nhau về kích thước lỗ rỗng của chúng (3,5-4,5 A0 và 6-8 A0 tương ứng).
Hình 1.4: Mô hình zê-ô-lit. a). Mô hình zê-ô-lit loại A: các sô-đa-lit được nối với nhau qua mặt 4 cạnh; b). Mô hình zê-ô-lit loại X : các sô-đa-lit được nối với nhau qua mặt 6 cạnh.
Sự khác nhau cơ bản giữa zê-ô-lit A và zê-ô-lit X/Y ở chỗ, do cấu trúc zê-ô-lit A được
hình thành bằng cách ghép nối các sô-đa-lit thông qua lăng trụ 4 cạnh cho nên lỗ rỗng
lớn là vòng ô-xi 8 cạnh. Đối với zê-ô-lit X/Y, lỗ rỗng lớn là vòng oxi 12 cạnh vì các
sô-đa-lit nối với nhau thông qua lăng trụ 6 cạnh.
1.1.2.2. Sự phân bố của các ca-ti-ôn bù trừ và các phân tử khác trong cấu trúc của zê-
ô-lit
Cấu trúc zê-ô-lit không chỉ được quy định bởi các kiểu cấu trúc, mà còn cả sự phân bố của các ca-ti-ôn bù trừ điện tích (Na+, K+, Ca+, Ag+, Zn2+, Ga3+,…) và các
phân tử (H2O, CO, NH3,…) ở các vị trí bên trong các lỗ rỗng hoặc kênh (extra- framework sites – EFW). Hình 1.5 biểu diễn phân tử CO bị hút bởi Al3+ ở vị trí EFW.
Hình 1.5: Hình vẽ minh họa vị trí EFW của ca-ti-ôn Al3+ (EFAl)
Sự phân bố của các ca-ti-ôn (hay phân tử) ở các vị trí EFW khác nhau tùy thuộc
vào từng loại ca-ti-ôn (hay phân tử); tỉ lệ các thành phần Si/Al và cả điều kiện tổng
hợp zê-ô-lit. Các vị trí EFW khác nhau được phân loại theo sự định xứ của các ca-ti-
ôn (hay phân tử) trong các vòng thứ cấp giới hạn các lỗ rỗng hoặc các kênh trong cấu
trúc (số cạnh của vòng thứ cấp bằng số lượng các tứ diện sơ cấp TO4), và được kí hiệu
bằng các chứ số La Mã [39].
Loại I: ở tâm của lăng trụ 6 cạnh (hai đáy là hai đa giác lồi 6 cạnh)
Loại II: vị trí vòng 6 cạnh đơn
Loại III: vị trí vòng 8 cạnh đơn
Loại IV: Tất cả các vị trí khác trong khung của ô-xi
Loại V: Tất cả vị trí không trong khung của ô-xi
Hình 1.6: Hình mô tả ba loại vị trí EFW (I, II, III) trong cấu trúc khung của zê-ô- lit loại X.
Hình 1.7: Hình minh họa các vị trí EFW trong cấu trúc zê-ô-lit Da-chi-a-đit (Dachiardite). Hình tròn nhỏ nhất là Si/Al, hình tròn lớn nhất là O, hình tròn A là (Na/K/Mg/Ca) ở EFW loại I, hình tròn B, C, D là H2O ở EFW loại IV[39].
Vị trí EFW của các ca-ti-ôn và phân tử ảnh hưởng đến khả năng trao đổi ca-ti-ôn
và tính chất xác tác của zê-ô-lit.
Kích thước lỗ rỗng cũng phụ thuộc vào vị trí và kích thước của các ca-ti-ôn bù
trừ điện tích (các ca-ti-ôn này mang điện dương và cân bằng với điện tích âm của -, dẫn đến hình thành một trường tĩnh điện mạnh ở bề mặt bên trong). Các ca-ti- AlO4
ôn này có thể bị chuyển đổi để tinh chỉnh kích thước của các lỗ rỗng. Ví dụ, hình dạng của zê-ô-lit A chứa na-tri (Na) có độ mở lỗ rỗng khoảng 4A0, gọi là rây phân tử 4A.
Nếu Na bị đổi bởi i-ôn lớn hơn ka-li (K), độ mở của lỗ rỗng giảm còn khoảng 3A0 (rây
phân tử 3A). Đối với chuyển đổi của can-xi (Ca), một i-ôn Ca thay thế cho hai i-ôn Na. Vì vậy, độ mở của lỗ trống tăng lên đến khoảng 5A0 (rây phân tử 5A).
1.2. Phân loại zê-ô-lit.
Dựa vào nhiều tiêu chí khác nhau mà người ta chia ra các loại zê-ô-lit tương ứng.
1.2.1. Phân loại theo nguồn gốc
Zê-ô-lit tự nhiên: Có hơn 40 loại. Được hình thành do phản ứng giữa các khoáng
si-li-cat trong núi lửa và các lớp tro với nước ngầm. Có độ tinh khiết không cao do
nhiễm các kim loại và các khoáng khác. Một số loại zê-ô-lit tự nhiên phổ biến là: Cha-
ba-zit (Chabazite), A-nan-xim (Anancime), Cli-nôp-ti-lô-lit (Clinoptilolite), Phê-ri-ê-
rit (Ferrierite), Ê-ri-ô-nit (Erionite), He-u-lan-dit (Heulandite), Lau-môn-tit
(Laumontite), Mô-đê-nit (Modenite), Phi-lip-sit (Philipsite).
Zê-ô-lit nhân tạo: Có khoảng 200 loại. Zê-ô-lit nhân tạo có nhiều tính chất ưu việt
hơn: đồng nhất về thành phần, độ tinh khiết cao, độ bền cơ học cao. Các loại zê-ô-lit
nhân tạo phổ biến nhất là zê-ô-lit A, X, Y, ZMS-5.
1.2.2. Phân loại theo kích thước lỗ rỗng
Lỗ rỗng được hình thành nhờ vào sự sắp xếp tuần hoàn của O xen kẽ với Si hoặc
Al, và có đường kính được xác định dựa vào số lượng của chúng. Lỗ rỗng càng lớn thì
càng có khả năng chứa các phân tử lớn. Một số zê-ô-lit phân loại theo kích thước lỗ
rỗng được trình bày ở bảng 1.1.
Bảng 1.1: Phân loại zê-ô-lit theo kích thước lỗ rỗng
Loại Zê-
Số ô-xi
Các phân tử
ô-lit có lỗ
Đường kính lỗ (A0)
của lỗ rỗng
Ví dụ
chứa trong cấu
rỗng
trúc
E-ri-o-nit
8
nhỏ
3-5
O2, H2O
ZSM-5
trung
C6H6, C6H5X
10
5-6
bình
,Yβ Ω
,
12
lớn
6-9
18
UTD-1, VPI-5
MCM-41,
vật
Các phân
tử
liệu xốp trung bình
lớn hơn
rất lớn
>20
(SBA, M41S)
1.2.3. Phân loại theo chiều trong không gian của các lỗ bên trong cấu trúc
Những đặc điểm về sự phân bố theo chiều trong không gian của các lỗ rỗng có
ảnh hưởng lớn đến sự “xác nhập” của các ca-ti-ôn và phân tử khác. Do đó, zê-ô-lit
còn được chia ra theo các loại có cấu trúc lỗ 1 chiều, 2 chiều, 3 chiều.
Hình 1.8: Ví dụ minh họa ba kiểu phân bố trong không gian của lỗ rỗng
× (5, 2 5, 7
0 )A
Phau-da-sit (Faujasite) X, Y là loại zê-ô-lit ba chiều tiêu biểu, với khoảng không bên trong chứa các khung gần như hình cầu (lỗ siêu lớn) đường kính 14A0 được nối liền với nhau bởi bốn lỗ hổng nhỏ hơn, đường kính 7,4A0. ZSM-5 là loại zê-ô-lit phân bố
hai chiều; cấu trúc được tạo thành từ hai hệ kênh hình ô-van, một thẳng ,
× (5, 3 5, 6
0 )A
và một hình sin , giao nhau theo các góc vuông. Mô-đê-nit có thể được
xem như zê-ô-lit phân bố theo một chiều, các kênh của nó (vòng gồm 12 O) thì song
song và được sắp xếp giống như một tổ ong.
Sự phân bố theo không gian của lỗ rỗng còn quyết định khả năng khuếch tán của
các ca-ti-ôn hay phân tử ở bên trong nó, điều khiển khả năng hấp thu tối đa đạt được.
Zê-ô-lit với cấu trúc phân bố ba chiều cho phép khuếch tán dễ dàng, trong khi đó zê-ô-
lit phân bố một chiều lại hạn chế khuếch tán.
1.2.4. Phân loại theo thành phần hóa học
Phân loại zê-ô-lit a-lu-mi-nô-si-li-cat theo thành phần Si/Al
Zê-ô-lit giàu Al:
Zê-ô-lit kiểu A: có tỉ lệ Si/Al=1, tồn tại dưới 3 dạng:
Loại 3A: có đường kính lỗ rỗng bằng 3A0 và ca-ti-ôn bù trừ là K+. Loại 4A: có đường kính lỗ rỗng bằng 4A0 và ca-ti-ôn bù trừ là Na+. Loại 5A: có đường kính lỗ rỗng bằng 5A0 và ca-ti-ôn bù trừ là Ca2+.
. Zê-ô-lit kiểu X (thuộc họ Phau-da-sit): có tỉ lệ Si/Al
Zê-ô-lit có hàm lượng Si trung bình: Có tỉ lệ Si/Al > 1,2.
Zê-ô-lit kiểu Y (thuộc họ Phau-da-sit), Si/Al
Zê-ô-lit Mô-đê-nit, Si/Al=5.
Zê-ô-lit Ê-ri-ô-nit, Si/Al=2,85.
Zê-ô-lit Cha-ba-zit, Si/Al=2,15.
Zê-ô-lit giàu Si:
Zê-ô-lit giàu Si: Các zê-ô-lit thuộc họ ZSM được phát hiện bởi hãng Mô-biu Ôi
(Mobil Oil), có tỷ lệ Si/Al từ 10 . Ngoài ra còn có nhiều zê-ô-lit tổng hợp khác
có tỉ lệ Si/Al cao được tổng hợp nhờ sự có mặt của các tác nhân định hướng cấu trúc, thường là họ a-min bậc 4: R4N+.
Một số họ zê-ô-lit khác
Họ zê-ô-lit a-lu-mi-nô-phôt-phat (AlPO): Đây là một họ chất rắn mới, có cấu
và P (phôt-pho). Zê-ô-lit AlPO không được cấu tạo từ các tứ diện SiO4 và AlO4
- và PO4
trúc tinh thể tương tự zê-ô-lit a-lu-mi-nô-si-li-cat nhưng trên cơ sở các nguyên tố là Al - mà từ + theo tỷ lệ 1:1 nên trung hòa về điện tích. Về cấu trúc, trong các tứ diện AlO4
họ này có loại AlPO-5 có cấu trúc hình học tương tự họ Phau-da-sit và loại AlPO-11
1
/
có cấu trúc hình học tương tự zê-ô-lit ZSM-5. Đặc trưng cơ bản của AlPO là đều có tỷ
Al P = , không có các ca-ti-ôn bù trừ điện tích nên không có khả năng trao đổi ca-
lệ
ti-ôn và vì vậy không có tính xúc tác. Các biến tướng của AlPO là SAPO và MeAPO.
SAPO: khi đưa vào AlPO một lượng nhỏ Si để thay thế P thì vật liệu thu được gọi
là SAPO với khung điện tích âm và do đó có khả năng trao đổi ca-ti-ôn.
MeAPO: nếu đưa các nguyên tố khác như Co, Mn, Fe, V, Ga... vào SAPO thì
nhận được họ rây phân tử mới, ký hiệu là MeAPO, kèm theo đó là sự thay đổi tính
chất a-xit – ba-zơ, ô-xi hóa khử của vật liệu. Về cấu trúc hình học các vật liệu Co-
APO, Mn-APO, V-APO có cấu trúc tương tự AlPO5, AlPO11, AlPO17, AlPO31.
1.3. Tính chất cơ bản của zê-ô-lit và một số ứng dụng
1.3.1. Tính chất trao đổi ca-ti-ôn
Khả năng trao đổi ca-ti-ôn là một trong những tính chất nổi bật của các loại zê-ô-lit
có ca-ti-ôn bù trừ điện tích (tức là có Al), bởi vì các ca-ti-ôn này rất linh động và dễ
dàng trao đổi với các ca-ti-ôn khác trong dung dịch mà zê-ô-lit tiếp xúc.
Do các ca-ti-ôn có kích thước và điện tích khác nhau, nên khi quá trình trao đổi ca-
ti-ôn xảy ra, kích thước các lỗ trong khung zê-ô-lit thay đổi, tuy nhiên các thông số
mạng của cấu trúc thì không đổi. Đây là đặc tính quý báu mà nhựa trao đổi i-ôn hoặc
các chất trao đổi i-ôn vô cơ khác không có được.
Tốc độ trao đổi ca-ti-ôn phụ thuộc váo các yếu tố sau:
o Bản chất của dung môi hòa tan (nước hay hợp chất hữu cơ) o Nồng độ ca-ti-ôn trong dung dịch, nhiệt độ môi trường phản ứng o Kích thước, điện tích của các ca-ti-ôn trao đổi
o Tỉ lệ Si/Al của zê-ô-lit: tỉ lệ này càng bé (tức là càng giàu Al) thì hiệu suất trao
đổi ca-ti-ôn càng lớn.
o Kích thước lỗ rỗng, trạng thái xốp của zê-ô-lit. Kích thước lỗ càng lớn và kích
thước ca-ti-ôn càng nhỏ thì tốc độ trao đổi càng lớn.
o Vị trí EFW của các ca-ti-ôn trong zê-ô-lit: các ca-ti-ôn ở vị trí I khó trao đổi
nhất
Một số ứng dụng
Trong sản xuất chất giặt rửa: Zê-ô-lit được sử dụng để loại bỏ các ca-ti-ôn Ca2+ và Mg2+ ra khỏi dung dịch nước cứng và thay thế chúng bằng i-ôn mềm như Na+. Người ta thường dùng loại zê-ô-lit A vì nó có hàm lượng i-ôn Na+ cao nhất nên khả năng trao đổi với Ca2+ và Mg2+ là lớn nhất.
Loại trừ amoniac khỏi nước thải: Zê-ô-lit Cli-nôp-ti-lô-lit có khả năng nhận
i-ôn a-mô-ni cao, do đó loại bỏ được các i-ôn này ra khỏi nước thải.
1.3.2. Tính hấp phụ có chọn lọc nước và các chất phân cực
Sự phân cực cao của bề mặt bên trong các lỗ rỗng tạo lực đủ mạnh nên zê-ô-lit
hút nước và các chất phân cực, gọi là sự hấp phụ. Đặc điểm này làm nổi bật zê-ô-lit so
với các vật liệu có khả năng hấp phụ thương mại khác ở chỗ zê-ô-lite có khả năng hấp
phụ một dung lượng cực lớn nước và các chất phân cực khác, thậm chí với mật độ rất
thấp.
Kích thước lỗ rỗng và các kênh đóng một vai trò quan trọng đáng kể, cho phép
hay ngăn cấm các phần tử tràn vào hệ lỗ rỗng và kênh này. Vì vậy, zê-ô-lit được xem
như một loại ‘rây phân tử’.
Hình 1.9: Mô hình zê-ô-lit hấp phụ chất phân cực.
Sự hấp phụ trên các rây phân tử phụ thuộc vào các đặc điểm phân tử sau:
o Kích thước và hình dạng: các phân tử lớn hơn độ mở lỗ rỗng của phân tử rây thì không bị hấp phụ, các phân tử nhỏ hơn hoặc vừa thì có thể bị hấp phụ.
o Phân tử phân cực: các phân tử phân cực có thể bị ưu tiên hấp phụ hơn so với
nước khi ở cùng điều kiện.
Khả năng hấp phụ dung lượng nước lớn với mật độ nước thấp cho phép làm khô
những bộ phận rất ít nước. Vì rây phân tử zê-ô-lit có thể giữ lại lượng lớn nước dù ở
nhiệt độ cao, nó là vật liệu hấp phụ tối ưu ở nhiệt độ tương đối cao.
Quá trình hấp phụ hoàn toàn có thể đảo ngược mà vẫn giữ nguyên bản chất vật lí
ban đầu. Cấu trúc của zê-ô-lit vẫn giữ nguyên trong suốt quá trình hấp phụ (và cả sau
đó), tránh được hiệu ứng phân rã khi dùng các chất làm khô khác (chẳng hạn hợp chất
Ca).
Một số ứng dụng
Khử mùi, xử lí ô nhiễm môi trường: Zê-ô-lit có thể hấp phụ rất nhiều chất khí gây
mùi như : CO, CO2, SO2, H2S, NH3, HCHO, CH3OH,…, nên làm cho không khí
trong lành.
