Á
Ế
Ừ
À
Ề
Ỉ
C
Á
CTHI
Ế
TBỊD
Ừ
NG
VÀ
Đ
I
Ề
UCH
Ỉ
NH
VẬN
TỐC
VẬN
TỐC
§
-
1. Thiếtbịgiữvậttreo
§
1.
Thiết
bị
giữ
vật
treo
§4-2. Thiết bị phanh hãm
§4-3. Thiết bị liên hợp dừng và hãm phanh
Bé m«n c¬ khÝ luyÖn kim – c¸n thÐp 1
Điều kiện làm việc của cơ cấu nâng đòi hỏi phải có thiết bị
giữ vật treo cũng như điều chỉnh vận tốc nâng hạ một cách
thích hợp. Các cơ cấu khác như cơ cấu di chuyển, cơ cấu
quay, cơ cấu thay đổi tầm với cũng đòi hỏi thiết bị dừng và
pham hãm.
+Thiết bị dừng là một cơ cấu dùng để giữ vật nâng ở trạng
ấ ề
thái treo. Nó chỉ cho phép trục của cơ c
ấ
u quay theo chi
ề
u
nâng vật. Thiết bị dừng không phát sinh năng lượng để dừng
ể ế
mà nó hãm chuy
ể
n động theo nguyên lý làm việc. Các thi
ế
t bị
này thường dùng phổ biến các loại cơ cấu như các loại khoá
Bé m«n c¬ khÝ luyÖn kim – c¸n thÐp 2
dừng, bánh cóc…
+ Phanh là thiết bị dùng để dừng hẳn chuyển động hoặc
hạn chế tốc độ của cơ cấu. Khác với thiết bị dừng, phanh phải
ể ắ
phát sinh ra năng lượng đ
ể
kh
ắ
c phục động năng của máy
hoặc giữ vật ở độ cao nào đấy.
+
Cá ê ầhđốiớih h
- Phanh phải có mômen phanh đủ lớn với điều kiện làm
việcchotrướccủa phanh;
+
Cá
c y
ê
u c
ầ
u c
h
ung
đối
v
ới
p
h
an
h
:
việc
cho
trước
của
phanh;
Mph = n.Mx, N.mm
Ph h ó độ hậàđộ ti ậ
-
Ph
an
h
c
ó
độ
n
hậ
y v
à
độ
ti
n c
ậ
y cao;
-Kết cấu phanh đơn giản, dễ chế tạo và đảm bảo độ bền
các phầncủa phanh;
các
phần
của
phanh;
-Dễ kiểm tra, điều chỉnh và thay thế những chi tiết bị mòn;
Nhỏgọntrọng lượng nhỏgiá thành rẻbềmặt làm việc
Bé m«n c¬ khÝ luyÖn kim – c¸n thÐp 3
-
Nhỏ
gọn
,
trọng
lượng
nhỏ
,
giá
thành
rẻ
,
bề
mặt
làm
việc
bền lâu.
§
4
1THIẾTBỊGIỮVẬTTREO
§
4
-
1
.
THIẾT
BỊ
GIỮ
VẬT
TREO
1 Khoá dừng ma sát
1
.
Khoá
dừng
ma
sát
2. Khoá dừng con lăn
3. Cơ cấu bánh cóc
Bé m«n c¬ khÝ luyÖn kim – c¸n thÐp 4
1. Khoá dừng ma sát
+ Cấu tạo:
+ N
g
u
y
ên l
ý
làm vi
ệ
c:
Hình 4
-
1. Khoá dừng ma sát.
gy ý ệ
+ Tính toán:
Hình
4
1.
Khoá
dừng
ma
sát.
N,
R
M
P=-lực vòng trên bánh 1
-Để giữ bánh 1 đứng yên: lực ma sát cân bằng với lực vòng
F
≥
P
F
≥
P
P = N.tgα
F = f.N
Bé m«n c¬ khÝ luyÖn kim – c¸n thÐp 5
f ≥tgα