Sản xuất ô-xi cho bệnh viện từ không khí: Zê-ô-lit lại hấp thụ mạnh N2 hơn O2. Vì
thế khi cho dòng không khí (O2 chiếm 21% và N2 chiếm 79%) qua lớp zê-ô-lit thì N2
và các tạp chất khác cùng lượng ẩm sẽ bị hấp thụ, thu được một dòng khí giàu ô-xi.
Làm chất mang các dược phẩm: Zê-ô-lit có thể làm chất mang một số loại thuốc
thích hợp, giải phóng thuốc chậm, do đó giúp kéo dài tác dụng của thuốc.
1.3.3. Tính a-xit bề mặt, hoạt tính xúc tác
1.3.3.1. Tính a-xit bề mặt của zê-ô-lit
Các ca-ti-ôn có vài trò rất lớn trong hoạt tính xúc tác của zê-ô-lit. Nếu zê-ô-lit chỉ chứa các ca-ti-ôn 1+ (chủ yếu là Na+) thì mạng tinh thể trung hòa điện và bề mặt của nó không có tính a-xit; tính a-xit xuất hiện khi một phần hoặc toàn bộ ca-ti-ôn Na+ được thay thế bằng prô-tôn (proton) H+ hoặc các ca-ti-ôn đa hóa trị. Như vậy, bằng
việc thay đổi độ trao đổi ca-ti-ôn, người ta dễ dàng làm thay đổi các tính chất của zê-
ô-lit, đặc biệt là tính a-xit và hệ quả của nó là hoạt tính xúc tác.
Cấu trúc zê-ô-lit loại a-lu-mi-nô-si-li-cat hình thành các tâm a-xit Brôn-tet
(Bronsted) (còn gọi là a-xit prô-tôn) và a-xit Lê-it (Lewis) (còn gọi là a-xit a-prô-tôn (aproton)) khi trao đổi ca-ti-ôn kiềm (Na+) để lấy ca-ti-ôn H+. Quá trình trao đổi ca-ti-
ôn này được minh họa theo hình 1.10.
Hình 1.10: Sơ đồ minh họa quá trình trao đổi ca-ti-ôn Na+ lấy ca-ti-ôn H+ Vì liên kết Al-O dài hơn liên kết Si-O, nên dễ dàng bị đứt hơn, hình thành nhóm hy-
đrô-xin (hydroxyl)–OH gắn với nguyên tử Si. Đây chính là tâm a-xit Brôn-tet.
Hình 1.11: Hình vẽ minh họa tâm a-xit Brôn-tet của zê-ô-lit
Ở hình 1.11, nguyên tử Al chính là tâm Lê-it. Tuy nhiên tâm này thực tế bị tâm Brôn-
tet che chắn cho nên khó thể hiện hoạt tính của mình. Khi tăng nhiệt độ, quá trình đe-
hy-đrô-xin xảy ra, có khả năng hơn cả là giữa hai nhóm OH gần nhau, các tâm Brôn-
tet bị mất nước và chuyển thành tâm Lê-it là những i-ôn Al có khả năng nhận điện tử.
Sơ đồ quá trình de-hy-đrô-xin được minh họa ở hình 1.12
Hình 1.12: Sơ minh họa quá trình de-hy-đrô-xin chuyển tâm a-xit Brôn-tet thành tâm a-xit Lê-it. Al ở dạng cuối cùng này thể hiện đầy đủ tính chất của một a-xit Lê-it. 1.3.3.2. Hoạt tính xúc tác của zê-ô-lit
Zê-ô-lit có hoạt tính xúc tác tốt nhờ vào các yếu tố:
o Diện tích bề mặt lớn và khả năng hấp phụ cao o Cấu trúc hệ các kênh và lỗ rỗng đồng nhất, tương thích với nhiều loại phân tử
thường gặp trong công nghiệp lọc hóa dầu.
o Tính a-xit bề mặt: sự có mặt của các nhóm hy-đrô-xin a-xit mạnh trên bề mặt zê-ô-lit dạng H-Z. Các tâm a-xit mạnh đó là nguồn tạo ra các i-ôn cac-bo-ni-um
cho các phản ứng theo cơ chế cac-bo-ca-ti-ôn.
o Sự tồn tại một điện trường tĩnh điện mạnh xung quanh các ca-ti-ôn có thể cảm
ứng khả năng phản ứng của nhiều chất tham gia phản ứng.
o Có độ bền nhiệt và thủy nhiệt cao o Ngoài ra, zê-ô-lit còn có một tích chất đặc trưng quan trọng, đó là tính chất lựa chọn hình dạng đối với các phân tử phản ứng, sản phẩm phản ứng và cả trạng
thái chuyển tiếp. Do đó, ta có thể định hướng phản ứng theo hướng mong
muốn, tránh được những phản ứng phụ, giảm nhẹ việc tinh chế sản phẩm, giảm
phế thải, nâng cao hiệu quả kinh tế.
Ứng dụng
Làm chất xúc tác: Xúc tác chiếm một vị trí quan trọng trong ngành công
nghiệp hóa dầu. Quá trình crac-kinh (cracking) xúc tác thường dùng loại zê-ô-lit
X, Y có chứa các nguyên tố trong đất hiếm hay ở dạng đã trao đổi i-ôn và được xử lý
bằng các phương pháp đặc biệt kết hợp với các hợp phần làm tăng độ bền cơ, bền
nhiệt, hay điều chỉnh kích thước lỗ xốp. Zê-ô-lit có hoạt tính xúc tác cao nên người ta
thường dùng nó ở dạng hỗn hợp với xúc tác vô định hình hay a-lu-mi-nô-si-li-cat tinh
thể và được gọi là xúc tác chứa zê-ô-lit. Năm 1976 Mô-biu Ôi tạo ra được zê-ô-lit
ZSM-5 có tác dụng chuyển mê-ta-nôn (methanol) thành xăng, một giải pháp cho cuộc
khủng hoảng năng lượng lúc bấy giờ. Năm 1990, chuyển ben-zen (benzen) thành phê-
nôn (phenol) với hệ xúc tác Fe-ZSM-5, Phit-chơ – Trốp (Fischer – Tropsch) đã tạo ra
được xúc tác cho phản ứng tạo an-pha-ô-lê-phin (alpha-olefin).
1.3.4. Tính chất chọn lọc hình dạng
Như đã giới thiệu ở trên, tính chất chọn lọc hình dạng của zê-ô-lit là một trong
những yếu tố làm tăng hoạt tính xúc tác của zê-ô-lit.
Một phản ứng xúc tác trên zê-ô-lit diễn ra như sau: các chất tham gia phản ứng
khuếch tán đến bề mặt của zê-ô-lit; bị hấp phụ vào các kênh và lỗ rỗng và khuếch tán
đến các vùng hoạt động. Tại vùng hoạt động, các hợp chất trung gian của phản ứng
được tổng hợp và thực hiện phản ứng tạo sản phẩm. Các sản phẩm bị khử hấp phụ và
khuếch tán ra ngoài.
Như vậy sự khuếch tán các chất tham gia phản ứng và sản phẩm trong các lỗ và
kênh của zê-ô-lit đóng một vai trò quan trọng trong phản ứng xúc tác, ảnh hưởng đến
tốc độ phản ứng cũng như quy định các chất sản phẩm cuối cùng. Khả năng khuếch
tán các chất tham gia và sản phẩm có liên quan đến kích thước của các kênh và lỗ
rỗng chứa vùng hoạt động cũng như kích thước và hình dáng của phân tử. Chỉ những
chất có kích thước phân tử nhỏ hơn hoặc bằng kích thước lỗ hoặc kênh thì mới khuếch
tán vào được và gặp vùng hoạt động. Tính chất này gọi là tính chọn lọc hình dạng.
Có 3 hình thức chọn lọc hình dạng:
o Chọn lọc hình dạng đối với các chất tham gia phản ứng o Chọn lọc hình dạng đối với sản phẩm phản ứng o Chọn lọc hình dạng đối với các sản phẩm trung gian
1.4. Tổng hợp zê-ô-lit
Ngày nay, các loại zê-ô-lit tổng hợp được sử dụng phổ biến hơn zê-ô-lit tự nhiên vì
tinh thể có độ tinh khiết hơn và kích thước các kênh và lỗ rỗng đồng bộ hơn. Nhiều
loại zê-ô-lit được nghiên cứu tổng hợp tạo ra sự đa dạng về đặc tính hóa học và kích
thước lỗ rỗng, cũng như độ bền nhiệt.
Thông thường, zê-ô-lit được tổng hợp bằng phương pháp thủy nhiệt, gồm các giai
đoạn chính: chuẩn bị hóa chất và tạo hy-đrô-gen (hydrogel) a-lu-mi-nô-si-li-cat, già
(
hóa, kết tinh, lọc, rửa, sấy. Dung dịch để tạo gel a-lu-mi-nô-si-li-cat gồm dung dịch a-
NaAl OH Na SiO ) và các hy-drô-xit kiềm
) , 4
2
3
(
)
NaOH , có thể có thêm các gốc hữu cơ.
lu-mi-nat và si-li-cat (có thể dùng
Các loại zê-ô-lit khác nhau được tổng hợp tùy thuộc chủ yếu vào các tác nhân sau:
o Thành phần của hỗn hợp phản ứng: tỉ số Si/Al, OH-, các ca-ti-ôn vô cơ. Thứ nhất, việc tăng tỉ số Si/Al ảnh hưởng mạnh đến đặc điểm lí tính của zê-ô-lit. Thứ hai, thành phần OH- làm giảm thời gian phản ứng bằng cách làm cho Si-lic
chuyển từ trạng thái rắn sang lỏng nhanh hơn. Thứ ba, các ca-ti-ôn vô cơ đóng
vai trò như các tác nhân định hướng cấu trúc và làm cân bằng điện tích của
khung. Như vậy, thành phần của hỗn hợp phản ứng ảnh hưởng đến cấu trúc
tinh thể và số lượng sản phẩm.
o Bản chất của các chất phản ứng và điều kiện ban đầu của chúng: việc tổng hợp zê-ô-lit với các chất hữu cơ cũng như các chất vô cơ đã được tiến hành, chỉ
ra rằng các chất vô cơ tạo ra nhiều bề mặt bị hy-đrô-xin hóa hơn, còn các chất
hữu cơ dễ dàng làm xác nhập các kim loại vào trong mạng tinh thể.
o Nhiệt độ tổng hợp: tốc độ của quá trình kết tinh tỉ lệ thuận với nhiệt độ (trong khi đó tốc độ phản ứng trong dung dịch ban đầu tỉ lệ nghịch với nhiệt độ).
o Thời gian tổng hợp: các tham số của quá trình kết tinh phải được điều chỉnh sao cho làm tối thiểu thời gian cần thiết (để làm tối thiểu các sản phẩm không
mong muốn) để đạt được trạng thái tinh thể mong muốn.
o Độ pH của hỗn hợp phản ứng: quá trình zê-ô-lit hóa được tiến hành trong
điều kiện môi trường ba-zơ kiềm (pH>10).
o Các tác nhân khác: việc tổng hợp có thể được tiến hành theo kiểu liên tục hay bán liên tục, để tăng cường dung lượng cũng như làm cho tương thích với các
ứng dụng công nghiệp.
CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ PHƯƠNG PHÁP HỦY PÔ-SI-TRÔN
2.1. Sự tạo thành và sự hủy pô-si-trôn
2.1.1. Pô-si-trôn, hạt phản vật chất
Pô-si-trôn (Positron) là một phản hạt của ê-lec-trôn được Đi-rắc mô tả lần đầu
−
31
=
×
m
9,108 10
kg
tiên và được An-đê-sân chứng minh sự tồn tại từ những năm 1930. Pô-si-trôn có khối
19
1
=
s =
q
× 1, 6 10
C−
lượng, spin và momen từ giống như ê-lec-trôn (tức có ,
2
, , mô-men từ cùng hướng spin), nhưng có điện tích trái dấu: pô-
si-trôn mang điện dương còn ê-lec-trôn thì mang điện âm. Cũng giống như ê-lec-trôn,
pô-si-trôn khá bền trong chân không: thời gian sống của pô-si-trôn trong chân không rất lớn (thời gian sống trung bình là 1021 năm), nhưng trong vật chất thì gần như trái ngược, thời gian tồn tại của pô-si-trôn rất nhỏ chỉ lớn hơn 10-10s trước khi xảy ra sự
hủy cặp giữa nó và ê-lec-trôn. Sự tương tác của pô-si-trôn với vật chất cũng có nhiều
nét tương tự như của ê-lec-trôn, chẳng hạn quá trình tán xạ, quá trình nhiệt hóa, quá
trình ngay sau nhiệt hóa và trước khuếch tán.
Tuy nhiên, hạt pô-si-trôn cũng có những nét đặc trưng khác biệt so với hạt ê-lec-
trôn. Không thể nào theo dõi quá trình khuếch tán của một hạt ê-lec-trôn riêng lẻ trong
số rất nhiều các ê-lec-trôn giống hệt nhau trong vật chất. Điều này lại có thể đối với
mỗi pô-si-trôn sau khi nó bị nhiệt hóa và trước khi bị hủy. Tất cả các đặc tính của vật
chất mà ảnh hưởng đến sự khuếch tán của pô-si-trôn, chẳng hạn như các trường lực
bên trong, sự phân bố của các thành phần ngoại lai hay các khuyết tật, sự thay đổi
trong không gian của các thành phần cấu trúc, về nguyên tắc đều có thể được đo đạc.
Ngoài ra, bởi vì tích điện dương, các pô-si-trôn có thể tham gia vào nhiều quá trình
mà ê-lec-trôn không thể. Chúng có thể bị bẫy tại các khuyết tật mạng tích điện dương,
chẳng hạn như các lỗ trống đơn và các khuyết tật lỗ mở nhỏ khác, tại các chỗ ngoại
lai.
Có thể coi pô-si-trôn có ba tương tác chính:
o Tán xạ với hạt mang điện nói chung
o Tạo mu-ôn
o Hủy cặp với ê-lec-trôn để tạo ra cặp lượng tử gam-ma
2.1.2. Các nguồn pô-si-trôn
Trong kỹ thuật thực nghiệm pô-si-trôn, nguồn tạo ra pô-si-trôn đóng vai trò
quan trọng. Pô-si-trôn không tồn tại sẵn trong nhân mà sinh ra do sự phân rã hạt nhân
của các đồng vị phóng xạ, từ hiệu ứng tạo cặp đối với các phô-tôn (photon) có năng
lượng đủ lớn hoặc từ các phản ứng hạt nhân.
A
Nguồn pô-si-trôn từ phân rã hạt nhân:
ZX phân rã β+ tạo ra một pô-si-trôn và một nơ-tri-nô (neutrino) để hình
+
X
β γ+ +
Hạt nhân
−→ X
A Z
A Z
1
thành một hạt nhân mới có cùng số khối:
Nguồn pô-si-trôn thông dụng nhất là nguồn đồng vị 22Na (có chu kỳ bán rã là
22Na 22Ne +
T1/2=2,6 năm) theo phản ứng phân rã :
+ + (1.28 MeV)
Phân rã từ nguồn đồng vị 22Na cho xác suất phát ra pô-si-trôn cao 90,4% và nhiều
thuận tiện khác. Trước tiên, sự phát ra lượng tử gam-ma 1,27 MeV gần như đồng thời
với pô-si-trôn (có năng lượng cực đại 540 keV), nhờ vậy có thể đo được thời gian
sống của pô-si-trôn bằng phổ kế gam-ma (gamma) trùng phùng. Hơn nữa, việc tìm
nguồn Na khá dễ dàng từ các dung dịch muối của Natri, chẳng hạn từ Na-tri-clo-rua
hoặc Na-tri-a-xe-tat. Thêm vào đó, chu kỳ bán rã khá dài 2,6 năm, giá cả hợp lí nên
phù hợp với mục đích sử dụng trong phòng thí nghiệm.
Sơ đồ phân rã của đồng vị phóng xạ 22Na được minh họa ở hình 2.1. Theo đó, 90,4%
các phân rã bằng cách phát ra pô-si-trôn và một ê-lec-trôn nơ-tri-nô của trạng thái kích thích 22Ne và trở lại trạng thái cơ bản sau 3,7 ps sau khi phát ra một lượng tử gam-ma
1,274 MeV. Khả năng bẫy ê-lec-trôn (electron capture – EC) chỉ đạt xác xuất 9.5% và
quá trình chuyển trực tiếp về trạng thái cơ bản của Ne chỉ đạt 0,1%.
Hình 2.1: Sơ đồ phân rã của đồng vị phóng xạ 22Na
Ngoài nguồn đồng vị 22Na, các nguồn đồng vị khác (64Cu, 58Co,…) cũng có thể
được sử dụng, nhưng không phổ biến. Các pô-si-trôn được tạo ra từ phản ứng phân rã
có phân bố năng lượng rộng lên đến cỡ 540 keV và có thể xuyên sâu vào trong vật
liệu.
Để đo thời gian sống của pô-si-trôn và độ dãn nở Đôp-le cần nguồn có hoạt độ yếu (khoảng 8.105 Bq là đủ). Phương pháp chiếu pô-si-trôn và đo góc tương quan cần
nguồn mạnh hơn.
Trong một số trường hợp người ta còn tạo ra nguồn nội, nhất là khi nghiên cứu
về kim loại đồng (Cu) và các hợp kim của nó. Nguồn nội được tạo ra trong Cu bằng cách bắn nơ-trôn (neutron) vào 63Cu để tạo ra 64Cu, sau đó 64Cu phát pô-si-trôn có
năng lượng cực đại 0,65 MeV với chu kỳ bán rã 12,9 giờ.
Một số nguồn pô-si-trôn và cách tạo ra các nguồn được trình bày trong bảng
2.1.
Bảng 2.1: Một số nguồn pô-si-trôn và cách tạo nguồn
Nguồ Cách tạo Chu kỳ Phần trăm Emax
n bán rã (MeV) e+
22Na
27Al (3He, 2 ) 22Na
2,6 năm 89 0,54
24Mg (d, ) 22Na
--- --- ---
11C
11B (p, n) 11C
18F
18O (p,n) 18F
20,4 phút 99 0,96
110 phút 97 0,635
55Co
58Ni (p,
57Ni
18,2 giờ 60 1,50 ) 55Co
56Fe (3He, 2n) 57Ni
58Co
58Ni (n,p) 58Co
36 giờ 50 0,85
71,3 ngày 15 0,48
64Cu
63Cu (n, ) 64Cu
90Nb
90Zr (p,n) 90Nb
12,9 ngày 19 0,65
68Ge
14,7 ngày 54 1,50
66Zn ( ,
270 ngày 15 1,90
44Sc
45Sc (n, 2n) 44Sc
2n) 68Ge
3,93 giờ 95 1,47
Nguồn pô-si-trôn từ phản ứng tạo cặp.
Sự tạo cặp ê-lec-trôn – pô-si-trôn từ các phô-tôn năng lượng cao là một cách khả
thi để tạo ra pô-si-trôn sử dụng trong các hệ chiếu xạ, đặc biệt để nghiên cứu chất bán
dẫn. Đối với nguồn này, khi năng lượng của tia gam-ma tới lơn hơn 1,002 MeV tương
tác với vật chất sẽ sinh ra phản ứng tạo cặp ê-lec-trôn – pô-si-trôn trong điện trường
của hạt nhân. Lúc này, gam-ma lượng tử bị hấp thụ hoàn toàn và truyền hết năng
lượng cho cặp ê-lec-trôn – pô-si-trôn. Gam-ma để tạo cặp ê-lec-trôn – pô-si-trôn phổ
biến là bức xạ Brem-tra-lung (Bremsstrahlung) được sinh ra khi chùm ê-lec-trôn năng
lượng lớn bị hút bởi các hạt nhân tích điện dương.
Ngoài ra, nguồn pô-si-trôn cũng có thể tạo ra từ các phản ứng hạt nhân.
Stein (1974) đã đề xuất cách điều khiển chùm prô-tôn năng lượng cao bắn vào bia
làm từ nguyên tố Bo-ron (Bo) để thu được chùm pô-si-trôn có thông lượng lớn.
Một cách tạo pô-si-trôn khác được quan sát trong phản ứng nghiên cứu Mu-nic (Munich) (Triftshaeuser 1995). Trong phản ứng 113Cd (n, ) 114Cd, ba lượng tử với
tổng năng lượng 9,041 MeV được giải phóng và có thể được sử dụng cho phản ứng
tạo cặp. Lợi thế của phương pháp này là tạo ra chùm pô-si-trôn có cường độ cao liên
tục.
2.1.3. Tương tác của pô-si-trôn với vật chất, sự hủy pô-si-trôn
2.1.3.1. Tương tác của pô-si-trôn với vật chất
Khi gặp bề mặt vật chất, tùy thuộc vào năng lượng của pô-si-trôn tới, góc tới và
vật liệu làm bia, pô-si-trôn có thể bị tán xạ trên bề mặt, hoặc đi sâu vào bên trong bia
nhờ hiệu ứng mở kênh. Pô-si-trôn khi vào trong vật chất sẽ nhanh chóng bị mất năng
lượng do quá trình nhiệt hóa, sau đó khuếch tán cho đến khi bị hủy.
Sự tán xạ ngược trên bia
Khi một chùm hạt bắn vào một bia rắn, một số hạt, sau khi va chạm đàn hồi
hoặc không đàn hồi với các nguyên tử của bia, nảy ra khỏi bề mặt. Một số khác xuyên
qua mặt kia của bia, số còn lại bị bẫy ở bên trong bia. Tỉ lệ các hạt bị bẫy, tán xạ
ngược hay truyền qua tùy thuộc vào độ dày của bia. Đối với những bia dày, tỉ lệ các
hạt tán xạ ngược có thể đạt được giá trị bão hòa của nó, thường gọi là hệ số tán xạ. Hệ
số tán xạ này phụ thuộc vào từng loại hạt, năng lượng ban đầu của các hạt, số nguyên
tử (Z) của bia và góc tới của các hạt đến bia.
Khi va chạm với ê-lec-trôn hoặc hạt nhân của nguyên tử, pô-si-trôn bị mất bớt
năng lượng và thay đổi hướng. Tán xạ giữa pô-si-trôn tới với hạt nhân của bia gần như
là tán xạ đàn hồi bởi vì sự chênh lệch lớn về khối lượng giữa chúng. Các tiết diện tán
xạ đàn hồi của pô-si-trôn với các bia làm từ các vật liệu khác nhau đã được tính toán
bởi Mau-ri-zi-ô Đa-pô (Maurizio Dapor) [14], cho thấy tiết diện tán xạ đàn hồi của
pô-si-trôn nhỏ hơn của ê-lec-trôn, và tiết diện tán xạ góc lớn của pô-si-trôn lớn hơn
của ê-lec-trôn. Sự khác biệt này được giải thích là do tương tác giữa hạt nhân bia với
ê-lec-trôn là tương tác hút, còn đối với pô-si-trôn là tương tác đẩy. Các hạt nhân bia có
số nguyên tử càng lớn thì xác xuất tán xạ ngược càng cao. Xác xuất tán xạ đàn hồi và
không đàn hồi cũng được tính toán lý thuyết bằng phương pháp mô phỏng Môn-te
Cac-lô (Monte Carlo) bởi Giê-sen (Jesen) [28] và Ô-mut-lu (Ozmutlu) [43]. Trong
công trình nghiên cứu của Mau-ri-zi-ô Đa-pô và An-tô-ni-ô Mi-ô-teo-lô (Antonio Miotello), số lượng trung bình của các va chạm góc lớn υ của các pô-si-trôn năng
lượng thấp (500 eV < E <5000 eV) tỉ lệ với hệ số tán xạ của pô-si-trôn và được tính
2
υ
=
+
exp(
ln
E
ln
E
)
toán gần đúng bởi biểu thức:
+ ξ ξ 1
0
ξ 2
ξ ξ=
i =
0,1, 2
)
(2.1)
( i Z
i
Trong đó, , ; Z là số nguyên tử của hạt nhân bia; E là năng lượng
,
của pô-si-trôn tính theo đơn vị eV. Chẳng hạn khi Z=Al (bia làm bằng nhôm), các giá
,ξ ξ ξ có giá trị lần lượt là -4,4277; 1,0119; -0,0526 [13].
0
1
2
trị
Các phương pháp thực nghiệm pô-si-trôn để nghiên cứu cấu trúc của vật chất
đòi hỏi cần phải giảm sự hủy của pô-si-trôn tán xạ ngược xảy ra bên ngoài mẫu vì sự
hủy này làm sai lệch phổ hủy bên trong. Có thể tránh được điều này nếu sử dụng
buồng đo có độ rộng đủ lớn và che chắn các đầu dò ghi nhận bức xạ hủy, hoặc sử
dụng hệ đo trùng phùng.
Sự mở kênh tương tác
Các hạt khi chuyển động ngang ứng với các góc nhỏ dọc theo một trục tinh thể
đơn sẽ chịu tác dụng bởi một hợp lực tán xạ gây bởi các nguyên tử của tinh thể đó.
Các trường cực mạnh có thể bẫy các hạt này dọc theo một trục hoặc mặt phẳng, gọi là
sự mở kênh (sự xoi rãnh – channeling).
Hình 2.2: Nguyên lí của sự mở kênh trong tinh thể. Khi một chùm hạt chạm đến tinh thể dưới một góc nhỏ theo trục của nó, một hạt sẽ tương tác đồng thời với nhiều nguyên tử của tinh thể và do đó có thể bị bẫy ở vùng hẹp xung quanh trục (hay mặt phẳng) gọi là kênh. Số lượng lớn các nguyên tử tinh thể tham gia (khoảng 1000) sinh ra trường cực lớn. Cường độ điện trường có thể đạt giá trị E=10 TV/m (Tera-Volt/mét) và từ trường có thể lên đến B=30kT (kilo-Tesla).
Sự mở kênh của pô-si-trôn và ê-lec-trôn là một hiện tượng vật lí lí thú, các hạt
được mở kênh di chuyển nhấp nhô như hình gợn sóng khi đi vào vật liệu (hình 2.2),
nhờ đó sinh ra nhiều bức xạ xoi rãnh. Nếu các hạt được mở kênh có năng lượng lớn
(cỡ 10 GeV) có thể sinh ra bức xạ xoi rãnh có cường độ lớn tương đương cường độ
bức xạ Xin-crô-trôn (Synchrotron).
Sự mở kênh của pô-si-trôn trong các miền năng lượng khác nhau đã được nghiên
cứu từ rất sớm. An-đê-sân (Andersen), Au-gợt-ti-ni-ac (Augustyniak) và U-gơ-hoi (Uggerhoj) đã tiến hành đo sự tán xạ góc lớn (40-100) của các pô-si-trôn 1 MeV trong
vàng (Au), nghiên cứu cấu trúc vật liệu nhờ vào nhiễu xạ Bragg [9]. Nghiên cứu sau
đó của Pê-đê-sân (Pedersen), An-đê-sân và Au-gợt-ti-ni-ac cho thông tin cấu trúc tốt
hơn với chùm pô-si-trôn 1,2 MeV trong Si [44], mặc dù trong tất cả các thí nghiệm
này, việc thiếu nguồn pô-si-trôn có cường độ đủ mạnh dẫn đến một khoảng năng
lượng rộng và do đó tương ứng với một độ phân giải góc kém. Thí nghiệm với pô-si-
trôn 10-50 keV trong Si của Kiu (Schultz) và cộng sự cho hiệu ứng mở kênh, nhưng
không thu được thông tin cấu trúc [47]. Niu-phơ (Neufert), Ki-bồ (Schiebel) và Clau-
nit-dơ (Clausnitzer) thí nghiệm truyền qua MgO và Si với chùm pô-si-trôn và ê-lec-
trôn 5-45 MeV và chỉ quan sát được các sóng nhiễu xạ từ các ê-lec-trôn [41]. Công bố
của Ha-ke-na-sen (Haakenaasen) cùng cộng sự khi nghiên cứu các hiệu ứng mở kênh
lượng tử của pô-si-trôn năng lượng 1 MeV cho rằng khi chùm pô-si-trôn trong miền năng lượng MeV, cường độ 106 s-1 với một góc mở kênh tới hạn, tốc độ đếm gam-ma là 1 s-1 có thể đạt được độ dài kênh 1, 2 mµ trong tinh thể Au [26].
Sự mở kênh của pô-si-trôn có thể được mô tả khá hoàn chỉnh bằng lí thuyết mở
kênh dựa trên cơ học cổ điển, kể cả đối với sự mở kênh hai chiều (planar channeling)
của cấu trúc dựa vào nhiễu Bragg. Điều này hơi khác với các ê-lec-trôn, lí thuyết cổ
điển chỉ mô tả được sự mở kênh quanh trục (axial channeling) bởi vì ê-lec-trôn tích
điện âm, chúng dễ dàng thâm nhập vào các tâm tán xạ hạt nhân trên các hàng và mặt
phẳng, vì thế sự tán xạ diễn ra phức tạp hơn. Các pô-si-trôn được mở kênh tán xạ ít
hơn các ê-lec-trôn.
Sự nhiệt hóa
Khi pô-si-trôn đi vào tinh thể, năng lượng của nó lớn hơn rất nhiều so với năng
lượng khuếch tán nhiệt. Quá trình pô-si-trôn bị mất bớt năng lượng để cân bằng với
năng lượng khuếch tán nhiệt gọi là sự nhiệt hóa (hay làm chậm). Thời gian nhiệt hóa
rất ngắn so với tổng thời gian sống của pô-si-trôn (vài ps). Pô-si-trôn có năng lượng
cao bị mất năng lượng trong quá trình kích thích (có thể i-ôn hóa) các ê-lec-trôn lõi và
ê-lec-trôn hóa trị khi chúng va chạm với các nguyên tử của tinh thể; cho đến khi năng
lượng còn cỡ vài eV thì chủ yếu tán xạ phô-nôn (phonon). Cuối cùng pô-si-trôn đạt
trạng thái cân bằng nhiệt với môi trường và duy trì trạng thái này nhờ vào sự phát và
hấp thụ phô-nôn.
2 θ
=
−
ln
Độ giảm năng lượng của pô-si-trôn được tính toán bởi biểu thức sau [2]
−
2
dE dx
π 2 E
I
MeV cm
9 4 × (3 10 ) 6 × (1, 6 10 )
E E m k 2 − (1
2 θ θ )
4 q NZ 2 θ m
(2.2)
Với: q=1,6x10-19C
: điện tích pô-si-trôn : số lượng nguyên tử của tinh thể trong 1cm3 : số nguyên tử của hạt nhân tinh thể
N Z Em=0,51MeV : năng lượng tĩnh của pô-si-trôn Ek cv /=θ I : động năng tức thời của pô-si-trôn : tỉ số giữa tốc độ của pô-si-trôn và tốc độ ánh sáng : thế i-ôn hóa và kích thích của chất hấp thụ
Sự khuếch tán
Khi đạt đến thái cân bằng nhiệt với môi trường, pô-si-trôn bước vào quá trình
của pô-si-trôn được khuyếch tán trong tinh thể. Quãng đường tự do trung bình l
2
3D +
=
=
l
v
biểu diễn là hàm của nhiệt độ [5]
2
3 Bk T * m
v
; với (2.3)
Trong đó v là vận tốc pô-si-trôn nhiệt, kB là hằng số Bôi-zơ-man (Boltzmann), T là nhiệt độ, m* là khối lượng hiệu dụng của pô-si-trôn, D+ là hằng số khuếch tán pô-si-
trôn.
Trong suốt quá trình khuyếch tán, pô-si-trôn sẽ tương tác với môi trường và
cuối cùng sẽ hủy với ê-lec-trôn môi trường hoặc có thể bị bẫy bởi các vùng khuyết của
tinh thể và bị hủy ở trong đó. Trong môi trường hoàn hảo (không có sai hỏng), các pô-
bλ đặc trưng cho từng môi trường đó. Độ dài khuếch
si-trôn hủy với cùng một tốc độ
=
=
tán của pô-si-trôn L+ là một đại lượng xác định vì thời gian sống của pô-si-trôn
L +
Dτ .b +
1 λ b
) xác định: . Quãng đường tự do trung bình và độ dài khuếch tán ( τ b
của pô-si-trôn (trong một số kim loại và chất bán dẫn) đã được tính toán, tương ứng cỡ
vài chục na-nô mét và vài trăm na-nô mét.
Quá trình nhiệt hóa, khuếch tán và hủy pô-si-trôn được minh họa ở hình 2.3
Quá trình nhiệt Nguồn pô-si-
e
Quá trình khuyếch
Quá trình hủy
Hình 2.3: Hình vẽ minh họa các quá trình tương tác của pô-si-trôn trong tinh thể 2.1.3.2. Sự hủy pô-si-trôn
a. Sự bẫy pô-si-trôn
Nếu trong mạng tinh thể tồn tại những sai hỏng (sai hỏng điểm, sai hỏng
đường,…) thì pô-si-trôn sẽ có xác suất khuếch tán vào trong các sai hỏng đó. Khi đó
tốc độ hủy của các pô-si-trôn sẽ không giống nhau mà thay đổi theo trạng thái của pô-
si-trôn. Tại những khuyết tật thể tích mở (lỗ rỗng), do sự giảm trong lực đẩy Cu-lông,
trạng thái pô-si-trôn định xứ tại sai hỏng có thể có năng lượng thấp hơn trạng thái pô-
si-trôn không định xứ (pô-si-trôn tự do). Sự chuyển từ trạng thái không định xứ sang
trạng thái định xứ gọi là sự bẫy pô-si-trôn. Khi pô-si-trôn bị bẫy, sự hủy bị quyết định
bởi mật độ ê-lec-trôn ở vùng hủy. Mật độ ê-lec-trôn giảm kéo theo tốc độ hủy giảm, vì
thế pô-si-trôn bị bẫy tồn tại lâu hơn so với những pô-si-trôn tự do khác. Tốc độ hủy
trong mỗi trạng thái phản ánh mật độ pô-si-trôn ở trạng thái đó và cho thông tin để xác
định về các loại sai hỏng khác nhau trong vật liệu. Không phải tất cả các lỗ trống hay
sai hỏng nào cũng có thể bẫy pô-si-trôn, sự bẫy pô-si-trôn được quan sát tốt trong các
kim loại như Cu, Ag, Mg, Fe. [2]
b. Sự hủy pô-si-trôn
Quá trình hủy cặp của pô-si-trôn với ê-lec-trôn (e+-e-) tuân theo định luật bảo
toàn năng lượng, điện tích, spin và mô-men động lượng. Sự hủy của pô-si-trôn khi
tương tác với ê-lec-trôn kèm theo sự phát ra của một, hai, hay nhiều hơn phô-tôn, tùy thuộc vào trạng thái spin của cặp e+-e- và sự hiện diện của các hạt khác ở nơi xảy ra
quá trình hủy.
Sự hủy cặp e+-e- phát ra một phô-tôn chỉ khi có sự hiện diện của hạt thứ ba (hạt
nhân hay ê-lec-trôn) nhận lấy phần động lượng ngược hướng với động lượng của phô-
tôn. Quá trình hủy cặp này có thể xảy ra đối với các pô-si-trôn có năng lượng lớn, đó
là phản ứng hạt nhân giữa pô-si-trôn và hạt nhân của môi trường. Quá trình này cho ít
thông tin về cấu trúc ê-lec-trôn của môi trường hủy.
Khi sự hủy chỉ có một pô-si-trôn tự do và một ê-lec-trôn tự do, ít nhất phải có
hai phô-tôn được tạo ra.
Tiết diện hủy pô-si-trôn giảm nhanh theo số lượng của phô-tôn phát ra. Khi số
α=
phô-tôn phát ra tăng 1, thì tiết diện hủy giảm đi một lượng bằng giá trị của hằng số
1 137
=
=
cấu trúc [25]
2
σ γ (3 ) σ γ (2 )
1 137
σ γ (4 ) σ γ (2 )
1 137
, (2.4)
Như vậy, quá trình hủy cặp e+-e- kèm theo phát xạ hai phô-tôn có xác suất lớn hơn
nhiều so với các quá trình hủy phát xạ 3, 4 phô-tôn.
Với mục tiêu nghiên cứu cấu trúc vật rắn, người ta thường dùng các pô-si-trôn
từ các đồng vị phóng xạ, có năng lượng không lớn lắm và nghiên cứu quá trình hủy cặp e+-e- kèm theo phát xạ hai phô-tôn.
Trong vật rắn, sự hủy cặp có thể xảy ra trong hai trạng thái của cặp e+-e-.
o Trạng thái tự do: pô-si-tron tương tác với ê-lec-trôn dẫn của vật rắn mà không
có liên kết gì với ê-lec-trôn.
o Trạng thái liên kết: pô-si-tron cùng với ê-lec-trôn tạo thành một nguyên tử kiểu hy-đrô, nguyên tử này được gọi là pô-si-trô-ni-um (positronium), kí hiệu
là Ps.
Hủy tự do
Tiết diện hủy kèm theo phát xạ hai phô-tôn xảy ra giữa một pô-si-trôn tự do và một
ê-lec-trôn tự do được Đi-rắc tính toán. Xét phi tương đối tính, tiết diện hủy tăng khi vận tốc của các hạt tương tác (e+-e-) giảm (vận tốc tương đối của pô-si-trôn và ê-lec-
=
=
trôn).
2 γσ σ π r 0
D
2
c v
(2.5)
Với r0 là bán kính cổ điển của ê-lec-trôn, c là tốc độ của ánh sáng trong chân không. v
là vận tốc tương đối của pô-si-trôn và ê-lec-trôn. Tiết diện này tỉ lệ nghịch với vận tốc
v.
λ σ φ=
Xem môi trường tương tác như một khí ê-lec-trôn tự do với vận tốc đồng nhất ve-. Xét
2 . γ
γ 2
một đại lượng gọi là vận tốc hủy, có biểu thức:
Trong đó φ là thông lượng ê-lec-trôn ở nơi pô-si-trôn, có giá trị bằng: với n
là mật độ ê-lec-trôn ở nơi pô-si-trôn hủy.
Nếu cho rằng pô-si-trôn hủy khi chúng đã được nhiệt hóa thì vận tốc tương đối v trong
có thể xem là vận tốc của các ê-lec-trôn. biểu thức của
Khi đó có thể viết lại biểu thức của như sau:
(2.6)
có thứ nguyên là nghịch đảo của thời gian, s-1. Đại lượng này có ý nghĩa là xác
suất toàn phần hủy pô-si-trôn trong đơn vị thời gian. Đại lượng nghịch đảo của nó, có
thứ nguyên thời gian, có ý nghĩa là thời gian sống trung bình của pô-si-trôn, thường
τ
=
được kí hiệu là .
1 = λ π
γ 2
1 2 r cn 0
(2.7)
Như vậy, thời gian sống của pô-si-trôn trong vật chất tỉ lệ nghịch với mật độ ê-lec-trôn
mà pô-si-trôn trong vật chất.
Quá trình hủy pô-si-trôn có tính ngẫu nhiên, tương tự như tính ngẫu nhiên của
sự phân rã phóng xạ : nếu ban đầu có một số N0 pô-si-trôn trong vật chất, xác suất hủy
là , thì tại thời điểm t sẽ vẫn còn tồn tại N pô-si-trôn, và được xác định theo biểu
thức (2.8)
(2.8) N(t)=N0exp(-
Thừa số exp(- có ý nghĩa là xác suất để cho một pô-si-trôn phát ra ở thời điểm
ban đầu t=0 vẫn còn tồn tại đến thời điểm t.
Trong trường hợp hai phô-tôn được phát ra, ta có :
(2.9)
m 0
=
m
(2.10)
2
−
1
2
v c
ở đây: , với m0 là khối lượng nghỉ của ê-lec-trôn, k1 và k2 là động lượng
của phô-tôn, E là năng lượng của cặp e+-e-, v là vận tốc khối tâm của cặp e+-e- theo hệ
quy chiếu gắn với phòng thí nghiệm.
Biểu thức (2.9) và (2.10) chỉ ra rằng khối tâm của cặp e+-e- trong cố định đối với hệ
quy chiếu phòng thí nghiệm (v = 0) thì hai phô-tôn phát ra theo hai hướng ngược nhau (góc giữa chúng là 0o) với cùng một năng lượng:
(2.11)
Giản đồ phương bay ra của hai phô-tôn được minh họa ở hình 2.4.
Hình 2.4: Giản đồ phương bay ra của hai phô-tôn hủy
Khi v khác 0, góc giữa hai hướng mà phô-tôn bay ra khác 1800 và năng lượng cũng
, góc lệch được xác định không bằng 0,51 MeV. Nếu động lượng của cặp
≈
θ
bởi công thức (2.12)
sin
p ⊥ m c 0
(2.12)
Và độ biến thiên năng lượng của phô-tôn được cho bởi công thức (2.13) (hiệu chỉnh
Đôp-le) :
Eγ∆
p c ≈ 2
(2.13)
−
16 17mrad
rất nhỏ, chỉ cỡ 10 tức là chỉ khoảng Các kết quả nghiên cứu đã cho thấy góc
và chỉ cỡ vài keV.
Như vậy, xung lượng của ê-lec-trôn liên hệ với góc lệch giữa hai hướng phát xạ của
các lượng tử gam-ma và sai khác năng lượng theo hệ thức :
m cθ⊥ ≈ p
0
(2.14)
≈ p
γ∆ 2 E c
(2.15)
Tóm lại, trong trường hợp hủy tự do của pô-si-trôn, ta có kết luận sau :
Từ sự nghiên cứu thời gian sống của pô-si-trôn trong vật chất có thể được
thông tin về mật độ n của ê-lec-trôn trong vật chất đó.
Vì pô-si-trôn khi hủy có động năng rất nhỏ (chỉ cỡ vài phẫn trăm eV khi nhiệt hóa) nên xung lượng của cặp e+-e- có thể xem là xung lượng của ê-lec-trôn. Do đó,
nghiên cứu phân bố bức xạ hủy theo góc lệch và theo năng lượng sẽ biết xung
lượng của ê-lec-trôn.
Xét sư hủy kèm theo phát xạ ba phô-tôn, khó xác định được động lượng và năng
lượng của các phô-tôn phát ra nếu chỉ dựa vào các định luật bảo toàn. Khi v = 0, tất
cả các phô-tôn phát ra trong cùng một mặt phẳng, góc lệch so với mặt phẳng này
(khi v khác 0) là do bậc v/c. Khác với sự hủy kèm theo hai phô-tôn, các phô-tôn
phát ra trong sự hủy kèm theo ba phô-tôn có năng lượng liên tục trong khoảng từ 0
đến 0,51 MeV.
Hủy liên kết
Trong nhiều loại vật chất sự hủy của pô-si-trôn diễn ra ngay cả ở trạng thái liên kết
của pô-si-trôn với ê-lec-trôn, nguyên tử, phân tử, và các lỗ trống khác. Loại liên kết giữa hai hạt đơn giản nhất e+-e- là pô-si-trô-ni-um.
Năng lượng liên kết của nguyên tử pô-si-trô-ni-um bằng một nửa và bán kính quỹ
đạo lớn gấp đôi so với năng lượng và bán kính quỹ đạo của nguyên tử Hy-đrô, được
4
= −
tính theo công thức (2.16) và (2.17)
E n
2
m e 0 2 4 n
2
2
(2.16)
r n
2 n = 2 m e 0
(2.17)
1n = ), năng lượng liên kết
=
6, 77
Ở trạng thái cơ bản của nguyên tử pô-si-trô-ni-um (
PsE
E= − 1
eV và bán kính Bohr aPs=2a0=0,106 nm (với a0 là bán kính Bohr thứ
nhất của nguyên tử Hy-đrô).
Xét phi tương đối tính, hàm sóng của pô-si-trô-ni-um khi đã tính đến sự giảm
khối lượng thì giống với hàm sóng của nguyên tử Hy-đrô. Chẳng hạn, hàm sóng ở
1
=
−
exp(
)
( ) r
trạng thái cơ bản của pô-si-trô-ni-um có dạng :
ψ 1
r a
Ps
π a
3 Ps
(2.18)
Tùy vào sự định hướng spin của e+ và e- đối với nhau, ta chia ra hai trạng thái cơ bản của nguyên tử pô-si-trô-ni-um: trạng thái singlet 1S0 (Pa-ra-pô-si-trô-ni-um (parapositronium), p-Ps) khi spin của e- và e+ ngược hướng, và trạng thái triplet 3S1 (or-tho-pô-si-trô-ni-um (orthopositronium), o-Ps) khi spin của e- và e+ cùng hướng.
Thời gian sống trong chân không của p-Ps và o-Ps tương ứng là 0,125 ns và 140 ns.
Or-tho-pô-si-trô-ni-um có ba trạng thái ứng với ba giá tri khác nhau của số lượng tử từ
0m = . Do đó,
m: +1, 0, -1; còn pa-ra-pô-si-trô-ni-um chỉ có một trạng thái ứng với
3 4
, của pa-ra-pô-si-trô-ni-um khối lượng tĩnh tương đối của or-tho-pô-si-trô-ni-um là
1 4
. là
Tiết diện hủy và thực tế diễn biến của sự hủy tùy thuộc sự định hướng spin lẫn
nhau của các hạt thành phần tham gia sự hủy. Chẳng hạn, pa-ra-pô-si-trô-ni-um chỉ
xảy ra kèm theo sự phát xạ của hai phô-tôn, trong khi or-tho-pô-si-trô-ni-um chỉ xảy
ra kèm theo sự phát xạ ba phô-tôn. Khả năng hủy tự phát của p-Ps và o-Ps cũng khác
0
0
nhau.
Sλ và thời gian sống trung bình
Sτ của sự hủy tự phát của trạng thái
Tốc độ hủy
2
=
=
cơ bản của p-Ps được cho bởi biểu thức (2.19)
(0)
0 λ S
2 π ψ 4 r c 0 1
1 0 τ S
(2.19)
Với là xác suất tìm thấy ê-lec-trôn trong vùng gần pô-si-trôn. Thay (2.18)
vào (2.19), ta tính được tốc độ hủy và thời gian sống của p-Ps ở biểu thức (2.20)
, = 1,25 (2.20)
=
1 137
σ γ 3 σ γ 2
Trong đó cho tỉ số và khối lượng tĩnh của trạng thái o-Ps, ta tìm được giá trị
6
− 1
=
=
=
× 7,14 10
s
của tốc độ hủy và thời gian sống của trạng thái cơ bản của o-Ps ở (2.21)
0 λ t
0 λ S 1115
1 0 τ t
, (2.21)
Tóm laị, những tương tác cơ bản của pô-si-trôn với vật chất bao gồm : tán xạ
ngược, mở kênh, nhiệt hóa, khuếch tán, bị bẫy và bị hủy trong tinh thể. Một pô-si-trôn
khi gặp bề mặt của vật rắn, có thể bị tán xạ ngược trở lại, hoặc xuyên sâu vào mẫu.
Khi vào trong mẫu, pô-si-trôn nhanh chóng bị mất năng lượng do nhiệt hóa, rối
khuếch tán trong khắp tinh thể cho đến khi bị hủy. Thời gian nhiệt hóa chỉ vài ps, rất
nhỏ so với thời gian sống của pô-si-trôn trong vật chất (từ vài trăm ps trở lên), nên hầu
hết pô-si-trôn hủy là pô-si-trôn nhiệt. Sự hủy của pô-si-trôn với ê-lec-trôn có thể diễn
ra ở trạng thái tự do hoặc trạng thái liên kết giữa pô-si-tron cùng với ê-lec-trôn tạo thành pô-si-trô-ni-um. Tùy vào sự định hướng spin của e+ và e- đối với nhau, có hai
trạng thái cơ bản của nguyên tử pô-si-trô-ni-um: trạng thái pa-ra-pô-si-trô-ni-um và
or-tho-pô-si-trô-ni-um. Cơ chế của sự hủy pô-si-trôn trong vật chất và thời gian sống
tương ứng được tổng hợp ở hình 2.5.
Hình 2.5: Tổng hợp các cơ chế hủy pô-si-trôn trong vật rắn
2.2. Lí thuyết về phương pháp hủy pô-si-trôn
Có ba phương pháp thực nghiệm cơ bản được ứng dụng cho sự hủy pô-si-trôn là
phương pháp đo thời gian sống của pô-si-trôn, phương pháp đo góc tương quan,
phương pháp đo độ dãn nở Đôp-le. Tùy theo mục đích nghiên cứu mà người ta sẽ lựa
chọn phương pháp phù hợp vì mỗi một phương pháp đều có những ưu điểm và nhược
điểm riêng.
Hình 2.6: Tổng hợp các phương pháp hủy pô-si-trôn cơ bản
Pô-si-trôn và bức xạ gam-ma sơ cấp 1,27 MeV được sinh ra gần như cùng lúc (khoảng thời gian cách nhau chỉ cỡ 10-11s). Do đó, khoảng thời gian giữa thời điểm
gam-ma 1,27 MeV phát ra (thời điểm pô-si-trôn đi vào môi trường) và thời điểm một
trong hai gam-ma năng lượng 0,51 MeV sinh ra từ sự hủy pô-si-trôn (thời điểm pô-si-
trôn biến mất) chính là thời gian sống của pô-si-trôn. Như vậy, phương pháp đo sự
chênh lệch của tốc độ đếm lượng tử có năng lượng 1.27 MeV (bắt đầu đếm) và lượng
tử có năng lượng 0,51 MeV (kết thúc) gọi là phương pháp đo thời gian sống của pô-si-
trôn.
(trong hệ quy chiếu gắn với phòng thí Nếu khối tâm của hệ e+-e- đứng yên, thì hai gam-ma hủy phát ra ngược chiều nhau (góc giữa hai hướng phát ra là 1800) và mỗi gam-ma có năng lượng khoảng 0,51 MeV. Nhưng thực tế khối tâm của hệ e+-e- không đứng yên, do đó góc giữa hai hướng bay của hai gam-ma khác 1800 một góc
nghiệm) và năng lượng của gam-ma hủy cũng khác 0,51MeV một giá trị . Phương
pháp đo góc gọi là phương pháp đo góc tương quan và phương pháp đo gọi là
phương pháp đo độ dãn nở Đôp-le.
Với phạm vi nghiên cứu của đề tài, dưới đây trình bày cụ thể về phương pháp
đo thời gian sống của pô-si-trôn và phương pháp đo độ dãn nở Đôp-le.
2.2.1. Phương pháp đo thời gian sống
Thời gian sống của pô-si-trôn là một hàm của mật độ ê-lec-trôn tại vị trí hủy.
Tốc độ hủy của pô-si-trôn, đại lượng nghịch đảo của thời gian sống , được xác định
từ sự chồng chập mật độ pô-si-trôn và mật độ ê-lec-trôn .
(2.22)
∆
= +
Trong đó r0 là bán kính ê-lec-trôn cổ điển, c là tốc độ ánh sáng trong chân không, và r
γ γ = [
( )] 1
n r −
n − n −
là vec-tơ vị trí pô-si-trôn. Hàm tương quan mô tả sự gia tăng
trong mật độ ê-lec-trôn do tương tác hút Cu-lông (Coulomb) giữa một pô-si-trôn
và một ê-lec-trôn. Hiệu ứng này gọi là hiệu ứng tăng cường.
Khi pô-si-trôn bị bẫy trong các khuyết tật thể tích mở, thời gian sống của chúng
sẽ tăng lên do mật độ các ê-lec-trôn trong các khuyết tật giảm xuống. Thành phần thời
gian sống dài được dùng để đo kích thước của khuyết tật thể tích mở trong khi cường
độ của chúng liên hệ trực tiếp với nồng độ khuyết tật. Nói chung, loại khuyết tật và
nồng độ khuyết tật có thể phân tích bởi thời gian sống của pô-si-trôn.
2.2.1.1. Thiết lập hệ đo
Sơ đồ của hệ phổ kế đo thời gian sống của pô-si-trôn được trình bày trong hình 2.7
Hình 2.7: Sơ đồ hệ đo thời gian sống của pô-si-tron
Hai gamma “start” và “stop” sẽ được ghi nhận bởi hai đầu dò (detector). Tín hiệu
xung ra từ hai đầu dò này sẽ đi qua hai bộ phân biệt xung. Ở đây, một bộ phân biệt
xung sẽ cho xung 1,27 MeV (là tín hiệu phát pô-si-trôn) của nguồn đi qua, một bộ
phân biệt xung khác sẽ cho xung 0,51 MeV (là tín hiệu pô-si-trôn đã bị hủy trong
mẫu) đi qua. Tín hiệu từ hai bộ phân biệt xung sẽ chia ra làm hai nhánh đến bộ làm trễ
và bộ trùng phùng. Bộ làm trễ sẽ gây trễ hai tín hiệu một khoảng thời gian nào đó rồi
đi vào bộ biến đổi xung theo thời gian (TAC). Bộ trùng phùng thì nhận hai tín hiệu để
kích hoạt bộ biến đổi xung theo thời gian hoạt động. Bộ biến đổi xung theo thời gian
này có nhiệm vụ biến đổi thời gian chênh lệch giữa hai tín hiệu “start” và “stop” thành
một xung có biên độ tỉ lệ với khoảng chênh lệch về thời gian (đó cũng chính là thời
gian sống của pô-si-trôn trong mẫu đo). Xung ra sẽ đi qua bộ phân tích đa kênh
(MCA), tại đây xung sẽ được xử lý để đưa vào máy tính và hiển thị dưới dạng phổ
bằng phần mềm ghi phổ. Sau khi hoàn thành đo phổ thời gian sống pô-si-trôn, ta sẽ
dùng các phần mềm phụ trợ để phân tích và đánh giá mẫu đo đạc.
Hoạt độ nguồn pô-si-trôn trong phương pháp đo thời gian sống cần đủ nhỏ để
đảm bảo rằng trung bình chỉ có một pô-si-trôn trong mẫu, sau khi pô-si-trôn này hủy
sẽ đến lượt pô-si-trôn tiếp theo. Điều này giúp tránh sự trộn lẫn các tín hiệu bắt đầu –
kết thúc (start – stop) từ các sự kiện hủy khác nhau.
Chức năng của từng bộ phận của hệ đo thời gian sống của pô-si-trôn được trình bày rõ
nét hơn trong sơ đồ bằng chữ ở hình 2.8
Cao thế
start
Bộ
Bộ làm trễ Bộ Bộ phân biệt Đầu dò 1
phân
chuyể
Hình 2.8: Sơ đồ bằng chữ của hệ đo thời gian sống của pô-si-trôn
Nguồn cao thế: Cung cấp điện cho hai đầu dò và cả hệ làm việc. Nguồn có thể cung
cấp điện thế từ 50 V đến 3000 V.
Đầu dò 1 và 2: được đặt ở hai bên nguồn để ghi nhận các gam-ma.
Bộ phân biệt xung: Bộ phân biệt xung 1 chỉ phản ứng với những xung có năng lượng
dưới 1,27 MeV, còn bộ phân biệt xung 2 chỉ phản ứng với những xung có năng lượng
trên 0,51 MeV.
Bộ làm trễ thời gian: Bộ phận này có tác dụng làm trễ thời gian ghi nhận của hai tín
hiệu gam-ma từ bộ phân biệt xung đến bộ chuyển đổi, đóng vai trò quan trọng trong
việc chuẩn số kênh đếm trên một đơn vị thời gian mà tại đó phổ thời gian sống được
ghi nhận dưới dạng số đếm theo thời gian sống tương ứng của pô-si-trôn và dò tìm
kênh tuyến tính cho phổ.
Bộ trùng phùng: dùng để ghi nhận tín hiệu trùng phùng, kích hoạt bộ biến đổi xung
theo thời gian làm việc và cung cấp tín hiệu tổng cộng cho bộ chuyển đổi. Bộ trùng
phùng đóng vai trò quan trọng trong việc đảm bảo chỉ có một pô-si-trôn được đo thời
gian sống tại một thời điểm xác định và giúp giảm phông, giảm tán xạ.
Bộ chuyển đổi thời gian: bộ phận này giúp chuyển đổi thời gian chênh lệch giữa hai
tín hiệu “bắt đầu” và “kết thúc” thành xung có biên độ phụ thuộc khoảng thời gian
chênh lệch.
Bộ phân tích đa kênh: Bao gồm nhiều bộ đếm đơn kênh khác nhau sẽ phân tích và lưu
trữ các biên độ theo các kênh khác nhau, ghi nhận xung ra từ bộ biến đổi thời gian và
xử lí dữ liệu để đưa vào máy tính.
Máy tính: chứa các phần mền chuyên dụng hiển thị dữ liệu dưới dạng phổ và phân tích
phổ bằng các phần mềm riêng biệt.
2.2.1.2. Xử lí số liệu
k
+ 1
=
−
Phổ phân rã pô-si-trôn phụ thuộc vào thời gian được xác định bởi:
I
D t ( )
exp(
)
i
∑
i
= 1
t τ i
(2.23)
Trong đó, k là số lượng các dạng khuyết tật khác nhau đóng góp vào sự bẫy pô-si-
trôn, là thời gian sống tương ứng của mỗi dạng khuyết tật loại I, Ii là cường dộ hủy
tương ứng với các khuyết tật đó. Nếu trong mẫu không có khuyết tật nào, phương
), trong đó là thời gian sống của pô-si- trình trên được rút gọn thành: D(t)=exp(-t/
trôn trong mạng hoàn hảo.
Thời gian sống N(t) là giá trị tuyệt đối của đạo hàm theo thời gian của phổ phân rã pô-
k
=
−
si-trôn D(t)
N t ( )
exp(
)
∑
i
= 1
I + 1 i τ i
t τ i
(2.24)
Phổ này bị làm trễ một khoảng thời gian đối với thời gian ban đầu t0 nên thời gian t
trong các phương trình (2.23) và (2.24) phải được thay thế bởi t-t0. Thường thì phổ
thực nghiệm sẽ khác với phổ lý thuyết mô tả bởi phương trình (2.24) bởi sự xuất hiện
của hàm phân giải thời gian Ft(t). Trong trường hợp tổng quát, người ta thường lấy
xấp xỉ bởi tổng của các hàm gauss hoặc một hàm gauss với đuôi là hàm mũ. Đối với
t
=
G t ( )
− exp[ (
20 ) ]
các đầu dò nhấp nháy, thường lấy xấp xỉ là một hàm gauss đơn có tâm tại t0.
− t σ
1 σ π
(2.25)
Độ phân giải thời gian được đặc trưng bởi bề rộng toàn phần ở nửa độ cao cực đại
FWHM
(2.26) FWHM=2
Với là độ lệch chuẩn. Tích chập của phương trình (2.23) với hàm Ft(t) sẽ cho phổ
∞
'
=
−
D t (
)
phân rã tích chập
D t ( ) f
' ' t F t dt ( ) t
∫
−∞
(2.27)
Nếu Ft(t) = G(t), tức là dạng Gauss đơn đóng vai trò như là hàm phân giải, phổ
−
−
t
t
0
k
+ 1
t
1
2 σ s τ 4 i
0
−
−
erf
exp
phân rã pô-si-trôn được cho như sau:
tD )( f
= ∑
I i 2
i
= 1
τ i
− t − στσ 2 i s
s
1
(2.28)
2.2.1.3. Ưu điểm và hạn chế của phương pháp đo thời gian sống:
Ưu điểm:
o Hiệu quả trong việc phát hiện các trạng thái pô-si-trôn khác nhau trong vật
chất.
o Là phương pháp duy nhất có thể đo phổ các sai hỏng tại thời điểm tức thời. o Có thể phân biệt được các loại sai hỏng có trong vật chất dựa vào những kết quả từ việc phân tích phổ thời gian sống thu được, ví dụ như phân biệt giữa lỗ
trống đơn và đám lỗ trống lớn hơn.
o Có thể nhận ra đặc tính, tính chất, mật độ và kích thước của những lỗ trống từ
giá trị thời gian sống và cường độ pô-si-trôn.
o Thăm dò bất kỳ những khuyết tật lỗ trống nào từ cấp độ nguyên tử đến đám lỗ
trống lớn.
Hạn chế:
o Kết quả đo phụ thuộc vào cách chọn nguồn, chuẩn bị mẫu cũng như cách bố trí
thí nghiệm…
o Kết quả đo cũng phụ thuộc vào hệ thống thí nghiệm: độ phân giải năng lượng của hệ phổ kế, độ phân giải thời gian của đầu dò, sự ổn định của hệ điện tử và
độ chính xác thống kê.
2.2.2. Đo độ dãn nở Đôp-le
Sự chuyển động của khối tâm của cặp hủy trong hệ quy chiếu gắn với phòng thí nghiệm không chỉ gây ra góc lệch của các phô-tôn khỏi 1800, mà còn gây ra hiệu
ứng mở rộng Đôp-le của đường cong hủy.
Trong trường hợp pô-si-trôn định xứ ở các chỗ khuyết mở, các electron hóa trị
tham gia quá trình hủy tăng so với các electron lõi. Bởi vì động lượng của các electron
hóa trị đủ nhỏ hơn, nên động lượng tổng của các electron sẽ giảm. Điều này dẫn đến
=
f E (
)
một độ lệch góc nhỏ hơn và một độ dãn Đôp-le nhỏ hơn. Đường cong phổ
DN
của các vật liệu giàu chỗ khuyết thì cao hơn và hẹp hơn so với của vật liệu
không có khuyết tật, nếu như cả hai có cùng diện tích. Hiệu ứng này có thể được sử
dụng để thu nhận thông tin định lượng về các chỗ khuyết này.
Vì động lượng bảo toàn trong suốt quá trình hủy, động lượng của cặp e+-e-, p,
truyền cho cặp phô-tôn. Thành phần động lượng pz theo phương truyền z của bức xạ
E∆ =
dẫn đến hiệu chỉnh Đôp-le của năng lượng hủy 511 keV, được tính gần đúng theo
zp c 2
biểu thức:
2.2.2.1. Thiết lập hệ đo
Hình 2.9: Sơ đồ hệ đo độ dãn nở Đôp-le
Gam-ma phát ra được ghi nhận bởi hệ đầu dò có độ phân giải năng lượng cao
(thường là Ge siêu tinh khiết, kèm theo ni-tơ lỏng được làm mát, hiệu suất khoảng
20%). Tín hiệu được chuyển hóa thành xung điện nhờ bộ phận tiền khuếch đại bên
trong đầu dò. Biên độ của xung phụ thuộc năng lượng của bức xạ gam-ma. Bộ phận
khuếch đại cung cấp các xung cần thiết để chuyển xung đến bộ phận chuyển đổi xung
– số (ADC) trong máy phân tích đa kênh (MCA). Bộ phận ổn định đỉnh của MCA cho
phép thu thập khoảng vài triệu điểm đếm. Cuối cùng, dữ kiện được lưu vào bộ nhớ
của MCA và chuyển đến máy tính. Thời gian của phép đo độ dãn nở Đôp-le tương
đương với thời gian đo phổ thời gian sống.
Ta có thể giảm phông tốt hơn bằng phương pháp trùng phùng dãn nở Đôp-le để
ghi nhận cả hai lượng tử gam-ma . Phương pháp này đặc biệt quan trọng cho phép đo
phần động lượng cách tâm của đường hủy khoảng 9 keV. Lượng tử thứ hai gần như
phát ra thẳng hàng với lượng tử thứ nhất được ghi nhận bởi đầu dò Ge thứ hai (hoặc là
đầu dò nhấp nháy). Hiệu quả chính của hệ hai đầu dò Ge này tăng độ phân giải năng
. lượng, lí tưởng là tăng bội
Lí do cần phải trùng phùng cả hai phô-tôn để giảm phông xuất phát từ lượng tử
khoảng 1.27 MeV của phân rã trong nguồn. Bằng cách này, phông có thể bị khử ít
nhất hai bậc về độ lớn.
Hình 2.10: Sơ đồ trùng phùng để đo phổ giãn nở Đôp-le có giảm phông. Hai đầu dò kèm LN2 lỏng làm mát được sử dụng để ghi nhận sự trùng phùng cộng tuyến của lượng tử
Một bước phát triển tiếp theo trong viêc đo đạc phổ trùng phùng là sự kết hợp
với lí thuyết tính toán phần động lượng cao của đường hủy.
Hì
nh 2.11: Phổ trùng phùng Đôp-le của Ga As – Zn. a) Mảng hai chiều các sự kiện
hủy trùng nhau. b) Biểu thị sự giảm phông.
Kết quả cho ra là một mảng hai chiều của tốc độ đếm, trong đó các chiều biểu
diễn các giá trị năng lượng đo được của các đầu dò tương ứng. Phổ trùng phùng của cả
hai đầu dò Ge đạt được trong mặt phẳng nghiêng dọc theo đường chéo kẻ từ góc trái
phía trên đến góc phải phía dưới của mảng đo. Mặt phẳng nghiêng này có thể được
giải thích dựa vào sự bảo toàn động lượng trong suốt quá trình hủy. Sự tăng năng
lượng của tia gam-ma hủy theo điều chỉnh Đôp-le ở đầu dò này dẫn đến sự giảm đồng
thời năng lượng của tia gam-ma hủy ở đầu dò còn lại, để tồng năng lượng của chúng
giữ nguyên không đổi ở 1022 keV. Đường chéo thứ hai là số đo độ phân giải năng
lượng của hệ đo. Hai mặt phẳng chứa hai trục ở mức năng lượng 511 keV thì cũng là
phổ trùng phùng. Mặc dù phổ này cũng có sự giảm của phông, nhưng chúng vẫn
không đối xứng (xem hình 2.11b). Do đó nên thay đầu dò Ge bởi một đầu dò nhấp
nháy với cách lắp đạt tối ưu, phông có thể giảm thêm một bậc nữa về độ lớn. Đường
chéo phổ trùng phùng hầu như đối xứng và có sự tăng độ phân giải năng lượng (như
đã đề cập ở trên). Điều này thể hiện rõ ràng ở hình 2.11b với sự tăng tỉ số từ đỉnh đến
phông và độ phân giải.
2.2.2.2. Xử lí số liệu
Hình 2.12: Minh họa cách xác định diện tích vùng Np và Nw dưới đường cong phổ
Trong phép đo DB, độ mở rộng của đường hủy (đỉnh 511 keV) bởi điều chỉnh
− 3
≤
(
4.10
Đôp-le phụ thuộc vào tổng động lượng của cặp hủy pô-si-trôn và ê-lec-trôn. Phổ phân bố động lượng theo một chiều của cặp hủy e+-e- thể hiện hai vùng chính: vùng động
LP
m c 0
LP
, với lượng thấp gần đỉnh phản ánh sự hủy của các ê-lec-trôn hóa trị
−
−
3
3
≤
(11,5.10
15,5.10
)
là thành phần động lượng dọc theo phương hủy) và phần động lượng cao về phía hai
≤ m c P L
0
m c 0
). rìa của phổ phản ánh sự hủy của các ê-lec-trôn lõi
Do đó, sự định lượng dựa theo hai tham số hình học đặc trưng:
N
p
=
S
Tham số S (liên quan đến sự hủy của các ê-lec-trôn hóa trị) được định nghĩa:
N
total
(2.29)
+
N
N
w
2
=
và tham số W (liên quan đến sự hủy của các ê-lec-trôn lõi) được định nghĩa:
W
1 w N
total
(2.30)
pN là số đếm vùng động lượng thấp,
totalN là tổng số đếm,
1wN và
2wN là số đếm
trong đó
hai vùng rìa có động lượng cao.
Thông tin về cấu trúc vật chất được cung cấp đầu đủ hơn bằng việc mô tả sự phân
bố năng lượng toàn phần (FED) và sử dụng tham số L/R (các vùng phẳng trái/phải của
2γ của p-Ps, và L/R chứa thông tin về hủy phát xạ 3γ của o-Ps. Một tham số khác,
đỉnh hủy 511 keV). Tham số S chứa thông tin về thành phần sống ngắn, hủy phát xạ
RAP (đỉnh hủy tương đối, được làm cho tương đồng với đỉnh 1.28 MeV (đỉnh tổng
pô-si-trôn) có thể xác đỉnh tỉ số 2 / 3γ γ . Một sự giảm của S (hoặc RAP) và một sự
tăng của L/R cho thấy tăng xác suất phát xạ 3γ và ngược lại. Bằng cách so sánh các
giá trị RAP trong các vật mẫu thể hiện một cách trội hơn của hủy 3γ hoặc 2γ và khai
3f γ của hủy o-Ps phát xạ 3γ, được
f
τ= I
thác các kết quả LT, cũng như thiết lập phân số
4 4 /140
γ 3
(140 ns là thời gian sống của o-Ps trong chân không). Sự tính xấp xỉ:
3f γ
tương ứng với sự tăng xác suất hủy 3γ. [9] tăng giá trị của
2.2.2.3. Ưu điểm và hạn chế của phương pháp đo giãn nở Đôp-le
Ưu điểm :
o Ứng dụng nhiều trong việc phân tích cấu trúc vật liệu. o Ứng dụng tốt đối với các kim loại có độ nóng chảy cao. o Hữu hiệu trong việc xác định sự hình thành, nhiệt hóa và phản ứng hóa học của
pô-si-trô-ni-um.
Hạn chế:
Độ chính xác của phép đo phụ thuộc vào độ phân giải của đầu dò. Thông
thường, đầu dò phải có độ phân giải năng lượng nhỏ hơn 2 keV tại vạch 511 keV.
2.3. Giới thiệu về phần mềm phân tích phổ LT
2.3.1. Giới thiệu chung
Để thu được kết quả đo thời gian sống của pô-si-trôn, ta cần sử dụng một phần
mềm phân tích phổ thích hợp. Hiện nay có nhiều phần mềm xử lý phổ như: PATFIT-
88, POSITRONFIT, LT. Trong luận văn này, phần mềm LT v9.0 được sử dụng để xử
lý phổ thu được.
Chương trình LT được viết trên ngôn ngữ lập trình DELPHI (là một ngôn ngữ
lập trình, đồng thời là một môi trường lập trình rất hay của Borland. Ngôn ngữ này
dựa trên nền tảng ngôn ngữ Pascal, nhưng bổ sung thêm rất nhiều thư viện tiện ích.
Môi trường lập trình này có cơ chế lập trình theo sự kiện giống với Visual Basic. Nó
được đánh giá là ngôn ngữ và môi trường lập trình rất tốt vì thuận lợi như Visual
Basic và lại nhanh gần như C+). Chương trình này sử dụng chương trình khung
WINDOWS, vì vậy nó sở hữu giao diện chuẩn và cung cấp hệ điều hành quen thuộc.
LT sử dụng hai phương pháp khác nhau để phân tích dữ liệu. Cả hai phương
pháp này đều có ích và có thể sử dụng .
Hình 2.13: Giao diện phần mềm LT v9 o Phương pháp thứ nhất, AUTO, tìm kiếm các tham số mẫu là các số tốt nhất (tối ưu) của các thành phần phổ. Tuy nhiên, phương pháp này có một vài bất lợi,
quá trình tính toán bị giới hạn trong một phạm vi cho phép, trong phạm vi các
giá trị ưu tiên biết trước của một vài tham số. Do đó, nhìn chung các kết quả
chưa thỏa đáng, nên phương pháp này chỉ nên xem là bước sơ khảo.
o Phương pháp thứ hai, MAIN, thừa nhận số lượng các thành phần của phổ. Nhờ vào khả năng gán các giá trị vào các tham số, người sử dụng có thể chuyền
hướng tính toán đến các kết quả có ý nghĩa vật lí. Mỗi tham số có thể tự do hay
cố định. Hơn nữa, phương pháp thứ hai đề cập đến các biến số (RUN, 2-STM,
3-STM, DTM, ETLA), cung cấp các loại giá trị gán sau trên cường độ phổ:
- liên quan đến sự đóng góp tương đối của nhóm các thành phần được chọn,
- thỏa mãn đòi hỏi của mô hình bẫy đơn giản hai trạng thái,
- thỏa mãn đòi hỏi của mô hình bẫy đơn giản ba trạng thái,
- thỏa mãn đòi hỏi của mô hình bẫy phức tạp hai trạng thái,
- thỏa mãn đòi hỏi của mô hình ETLA.
Thủ tục tìm kiếm chính được áp dụng để phân tích phổ với các thành phần có
liên quan đến các giá trị riêng lẻ cũng như phân bố liên tục của thời gian sống.
2.3.2. Định nghĩa các số hạng chính được sử dụng trong LT
- Các tham số mẫu (Model parameters): Một tập hợp các giá trị cần thiết để biểu diễn
mô hình lí thuyết của phổ thời gian sống.
- Tham số tự do (Free Parameter): Một tham số mẫu, giá trị được tìm bằng chương
trình.
- Tham số cố định (Fixed Parameter): Một tham số mẫu, giá trị được gán ở giá trị ban
đầu của nó.
- Thành phần vật mẫu (Sample Component): Một thành phần phổ thời gian sống,
tương ứng với một quá trình hủy bên trong vật mẫu.
- Thành phần nguồn (Source Component): Một thành phần phổ thời gian sống, tương
ứng với một quá trình hủy bên ngoài vật mẫu, chẳng hạn, trong nguồn pô-si-trôn.
- Thành phần đơn giản (Plain Component):
- Gián đoạn (Discrete (a decay)): Một hàm mũ biểu diễn bởi một cường độ
và một thời gian sống.
- Liên tục (Continuous): Một gói các điểm rời rạc mà thời gian sống phân bố
theo hàm logarit thường. Thành phần liên tục được mô tả bởi ba tham số:
+ Cường độ
+ Thời gian sống trung bình – giá trị trung bình của sự phân bố theo hàm
logarit của thời gian sống.
+ Sự phân tán – độ lệch chuẩn của thời gian sống trung bình gây do do sự
phân bố.
- Thành phần phức tạp (Complex Component): Một nhóm các thành phần thay thế
được lấy trong phần cân đối mong muốn.
- Thành phần thay thế (Sub-component): Một thành phần thời gian sống gián đoạn hay
liên tục
- Đường cong phân giải (Resolution Curve): Một hàm theo thời gian mô tả độ phân
giải của quang phổ kế đo thời gian sống. Nó được biểu diễn bởi đường cong Guass
cạnh hàm mũ.
- Đường cong guass cạnh hàm mũ (Exponential Sided Gaussian):Đường cong Gauss
gắn với hai hàm mũ ở bên trái và bên phải. Mỗi ESG được mô tả bởi:
- Phân số ESG (ESG fraction ): sự đóng góp của một ESG trong đường cong
phân giải,
- Hệ điều chỉnh (Shift): điều chỉnh trung tâm ESG theo đồng hồ.
- FWHM – bề rộng ở nửa độ cao cực đại của đường gauss,
tau(trái)( tau(left) ): tham số thời gian của rìa mũ trái -
tau(phải)( tau(right) ): tham số thời gian của rìa mũ phải -
Chú ý: các rìa trái và phải có thể bị loại bỏ. khi đó, ESG trở thành đường Gauss trơn.
- Cơ sở dữ liệu tham số (Parameter Data Base (PDB)): Một tập tin nhị phân, nơi lưu
trữ các kết quả phân tích.
- Cơ sở dữ liệu tham số trong dạng nén (Parameter Data Base in compact form): Một
tập tin chữ chứa các tham số tổng hợp trong một tập hợp các hàng. Mỗi hàng liên quan
đến một phân tích. Dữ liệu cơ sở nén có thể thực hiện nhờ vào các hệ điều hành cơ
bản, chẳng hạn Microsoft Excel.
- Cơ sở dự liệu linh động (Active Data Base):Một cơ sở dữ liệu tham số nơi mà các
tham số kết quả được điều khiển mặc định sau khi được lệnh lưu kết quả.
2.3.3. Mô hình lí thuyết
2.3.3.1. Các thành phần
Phổ bao gồm tổng của vài thành phần gián đoạn hoặc liên tục:
=
−
Thành phần gián đoạn
Cdisc
I τ
t τ
exp
(2.31)
Thành phần này phụ thuộc vào 2 thông số là: I, τ lần lượt là cường độ và thời gian
sống của pô-si-trôn trong thành phần hủy thứ i.
∞
=
exp(
C
λ λ ( ) I
λ λ − ) t d
Thành phần liên tục:
cont
L n
∫
0
(2.32)
Với λ: bước sóng xung ánh sáng.
Công thức (2.32) được xây dựng từ tổng liên tục của những loại đường cong của
2
−
( ) λ
ln
ln
−
1 τ 0
1 2
=
−
(2.31), với sự phân bố của hàm logarit thông thường là:
− 1 σπλλ )(
)2(
exp
d
Ln
2 σ 2
− 1 λλ d
(2.33)
∞
τ
=
=
Thành phần liên tục phụ thuộc vào 3 thông số: cường độ I, thời gian sống trung bìnhτ và độ lệch chuẩn của thời gian sống trung bình σr. Với τ và σr tính theo công thức:
Ln
− 1 τλλλ d )( 0
∫
2 σ 2
exp
0
∞
2
− 1
=
−
=
2 σ
d
) 2 τλτλλ )(
(
(2.34)
[ exp(
] − 1)
2 σ r
Ln
∫
0
(2.35)
2.3.3.2. Độ phân giải
Mỗi thành phần (gián đoạn hay liên tục) đi kèm với hàm phân giải của hệ phổ kế.
Hai hàm phân giải có thể được sử dụng như phép tính gần đúng của phổ thực của hàm
này:
Tổng của hàm gauss:
=
+
∆
)0,
,
,
)
R
FWHM
FWHM
FWHM
Độ phân giải được mô tả bởi tổng của 3 thành phần:
,( tGf 0
0
,( tGf 1
+∆ ) 1
1
,( tGf 2
2
2
(2.36)
Trong đó: G(t,FWHM,Δ) là hàm Gauss theo thời gian, tâm tại Δ.
FWHM: bề rộng một nửa.
if : tỉ số tương ứng với thành phần thứ i.
Hàm mũ gauss ( Exponential Sided Gaussian function – ESG):
Ngoài công thức trên, hàm phân giải cũng có thể tính theo công thức xấp xỉ
−
⊗
−
= GR
FWHM
(
)
hàm mũ gauss, tức là một phức hợp giữa hàm gauss với hai hàm mũ:
t τ 1
t τ r
exp
⊗
exp
(2.37)
Trong đó: FWH: bề rộng một nửa của hàm gauss cực đại.
τ1, τr: là các hằng số biểu thị hàm mũ bên trái và hàm mũ bên phải tương
ứng.
2.3.3.3. Những thành phần kết hợp với đường cong phân giải
Thành phần gián đoạn kết hợp với tổng của hàm gauss:
Hình dạng thật sự của thành phần gián đoạn phụ thuộc vào loại hàm phân giải
đưa vào tính toán. Trong trường hợp hàm phân giải mô tả bởi công thức (2.36), thành
=
+
∆−
+
∆−
)
)
tM (
)
τ , ,
s
τ , ,
τ , ,
s
phần gián đoạn chuyển thành:
k
k
k
k
[ ( tFfI 0
0
( tFf 1
s 1
1
( tFf 2
2
]2 )
(2.38)
t
=
−
Φ+
τ ,
τ ,
τ ,
( tF
), s
), s
( tY
), s
Trong đó: tk biểu thị thời gian liên quan đến kênh thứ k
k
k
+ 1
k
1 2
t k s
+ 1 k s
Φ−
( tY
2
=
τ
−
−
tY ,(
), s
(2.39)
t τ
s τ 2
t s
s 2 τ 4
exp
exp
Φ
1
=
−=Φ x 1)(
erf
x )(
s
.
FWHM
(2.40)
2ln2
và (2.41)
Với x: biến số, erf(x): hàm sai số của hàm gauss
Thành phần gián đoạn kết hợp với ESG:
Nếu thành phần gián đoạn được định nghĩa bởi hàm phân giải (2.37) thì có thể
được diễn tả bởi công thức sau:
=
+
+
)
'( M t
, ) s
− ( F t
, ) s
( F t
, )] s
k
α τ α [ ; ( I F t l
k
k
τ ; l
α r
τ ; r
k
α
=
=
=
(2.42)
α 1
α r
−
+
+
+
+
−
)
)
)
2 τ rττττ ( )(
1
2 τ 1 ττττ ( )( 1
1
r
2 τ r ττττ ( )( 1 1
r
r
Với , , (2.43)
Thành phần liên tục kết hợp với tổng của hàm gauss:
Thành phần liên tục được mô tả bởi R của dạng công thức (2.36) bao gồm tích
phân của M(tk) trong công thức (2.38) với hàm phân bố logarit thông thường trong
∞
=
)
L
λ ). (
tM (
λ d ).
công thức (2.33):
tM ( cont
k
n
k
∫
0
(2.44)
Tích phân này không thể tính toán trong phân tích tích phân vì thế phải dùng chương
trình xử lý bằng phương pháp số để tính.
Thành phần liên tục kết hợp với ESG:
Thành phần gián đoạn được mô tả bởi R của công thức (2.37) và tích phân
được tính toán bằng phương pháp số tương tự như công thức (2.44) nhưng bây giờ
∞
=
M
L
'
t (
)
λ ( ).
tM ('
λ d ).
thay vì là M(tk) thì là hàm M’(tk) được tính:
cont
k
n
k
∫
0
(2.45)
2.3.3.4. Hình dạng của phổ
Một phổ thời gian sống bao gồm sự tổng hợp của n thành phần được mô tả bởi
=
+
( tN
)
N
)
B
công thức:
0
k
( tM j
k
∑
với j = 1…n (2.46)
Trong đó: N0: tổng số đếm trên phổ
B: số đếm phông
Mj: mô tả thành phần phổ phụ thuộc vào dạng M của công thức (2.38), M’
công thức (2.42), Mcont trong công thức (2.44) hoặc M’cont trong công thức (2.45).
CHƯƠNG 3 : Ứng dụng phương pháp hủy pô-si-trôn để nghiên cứu ảnh
hưởng của sắt trong cấu trúc vật liệu SBA-15
3.1. Đối tượng nghiên cứu
3.1.1. Khái quát về vật liệu SBA-15 và Fe-SBA-15
Năm 1998, Zao (Zhao) và các cộng sự đã điều chế thành công họ vật liệu mới,
được kí hiệu là SBA-n, có cấu trúc lăng 2-D và 3-D (SBA-2,3,12,15) hoặc lập phương
(SBA-1,6,16). Phổ biến nhất là loại SBA-15, được tổng hợp khi sử dụng chất tạo cấu
trúc là chất hoạt tính bề mặt đồng trùng hợp ba khối Plu-rô-nic (Pluronic) (P123,
m=20, n=70).
Zê-ô-lit loại SBA-15 là vật liệu xốp trung bình chứa một hệ thống các kênh có
đường kính khoảng từ 4-6 nm và lỗ rỗng với kích thước xác định trong khoảng nano
2-50 nm. Các kích thước này thay đổi tùy theo điều kiện tổng hợp chúng. Nhiệt độ
tổng hợp càng cao thì kích thước lỗ rỗng càng lớn và các thành si-lic càng mỏng.
Trong SBA-15, các lỗ nhỏ là cầu nối giữa các lỗ trung bình kề nhau, đó là các mao
quản thứ cấp ở bên trong thành, bao gồm vi mao quản và mao quản trung bình nhỏ
hơn. Các kênh mao quản chính song song của SBA-15 được kết nối với nhau qua các
vi lỗ và mao quản trung bình nhỏ hơn trong thành mao quản [3], [51].
So với zê-ô-lit loại chứa lỗ rỗng nhỏ (ZSM-5, MFI-100, FER) và zê-ô-lit loại
cấu trúc lớp (LDH), zê-ô-lit SBA-15 có lỗ rỗng với kích thước lớn hơn và nồng độ của
các lỗ rỗng lớn cũng nhiều hơn [8]. So với loại vật liệu xốp trung bình MCM-41, vì
được tổng hợp với chất hoạt tính bề mặt loại Plu-rô-nic, SBA-15 có một vài khác biệt
quan trọng về lỗ rỗng và đặc tính hấp phụ. SBA-15 có thành mao quản dày hơn nhưng
vẫn là vô định hình, diện tích bề mặt BET (Brunauer-Emmett-Teller) của SBA-15
thường nhỏ hơn của MCM-41 và do có thành mao quản dày nên SBA-15 bền thủy
nhiệt hơn [3].
Hình 3.1: Mô hình mao quản lục lăng của SBA-15
Hình 3.2: Mô hình sự kết nối các kênh mao quản sơ cấp qua mao quản thứ cấp của SBA-15
Vật liệu xốp trung bình chứa sắt được đặc biệt quan tâm bởi các đặc tính xúc
tác độc nhất của chúng đối với nhiều phản ứng khác nhau, chẳng hạn như quá trình ô-
xi hóa hy-đrô-cac-bon; sự tách N2O; sự giảm tính xúc tác lựa chọn của NO và N2O
khi có mặt hy-đrô-cac-bon hay a-mô-ni-ac. Đối với zê-ô-lit, sắt tồn tại ở hai kiểu vị trí,
vị trí thay thế khung (framework substitution – FW) và vị trí thay thế bên trong khung
(extra- framework substitution – EFW). Các i-ôn sắt ở vị trí FW tương tự như i-ôn Si4+, ở đỉnh của tứ diện và được bao quanh bởi bốn nguyên tử ô-xi ; còn các ion sắt ở
vị trí EFW nằm bên trong các lỗ, chủ yếu để bù trừ điện tích. Có sự khác biệt của hai kiểu vị trí này, i-ôn sắt ở vị trí FW duy trì trạng thái Fe3+, chúng ít bị ảnh hưởng của
các lỗ rỗng do được che chở bởi các i-ôn ô-xi. Đối với i-ôn sắt ở vị trí EFW thì khác,
+
3
Fe
+⇔ 2 Fe
chúng không được che phủ (hoặc chỉ một phần) nên bị ảnh hưởng của các lỗ và dễ
. Hai kiểu vị trí của i-ôn sắt trong dành tham gia phản ứng thuận nghịch
cấu trúc zê-ô-lit có thể được phân biệt bằng phương pháp đo phổ Mô-bau-e.
Trong họ các vật liệu xốp trung bình, vật liệu SBA-15 được tổng hợp trong điều
kiện a-xit có kích thước lỗ rỗng lớn hơn và thành lỗ dày hơn so với M41S. Sự thêm
sắt vào cấu trúc khung của SBA-15 bằng các phương pháp thủy nhiệt trực tiếp trong
môi trường ba-zơ đã được nghiên cứu và chỉ ra rằng sắt trong cấu trúc khung của các
vật liệu xốp trung bình như là MCM-41, MCM-48 và HMS định vị trong các khối tứ
diện nhưng dễ dàng thoát ra khỏi khung và trở thành ô-xit sắt khi các vật liệu này bị
nung ở nhiệt độ cao và phá hỏng cấu trúc hữu cơ. Các i-ôn sắt thì hoàn toàn ở trạng
thái cô lập trong dung dịch a-xit, trong khi đó chúng dễ dàng kết tủa thành ô-xit sắt
trong dung dịch ba-zơ. Vì vậy, các i-ôn sắt được phân tán cao trong các vật liệu xốp
trung bình chứa sắt dưới điều kiện a-xit hơn là dưới các điều kiện ba-zơ. Các vật liệu
xốp trung bình SBA-15 chứa sắt đã được nghiên cứu tổng hợp với hàm lượng và loại
sắt khác nhau trong điều kiện a-xit nhẹ. Để đạt được khung chứa sắt cô lập thì giá trị
pH của dung dịch tổng hợp phải nhỏ hơn 2. Sự thêm vào của sắt làm cho trật tự của
cấu trúc xốp trung bình tùy thuộc vào ảnh hưởng của muối sắt trước đó. Các i-ôn sắt
trong mạng lưới si-lic duy trì sự định xứ trong các khối tứ diện đối với tất cả vật mẫu
được tôi với tỉ số mol Fe/Si dưới 0,0022 được tổng hợp với giá trị pH bằng 1,5 [37].
3.1.2. Sự hủy pô-si-trôn trong vật liệu xốp trung bình SBA-15
Thông thường, phương pháp phổ kế đo hủy pô-si-trôn dùng để nghiên cứu hầu
hết các vật liệu ngưng tụ như kim loại, hợp kim, chất lỏng, … thường tập trung nghiên
cứu vào sự hủy 2γ với thời gian sống tương ứng từ 0,1 ns đến 5 ns. Tuy nhiên vì các
vật liệu zê-ô-lit cung cấp các ê-lec-trôn và các lỗ nhỏ ở bên trong tạo điều kiện quyết
định để hình thành Ps. Trong zê-ô-lit, o-Ps có thể có thời gian sống lâu (có thể đạt
được như ở trong chân không), dẫn đến một phân bố lớn của sự hủy 3γ. Các trạng
thái Ps nhạy đối với các thành phần thêm vào, chẳng hạn như các i-ôn liên kết bề mặt,
các phân tử khí nhẹ, các lỗ rỗng bề mặt, …. Các tương tác với chúng có thể làm ngắn
thời gian sống của o-Ps và có thể dẫn đến sự hình thành trạng thái pô-si-trôn và Ps
khác. Vì vậy, các kiểu hủy trong zê-ô-lit có những khác biệt lớn, với các thời gian
sống kéo dài từ 0,1 ns đến 135 ns [30].
Phương pháp hủy pô-si-trôn đã tỏ ra hiệu quả để khảo sát thể tích lỗ rỗng của
một số loại vật liệu. Trong vật liệu SBA-15, cũng như các vật liệu ngưng tụ khác, o-Ps
sống đủ lâu để tương tác với các ê-lec-trôn của nguyên tử hay phân tử xung quanh.
Tương tác này làm ngắn thời gian sống và kéo theo sự hủy phát bức xạ, gọi là sự hủy
dập tắt (pick-off). Phép đo thời gian sống bị ngắn đi này của o-Ps có thể cung cấp
thông tin về đặc tính vật lí và hóa học của vùng hủy. Cường độ thời gian sống phản
ánh tương đối số lượng (nồng độ) các lỗ rỗng trong vật liệu. Cần nhấn mạnh rằng
phương pháp hủy pô-si-trôn không chỉ giới hạn đối với trạng thái xốp mở, mà còn ứng
dụng cho cả trạng thái xốp đóng.
Một giả thiết được đưa ra, đó là một phần của o-Ps được hình thành trong các lỗ
đóng của các thành của SBA-15 [51].
Chuyển đổi giữa thời gian sống và kích thước lỗ rỗng tuân theo mô hình thể tích
iτ (i=3,4) của o-Ps liên hệ bán kính lỗ rỗng R (nhỏ hơn 1 nm) qua biểu thức:
=
−
+
sin
lỗ rỗng được đề nghị bởi Tao [52]. Theo mô hình này, thành phần thời gian sống dài
R + ∆
R
R
π 2 R + ∆ R R
1 π 2
2 1
1 τ i
(3.1)
Trong đó R∆ là tham số thực nghiệm, bằng 1.66 A0.
Nghiên cứu của I-tô (Ito) [27] bổ sung thêm một thành phần vào biểu thức (3.1) khi
tính đến sự đóng góp của sự hủy 3 gam-ma, để tính bán kính lỗ rỗng lớn hơn 1 nm và
=
−
+
+
sin
được biểu diễn ở biểu thức (3.2):
R + ∆
R
R
1 π 2
π 2 R + ∆ R R
1 140
2 1
1 τ i
(3.2)
3.1.3. Tổng hợp zê-ô-lit SBA và Fe-SBA-15
EO PO EO (P123) làm
Mẫu đo SBA-15 được tổng hợp dựa theo đề xuất của Zao [55], sử dụng chất có
20
70
20
hoạt tính bề mặt ba khối đồng trùng hợp không bị i-ôn hóa
tác nhân điều khiển cấu trúc. Thông thường, 2 g P123 được hòa tan trong 70 ml dung
dịch HCl có pH bằng 1,5 (hỗn hợp A). Cho thêm vào hỗn hợp A khoảng 4 g tê-tra-ê-
tin-ôc-tô-si-li-cat (tetra-ethyl orthosilicate) (TEOS), khuấy mạnh, xử lí thủy nhiệt. Để
chèn sắt vào cấu trúc SBA-15, hỗn hợp A được khuấy đều với hỗn hợp B gồm 3,2ml
tê-tra-mê-tin-ôc-tô-si-li-cat (tetra-methyl orthosilicate) (TMOS) và một lượng dung
dịch sắt ni-trat Fe(NO3)3 nhất định. Chất rắn tổng hợp được lọc, rửa, sấy khô và nung
khô thành bột.
3.2. Hệ đo
Nguồn có hoạt độ thấp (0,5-2 Mbq) được sử dụng, một máy đo phổ trùng
phùng nhanh-nhanh được trang bị với bộ nhân quang XP 2020 URQ và các chất nhấp
nháy BaF2 và NE111. Các cửa sổ vùng năng lượng rộng được thiếp lập để vừa có hiệu
suất cao, vẫn cho độ phân giải thời gian tốt. Phổ thời gian sống thu được nhờ sự
chuyển thời gian đo được thành chiều cao của xung. Dữ liệu thu thập được trên hệ đo
phổ thời gian sống gồm các khối đo chuẩn của hãng ORTEC và TENNELEC. Thẻ
nhớ máy tính đa kênh Oxford 16k được sử dụng để thu thập dữ liệu. Các giá trị hiệu
chỉnh thời gian được thiết lập thay đổi giá trị từ 20,1 ps/kênh đến 200,3 ps/kênh [29].
Bột zê-ô-lit (0,3 GPa) được nén trong các đĩa có đường kính 8-13 mm và bề
dày 1-1,5 mm, các vật liệu được chuẩn bị và sắp xếp sao cho nguồn Na-22 được đặt
giữa hai tấm nhôm. Vật mẫu được đặt vào một tấm đỡ bằng nhôm, các thí nghiệm
được tiến hành trong môi trường chân không ở nhiệt độ phòng.
Tăng khả năng lặp lại tốt phép tính bằng cách ghi lại phổ trong nhiều ngày và
lặp lại các thí nghiệm. Thời gian sống và cường độ tương ứng được ước lượng bằng
chương trình làm khớp LT v.9.0.
3.3. Kết quả đo và thảo luận
Phổ đo thời gian sống của pô-si-trôn và phổ đo độ dãn nở Đôp-le trong hai mẫu
zê-ô-lit SBA-15 và Fe-SBA-15 trình bày dưới đây được đo bởi TS. Trần Quốc Dũng
tại Viện nghiên cứu vật lí hạt và hạt nhân, Hun-ga-ry.
3.3.1. Thời gian sống của pô-si-trôn trong hai mẫu đo
Phổ thời gian sống của zê-ô-lit SBA-15 và Fe-SBA-15 được thể hiện ở hình 3.3 và
3.4.
Hình 3.3: Phổ thời gian sống của mẫu SBA-15
Hình 3.4: Phổ thời gian sống của mẫu Fe-SBA-15
Kết quả phân tích thời gian sống và cường độ tương ứng bằng chương trình LT
v9.0 sau khi loại bỏ các giá trị nhiễu do thăng giáng thống kê và nhập vào các tham số
ban đầu cần thiết (với giá trị của độ hiệu chỉnh thời gian (calibration) 0,02914
ns/kênh, giá trị FWHM của đường cong phân giải khoảng 0,14 ns, xét từ kênh 140 đến
8000), được trình bày trong bảng 3.1.
Bảng 3.1: Các giá trị thành phần thời gian sống và cường độ tương ứng của pô- si-trôn trong SBA-15 và Fe-SBA-15
3τ (ns)
1τ (ns)
2τ (ns)
4τ (ns)
I1 (%) I2 (%) I3 (%) I4 (%) Vật liệu
0,0797 0,2319 3,942 51,380 20,30 56,64 1,296 21,764 SBA-
± 0,18 ± 0,16 ± 0,01
± 0,001 3
± 0,000 6
± 0,08 7
± 0,07 0
± 0,07 0
15 4
3,90 ± 0,12 35,32 ± 0,20 26,9 ± 3,4 68,4 ± 3,3 3,93 ± 0,24 Fe- SBA- 15 0,1485 ± 0,006 9 0,2468 ± 0,005 1 0,769 ± 0,04 9
Một phân tích dữ liệu thời gian sống cho mẫu zê-ô-lit đòi hỏi ít nhất bốn thành
phần, được phân loại một cách gần đúng như sau: các thành phần sống ngắn nhất
(<0,5 ns) thể hiện sự hủy của p-Ps và các pô-si-trôn tự do, từ 2-4 ns có thể do o-Ps bị
bẫy trong các lỗ nhỏ của mạng lưới, 10-70 ns đối với các o-Ps bị hủy ở các lỗ lớn hơn
(kênh) bên trong và 100-135 ns cho o-Ps ở bên ngoài của tinh thể zê-ô-lit [30].
2τ đều tương ứng với
Đối với cả hai loại vật liệu, thành phần thời gian sống
I 1
I+ tương ứng của hai thành phần thời gian sống ngắn nhất ( 1τ và
2
2τ ) chiếm đa số
cường độ lớn nhất (56,64% cho SBA-15 và 68,40% cho Fe-SBA-15), tổng cường độ
(76,94% cho SBA-15 và 95,30% cho Fe-SBA-15), điều này khẳng định sự chiếm ưu
thế của sự hủy giữa p-Ps và pô-si-trôn tự do so với sự hủy của o-Ps.
4τ lớn hơn đáng kể so với cường độ I3 của thành
Cường độ I4 của thành phần
phần 3τ trong cả hai loại vật liệu, cho ta dự đoán rằng mật độ lỗ trung bình lớn hơn
mật độ lỗ nhỏ ở thành của SBA-15 và Fe-SBA-15.
Thành phần thời gian sống 3τ thay đổi không đáng kể (đều xấp xỉ 3,9 ns). Điều
này thể hiện kích thước lỗ nhỏ thay đổi không đáng kể khi có sắt chen vào cấu trúc
lưới.
Tuy nhiên cường độ I3 của thành phần 3τ giảm đáng kể khi thêm sắt vào, từ
1,30% xuống còn 0,77%, cho thấy mật độ lỗ nhỏ ở thành giảm khi có sắt.
4τ , đối
Thành phần thay đổi nhiều nhất là thành phần thời gian sống lâu nhất
với SBA-15 là 51,38 ns và đối với Fe-SBA-15 là 35,32 ns. Cường độ I4 cũng giảm
mạnh từ 21,8% chỉ còn 4% đối với Fe-SBA-15. Kết quả này cho ta dự đoán về sự
giảm kích thước và mật độ của các lỗ trung bình trong cấu trúc của Fe-SBA-15. Một
khả năng nữa có thể xảy ra là sự thêm i-ôn sắt có thể làm tăng khả năng hút nước
(trong không khí) của SBA-15.
I+ tăng khi có sắt chen vào SBA-15 (từ 76,94% tăng lên
2
Tổng hai cường độ 1 I
đến 95,30% ) bộc lộ một sự suy giảm của hủy o-Ps và một sự tăng của hủy p-Ps.
Ảnh hưởng của sắt đến cấu trúc của SBA-15 được thể hiện cụ thể hơn bằng việc
tính toán bán kính vùng hủy, dựa theo mô hình lỗ rỗng hình cầu được đề nghị bởi Tao
và bổ sung của I-to. Bán kính lỗ nhỏ và trung bình trong SBA-15 và Fe-SBA-15 được
thể hiện ở bảng 3.2. Kết quả này phù hợp với nhận định đã thảo luận về sự thay đổi
không đáng kể kích thước lỗ nhỏ và sự giảm của kích thước lỗ trung bình khi có sắt
của Fe-SBA-15.
Bảng 3.2: Các giá trị bán kính lỗ
iR tương ứng thời gian sống iτ theo mô hình lỗ trống cầu
3τ (ns)
3R (nm)
4τ (ns)
4R (nm)
Vật liệu
3,942 0,421 51,38 1,520 SBA-15
0,419 35,32 1,239 Fe-SBA-15 3,90
3.3.2. Độ dãn nở Đôp-le trong hai mẫu đo
Phổ hủy pô-si-trôn được phân tích bằng phần mềm xử lí số liệu Sigmaplot, và
được chạy kèm theo chương trình DB analysis 9-27-06.xfm. Hình 3.5 và 3.6 thể hiện
giao diện của phần mềm Sigmaplot và kết quả các tham số để đánh giá độ dãn nở
Đôp-le ứng với hai mẫu SBA-15 và Fe-SBA-15, trong đó, cột 1 ghi số kênh, cột 2 ghi
số đếm, cột 5 xuất giá trị của tham số S, W và các thông số khác.
Hình 3.5: Giao diện phần mềm xử lí số liệu Sigmaplot và các tham số đánh giá độ dãn nở Đôp-le trong mẫu SBA-15
Hình 3.6: Giao diện phần mềm xử lí số liệu Sigmaplot và các tham số đánh giá độ dãn nở Đôp-le trong mẫu Fe-SBA-15
Kết quả phân tích hai tham số S và W được trình bày trong bảng 3.3
Bảng 3.3: Các tham số để đánh giá độ dãn nở Đôp-le trong SBA-15 và Fe-SBA-15
Vật liệu Tham số S Tham số W
0,7814 ± 0,0013 0,0617 ± 0,0002 SBA-15
0,7791 ± 0,0013 0,0613 ± 0,0002 Fe-SBA-15
Đối với cả hai loại vật liệu, tham số S lớn hơn tham số W (gấp khoảng 12,7
lần). Trong cấu trúc khối tứ diện của zê-ô-lit, ô-xi luôn trùm lên các i-ôn kim loại (Si, Al, Fe (Fe(III) có kích thước 0,63 A0)) và vì lực đẩy của hạt nhân nên rất khó để pô-si-
trôn xâm nhập vào lõi bên trong, nên dễ dàng hủy với các ê-lec-trôn lớp ngoài cùng.
Do đó sự hủy của pô-si-trôn với ê-lec-trôn hóa trị chiếm phần lớn.
Sự thêm sắt vào cấu trúc SBA-15 làm giảm tham số S, từ 0,7814 xuống còn
0,7791. Điều này được giải thích bởi cấu hình của lớp vỏ điện tử 3d chưa đầy của sắt,
các ê-lec-trôn 3d có động lượng cao hơn so với động lượng của ê-lec-trôn 3s (của Al
và Si) nên xác suất hủy với ê-lec-trôn hóa trị thấp hơn, làm giảm giá tri của tham số S.
Sự giảm giá trị tham số S cũng bộc lộ sự giảm kích thước và mật độ của lỗ rỗng trong
cấu trúc Fe-SBA-15 [11], [34].
Giá trị của tham số W khi có sắt giảm rất ít (0,65%). Tuy xác suất hủy của pô-
<
<
si-trôn với các ê-lec-trôn lõi trong Fe cao hơn so với trong Al và Si
P c Si (
)
P c Al (
)
P c Fe (
)
( ), nhưng sự hủy đối với ê-lec-trôn lõi chỉ chiếm tỉ lệ nhỏ và tỉ lệ
của Fe trong SBA-15 cũng rất nhỏ, nên tham số W thay đổi không đáng kể. Sự giảm
nhẹ của tham số W khi có Fe có thể liên quan đến sự thay thế i-ôn Fe cho các i-ôn kim loại kiềm hoặc kiềm thổ (ví dụ như: Na+, K+, Ca2+, Mg2+…) trong SBA-15 [11].
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
Hai phương pháp phổ kế để đo thời gian sống và đo độ dãn nở Đôp-le trong quá
trình hủy của pô-si-trôn đã được sử dụng nhằm đánh giá ảnh hưởng của sắt trong cấu
trúc vật liệu zê-ô-lit SBA-15. Kết quả cho thấy sự hiện diện của i-ôn sắt có thể làm
dập tắt hoặc kiềm chế sự tạo thành và hủy or-tho-pô-si-trô-ni-um trong cấu trúc Fe-
SBA-15.
Các phương pháp phổ kế hủy pô-si-trôn tỏ ra hữu hiệu trong việc phân tích cấu
trúc và thành phần của các nguyên tố trong nghiên cứu vật liệu zê-ô-lit.
Các kết quả phân tích thời gian sống của pô-si-trôn đã cho thấy ảnh hưởng làm
giảm mật độ lỗ trung bình khi chèn nguyên tố sắt vào cấu trúc zê-ô-lit SBA-15 thông
qua sự giảm đáng kể thời gian sống và cường độ của thành phần sống dài nhất.
Các kết quả phân tích độ dãn nở Đôp-le cho thấy ảnh hưởng của nguyên tố sắt
làm giảm tham số S do lớp vỏ điện tử 3d chưa đầy của sắt gây ra.
Tuy nhiên, để đánh giá chính xác hơn ảnh hưởng của sắt đến cấu trúc SBA-15,
cần thiết phải đánh giá ảnh hưởng của các chất bị hấp phụ khác trong zê-ô-lit, chẳng
hạn như ô-xi, ni-tơ, nước. Các nghiên cứu về cấu trúc zê-ô-lit cho thấy ô-xi, ni-tơ,
2 / 3γ γ .
nước không chỉ ảnh hưởng đến thành phần o-Ps, mà còn làm thay đổi sự phân bố
Phương pháp phổ kế hủy pô-si-trôn cần được kết hợp với hiệu ứng Mo-bau-e,
từ đó có thể xác định kiểu vị trí của sắt trong cấu trúc Fe-SBA-15.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tài liệu tham khảo Tiếng Việt
1. Phạm Quốc Hùng (2007), Vật lí hạt nhân và ứng dụng, NXB Đại học Quốc gia Hà
Nội, chương 5.
2. Nguyễn Thị Thu Quyên (2007), Khảo sát sự chuyển pha cấu trúc dưới tác dụng
nhiệt của đồng bằng phương pháp phổ thời gian sống của pô-si-trôn, Luận văn
thạc sĩ, Trường Đại học Khoa học tự nhiên TP.HCM.
3. Ngô Tiến Quyết (2009), Tổng hợp, nghiên cứu đặc trưng và hoạt tính xúc tác của
Perovskit mang trên vật liệu mao quản trung bình SBA-15, Luận văn thạc sĩ, Đại
học Khoa học tự nhiên – Đại Học Quốc Gia Hà Nội.
4. Châu Văn Tạo, Trịnh Hoa Lăng (2007), “Khảo sát năng lượng tương quan ê-lec-
trôn – pô-si-trôn trong kim loại Cu (FCC)”, tạp chí phát triển khoa học và công
nghệ, 10(5).
5. Trần Duy Tập (2008), Nghiên cứu ảnh hưởng của việc cấy hydrogen vào tinh thể
bán dẫn SiC bằng phương pháp hủy pô-si-trôn, Luận văn thạc sĩ, Trường Đại
học Khoa học tự nhiên TP.HCM.
6. Hồ Sĩ Thoảng (2006), Xúc tác dị thể, giáo trình hóa học, NXB khoa học và công
nghệ TP. Hồ Chí Minh, 67-73; 100-107.
7. Nguyễn Thôi (2010), Tổng hợp zeolite LSX từ SiO2 tro trấu, Khóa luận tốt nghiệp,
Đại học Sư Phạm TP. Hồ Chí Minh.
8. Hồ Thị Thông (2012), Áp dụng phương pháp đo thời gian sống của pô-si-trôn trong
nghiên cứu một vài vật liệu zê-ô-lit, Khóa luận tốt nghiệp, Đại học Sư Phạm TP.
Hồ Chí Minh.
Tài liệu tham khảo Tiếng Anh
9. Andersen J. U., Augustyniak W. M., Uggerhoj E. (1971), “Channeling of
positrons”, Phys. Rev., B3, 705.
10. Andersen J.U., Augustyniak W. M. (1977), “Channeling of electrons and
positrons”, Bianco Lunos Bogtrykkeri.
11. Brusa R. S., Deng W., Karwasz G. P., Zecca A. (2002), “Doppler-broadening
measurements of positron annihilation with high-momentum electrons in pure
elements”, Nucl. Inst. and Methods in Phys. Res., B194, 519-531.
12. Cornu C., Bonardet J. B., Casale S., Davidson A., Abramson S., André G., Porcher
F., Grcic I., Tomasic V., Vujevic D., Koprivanac K. (2012), “Identification and
location of Iron species in Fe/SBA-15 catalysts: Interest for catalytic Fenton
reactions”, Phys. Chem. C, 116, 3437-3448.
13. Dapor M., Miotello A. (1998), “Backscattering of positrons from solid targets”,
Scanning Microscopy, 12(1), 131-138.
14. Dapor M., Miotello A. (1998), “Differential, total, and transport cross sections for
elastic scattering of low energy positrons by neutral atoms”, Atomic data and
nuclear data tables, 69, 1-100.
15. Decker F. J. (1991), “Channeling crystals for positron production”, Slac-Pub-the
IEEE Partical Accelerator Conference, 5482.
16. Dung T. Q., Lázár K., Havancsák K., Kajcsos Z. S. (2012), “o-Ps lifetimes in iron
containing micro- and mesoporous media”, KFKI Res. Inst. for Part. Nucl. Phys.
17. Duplâtre G., Kajcsos Z. S., Billard I., Liszkay L., Lázár K., Lohonyai L., Beyer H.
K., Caullet P., Patarin J. (1999), “Free volumes in zeolites as probed by
positrons”, Elsevier Sci. B.V.,125.
18. Duplâtre G., Kajcsos Z. S., Billard I., Liszkay L., Lázár K., Lohonyai L., Beyer H.
K., Caullet P., Patarin J., Varga L., Pászti F., Kótai E., Gordo P. M., Gil C. L.,
Lima A. P., Marques M. F. F., Szilágyi E., Borbély G. P., Azenha M. E. (2004),
“Positronium trapping in porous solids: Means and limitations for structural
studies”, Acta. Phys. Polonica, 107(5).
19. Duplâtre G., Kajcsos Z. S., Liszkay L., Lázár K., Lohonyai L., Varga L., Gordo P.
M., Lima A. P., Gil C. L., Marques M. F. F., Bosnar D., Bosnar S., Kosanovic
C., Subotic B. (2007), “Competitive positron and positronium trapping in porous
media”, Radiation Phys. and Chem., 76, 231-236.
20. Forano C., Hibino T., Leroux F., Gueho C. T. (2006), “Layered double
hydroxides”, Development in Clay Sci., 1.
21. Galarneau A., Nader M., Guenneau F., Renzo F., Gedeon A. (2007),
“Understanding the stability in water of mesoporous SBA-15 and MCM-41”,
Phys. Chem., 111, 8268-8277.
22. Garcia H., Heinz D. R. (2002), “Generation and reaction of organic radical
cations”, Chem. Rev., 102, 3947-4007.
23. Georgiev D., Bogdanov B., Angelova K., Markovska I., Hristov Y. (2009),
“Synthetic zeolite – structure classification, current trends in zeolite synthesis
review”, Int. Sci. conference, 7.
24. González E. A. U., Martins L., Peguin R. P. S., Batista M. S. (2002), “Identification
of extra-Framework spiecies on Fe/ZSM-5 and Cu/ZSM-5 catalysts typical
microporous molecular sieves with zeolite structure”, Mater. Res., 5(3), 321-327.
25. Grafutin V. I., Prokop'ev E. P. (2002), “Positron annihilation spectroscopy in
materials structure studies”, Phys.-Uspekhi 45(1), 59-74.
26. Haakenaasen R., Hau L. V., Golovchenko J. A., Palathingal J. C., Peng J. P.,
Kumar P. A., Lynn K. G. (1995), “Quantum channeling effects for 1 MeV
positrons”, Phys. Rev., 75(8).
27. Ito K., Nakanishi H., Ujihira Y. (1999), “Extension of the equation for the
annihilation lifetime of orthopositronium at a cavity larger than 1 nm in
radius”,Phys. Chem., B103, 4555-8.
28. Jensen K. O., Walker A. B. (1993), “Monte Carlo simulation of transport of fast
electrons and positrons in solids”, Surface Sci., 292, 83-97.
29. Kajcsos Z. S., “Posibilities of positron annihilation techniques in the study of
porous solids and zeolites”, KFKI Res. Inst. for Part. Nucl. Phys.
30. Kajcsos Z. S., Liszkay L., Duplâtre G., Lohonyai L., Varga L., Lázár K., Borbély
G. P., Beyer H. K., Caullet P., Patarin J., Lima A. P., Gil C. L., Gordo P. M.,
Marques M.F. (2003), “Positron and positronium in porous media – zeolites”,
Radiation Phys. Chem., 68, 363-368.
31. Kajcsos Z. S., Liszkay L., Duplâtre G., Lohonyai L., Varga L., Lázár K., Borbély
G. P., Beyer H. K., Paillaud J. L. (2004), “Positron annihilation and positronium
trapping in zeolites”, Mater. Sci. Forum, 445, 239-243.
32. Kajcsos Z. S., Liszkay L., Duplâtre G., Lohonyai L., Varga L., Lázár K., Caullet P.,
Patarin J. (1997), “Further results on long-lived positronium states in zeosil”,
Mater. Sci. Forum, 225, 405-407.
33. Kajcsos Z. S., Liszkay L., Duplâtre G., Varga L., Lohonyai L., Kosanovic C.,
Bosnar S., Subotic B., Lázár K., Bosnar D., Havancsák K., Gordo P. M. (2009),
“Critical parameters of positron and positronium annihilation in grany and
porous solid: ionic crystals and zeolites”. Phys. Status Solidi, 6(11), 2540-2545.
34. Klaehn J. M. U, Quarles C. A. (1999), “Positron annihilation spectroscopy of
sandstone and carbonate rocks”, Applied phys., 86(1).
35. Lawther D. W., Dunlap R. A. (1995), “In situ Cu Dopper broadening positron
annihilation methods for elevated temperature study of defect formation in
metals”, Can. J. Phys., 73, 11-17.
36. Li Y., Feng Z., Xin H., Fan F., Zhang J., Magusin P. C. M. M., Hensen E. J. M.,
Santen R. A., Yang Q., Li C. (2006), “Effect of aluminum on the nature of the
Iron species in Fe-SBA-15”, Phys. Chem. B, 110, 26114-26121.
37. Li Y., Feng Z., Y., Sun K., Zhang L., Jia G., Yang Q., Li C. (2005), “Direct
synthesis of highly ordered Fe-SBA-15 mesoporous materials under weak acidic
conditions”, Microporous and mesoporous materials, 84, 41-49.
38. Liszkay L., Gordo P. M., Havancsák K., Skuratov V. A., Lima A., Kajcsos Z. S.
(2004), “Positron lifetime and Doppler broadening study of defects created by
swift ion irradiation in Sapphire”, Mater. Sci. Forum, 445, 138-140.
39. Mortier W. J. (1982), “Compilation of extra framework sites in zeolites”, Butt. Sci.
Limited.
40. Nascimento E., Helene O., Vanin V. R. (2005), “Study of the Doppler broadening
of positron annihilation radiation in Silicon”, Brazilian Journal of Phys., 35(3B).
41. Neufert A., Schiebel U., Clausnitzer G. (1975), “Transmission anisotropies and
string scattering of MeV electrons and positrons in single crystal”, Radiant. Eff.,
26, 49-59.
42. Nozaki C., Lugmair C. G., Bell A. T., Tilley T. (2002), “Synthesis,
Characterization, and catalytic performance of single-site Iron (III) on the
surface of SBA-15 silica”, Am. Chem. Soc., 124, 13194-13203.
43. Ozmutlu E. N., Aydin A. (1994), “Monte Carlo calculation of 50 eV – 1 MeV
positron in aluminum”, Appl. Radiat. Isot, 45, 963-971.
44. Pedersen M. J., Andersen J. U., Augustyniak W. M. (1972), “Channeling in Silicon
at 1,2 MeV”, Radiant. Eff., 12(1), 47-52.
45. Pollock R. A., Walsh B. R., Fry J., Ghampson T., Melnichenko Y. B., Kaiser H.,
Pynn R., Desisto W. J., Wheeler M. C., Frederick B. G. (2011), “Size and spatial
distribution of micropores in SBA-15 using CM-SANS”, Chem. Mater., 23,
3828-3840.
46. Sato K., Xu Q., Yoshiie T. (2010), “Positron annihilation coincidence Doppler
broadening measurements of irradiation-induced precipitation in Ni-Sn alloys”,
Int. Symposium on advanced Sci. Res., 225, 012047.
47. Schultz P. J., Logan L. R., Jackman T. E., Davies J. A. (1988), “Channeling effects
on positron transmission through thin crystals”, Phys. Rev., B 38, 6369.
48. Schut H., Escobar G. R., Kolar Z. I., Veen A., Clet G. (2000), “Positronium
formation in NaY zeolites studied by lifetime, positron beam Doppler
broadening and 3-gamma detection techniques”, Radiation Phys. and Chem., 58,
715-718.
49. Shevade S., Ahedi R. K., Kotasthane A. N. (1997), “Synthesis and characterization
of ferrisilicate analogs of ferrierite (Fe-FER) zeolites”, Catalysis Letters, 49, 69-
75.
50. Sluge V. (2006), “What Kind of Information we can obtain from positron
Annihilation”, European Communities, 6-14; 31-33.
51. Sousa A., Souza K. C., Reis S. C., Sousa R.G., Windmoller D., Machado J.C.,
Sousa E.M.B. (2008), “Positron annihilation study of pore size in ordered SBA-
15”, Non-Crystalline Solid, 354, 4800-4805.
52. Tao S. J. (1972), “Positronium annihilation in molecular substances”, Chem. Phys.,
56-5499.
53. West R. N. (1973), “Positron studies of condensed matter”, Advances in phys.,
22(3), 263-383.
54. Xu Q., Ishizaki T., Sato K., Yoshiie T., Nagata S. (2006), “Coincidence Doppler
broadening of positron annihilation radiation for detection of Helium in
irradiated Ni and Cu”, Materials Transactions, 47(11), 2885-2887.
55. Zhao D. Y., Yang P. D., Huo Q. S., Chmelka B. F., Stucky G. D. (1998), “Curr
opin solid state mater science”, 3(1), III-21.
56. Zhiquan C., Shaojie W. (1993), “Observation of spin-conversion of positronium in
zeolite”, Chin. Phys . Lett., 10(11).